JP2660732B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2660732B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、ペレットの
放熱性能の向上技術に関するもので、例えば、多ピン、
低熱抵抗で、小型かつ低価格化が要求される半導体集積
回路装置(以下、ICという。)に利用して有効なものに
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, particularly to a technology for improving the heat radiation performance of a pellet.
The present invention relates to a device which is effective when used in a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC) which is required to have a low thermal resistance, a small size and a low price.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、所謂パワーIC等のような消費電力が大きいIC
においては、樹脂封止パッケージにヒートシンクを内蔵
することが行われている。ヒートシンクがパッケージに
内蔵される場合、通常、ヒートシンクはペレットがボン
ディングされているタブの裏面に機械的かつ熱的に結合
されることになる。
Generally, ICs with large power consumption such as so-called power ICs
, A heat sink is built in a resin-sealed package. If a heat sink is incorporated into the package, the heat sink will typically be mechanically and thermally bonded to the back of the tab to which the pellet is bonded.

なお、ヒートシンクが内蔵されているパワーICを述べ
てある例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マイ
クロデバイセズNo.2」昭和59年6月11日発行 P135、が
ある。
As an example describing a power IC having a built-in heat sink, there is P135 published by Nikkei McGraw-Hill, Inc., “Microdevices No. 2”, issued on June 11, 1984.

また、ヒートシンクは内蔵しないが、ペレットがボン
ディングされたタブにヒートシンクを直接的に接触させ
るように構成されている半導体装置として、特開昭54−
128278号公報に記載されているように、樹脂封止パッケ
ージの一端面に凹部がタブを露出させるように没設され
ているものがある。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 54-54197 discloses a semiconductor device which does not incorporate a heat sink, but is configured to directly contact the heat sink with a tab to which a pellet is bonded.
As described in Japanese Patent Publication No. 128278, there is a resin-sealed package in which a recess is provided on one end surface so as to expose a tab.

さらに、コンピュータに使用される高密度、高速ICに
おいては、高い放熱性能が要求されるため、例えば、特
開昭53−110371号公報に記載されているように、半導体
ペレットをボンディングされた金属板にヒートシンクが
外付けされているセラミックパッケージ型半導体装置が
使用されている。
Furthermore, high-density, high-speed ICs used in computers require high heat dissipation performance. For example, as described in JP-A-53-110371, a metal plate to which semiconductor pellets are bonded is described. There is used a ceramic package type semiconductor device in which a heat sink is externally mounted.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかし、前述したように、ICのパッケージにヒートシ
ンクを内蔵する技術は、パッケージの外形的制限を受け
るため、パッケージの外形についての設計に自由度のあ
るピン(リード)数の少ないICにのみ適用されているの
が現状である。
However, as mentioned above, the technology of incorporating a heat sink in the IC package is limited only to ICs with a small number of pins (leads) that have a degree of freedom in the design of the package outer shape due to the limitations of the package outer shape. That is the current situation.

そして、ペレットがボンディングされるタブはリード
フレームに一体的に形成されており、このリードフレー
ムはリードの機械的強度を確保する必要上、ばね材料
(鉄−ニッケル合金、42アロイ、コバール、燐青銅)等
を用いて製作されているため、その材質上熱伝導性が低
く、ペレットからヒートシンクへの熱伝達効率を低下さ
せてしまうという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。
The tab to which the pellet is bonded is formed integrally with the lead frame. This lead frame is required to secure the mechanical strength of the lead, and requires a spring material (iron-nickel alloy, 42 alloy, Kovar, phosphor bronze). The present inventors have clarified that there is a problem that the heat transfer efficiency is low due to the low thermal conductivity of the material due to the fact that the heat transfer is performed using the material.

一方、ICの多機能化、高集積化、高速化が進む最近、
ピン数の多いICについても、熱放散性の良好なヒートシ
ンク内蔵形パッケージを備えているICの開発が要望され
ている。
On the other hand, recently, ICs are becoming more multifunctional, highly integrated, and faster,
Even for ICs with a large number of pins, there is a demand for the development of an IC with a package with a built-in heat sink that has good heat dissipation.

本発明の第1の目的は、高い放熱性能を有する半導体
装置を提供することにある。
A first object of the present invention is to provide a semiconductor device having high heat dissipation performance.

本発明の第2の目的は、生産性および実装性が良好
で、かつ低価格にして、小型化および多ピン化を促進す
ることができるとともに、高い放熱性能を有する半導体
装置を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a semiconductor device which has good productivity and mountability, can be manufactured at a low price, can promote downsizing and increase of pins, and has high heat dissipation performance. is there.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention are as follows.
It will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、次の通りである。
The outline of a representative invention among the inventions disclosed in the present application will be described as follows.

すなわち、第1主面側に集積回路が作り込まれている
半導体ペレットと、この半導体ペレットの集積回路に電
気的に接続されている複数本のリードと、この半導体ペ
レットおよびリードの一部を樹脂封止するパッケージと
を備えている半導体装置において、前記半導体ペレット
の第1主面にヒートシンクを絶縁層を介して接合すると
ともに、このヒートシンクを前記パッケージにその一部
を露出させて植設したものである。
That is, a semiconductor pellet in which an integrated circuit is formed on the first main surface side, a plurality of leads electrically connected to the integrated circuit of the semiconductor pellet, and a part of the semiconductor pellet and the lead are formed of resin. A semiconductor device having a package to be sealed, wherein a heat sink is joined to the first main surface of the semiconductor pellet via an insulating layer, and the heat sink is implanted in the package with a part thereof being exposed. It is.

〔作用〕[Action]

前記した手段によれば、ペレットの集積回路が作り込
まれた第1主面側にヒートシンクがタブを介さずに直接
的に接触されているため、ペレットの発熱はこのヒート
シンクを経て外部に直接的に放出されることになり、充
分な放熱性能が確保される。
According to the above-described means, since the heat sink is directly in contact with the first main surface side on which the integrated circuit of the pellet is formed without passing through the tab, the heat generated by the pellet is directly transmitted to the outside through the heat sink. And sufficient heat radiation performance is secured.

しかも、ヒートシンクがペレットの第1主面に電気的
接続用のリードとは別体の専用平面形状構造物によって
接合されるため、ヒートシンクは電気的接続用のリード
群とは別に熱伝導性の良好な材料を用いて構成すること
ができる。したがって、所望に応じて熱伝導性の良好な
材料を選定することにより、前記放熱性能をより一層高
めることができる。他方、リード群は機械的強度の大き
い材料を用いて形成することができるため、リード群の
曲がりや破損等を防止することができる。
In addition, since the heat sink is joined to the first main surface of the pellet by a dedicated planar structure separate from the electrical connection lead, the heat sink has good thermal conductivity separately from the electrical connection lead group. It can be configured using a suitable material. Therefore, the heat radiation performance can be further improved by selecting a material having good thermal conductivity as desired. On the other hand, since the lead group can be formed using a material having high mechanical strength, bending or breakage of the lead group can be prevented.

また、ペレット、リード群およびヒートシンクは樹脂
封止パッケージにより樹脂封止されているため、この半
導体装置がプリント配線基板に実装される時や、実装さ
れた後において、移送中の振動等による外力がこの半導
体装置に加わった場合においても、リード曲がり等のよ
うな事故が起きるのを防止することができ、その結果、
短絡不良や、断線不良の発生のを未然に回避することが
できる。
In addition, since the pellet, the lead group, and the heat sink are resin-sealed by the resin-sealed package, external force due to vibration during transportation when the semiconductor device is mounted on a printed wiring board or after the semiconductor device is mounted is reduced. Even in the case of joining the semiconductor device, it is possible to prevent an accident such as bending of a lead from occurring, and as a result,
Short circuit failure and disconnection failure can be prevented from occurring.

〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す一
部切断正面図、第2図〜第8図はその製造方法を示す各
説明図である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a partially cutaway front view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 8 are explanatory views showing a manufacturing method thereof.

