JPS63293928A - Electronic device - Google Patents
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- JPS63293928A JPS63293928A JP12824487A JP12824487A JPS63293928A JP S63293928 A JPS63293928 A JP S63293928A JP 12824487 A JP12824487 A JP 12824487A JP 12824487 A JP12824487 A JP 12824487A JP S63293928 A JPS63293928 A JP S63293928A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子装置、特に、ペレットの放熱技術に関す
るもので、例えば、テープ・オートメイテッド・ボンデ
ィングが使用されている半導体集積回路装置（以下、Ｉ
Ｃという。）に利用して有効なものに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to electronic devices, and in particular, to heat dissipation technology for pellets. , I
It's called C. ) Concerning what is effective when used.
薄形の実装を実現するためのテープ・キャリア型パッケ
ージを備えているＩＣとして、ペレットとリード群とが
テープ・オートメイテッド・ボンディング（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ。As an IC equipped with a tape carrier type package to achieve thin packaging, the pellet and lead group are bonded using tape automated bonding (Tape Automated Bonding).
AutomatedB.
ｎｄｉｎｇ：ＴＡＢ）により機械的かつ電気的に接続さ
れるように構成されているものがある。すなわち、リー
ド群はポリイミド等のような絶縁性樹脂からなるキャリ
アテープ上に銅等のような導型材料を用いて付設されて
いる。ペレットはこのテープに形成されているサポート
リング内に各バンプが各リードに整合するように配され
て、バンプおよびリードをボンディング工具により熱圧
着されることによって接続される。その後、封止樹脂が
サポー トリング、リードおよびペレットを封止するよ
うにボンディングされることにより、樹脂封止パッケー
ジが成形される。Some devices are configured to be mechanically and electrically connected by nding:TAB). That is, the lead group is attached to a carrier tape made of an insulating resin such as polyimide using a conductive material such as copper. The pellets are arranged in a support ring formed on this tape so that each bump is aligned with each lead, and the bumps and leads are connected by thermocompression bonding with a bonding tool. Thereafter, a resin-sealed package is molded by bonding the support ring, leads, and pellets with a sealing resin.
なお、テープ・キャリア型ボンディング技術を述べであ
る例としては、株式会社工業調査会発行ｒｌｃ化実装技
術」昭和５７年４月１５日発行ＰＩ０７〜ＰＩ １３、
がある。Examples of tape-carrier type bonding technology include "RLC Mounting Technology" published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., published on April 15, 1980, PI07 to PI 13;
There is.
このようなＴＡＢ構造のＩＣによりパワー１ｃを構成す
ることが考えられるが、パワーＩＣにおいては大きな放
熱性能が要求される。Although it is conceivable to configure the power 1c with an IC having such a TAB structure, the power IC is required to have high heat dissipation performance.
そこで、ＴＡＢ構造のパワーＩＣにおけるパッケージの
外面に放熱フィンを付設する構成が考えられるが、この
ようなパワーＩＣにおいては、ペレットと放熱フィンと
が直接的に接触せず、熱抵抗が大になるため、充分な放
熱性能を得ることができないという問題点があることが
、本発明者によって明らかにされた。Therefore, a configuration in which heat dissipation fins are attached to the outer surface of the package in a TAB structure power IC can be considered, but in such a power IC, the pellet and the heat dissipation fin do not come into direct contact, resulting in a large thermal resistance. The inventor of the present invention has revealed that, as a result, there is a problem in that sufficient heat dissipation performance cannot be obtained.
本発明の目的は、高い放熱性能を得ることができる電子
装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electronic device that can obtain high heat dissipation performance.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。An overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、キャリアテープに付設されている複数本のリ
ードと、リード群にボンディングされているペレットと
を備えている電子装置において、前記ペレットの裏面に
放熱板を直接的に付設したものである。That is, in an electronic device including a plurality of leads attached to a carrier tape and a pellet bonded to the lead group, a heat sink is attached directly to the back surface of the pellet.
前記した手段によれば、ペレットに放熱板が直接的に接
触されているため、ペレットの発熱は放熱板を経て外部
に直接的に放出されることになる。According to the above-described means, since the heat sink is in direct contact with the pellet, the heat generated by the pellet is directly radiated to the outside through the heat sink.