本実施例において、本発明に係る半導体装置は、高密
度実装を実現するための半導体集積回路装置(以下、IC
という。)である樹脂封止形スモール・アウトライン・
パッケージを備えているIC(以下、SOP・IC、または、
単に、ICということがある。)として構成されている。
この樹脂封止形SOP・ICはシリコン半導体ペレット(以
下、ペレットという。)と、ペレットの周囲に配設され
ている複数本のリードと、ペレットの各電極および各リ
ードにその両端部をそれぞれボンディングされて橋絡さ
れているボンディングワイヤと、ペレットの第1主面に
接合されているヒートシンクと、これらを樹脂封止する
パッケージとを備えており、このSOP・ICは次のような
製造方法により製造されている。
In this embodiment, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, IC) for realizing high-density mounting.
That. ) Is a resin-sealed small outline
IC with package (hereinafter referred to as SOP / IC or
Sometimes simply IC. ).
This resin-sealed SOP / IC has a silicon semiconductor pellet (hereinafter referred to as a pellet), a plurality of leads arranged around the pellet, and bonding both ends of the pellet to each electrode and each lead. The SOP / IC is provided with a bonding wire that is bridged by being bridged, a heat sink bonded to the first main surface of the pellet, and a package that seals them with a resin. Being manufactured.

以下、この樹脂封止形SOP・ICの製造方法を説明す
る。この説明により、前記SOP・ICについての構成の詳
細が明らかにされる。
Hereinafter, a method of manufacturing the resin-sealed SOP / IC will be described. From this description, the details of the configuration of the SOP / IC will be clarified.

本実施例において、樹脂封止形SOP・ICの製造方法に
は、第2図に示されている多連リードフレーム1が使用
されている。この多連リードフレーム1は、鉄−ニッケ
ル合金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有
するばね材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス加
工またはエッチング加工等のような適当な手段により一
体成形されており、この多連リードフレーム1の表面に
は銀(Ag)等を用いためっき処理が、後述するワイヤボ
ンディングが適正に実施されるように施されている。こ
の多連リードフレーム1には複数の単位リードフレーム
2が横方向に1列に並設されている。
In the present embodiment, a multiple lead frame 1 shown in FIG. 2 is used for a method of manufacturing a resin-sealed SOP / IC. The multiple lead frame 1 is formed by using a thin plate made of a spring material having relatively high mechanical strength such as an iron-nickel alloy or phosphor bronze, and by appropriate means such as punching press processing or etching processing. The multiple lead frames 1 are integrally formed, and the surface of the multiple lead frames 1 is subjected to a plating process using silver (Ag) or the like so that wire bonding described later is appropriately performed. In the multiple lead frame 1, a plurality of unit lead frames 2 are arranged in a row in the horizontal direction.

単位リードフレーム2は位置決め孔3aが開設されてい
る外枠3を一対備えており、両外枠3は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されてい
る。隣り合う単位リードフレーム2、2間には一対のセ
クション枠4が両外枠3、3間に互いに平行に配されて
一体的に架設されており、これら外枠、セクション枠に
より形成される略長方形の枠体内に単位リードフレーム
2が構成されている。
The unit lead frame 2 includes a pair of outer frames 3 each having a positioning hole 3a. The two outer frames 3 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. A pair of section frames 4 are arranged between the adjacent unit lead frames 2 and 2 in parallel with each other between the two outer frames 3 and 3 and are integrally built, and substantially formed by these outer frames and section frames. The unit lead frame 2 is formed in a rectangular frame.

各単位リードフレーム2において、両外枠3、3には
タブ吊りリード5が直角に突設されており、このリード
5の先端部にはタブ6が略正方形の平板形状に一体成形
されている。また、各単位リードフレーム2において、
両セクション枠4、4の内側には一対のダム部材7がセ
クション枠と平行になるように配されて、両外枠3、3
間に一体的に架設されている。ダム部材7には電気的接
続用のリード8が複数本、長手方向に等間隔に配され
て、互いに平行で、ダム部材7と直交するように一体的
に突設されており、各リード8の内側端部は先端が後記
するペレットを支持するためのタブ6を取り囲むように
配されることにより、インナ部8aをそれぞれ構成してい
る。他方、各リード8の外側延長部分は、その先端がセ
クション枠4にそれぞれ接続され、アウタ部8bをそれぞ
れ構成している。そして、ダム部材7における隣り合う
リード8、8間の部分は後述するパッケージ成形時にレ
ジンの流れをせき止めるダム7aを実質的に構成してい
る。
In each unit lead frame 2, tab suspension leads 5 are provided at right angles on both outer frames 3, 3, and tabs 6 are integrally formed at the tips of the leads 5 into a substantially square flat plate shape. . In each unit lead frame 2,
A pair of dam members 7 are arranged inside the two section frames 4 and 4 so as to be parallel to the section frames.
It is erected integrally between them. A plurality of leads 8 for electrical connection are arranged at equal intervals in the longitudinal direction of the dam member 7, and are integrally protruded in parallel with each other and orthogonal to the dam member 7. Are arranged so that the front end surrounds a tab 6 for supporting a pellet described later, thereby forming inner portions 8a. On the other hand, the outer extension of each lead 8 has its tip connected to the section frame 4 to form an outer portion 8b. The portion between the adjacent leads 8, 8 in the dam member 7 substantially constitutes a dam 7a for damping the flow of the resin at the time of package molding described later.

この多連リードフレーム1には各単位リードフレーム
2毎にペレット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・
ボンディング作業が実施される。これらボンディング作
業は多連リードフレーム1が横方向にピッチ送りされる
ことにより、各単位リードフレーム2毎に順次実施され
る。
This multiple lead frame 1 is subjected to a pellet bonding operation for each unit lead frame 2 and then to a wire bonding operation.
A bonding operation is performed. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame 2 by feeding the multiple lead frames 1 in the horizontal direction.

そして、ペレット・ボンディング作業により、第3図
および第4図に示されているように、半導体装置の製造
工程における所謂前工程において集積回路を作り込まれ
た半導体集積回路素子としてのペレット11が、各単位リ
ードフレーム2におけるタブ6上の略中央部に配され
て、タブ6とペレット11との間に形成されたボンディン
グ層12によって機械的に固着されることによりボンディ
ングされる。ペレットボンディング層の形成手段として
は、金−シリコン共晶層、はんだ付け層および銀ペース
ト接着層等々によるボンディング法を用いることが可能
である。
Then, as shown in FIGS. 3 and 4, the pellet 11 as the semiconductor integrated circuit element in which the integrated circuit is formed in the so-called previous process in the manufacturing process of the semiconductor device is formed by the pellet bonding operation, as shown in FIGS. Each unit lead frame 2 is arranged at a substantially central portion on the tab 6 and is bonded by being mechanically fixed by a bonding layer 12 formed between the tab 6 and the pellet 11. As a means for forming the pellet bonding layer, a bonding method using a gold-silicon eutectic layer, a soldering layer, a silver paste adhesive layer, or the like can be used.

続いて、ワイヤボンディング作業により、第3図およ
び第4図に示されているように、タブ6上にボンディン
グされたペレット11の電極パッド11aと、各単位リード
フレーム2におけるリード8のインナ部8aとの間に、ボ
ンディングワイヤ13が超音波熱圧着式ワイヤボンディン
グ装置等のような適当なワイヤボンディング装置(図示
せず)が使用されることにより、その両端部をそれぞれ
ボンディングされて橋絡される。これにより、ペレット
11に作り込まれている集積回路は、電極パッド11a、ボ
ンディングワイヤ13、リード8のインナ部8aおよびアウ
タ部8bを介して電気的に外部に引き出されることにな
る。
Subsequently, as shown in FIGS. 3 and 4, the electrode pads 11a of the pellets 11 bonded on the tabs 6 and the inner portions 8a of the leads 8 in each unit lead frame 2 are formed by wire bonding. The bonding wire 13 is bonded and bridged at both ends by using an appropriate wire bonding device (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device. . This allows the pellet
The integrated circuit built in 11 is electrically led out through the electrode pad 11a, the bonding wire 13, the inner portion 8a and the outer portion 8b of the lead 8.

本実施例においては、ワイヤボンディング作業が終了
した後、第6図に示されているように、ペレット11の集
積回路が作り込まれた第1主面側に絶縁層14および接合
層15を介して、第5図に示されているように構成されて
いるヒートシンク16が接合される。
In this embodiment, after the wire bonding operation is completed, as shown in FIG. 6, an insulating layer 14 and a bonding layer 15 are interposed on the first main surface side on which the integrated circuit of the pellet 11 is formed. Then, the heat sink 16 configured as shown in FIG. 5 is joined.

すなわち、ペレット11の第1主面には絶縁層14が樹脂
または金属等を用いられて保護膜の上に重ねて被着され
ており、絶縁層14上には接合層15が、熱伝導性が良好
で、かつ、絶縁層14およびヒートシンク16のいずれの材
料にも接合性の良好な材料を用いられて、重ねて被着さ
れている。これら絶縁層14および絶縁層15はペレット11
が製造される所謂前工程において、予め、形成しておい
てもよいし、ワイヤボンディング作業後に、形成しても
よい。但し、接合層15がワイヤボンディング作業後に形
成される場合には、ワイヤ13相互間の絶縁性についての
配慮が必要である。したがって、この場合、接合層15は
ヒートシンク16側に形成しておいてもよい。
That is, an insulating layer 14 is applied on the first main surface of the pellet 11 by using a resin or metal or the like so as to overlap with the protective film, and a bonding layer 15 is formed on the insulating layer 14 by heat conduction. And a material having good bonding properties is used for both the insulating layer 14 and the heat sink 16, and they are applied in layers. These insulating layer 14 and insulating layer 15 are
May be formed in advance in a so-called pre-process in which the semiconductor device is manufactured, or may be formed after a wire bonding operation. However, when the bonding layer 15 is formed after the wire bonding operation, it is necessary to consider the insulation between the wires 13. Therefore, in this case, the bonding layer 15 may be formed on the heat sink 16 side.

ヒートシンク16は銅等のような熱伝導性の良好な材料
を用いられて、第6図に示されているように、ペレット
11よりも大きめの長方形の平盤形状に形成されており、
ヒートシンク16のペレット11との接合面には接合部17が
一体的に突設されている。この接合部17は、その平面形
状がペレット11の第1主面におけるボンディングパッド
11a群に取り囲まれた空スペースよりも小さ目の大きさ
になるように、かつ、その高さがワイヤ13との干渉を回
避し得るように形成されている。ヒートシンク16の外周
面には係合部としての環状溝18が没設されており、この
環状溝18は後述する樹脂封止パッケージと形状結合する
ことにより、ヒートシンク16を確実に固定するととも
に、リークパスを長くするようになっている。さらに、
ヒートシンク16の上面には放熱用のフィン19が凹凸形状
に形成されており、このフィン19は樹脂封止パッケージ
の外部に露出されて、ヒートシンク16の放熱面積を大き
く形成することにより、放熱効率をより一層高めるよう
になっている。
The heat sink 16 is made of a material having good heat conductivity such as copper and the like, and as shown in FIG.
It is formed in a rectangular flat plate shape larger than 11,
A joint 17 is integrally formed on the surface of the heat sink 16 to be joined to the pellet 11. The bonding portion 17 has a plane shape which is a bonding pad on the first main surface of the pellet 11.
It is formed so as to have a smaller size than the empty space surrounded by the group 11a, and so that its height can avoid interference with the wire 13. An annular groove 18 as an engagement portion is provided on the outer peripheral surface of the heat sink 16. The annular groove 18 is form-coupled to a resin sealing package described later, thereby securely fixing the heat sink 16 and providing a leak path. Is made longer. further,
Fins 19 for heat radiation are formed on the upper surface of the heat sink 16 in an uneven shape, and the fins 19 are exposed to the outside of the resin-sealed package to form a large heat radiation area of the heat sink 16, thereby increasing the heat radiation efficiency. It is becoming even higher.

このように構成されたヒートシンク16はその接合部17
においてペレット11の第1主面に接合される。このと
き、接合層15によりヒートシンク16とペレット11との接
合が実行される。接合手段としては、ヒートシンク16を
加熱して接合層15を溶融させることにより溶着する方法
等を適用することができる。また、絶縁層14によりヒー
トシンク16とペレット11との間は電気的に絶縁される。
The heat sink 16 thus configured is connected to its joint 17
At the first principal surface of the pellet 11. At this time, the bonding between the heat sink 16 and the pellet 11 is performed by the bonding layer 15. As the joining means, a method of welding by heating the heat sink 16 to melt the joining layer 15 or the like can be applied. Further, the heat sink 16 and the pellet 11 are electrically insulated by the insulating layer 14.

このようにしてペレットの第1主面にヒートシンクが
接合された多連リードフレーム1には、各単位リードフ
レーム毎に樹脂封止するパッケージ群が、第7図に示さ
れているようなトランスファ成形装置30を使用されて単
位リードフレーム群について同時成形される。
In the multiple lead frame 1 in which the heat sink is joined to the first main surface of the pellet in this way, a package group for resin sealing for each unit lead frame is formed by transfer molding as shown in FIG. The unit 30 is used to simultaneously mold the unit lead frames.

第7図に示されているトランスファ成形装置はシリン
ダ装置等(図示せず)によって互いに型締めされる一対
の上型31と下型32とを備えており、上型31と下型32との
合わせ面には上型キャビティー凹部33aと下型キャビテ
ィー凹部33bとが互いに協働してキャビティー33を形成
するようにそれぞれ複数組没設されている。上型31の合
わせ面にはポット34が開設されており、ポット34にはシ
リンダ装置(図示せず)により進退されるプランジャ35
が成形材料としての樹脂(以下、レジンという。)を送
給し得るように挿入されている。下型32の合わせ面には
カル36がポット34との対向位置に配されて没設されてい
るとともに、複数条のランナ37がポット34にそれぞれ接
続するように放射状に配されて没設されている。各ラン
ナ37の他端部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接
続されており、その接続部にはゲート38がレジンをキャ
ビティー33内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレーム
の厚みを逃げ得るように、その外形よりも若干大きめの
長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設さ
れている。
The transfer molding apparatus shown in FIG. 7 includes a pair of an upper mold 31 and a lower mold 32 which are mutually clamped by a cylinder device or the like (not shown). On the mating surface, a plurality of sets of upper mold cavity recesses 33a and lower mold cavity recesses 33b are respectively provided so as to cooperate with each other to form a cavity 33. A pot 34 is opened on the mating surface of the upper die 31, and a plunger 35 moved forward and backward by a cylinder device (not shown) is provided in the pot 34.
Are inserted so that resin (hereinafter, referred to as resin) as a molding material can be fed. On the mating surface of the lower mold 32, a cull 36 is disposed at a position facing the pot 34 and is laid down, and a plurality of runners 37 are radially disposed so as to be connected to the pot 34 and laid down. ing. The other end of each runner 37 is connected to the lower cavity recess 33b, and a gate 38 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 33. Also, on the mating surface of the lower mold 32, the escape recess 39 is a rectangle slightly larger than its outer shape, and is immersed to a certain depth of a dimension substantially equal to the thickness so that the escape recess 39 can escape the thickness of the lead frame. I have.

前記構成にかかる多連リードフレームを用いて樹脂封
止形パッケージをトランスファ成形する場合、上型31お
よび下型32における各キャビティー33は各単位リードフ
レーム2における一対のダム部材7、7間の空間にそれ
ぞれ対応される。
When a resin-sealed package is transfer-molded using the multiple lead frame according to the above configuration, each cavity 33 in the upper die 31 and the lower die 32 is formed between a pair of dam members 7 in each unit lead frame 2. Each corresponds to a space.

トランスファ成形時において、前記構成にかかる多連
リードフレーム1は下型32に没設されている逃げ凹所39
内に、各単位リードフレーム12におけるペレット11が各
キャビティー33内にそれぞれ収容されるように配されて
セットされる。このとき、ペレット11とヒートシンク16
とは互いに接合された状態でキャビティー33内において
保持されている。続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れ、ポット34からプランジャ35により成形材料としての
レジン40がランナ37およびゲート38を通じて各キャビテ
ィー33に送給されて圧入される。
At the time of transfer molding, the multiple lead frame 1 according to the above configuration is provided with the relief recess 39 immersed in the lower die 32.
The pellets 11 in each unit lead frame 12 are arranged and set so as to be accommodated in the respective cavities 33. At this time, the pellet 11 and the heat sink 16
Are held in the cavity 33 while being joined to each other. Subsequently, the upper mold 31 and the lower mold 32 are clamped, and a resin 40 as a molding material is fed from the pot 34 to the respective cavities 33 through the runner 37 and the gate 38 by the plunger 35 and press-fitted.