これにより、充分な放熱性能が確保されるため、パワー
ＩＣ等についてもＴＡＢ構造の採用を実現させることが
できる。This ensures sufficient heat dissipation performance, making it possible to implement the TAB structure for power ICs and the like.
第１図は本発明の一実施例であるＴＡＢ構造のパワーｒ
ｃを示す縦断面図、第２図はその製造途中を示す平面図
、第３図はインナリードボンディング作業を示す縦断面
図、第４図はボッティング作業を示す縦断面図、第５図
は実装状態を示す縦断面図である。Figure 1 shows the power r of the TAB structure, which is an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a plan view showing the manufacturing process, Fig. 3 is a longitudinal sectional view showing inner lead bonding work, Fig. 4 is a longitudinal sectional view showing botting work, and Fig. 5 is a longitudinal sectional view showing c. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a mounted state.
本実施例において、このパワーＴＣＩはそのペレットと
リード群とがテープ・オートメイテッド・ボンディング
により機械的かつ電気的に接続されている。すなわち、
キャリア用のテープ２はポリイミド等のような絶縁性樹
脂を用いて、同一パターンが長手方向に連続するように
一体成形されている。但し、説明および図示は一単位だ
けについて行われている。テープ２の両側端辺部にはピ
ッチ送りに使用される送り孔３が等ピッチに配されて開
設されており、両側の送り孔群間にはサポートリング４
が等ピッチをもって１列縦隊に配されて形成されている
。サポートリング４は略長方形の枠形状に形成されてお
り、その枠内側空所は後記するペレットを収容するため
のベレット収容部５を実質的に構成している。サポート
リング４の外側空所６には保持部材７が四隅に配されて
、サポートリング４を保持するように一体的に架設され
ている。In this embodiment, the pellet and lead group of this power TCI are mechanically and electrically connected by tape automated bonding. That is,
The carrier tape 2 is integrally molded using an insulating resin such as polyimide so that the same pattern continues in the longitudinal direction. However, the description and illustration are made for only one unit. Spread holes 3 used for pitch feeding are arranged at equal pitches on both side edges of the tape 2, and support rings 4 are provided between the groups of perforations on both sides.
are arranged in a single column with equal pitch. The support ring 4 is formed in the shape of a substantially rectangular frame, and the space inside the frame substantially constitutes a pellet accommodating portion 5 for accommodating pellets to be described later. Holding members 7 are disposed at the four corners of the outer space 6 of the support ring 4 and are integrally constructed so as to hold the support ring 4.
集積回路を電気的に外部に引き出すためのり一ド８は複
数本が、テープ２の片側平面（以下、上面とする。）上
に配されて、１ｊ１等のような導電性材料を用いて溶着
や接着等のような適当な手段により固定的に付設されて
いる。リード８群はサポートリング４における両短辺側
に分けられて、サポートリング４を径方向に貫通するよ
うに配設されており、各リード８同士が互いに電気的に
非接続になるように形成されている。各リード８の内側
先端部はペレット収容部５内に突き出されることにより
インナリード９を構成しており、外側空所６を横断して
外方に突き出されたアウタリード１０はテープ２上に固
着されている。リード８群の表面にはソルダビリティ−
を高めるために錫めっき膜１１が被着されている。A plurality of glues 8 for electrically drawing out the integrated circuit to the outside are placed on one side plane (hereinafter referred to as the top surface) of the tape 2 and welded using a conductive material such as 1j1. It is fixedly attached by suitable means such as adhesive or adhesive. The lead 8 groups are divided into both short sides of the support ring 4 and are arranged to penetrate the support ring 4 in the radial direction, and are formed so that the leads 8 are not electrically connected to each other. has been done. The inner tip of each lead 8 is protruded into the pellet storage part 5 to constitute an inner lead 9, and the outer lead 10, which is protruded outward across the outer cavity 6, is fixed onto the tape 2. has been done. Solderability on the surface of 8 groups of leads
A tin plating film 11 is applied to increase the temperature.
一方、パワーＩＣにおける集積回路（図示せず）が作り
込まれたペレット１２はサポートリング４のペレット収
容部５に収容され得る略長方形の小片に形成されており
、その上面における両短辺部には金糸材料を用いて形成
されたバンプ１３が複数個、テープ２における各インナ
リード９に整合し得るように配されて突設されている。On the other hand, the pellet 12 in which the integrated circuit (not shown) of the power IC is built is formed into a substantially rectangular small piece that can be accommodated in the pellet accommodating portion 5 of the support ring 4, and has both short sides on the top surface. A plurality of bumps 13 formed using a gold thread material are arranged and protruded so as to be aligned with each inner lead 9 of the tape 2.