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ
20が形成されると、上型31および下型32は型開きされる
とともに、エジェクタ・ピン(図示せず)によりパッケ
ージ20群が離型される。このようにして、第8図に示さ
れているように、パッケージ20群を成形された多連リー
ドフレーム1はトランスファ成形装置30から脱装され
る。
After injection, the resin is cured by heat
When the mold 20 is formed, the upper mold 31 and the lower mold 32 are opened, and the group of packages 20 is released by ejector pins (not shown). In this manner, as shown in FIG. 8, the multiple lead frame 1 in which the packages 20 are formed is detached from the transfer forming apparatus 30.

そして、このように樹脂成形されたパッケージ20の内
部には、ペレット11、リード8のインナ部8a、ボンディ
ングワイヤ13およびヒートシンク16の一部が樹脂封止さ
れることになる。この状態において、ヒートシンク16の
上面におけるフィン19は樹脂封止パッケージ20の一端面
から露出された状態になっている。
The pellet 11, the inner portion 8a of the lead 8, the bonding wire 13, and a part of the heat sink 16 are sealed with the resin inside the resin-molded package 20. In this state, the fins 19 on the upper surface of the heat sink 16 are exposed from one end surface of the resin sealing package 20.

その後、多連リードフレーム1はリード切断成形工程
において、各単位リードフレーム毎に順次、リード切断
装置(図示せず)により、外枠、セクション枠および各
ダム7aを切り落された後、リード成形装置(図示せず)
により、リード8のアウタ部8bを第9図および第10図に
示されているように、ガル・ウィング形状に屈曲成形さ
れる。
Thereafter, in the lead cutting and forming step, the outer frame, the section frame and each dam 7a are cut off by a lead cutting device (not shown) in the lead cutting and forming step. Equipment (not shown)
As a result, the outer portion 8b of the lead 8 is bent into a gull wing shape as shown in FIGS. 9 and 10.

以上のようにして製造された樹脂封止形SOP・IC21は
第9図および第10図に示されているようにプリント配線
基板に実装される。
The resin-sealed SOP / IC 21 manufactured as described above is mounted on a printed wiring board as shown in FIG. 9 and FIG.

第9図および第10図において、プリント配線基板22に
はランド23が複数個、実装対象物となる樹脂封止形SOP
・IC21における各リード8に対応するように配されて、
はんだ材料を用いて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド23にこのIC21のリード8群が整合されて
当接されているとともに、各リード8とランド23とがリ
フローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層(図示
せず)によって電気的かつ機械的に接続されている。
In FIGS. 9 and 10, the printed wiring board 22 has a plurality of lands 23 and a resin-sealed SOP to be mounted.
・ It is arranged to correspond to each lead 8 in IC21,
It is formed in a substantially rectangular thin plate shape using a solder material. The group of leads 8 of the IC 21 is aligned and abutted on the land 23, and each lead 8 and the land 23 are formed by reflow soldering. It is electrically and mechanically connected by a solder pile layer (not shown).

そして、必要に応じて、そのSOP・IC21はヒートシン
ク16が押さえ具(図示せず)により、プリント配線基板
22に押さえられて固定されたりする。
Then, if necessary, the SOP / IC 21 is mounted on the printed circuit board by a heat sink 16 using a holding member (not shown).
It is held down by 22 and fixed.

この実装状態で、IC21が稼働されてペレット11が発熱
した場合、その熱はペレット11の第1主面からヒートシ
ンク16に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク
16の広い表面から外気に放熱されるため、相対的にペレ
ット11は充分に冷却される。また、ヒートシンク16に放
熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合には、ヒ
ートシンク16の熱が放熱フィンや、押さえ具等を通じて
さらに広い範囲に熱伝導されるため、放熱効果はより一
層高くなる。
In this mounting state, when the IC 21 is operated and the pellet 11 generates heat, the heat is directly conducted to the heat sink 16 from the first main surface of the pellet 11 and the heat sink 16
Since the heat is radiated to the outside air from the large surface of the pellets 16, the pellets 11 are relatively sufficiently cooled. In the case where the heat sink 16 is provided with a radiating fin, a holding member, or the like, the heat of the heat sink 16 is conducted to a wider range through the radiating fin, the holding member, or the like. Get higher.

前記実施例によれば次の効果が得られる。 According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

(1) ペレットの第1主面にヒートシンクを直接的に
接合することにより、ペレットにおける第1主面の発熱
をヒートシンクに直接的に伝えてパッケージの外部に効
果的に放出させることができるため、高い放熱性能を確
保することができる。
(1) By directly joining the heat sink to the first main surface of the pellet, heat generated on the first main surface of the pellet can be directly transmitted to the heat sink and effectively released to the outside of the package. High heat dissipation performance can be secured.

(2) 電気的接続用のリードとは別に、熱伝導性の良
好な材料を用いて形成されたヒートシンクにペレットを
ボンディングすることにより、前記(1)の放熱性能を
より一層高めることができる。
(2) Aside from the leads for electrical connection, by bonding the pellet to a heat sink formed of a material having good thermal conductivity, the heat radiation performance of (1) can be further improved.

(3) 他方、電気的接続用のリードはヒートシンクと
は別に機械的強度の高い材料を用いて形成することによ
り、リード群の曲がりや破損等を防止することができる
とともに、前記(1)および(2)により、高い放熱性
を確保することができる。
(3) On the other hand, the lead for electrical connection is formed by using a material having high mechanical strength separately from the heat sink, whereby the lead group can be prevented from being bent or damaged. According to (2), high heat dissipation can be ensured.

(4) ペレット、リード群およびヒートシンクの一部
を樹脂封止パッケージによって樹脂封止することによ
り、リード曲がり等のような事故が起きるのを防止する
ことができるため、短絡不良や、断線不良の発生を未然
に回避することができる。
(4) Since the pellet, the lead group, and a part of the heat sink are resin-sealed with a resin-sealed package, it is possible to prevent an accident such as bending of the lead, so that short-circuit failure or disconnection failure can be prevented. Occurrence can be avoided beforehand.

〔実施例2〕 第11図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す
一部切断正面図、第12図はその外観斜視図、第13図〜第
17図はその製造方法を示す各説明図である。
Embodiment 2 FIG. 11 is a partially cutaway front view showing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, FIG. 12 is an external perspective view thereof, and FIGS.
FIG. 17 is an explanatory view showing the manufacturing method.

本実施例において、本発明に係る半導体装置は表面実
装形の樹脂封止パッケージを備えているIC(以下、ICと
いう。)として構成されている。このICのパッケージは
略正方形の平盤形状に形成されており、このパッケージ
の4側面の下端辺付近からリード群のアウタ部が複数本
宛突設されている。このICはリード群にペレットがテー
プ・オートメイテッド・ボンディングされているととも
に、このペレットの表面および裏面の両面にヒートシン
クがそれぞれ接合されており、これらペレットと、リー
ドの一部と、ヒートシンクの一部とが樹脂封止パッケー
ジにより樹脂封止されている。そして、このICは以下に
述べるような製造方法によって製造される。
In the present embodiment, the semiconductor device according to the present invention is configured as an IC (hereinafter, referred to as IC) including a surface-mounted resin-sealed package. The package of this IC is formed in a substantially square flat plate shape, and a plurality of outer portions of a lead group are protruded from near the lower end sides of four sides of the package. In this IC, the pellets are tape-automated and bonded to the leads, and heat sinks are bonded to both the front and back surfaces of the pellets. These pellets, some of the leads, and some of the heat sinks Are sealed with a resin sealing package. This IC is manufactured by the manufacturing method described below.

以下、本発明の実施例2である表面実装形樹脂封止パ
ッケージを備えているICの製造方法を説明する。この説
明により、前記ICについての構成の詳細が明らかにされ
る。
Hereinafter, a method of manufacturing an IC having a surface-mount type resin-sealed package according to a second embodiment of the present invention will be described. This description clarifies the details of the configuration of the IC.

本実施例において、IC41はそのペレットとリード群と
がテープ・オートメイテッド・ボンディングにより機械
的かつ電気的に接続されている。すなわち、キャリア用
のテープ42はポリイミド等のような絶縁性樹脂を用い
て、第13図に示されている如く、同一パターンが長手方
向に連続するように一体成形されている。但し、説明お
よび図示は一単位だけについて行われている。キャリア
テープ42における幅方向の両側端辺部にはピッチ送りに
使用される送り孔43が等ピッチに配されて開設されてお
り、両側の送り孔群間には窓孔44が等ピッチをもって1
列縦隊に配されて形成されている。窓孔44は略正方形形
状に開設されており、その大きさは後記するペレットお
よびヒートシンクの外形よりも充分大きく、互いに対向
するリードの先端間の長さよりも若干大きくなるように
設定されている。
In this embodiment, the IC 41 has a pellet and a lead group mechanically and electrically connected by tape automated bonding. That is, the carrier tape 42 is integrally formed using an insulating resin such as polyimide so that the same pattern is continuous in the longitudinal direction as shown in FIG. However, the description and illustration are given for only one unit. Feed holes 43 used for pitch feed are opened at equal pitches at both side edges in the width direction of the carrier tape 42, and window holes 44 are formed at equal pitches between the feed hole groups on both sides.
It is arranged and arranged in column. The window hole 44 is formed in a substantially square shape, and the size thereof is set to be sufficiently larger than the outer shapes of the pellet and the heat sink described later, and slightly larger than the length between the tips of the leads facing each other.

集積回路を電気的に外部に引き出すためのリード45は
複数本が、キャリアテープ42の片側平面(以下、第1主
面とする。)上に配されて、銅箔等のような導電性材料
を用いて溶着や接着等のような適当な手段により固定的
に付設されている。リード45群は窓孔44における4辺に
分けられて、窓孔44を径方向に貫通するように配設され
ており、各リード45同士が互いに電気的に非接続になる
ように形成されている。リード45群の内側先端部は窓孔
44内に突き出されて正方形の端辺上に並ぶように揃えら
れており、この内側先端部によってインナ部としてのイ
ンナリード46が構成されている。リード45群の外側先端
部は窓孔44の外側まで延長されて正方形の端辺上に並ぶ
ように揃えられており、各リードにおける窓孔44の縁辺
内側付近の部分によってアウタ部としてのアウタリード
47が構成されている。各リード45のキャリアテープ42上
に固着された端末部にはテスト用端子部48が形成されて
おり、リード45群の表面にはソルダビリティーを高める
ために錫めっき膜(図示せず)が被着されている。
A plurality of leads 45 for electrically pulling out the integrated circuit to the outside are arranged on one side plane (hereinafter, referred to as a first main surface) of the carrier tape 42, and are made of a conductive material such as a copper foil. And is fixedly attached by an appropriate means such as welding or bonding. The lead 45 group is divided into four sides of the window hole 44 and disposed so as to penetrate the window hole 44 in the radial direction. The leads 45 are formed so that the leads 45 are electrically disconnected from each other. I have. Window hole at the inside tip of lead 45 group
The inner leads 46 are arranged so as to protrude into the inside 44 and to be arranged on the edge of the square, and the inner end portion forms an inner lead 46 as an inner portion. The outer tip of the lead 45 group is extended to the outside of the window hole 44 and aligned so as to be aligned on the edge of the square, and the outer lead as an outer portion is formed by a portion near the inside of the edge of the window hole 44 in each lead.
47 are configured. A test terminal portion 48 is formed on a terminal portion of each lead 45 fixed on the carrier tape 42, and a tin plating film (not shown) is formed on the surface of the lead 45 group to enhance solderability. Has been adhered.

一方、詳細な説明は省略するが、このIC41に使用され
るペレット51は半導体装置の製造工程における所謂前工
程において、ウエハ状態にて所望の集積回路を適宜作り
込まれる。そして、集積回路(図示せず)が作り込まれ
たペレット51は相対向するインナリード46と46との内側
端間距離よりも若干大きい略正方形の小片にダイシング
されており、その一平面(以下、第1主面とする。)に
おける周辺部には、金系材料を用いて形成されたバンプ
52が複数個、キャリアテープ42における各インナリード
46に整合し得るように配されて突設されている。
On the other hand, although a detailed description is omitted, a desired integrated circuit is appropriately formed in a wafer state in the pellet 51 used in the IC 41 in a so-called pre-process in a semiconductor device manufacturing process. Then, the pellet 51 in which the integrated circuit (not shown) is formed is diced into small pieces of a substantially square shape slightly larger than the distance between the inner ends of the inner leads 46 facing each other. , A first main surface), a bump formed using a gold-based material
52 is a plurality, each inner lead on the carrier tape 42
It is arranged and projected to match 46.

リード45群にペレット51がインナリードボンディング
される際、キャリアテープ42は複数のスプロケット(図
示せず)間に張設されて一方向に間欠送りされる。そし
て、張設されたキャリアテープ42の途中に配設されてい
るインナリードボンディングステージにおいて、第14図
に示されているようにペレット51は窓孔44内に下方から
収容されるとともに、各バンプ52を各インナリード46に
それぞれ整合されてボンディング工具53により熱圧着さ
れることにより、キャリアテープ42に組み付けられる。
すなわち、リード45の表面に被着されている錫めっき膜
と金系材料から成るバンプ52と間において、金−錫の共
晶が形成されるため、リード45のインナリード46とバン
プ52とは一体的に結合されることになる。
When the pellets 51 are subjected to inner lead bonding to the leads 45, the carrier tape 42 is stretched between a plurality of sprockets (not shown) and is intermittently fed in one direction. Then, in the inner lead bonding stage provided in the middle of the stretched carrier tape 42, the pellets 51 are accommodated in the window holes 44 from below as shown in FIG. The 52 is aligned with each of the inner leads 46 and thermocompression-bonded by a bonding tool 53 to be assembled to the carrier tape 42.
That is, since a eutectic of gold-tin is formed between the tin plating film adhered to the surface of the lead 45 and the bump 52 made of a gold-based material, the inner lead 46 of the lead 45 and the bump 52 They will be joined together.

本実施例においては、インナボンディング作業が終了
した後、第15図に示されているように、ペレット51の集
積回路が作り込まれた第1主面側に絶縁層54および接合
層55を介してヒートシンク56が接合されるとともに、第
2主面側に接合層55Aを介してヒートシンク56Aが接合さ
れる。すなわち、ペレット51の第1主面には絶縁層54が
樹脂または金属等を用いられて保護膜の上に重ねて被着
されており、絶縁層54上には接合層55が、熱伝導性が良
好で、かつ、絶縁層54およびヒートシンク56のいずれの
材料にも接合性の良好な材料を用いられて、重ねて被着
されている。これら絶縁層54および接合層55はペレット
51が製造される所謂前工程において、予め、形成してお
いてもよいし、インナボンディング作業後に、形成して
もよい。但し、接合層55がインナボンディング作業後に
形成される場合には、リード45相互間の絶縁性について
の配慮が必要である。したがって、この場合、接合層55
はヒートシンク56側に形成しておいてもよい。
In the present embodiment, after the inner bonding operation is completed, as shown in FIG. 15, an insulating layer 54 and a bonding layer 55 are provided on the first main surface side where the integrated circuit of the pellet 51 is formed. And the heat sink 56A is joined to the second main surface via a joining layer 55A. That is, an insulating layer 54 is applied on the first main surface of the pellet 51 by using a resin or a metal so as to overlap the protective film, and a bonding layer 55 is formed on the insulating layer 54 by heat conduction. And a material having good bonding properties is used for both the insulating layer 54 and the heat sink 56, and they are overlaid. These insulating layer 54 and bonding layer 55 are pellets.
It may be formed in advance in a so-called pre-process in which the 51 is manufactured, or may be formed after the inner bonding operation. However, when the bonding layer 55 is formed after the inner bonding operation, it is necessary to consider the insulation between the leads 45. Therefore, in this case, the bonding layer 55
May be formed on the heat sink 56 side.