本実施例において、ペレット１２の下面（裏面に相当す
る。）には放熱板１６が接着材層１５により機械的に固
着されており、放熱板１６は銅等のような熱伝導性の良
好な材料を用いて、ペレット１２の平面形状に対して大
きめに形成されている。放熱板１６の上面には２条の環
状溝１７．１８がペレット１２の外方において内外に配
されるとともに、ペレット１２を２重に取り囲むように
形成されてそれぞれ没設されている。そして、内側の環
状溝１７は接着材層１４の接着材の流出をせき止めてお
り、外側の環状溝１８は後述するパッケージ成形時にお
いて樹脂の流出をせき止めるようになっている。In this embodiment, a heat dissipation plate 16 is mechanically fixed to the lower surface (corresponding to the back surface) of the pellet 12 by an adhesive layer 15, and the heat dissipation plate 16 is made of a material having good thermal conductivity such as copper. The pellet 12 is made of a material and is formed to be larger than the planar shape of the pellet 12. Two annular grooves 17 and 18 are disposed on the upper surface of the heat dissipation plate 16 on the inside and outside of the pellet 12, and are formed so as to double surround the pellet 12, and are recessed therein. The inner annular groove 17 prevents the adhesive from the adhesive layer 14 from flowing out, and the outer annular groove 18 prevents the resin from flowing out during package molding, which will be described later.
リード８群にペレット１２がインナリードボンディング
される際、キャリアテープ２は複数のスプロケット（図
示せず）間に張設されて一方向に間欠送りされる。そし
て、張設されたキャリアテープ２の途中に配設されてい
るインナリードボンデインダステージにおいて、第３図
に示されているようにペレット１２はベレット収容部５
内にサポートリング４の下方から収容されるとともに、
各バンプ１３を各インナリード９にそれぞれ整合されて
ボンディング工具２１により熱圧着されることにより、
テープ２に組み付けられる。すなわち、リード８の表面
に被着されている絹めっき模１１と金糸材料から成るバ
ンプ１２と間において、金−錫の共晶が形成されるため
、両者８と１２とは一体的に結合されることになる。When the inner lead bonding of the pellets 12 is carried out to the group of leads 8, the carrier tape 2 is stretched between a plurality of sprockets (not shown) and is intermittently fed in one direction. Then, in the inner lead bonder stage disposed in the middle of the stretched carrier tape 2, the pellets 12 are transferred to the pellet accommodating section 5 as shown in FIG.
is accommodated in the support ring 4 from below, and
By aligning each bump 13 with each inner lead 9 and bonding them by thermocompression using a bonding tool 21,
It is attached to tape 2. That is, since a gold-tin eutectic is formed between the silk plating pattern 11 attached to the surface of the lead 8 and the bump 12 made of gold thread material, the two 8 and 12 are integrally bonded. That will happen.
このようにしてテープ・オートメイテッド・ボンディン
グされたペレット１２とリード８群との周囲には、エポ
キシ・フェノール樹脂等のような絶縁性樹脂がボッティ
ングにより供給されることにより、パッケージ１４がペ
レット１２およびインナリード９群を樹脂封止するよう
に成形される。An insulating resin such as epoxy or phenolic resin is supplied by botting around the pellet 12 and the lead 8 group that have been tape-automated bonded in this way, so that the package 14 can be attached to the pellet 12. And the inner lead 9 group is molded to be resin-sealed.
このとき、パッケージ１４は放熱板１６の側面および下
面が露出するように成形される。At this time, the package 14 is formed so that the side and bottom surfaces of the heat sink 16 are exposed.
すなわち、第４図に示されているようにボッティング樹
脂はボッティング装置２２によりテープ２の上方からサ
ポートリング４のペレット収容部５を中心に満遍無く塗
布するように供給され、サポートリング４とペレット１
２との隙間を通ってサポートリング４およびペレット１
２の側面に回り込み、インナリードおよびペレット１２
を全体的に包囲して非気密封止することになる。ペレッ
ト１２の側面に回り込んだ樹脂は放熱板１６の上面に流
出するが、放熱Ｆｉ１６の上面にペレット１２を取り囲
むように没設されている環状溝１８によってせき止めら
れるため、放熱＆１６の下面にまでは至らない。That is, as shown in FIG. 4, the botting resin is supplied from above the tape 2 by the botting device 22 so as to be evenly applied to the pellet accommodating portion 5 of the support ring 4. and pellet 1
Support ring 4 and pellet 1 pass through the gap between 2 and 2.