ペレット51の第1主面に接合される第1ヒートシンク
56は銅等のような熱伝導性の良好な材料を用いられて、
ペレット51よりも大きめの正方形の平盤形状に形成され
ており、ヒートシンク56のペレット51との接合面には接
合部57が一体的に突設されている。この接合部57はその
平面形状がペレット51の第1主面におけるバンプ52群に
取り囲まれた空スペースよりも小さ目の大きさになるよ
うに、かつ、その高さがリード45との干渉を回避し得る
ように形成されている。ヒートシンク56の外周面には係
合部としての環状溝58が没設されており、この環状溝58
は後述する樹脂封止パッケージと係合することによりヒ
ートシンク56を確実に固定するとともに、リークパスを
長くするようになっている。さらに、ヒートシンク56の
上面には放熱用のフィン59が凹凸形状に形成されてお
り、このフィン59は樹脂封止パッケージの外部に露出さ
れて、ヒートシンク56の放熱面積を大きく形成すること
により、放熱効率をより一層高めるようになっている。
First heat sink bonded to the first main surface of pellet 51
56 is made of a material having good thermal conductivity such as copper,
It is formed in a square flat plate shape larger than the pellet 51, and a joint 57 is integrally formed on a joint surface of the heat sink 56 with the pellet 51. The joint 57 has a planar shape smaller than an empty space surrounded by the bumps 52 on the first main surface of the pellet 51, and its height avoids interference with the lead 45. It is formed so that it can be performed. An annular groove 58 as an engaging portion is provided on the outer peripheral surface of the heat sink 56, and the annular groove 58 is provided.
Engages with a resin-sealed package described later to securely fix the heat sink 56 and lengthen the leak path. Further, fins 59 for heat dissipation are formed on the upper surface of the heat sink 56 in an uneven shape, and the fins 59 are exposed to the outside of the resin-sealed package to form a large heat dissipation area of the heat sink 56 so that heat dissipation is achieved. Efficiency is further enhanced.

他方、ペレット51の第2主面に接合される第2ヒート
シンク56Aは接合部57が突設されない点を除いて、第1
ヒートシンク56の構造と略同様に構成されている。
On the other hand, the second heat sink 56A joined to the second principal surface of the pellet 51 is the same as the first heat sink 56A except that the joint 57 is not provided.
The configuration is substantially the same as the structure of the heat sink 56.

そして、前記のように構成された第1ヒートシンク16
はその接合部17においてペレット51の第1主面に接合さ
れる。このとき、接合層55によりヒートシンク56とペレ
ット51との接合が実行される。接合手段としては、ヒー
トシンク56を加熱して接合層55を溶融されることにより
溶着する方法を適用することができる。また、絶縁層54
によりヒートシンク56とペレット51との間は電気的に絶
縁される。また、第2ヒートシンク56Aはそのフィン59
とは反対側の平面においてペレットの第2主面に接合さ
れる。接合手段としては、接合層55Aに熱伝導性の良好
な接着材を用いることによりヒートシンクをペレットに
接着する方法を適用することができる。
Then, the first heat sink 16 configured as described above is used.
Is joined to the first main surface of the pellet 51 at the joint 17. At this time, the bonding between the heat sink 56 and the pellet 51 is performed by the bonding layer 55. As the joining means, a method in which the heat sink 56 is heated to fuse the joining layer 55 to perform welding can be applied. The insulating layer 54
Thereby, the heat sink 56 and the pellet 51 are electrically insulated. The second heat sink 56A has its fin 59
Is joined to the second main surface of the pellet on a plane opposite to the first surface. As a bonding means, a method of bonding a heat sink to a pellet by using an adhesive having good thermal conductivity for the bonding layer 55A can be applied.

このようにして、ペレット51とリード45群とがテープ
・オートメイテッド・ボンディングされるとともに、ヒ
ートシンク56および56Aがペレット51の両面にそれぞれ
結合されたキャリアテープ42には、エポキシ樹脂等のよ
うな絶縁性樹脂からなる樹脂封止パッケージ60群が、第
16図に示されているようなトランスファ成形装置70を使
用されて各ペレット51について同時成形される。
In this way, the pellet 51 and the lead 45 group are tape-automated and bonded, and the carrier tape 42 in which the heat sinks 56 and 56A are respectively bonded to both surfaces of the pellet 51 is provided with an insulating material such as epoxy resin. 60 resin-sealed packages made of conductive resin
The pellets 51 are simultaneously molded using a transfer molding apparatus 70 as shown in FIG.

第16図に示されているトランスファ成形装置はシリン
ダ装置等(図示せず)によって互いに型締めされる一対
の上型71と下型72とを備えており、上型71と下型72との
合わせ面には上型キャビティー凹部73aと、下型キャビ
ティー凹部73bとが互いに協働してキャビティー73を形
成するように複数組(1組のみが図示されている。)没
設されている。上型71の合わせ面にはポット74が開設さ
れており、ポット74にはシリンダ装置(図示せず)によ
り進退されるプランジャ75が成形材料としての樹脂(以
下、レジンという。)を送給し得るように挿入されてい
る。下型72の合わせ面にはカル76がポット74との対向位
置に配されて没設されているとともに、複数条のランナ
77がポット74にそれぞれ接続するように放射状に配され
て没設されている。各ランナ77の他端部は下側キャビテ
ィー凹部73bにそれぞれ接続されており、その接続部に
はゲート78がレジンをキャビティー73内に注入し得るよ
うに形成されている。また、上型71の合わせ面には逃げ
凹所79がキャリアテープ42の厚みを逃げ得るように、キ
ャリアテープ42の外形よりも若干大きめの長方形で、そ
の厚さと略等しい寸法の一定深さに没設されている。
The transfer molding apparatus shown in FIG. 16 includes a pair of an upper mold 71 and a lower mold 72 which are mutually clamped by a cylinder device or the like (not shown). On the mating surface, a plurality of sets (only one set is shown) are recessed so that the upper mold cavity concave portion 73a and the lower mold cavity concave portion 73b cooperate with each other to form the cavity 73. I have. A pot 74 is opened on the mating surface of the upper mold 71, and a plunger 75 which is advanced and retracted by a cylinder device (not shown) feeds a resin (hereinafter, referred to as a resin) as a molding material to the pot 74. Has been inserted to get. On the mating surface of the lower mold 72, a cull 76 is disposed at a position facing the pot 74, and is submerged.
77 are arranged radially so as to be connected to the pots 74 and are submerged. The other end of each runner 77 is connected to the lower cavity recess 73b, and a gate 78 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 73. Also, on the mating surface of the upper die 71, a relief recess 79 is a rectangle slightly larger than the outer shape of the carrier tape 42 so that the escape recess 79 can escape the thickness of the carrier tape 42, and has a constant depth of a dimension substantially equal to the thickness. It has been submerged.

前記構成にかかるキャリアテープ42を用いて樹脂封止
形パッケージをトランスファ成形する場合、上型71およ
び下型72における各キャビティー73はキャリアテープ42
における窓孔44の空間にそれぞれ対応される。
When transfer molding a resin-sealed package using the carrier tape 42 according to the above configuration, each cavity 73 in the upper mold 71 and the lower mold 72 is
Correspond to the space of the window hole 44 in FIG.

トランスファ成形時において、前記構成にかかるキャ
リアテープ42は上型71に没設されている逃げ凹所79内
に、各ペレット51が各キャビティー73内にそれぞれ収容
されるように配されてセットされる。続いて、上型71と
下型72とが型締めされ、ポット74からプランジャ75によ
りレジン80がランナ77およびゲート78を通じて各キャビ
ティー73に送給されて圧入される。
At the time of transfer molding, the carrier tape 42 according to the above-described configuration is set in the escape recess 79 submerged in the upper die 71 so that each pellet 51 is accommodated in each cavity 73. You. Subsequently, the upper die 71 and the lower die 72 are clamped, and the resin 80 is fed from the pot 74 to the respective cavities 73 through the runner 77 and the gate 78 by the plunger 75 and is press-fitted.

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ
60が成形されると、上型71および下型72は型開きされる
とともに、エジェクタ・ピン(図示せず)によりパッケ
ージ60群が離型される。このようにして、第17図に示さ
れているように、パッケージ60群を成形されたキャリア
テープ42はトランスファ成形装置70から脱装される。
After injection, the resin is cured by heat
When the mold 60 is formed, the upper mold 71 and the lower mold 72 are opened, and the package 60 group is released by ejector pins (not shown). In this way, as shown in FIG. 17, the carrier tape 42 in which the packages 60 are formed is detached from the transfer forming apparatus 70.

そして、このように樹脂成形されたパッケージ60の内
部には、ペレット51、リード45群のインナ部46、および
ペレット51の第1主面および第2主面にそれぞれ接合さ
れたヒートシンク56、56Aの一部が樹脂封止されること
になる。この状態において、両ヒートシンク56、56Aは
そのペレット取付面とは反対側の端面がパッケージ60の
表面からそれぞれ露出するようになっており、リード45
群のアウタ部47はパッケージ60の側面から直角方向に突
出するようになっている。
The inside of the resin molded package 60 includes the pellet 51, the inner portion 46 of the lead 45 group, and the heat sinks 56 and 56A joined to the first main surface and the second main surface of the pellet 51, respectively. Part of the resin is sealed. In this state, the ends of the heat sinks 56 and 56A opposite to the pellet mounting surface are respectively exposed from the surface of the package 60, and the leads 45
The outer portion 47 of the group projects in a direction perpendicular to the side surface of the package 60.

このようにして樹脂封止パッケージ60を成形されたIC
41はキャリアテープ42に付設された状態のまま、電気的
特性試験等のような検査を受けた後、出荷される。
IC molded with resin-sealed package 60 in this way
41 is shipped after undergoing an inspection such as an electrical characteristic test while being attached to the carrier tape 42.

そして、出荷されたIC41はキャリアテープ42に付設さ
れた状態のまま、または、樹脂封止パッケージ60の外方
位置で切断されてキャリアテープ42から個別に分離され
た状態において、第18図に示されているように、プリン
ト配線基板61上に第1ヒートシンク56を上向きにして配
され、アウタリード47とランドパッド62との間がリフロ
ーはんだ処理される。このとき、リード45の表面には錫
めっき膜が被着されているため、ソルダビリティーは良
好に行われる。
Then, the shipped IC41 is shown in FIG. 18 in a state where it is attached to the carrier tape 42 or in a state where it is cut at an outer position of the resin-sealed package 60 and is individually separated from the carrier tape 42. As described above, the first heat sink 56 is disposed on the printed wiring board 61 with the first heat sink 56 facing upward, and the space between the outer lead 47 and the land pad 62 is subjected to reflow soldering. At this time, since the tin plating film is adhered to the surface of the lead 45, the solderability is favorably performed.

この実装状態で、IC41が稼働されてペレット51が発熱
した場合、その熱はペレット51からヒートシンク56、56
Aに直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク56、5
6Aの広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にペ
レット51は充分に冷却される。また、ヒートシンク56、
56Aに放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合
には、ヒートシンク56、56Aの熱が放熱フィンや、押さ
え具等を通じてさらに広い範囲に熱伝達されるため、放
熱効果はより一層高くなる。
In this mounting state, when the IC 41 is operated and the pellet 51 generates heat, the heat is transferred from the pellet 51 to the heat sinks 56 and 56.
A directly conducts heat to A and heat sinks 56 and 5
Since the heat is radiated to the outside air from the large surface area of 6 A, the pellets 51 are relatively sufficiently cooled. Also, heat sink 56,
When the radiating fins and holding devices are connected to the 56A, the heat of the heat sinks 56 and 56A is transferred to a wider area through the radiating fins and holding devices, so the heat radiation effect is even higher. Become.

前記実施例2によれば、前記実施例1の効果に加えて
次の効果が得られる。
According to the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects of the first embodiment.

(1) リード群にペレットをテープ・オートメイテッ
ド・ボンディングすることにより、小型軽量化および多
ピン化を促進することができるとともに、実装性および
生産性を高めることができるため、多ピンの半導体装置
においても、低価格化を実現することができる。
(1) By tape-automated bonding of a pellet to a lead group, a reduction in size and weight and an increase in the number of pins can be promoted, and mountability and productivity can be improved. In this case, it is also possible to reduce the price.

(2) ペレットの裏面にもヒートシンクを付設するこ
とにより、ペレットの熱を表裏面のヒートシンクに直接
的に熱伝導させることができるため、放熱性能をより一
層高めることができ、TAB構造のIC等においても低熱抵
抗化を実現させることができる。
(2) By attaching a heat sink also to the back surface of the pellet, the heat of the pellet can be conducted directly to the heat sink on the front and back surfaces, so that the heat radiation performance can be further improved, and ICs with TAB structure etc. Also, it is possible to realize a low thermal resistance.

(3) ペレット、リード群およびヒートシンクを樹脂
封止パッケージにより封止することにより、TAB構造の
半導体装置にあっても、充分満足し得る封止性能を確保
することができるとともに、アウタリードを樹脂封止パ
ッケージにより保定することができるため、その強度を
高めることができる。
(3) By sealing the pellet, the lead group, and the heat sink with a resin-sealed package, a sufficiently satisfactory sealing performance can be ensured even in a semiconductor device having a TAB structure, and the outer leads are sealed with a resin. Since it can be retained by the stop package, its strength can be increased.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Nor.

例えば、第19図、または第20図および第21図に示され
ているように構成してもよい。
For example, it may be configured as shown in FIG. 19, or FIGS. 20 and 21.

第19図において、ペレット51の第2主面には第2ヒー
トシンクが接合される代わりに、ヒートシンク56を第1
主面に接合されたペレット51が実装基板65に没設された
凹部64に収容されて、接合層65により接合されていると
ともに、各リード47がランド66に電気的に接続されてお
り、さらに、樹脂封止パッケージ67がポッティング等の
ような適当な手段により、凹部64およびヒートシンク56
の周りを埋めるように成形されている。
In FIG. 19, instead of a second heat sink being joined to the second main surface of the pellet 51, a heat sink 56 is attached to the first main surface.
The pellet 51 bonded to the main surface is accommodated in a concave portion 64 immersed in the mounting substrate 65, and is bonded by the bonding layer 65, and each lead 47 is electrically connected to the land 66. The resin sealing package 67 is mounted on the recess 64 and the heat sink 56 by appropriate means such as potting.
It is molded to fill around.

第20図においては、ペレット11が実装基板63の凹部64
に接合層65により接合されているとともに、ワイヤボン
ディング作業により、ペレット11のボンディングパット
11aと実装基板63の配線68との間にボンディングワイヤ1
3が橋絡されている。その後、ヒートシンク16がペレッ
ト11の第1主面上に絶縁層14および接合層15を介して接
合され、次いで、樹脂封止パッケージ69がポッティング
等のような適当な手段により、凹部64およびヒートシン
ク16の周りを埋めるように成形されている。
In FIG. 20, the pellet 11 is
And the bonding pad of the pellet 11 by the wire bonding operation.
Bonding wire 1 between 11a and wiring 68 of mounting board 63
3 are bridged. Thereafter, the heat sink 16 is bonded onto the first main surface of the pellet 11 via the insulating layer 14 and the bonding layer 15, and then the resin sealing package 69 is mounted on the concave portion 64 and the heat sink 16 by appropriate means such as potting. It is molded to fill around.

つまり、ペレットがリード群にワイヤボンディングま
たはインナボンディングされた後に、ヒートシンクをペ
レットに付設させるように構成するに限らず、インナボ
ンディングと同時ないしは前に、ヒートシンクをペレッ
トに付設させるように構成してもよい。
In other words, the present invention is not limited to the configuration in which the heat sink is attached to the pellet after the pellet is wire-bonded or inner-bonded to the lead group. Good.

また、ヒートシンクのペレット表裏面への付設方法と
しては、銀ペースト、はんだ材料等のような接合材によ
る接着方法を使用するに限らず、金−シリコン共晶層に
よる固着方法等を使用してもよい。
In addition, the method of attaching the heat sink to the front and back surfaces of the pellet is not limited to using a bonding method using a bonding material such as a silver paste or a solder material, but also using a fixing method using a gold-silicon eutectic layer or the like. Good.

ヒートシンクの形状、大きさ、構造等は、要求される
放熱性能、実装形態(例えば、押さえ具や締結ボルトの
使用の有無等)、ペレットの性能、大きさ、形状、構造
等々の諸条件に対応して選定することが望ましく、必要
に応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設
けることができる。
The shape, size, structure, etc. of the heat sink correspond to various requirements such as required heat dissipation performance, mounting form (for example, whether or not holding tools and fastening bolts are used), pellet performance, size, shape, structure, etc. It is desirable to select the radiating fins, and if necessary, radiating fins, bolt insertion holes, internal threads, and the like can be provided.