2, and the inner lead and pellet 12
The entire area will be surrounded and hermetically sealed. The resin that has wrapped around the side surface of the pellet 12 flows out onto the top surface of the heat sink 16, but it is blocked by the annular groove 18 sunk into the top surface of the heat sink Fi 16 so as to surround the pellet 12, so that it reaches the bottom surface of the heat sink Fi 16. is not enough.
このようにして樹脂封止パッケージ１４を成形されたパ
ワーＩＣＩはキャリアテープ２に付設された状態のまま
、電気的特性試験等のような検査を受けた後、出荷され
る。The power ICI having the resin-sealed package 14 molded in this manner is shipped while being attached to the carrier tape 2 after undergoing an inspection such as an electrical characteristic test.
そして、出荷されたパワーＩＣＩはキャリアテープ２に
付設された状態のまま、または、サポートリング４の外
方位置で切断されてキャリアテープ２から個別に分離さ
れた状態において、第５図に示されているように、プリ
ント配線基板２３上に放熱板１６を上向きにして配され
、アウタリードｌＯとランドパッド２４との間がリフロ
ーはんだ処理される。このとき、リード８の表面には錫
めっき１ｕｌｌが被着されているため、ソルダビリティ
−は良好に行われる。さらに、必要に応じて、パワーＩ
ＣＩは放熱板１６を押さえ具２５によりプリント配線基
板２３に押さえられて固定される。The shipped power ICIs are shown in FIG. 5 either attached to the carrier tape 2 or separated from the carrier tape 2 by being cut at an outer position of the support ring 4. The heat dissipation plate 16 is placed on the printed wiring board 23 as shown in FIG. At this time, since 1 μl of tin plating is applied to the surface of the lead 8, the solderability is excellent. Furthermore, if necessary, power I
The CI is fixed by pressing the heat dissipation plate 16 against the printed wiring board 23 with a presser 25.
このとき、放熱板１６の裏面の汚染が環状溝１７．１８
による接着材および樹脂の流れ止め機能によって防止さ
れているため、押さえ具２５は放熱板１６に通正に密着
することになる。At this time, the contamination on the back side of the heat sink 16 is caused by the annular grooves 17 and 18.
Since this is prevented by the function of preventing the adhesive and resin from flowing, the presser 25 comes into direct contact with the heat sink 16.
この実装状態で、パワーＩＣＩが稼働されてぺレット１
２が発熱した場合、その熱はペレット１２から放熱板１
６に直接的に熱伝導されるとともに、放熱板１６の広い
表面積から外気に放熱されるため、相対的にペレット１
２は充分に冷却される。また、押さえ具２５が放熱板１
６に密接されている場合には、放熱板１６の熱が押さえ
ｐ：２５を通じてさらに広い範囲に熱伝導されるため、
放熱効果はより一層高くなる。In this mounted state, the power ICI is operated and pellet 1
2 generates heat, the heat is transferred from the pellet 12 to the heat sink 1.
Because the heat is directly conducted to the pellets 6 and radiated to the outside air from the large surface area of the heat sink 16, the pellets 1
2 is sufficiently cooled. In addition, the presser 25 is attached to the heat sink 1
6, the heat of the heat dissipation plate 16 is conducted to a wider range through the presser plate 25,
The heat dissipation effect becomes even higher.
前記実施例によれば次の効果が得られる。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
＋１１ ペレットの裏面に放熱板を付設することによ
り、ペレットの熱を放熱板に直接的に熱伝導させること
ができるため、放熱性能を高めることができる。+11 By attaching a heat dissipation plate to the back surface of the pellet, the heat of the pellet can be directly conducted to the heat dissipation plate, so that the heat dissipation performance can be improved.
（２）放熱性能を高めることにより、ＴＡＢ構造による
パワーＩＣを実現させることができるため、ＴＡＢ構造
によってパワーＩＣの生産性を大幅に高めることができ
る。(2) By improving the heat dissipation performance, it is possible to realize a power IC with a TAB structure, and thus the productivity of power ICs can be significantly increased with the TAB structure.
（３）放熱板のペレット搭載面に環状溝をペレットを２
重に取り囲むように配して没設することにより、接着材
およびパッケージ樹脂の流出を防止することができるた
め、放熱板の側面および裏面の汚染を防止することがで
き、実装時における押さえ具等の密接性を確保すること
ができる。(3) Place two pellets into an annular groove on the pellet mounting surface of the heat sink.
By arranging and immersing the heat sink in such a way as to surround it, it is possible to prevent the adhesive and package resin from flowing out, which prevents contamination of the side and back surfaces of the heat sink. closeness can be ensured.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.
例えば、放熱板はペレットがリード群にインナボンディ
ングされる前にペレットに付設させておくに限らず、イ
ンナボンディングと同時ないしは後にペレットに付設さ
せてもよい。For example, the heat dissipation plate is not limited to being attached to the pellet before the pellet is inner-bonded to the lead group, but may be attached to the pellet at the same time as or after the inner bonding.
また、放熱板のペレット裏面への付設方法としては、接
着材による接着方法を使用するに限らず、金−シリコン
共晶層による固着方法等を使用してもよい。Furthermore, the method for attaching the heat sink to the back surface of the pellet is not limited to the bonding method using an adhesive, but may also use a fixing method using a gold-silicon eutectic layer.
放熱板の形状、大きさ、構造等は、要求される放熱性能
、実装形態（例えば、押さえ具や締結ボルトの使用の有
無等）、ペレットの性能、大きさ、形状、構造等々の諸
条件に対応して選定することが望ましり、４、要に応じ
て、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設けるこ
とができる。The shape, size, structure, etc. of the heat dissipation plate will depend on various conditions such as the required heat dissipation performance, mounting form (for example, whether or not to use pressers or fastening bolts), pellet performance, size, shape, structure, etc. It is desirable to select accordingly, and 4. heat dissipation fins, bolt insertion holes, internal threads, etc. can be provided as necessary.
また、放熱板を形成する材料としては銅系材料を使用す
るに限らず、アルミニューム系等のような熱伝導性の良
好な他の金属材料を使用することができる。特に、炭化
シリコン（Ｓ ｉ ｃ）等のように熱伝導性に優れ、か
つ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそれと
略等しい材料を使用することが望ましい。Further, the material for forming the heat sink is not limited to copper-based materials, but other metal materials with good thermal conductivity such as aluminum-based materials can be used. In particular, it is desirable to use a material such as silicon carbide (S i c) that has excellent thermal conductivity and has a coefficient of thermal expansion approximately equal to that of silicon, which is the material of the pellet.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるテープ・キャリア型
パッケージを備えたパワーＩＣに適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、樹脂封止
型パワートランジスタや、その他の電子装置全般に通用
することができる。特に、高い放熱性能が要求される電
子装置に利用して優れた効果が得られる。In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to a power IC equipped with a tape carrier type package, which is the background field of application of the invention, but it is not limited to this. It can be used in sealed power transistors and other electronic devices in general. In particular, excellent effects can be obtained when used in electronic devices that require high heat dissipation performance.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て１昇られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである
。A brief explanation of the effects achieved by typical inventions disclosed in this application is as follows.
ペレットの裏面に放熱板を付設することにより、ペレッ
トの熱を放熱板に直接的に熱伝導させることができるた
め、放熱性能を高めることができるとともに、放熱性能
を高めることにより、ＴＡＩ３構造によるパワーｔＣを
実現させることができるため、ＴＡＢ構造によってパワ
ーＩＣの生産性を大幅に高めることができる。By attaching a heat dissipation plate to the back side of the pellet, the heat of the pellet can be directly conducted to the heat dissipation plate, improving heat dissipation performance. Since tC can be realized, the TAB structure can greatly increase the productivity of power ICs.
第１図は本発明の一実施例であるＴＡＢ構造のパワーＩ
Ｃを示す縦断面図、
第２図はその製造途中を示す平面図、
第３図はインナリードボンディング作業を示す縦断面図
、
第４図はボッティング作業を示す縦断面図、第５図は実
装状態を示す縦断面図である。
ｌ・・・ＴＡＢ構造のパワーＩＣ（電子装置）、２・・
・テープ、３・・・送り孔、４・・・サポートリング、
５・・・ペレット収容部、６・・・外側空所、７・・・
保持部材、８・・・リード、９・・・インナリード、１
０・・・アウタリ−ド、１１・・・錫めっき膜（金属膜
）、１２・・・ペレット、１３・・・バンプ、１４・・
・パッケージ、１５・・・接着材層、１６・・・放熱板
、１７．１８・・・環状溝、２１・・・ボンディング工
具、２２・・・ボッティング装置、２３・・・プリント
配線基板、２４・・・ランドパッド、２５・・・押さえ
具。
第３図
第４図
第５図Figure 1 shows the power I of the TAB structure, which is an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a plan view showing the manufacturing process, Fig. 3 is a longitudinal sectional view showing inner lead bonding work, Fig. 4 is a longitudinal sectional view showing botting work, and Fig. 5 is a longitudinal sectional view showing C. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a mounted state. l...Power IC (electronic device) with TAB structure, 2...
・Tape, 3... Sprocket hole, 4... Support ring,
5... Pellet storage section, 6... Outer space, 7...
Holding member, 8... Lead, 9... Inner lead, 1
0... Outer lead, 11... Tin plating film (metal film), 12... Pellet, 13... Bump, 14...
- Package, 15... Adhesive layer, 16... Heat sink, 17.18... Annular groove, 21... Bonding tool, 22... Botting device, 23... Printed wiring board, 24... Land pad, 25... Holder. Figure 3 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
、このリード群にボンディングされているペレットとを
備えており、前記ペレットの裏面に放熱板が付設されて
いることを特徴とする電子装置。 ２、放熱板が、ペレットがリード群にボンディングされ
る前にペレットの裏面に付設されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子装置。 ３、放熱板が、ペレットがリード群にボンディングされ
ると同時、または以後にペレットの裏面に付設されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子装置。 ４、放熱板が、放熱フィンを付設されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子装置。 ５、放熱板が、そのペレットとの合わせ面に環状溝をペ
レットを取り囲むように配されて没設されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子装置。[Claims] 1. A carrier tape includes a plurality of leads attached to the lead group and a pellet bonded to the lead group, and a heat sink is attached to the back surface of the pellet. Featured electronic devices. 2. The electronic device according to claim 1, wherein the heat sink is attached to the back surface of the pellet before the pellet is bonded to the lead group. 3. The electronic device according to claim 1, wherein the heat sink is attached to the back surface of the pellet at the same time or after the pellet is bonded to the lead group. 4. The electronic device according to claim 1, wherein the heat sink is provided with heat sink fins. 5. The electronic device according to claim 1, wherein the heat dissipation plate has an annular groove arranged and recessed in the surface mating with the pellet so as to surround the pellet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824487A JPS63293928A (en) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824487A JPS63293928A (en) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | Electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293928A true JPS63293928A (en) | 1988-11-30 |
Family
ID=14980061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12824487A Pending JPS63293928A (en) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | Electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293928A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0522563A3 (en) * | 1991-07-12 | 1994-06-08 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor chip module and method of manufacturing the same |
| JPH07297224A (en) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US5543363A (en) * | 1992-04-28 | 1996-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for adhesively attaching a semiconductor device to an electrode plate |
| US5770478A (en) * | 1996-12-03 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Integral mesh flat plate cooling method |
| US7863731B2 (en) * | 2006-12-13 | 2011-01-04 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Heat-dissipating structure and heat-dissipating semiconductor package having the same |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP12824487A patent/JPS63293928A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0522563A3 (en) * | 1991-07-12 | 1994-06-08 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor chip module and method of manufacturing the same |
| US5525548A (en) * | 1991-07-12 | 1996-06-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process of fixing a heat sink to a semiconductor chip and package cap |
| US5543363A (en) * | 1992-04-28 | 1996-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for adhesively attaching a semiconductor device to an electrode plate |
| JPH07297224A (en) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
| US5770478A (en) * | 1996-12-03 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Integral mesh flat plate cooling method |
| US5825087A (en) * | 1996-12-03 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Integral mesh flat plate cooling module |
| US7863731B2 (en) * | 2006-12-13 | 2011-01-04 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Heat-dissipating structure and heat-dissipating semiconductor package having the same |
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