また、ヒートシンクを形成する材料としては銅系材料
を使用するに限らず、アルミニューム系等のような熱伝
導性の良好な他の金属材料を使用することができる。特
に、炭化シリコン(Sic)等のように熱伝導性に優れ、
かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそれ
と略等しい材料を使用することが望ましい。
The material for forming the heat sink is not limited to a copper-based material, but may be another metal material having good thermal conductivity such as an aluminum-based material. In particular, it has excellent thermal conductivity like silicon carbide (Sic),
It is desirable to use a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of silicon as a material of the pellet.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である表面実装形樹脂封
止パッケージを備えたICに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、樹脂封止型パワ
ートランジスタや、その他の電子装置全般に適用するこ
とができる。特に、小型軽量、多ピンで、しかも、低価
格であり、高い放熱性能が要求される半導体装置に利用
して優れた効果が得られる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to an IC having a surface mount type resin-encapsulated package, which is a field of application in the background, has been described, but the invention is not limited thereto. The present invention can be applied to a resin-sealed power transistor and other general electronic devices. In particular, an excellent effect can be obtained when used in a semiconductor device that is small, lightweight, has many pins, is inexpensive, and requires high heat radiation performance.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りであ
る。
The effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

ペレットの第1主面にヒートシンクを付設することに
より、ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝導さ
せることができるため、放熱性能を高めることができ、
集積度の高いIC等においても低熱抵抗化を実現させるこ
とができる。
By attaching a heat sink to the first main surface of the pellet, the heat of the pellet can be directly conducted to the heat sink, so that the heat radiation performance can be improved,
Low thermal resistance can be realized even in an IC or the like with a high degree of integration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す一部
切断正面図、 第2図は多連リードフレームを示す一部省略平面図、 第3図はその製造途中を示す一部省略平面図、 第4図は第3図の縦断面図、 第5図はヒートシンクの一実施例を示す斜視図、 第6図はヒートシンク接合工程を示す縦断面図、 第7図は樹脂封止パッケージ成形作業を示す縦断面図、 第8図はパッケージ成形後を示す平面図、 第9図はその半導体装置の実装状態を示す斜視図、 第10図は同じく一部切断正面図である。 第11図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す一
部切断正面図、 第12図はその外観斜視図、 第13図はキャリアテープを示す一部省略平面図、 第14図はインナリードボンディング作業を示す縦断面
図、 第15図はヒートシンク接合工程を示す縦断面図、 第16図は樹脂封止パッケージ成形作業を示す一部省略縦
断面図、 第17図はパッケージ成形後を示す一部省略平面図、 第18図はその半導体装置の実装状態を示す斜視図であ
る。 第19図は本発明の他の実施例を示す一部切断正面図、 第20図および第21図は本発明の別の他の実施例を示す各
縦断面図である。 1……多連リードフレーム、2……単位リードフレー
ム、3……外枠、4……セクション枠、5……タブ吊り
リード、6……タブ、7……ダム部材、7a……ダム、8
……リード、11……ペレット、12……ボンディング層、
13……ボンディングワイヤ、14、54……絶縁層、15、55
……接合層、16、56……ヒートシンク、17、57……接合
部、18、58……係合溝、19、59……フィン、20、60、6
7、69……樹脂封止パッケージ、21……SOP・IC(半導体
装置)、22……プリント配線基板、23……ランドパッ
ド、30、70……トランスファ成形装置、31、71……上
型、32、72……下型、33、73……キャビティー、34、74
……ポット、35、75……プランジャ、36、76……カル、
37、77……ランナ、38、78……ゲート、39、79……凹
所、40、80……レジン、41……TAB構造のIC(半導体装
置)、42……キャリアテープ、43……送り孔、44……窓
孔、45……リード、46……インナリード、47……アウタ
リード、48……テスト用端子、51……ペレット、52……
バンプ、53……ボンディング工具、56A……ヒートシン
ク。
FIG. 1 is a partially cutaway front view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially omitted plan view showing a multiple lead frame, and FIG. Plan view, FIG. 4 is a longitudinal sectional view of FIG. 3, FIG. 5 is a perspective view showing one embodiment of a heat sink, FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a heat sink bonding step, and FIG. FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a molding operation, FIG. 8 is a plan view showing a state after the package is molded, FIG. 9 is a perspective view showing a mounting state of the semiconductor device, and FIG. FIG. 11 is a partially cut front view showing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, FIG. 12 is an external perspective view thereof, FIG. 13 is a partially omitted plan view showing a carrier tape, FIG. FIG. 15 is a longitudinal sectional view showing a heat sink joining process, FIG. 16 is a partially omitted longitudinal sectional view showing a resin-sealed package molding operation, and FIG. 17 is a longitudinal sectional view showing an inner lead bonding operation. FIG. 18 is a perspective view showing a mounted state of the semiconductor device. FIG. 19 is a partially cut front view showing another embodiment of the present invention, and FIGS. 20 and 21 are longitudinal sectional views showing another embodiment of the present invention. 1 ... multiple lead frame, 2 ... unit lead frame, 3 ... outer frame, 4 ... section frame, 5 ... tab suspension lead, 6 ... tab, 7 ... dam member, 7a ... dam, 8
…… lead, 11 …… pellet, 12 …… bonding layer,
13 ... bonding wire, 14, 54 ... insulating layer, 15, 55
... joining layer, 16, 56 ... heat sink, 17, 57 ... joining part, 18, 58 ... engaging groove, 19, 59 ... fin, 20, 60, 6
7, 69: Resin-sealed package, 21: SOP / IC (semiconductor device), 22: Printed wiring board, 23: Land pad, 30, 70: Transfer molding device, 31, 71: Upper die , 32, 72… Lower mold, 33, 73… Cavity, 34, 74
…… Pot, 35, 75 …… Plunger, 36, 76 …… Cul,
37, 77 ... runner, 38, 78 ... gate, 39, 79 ... recess, 40, 80 ... resin, 41 ... IC (semiconductor device) with TAB structure, 42 ... carrier tape, 43 ... Feed hole, 44: Window hole, 45: Lead, 46: Inner lead, 47: Outer lead, 48: Test terminal, 51: Pellet, 52:
Bump, 53 ... Bonding tool, 56A ... Heat sink.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 和夫 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 (72)発明者 武藤 晃 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 (72)発明者 高橋 敏治 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 (72)発明者 大馬 高志 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 (72)発明者 竹村 正俊 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Kazuo Yamazaki, 111 Nishiyokote-cho, Takasaki-shi, Gunma Co., Ltd. Inside the Takasaki Plant of Hitachi, Ltd. (72) Akira Muto 111-111 Nishiyokote-cho, Takasaki-shi, Gunma, Co. Inside Hitachi, Ltd. Takasaki Plant (72) Inventor Toshiharu Takahashi 111, Nishiyokote-cho, Takasaki-shi, Gunma Co., Ltd. (72) Inventor: Masatoshi Takemura 111, Nishiyokote-cho, Takasaki City, Gunma Prefecture Takasaki Plant, Hitachi, Ltd.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1主面側に集積回路が作り込まれている
半導体ペレットと、この半導体ペレットの集積回路に電
気的に接続されている複数本のリードと、この半導体ペ
レットおよびリードの一部を樹脂封止するパッケージと
を備えている半導体装置において、前記半導体ペレット
の第1主面にヒートシンクが絶縁層を介して接合されて
いるとともに、このヒートシンクが前記パッケージにそ
の一部を露出されて植設されていることを特徴とする半
導体装置。
A semiconductor pellet having an integrated circuit formed on a first principal surface thereof, a plurality of leads electrically connected to the integrated circuit of the semiconductor pellet, and one of the semiconductor pellet and the lead. And a package for resin-sealing a portion, wherein a heat sink is joined to a first main surface of the semiconductor pellet via an insulating layer, and the heat sink is partially exposed to the package. A semiconductor device characterized by being implanted.
【請求項2】前記半導体ペレットの第2主面にもヒート
シンクが接合されているとともに、このヒートシンクが
前記パッケージにその一部を露出されて植設されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装
置。
2. A heat sink is also joined to the second main surface of the semiconductor pellet, and the heat sink is implanted in the package with a part thereof being exposed. 2. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項3】前記リード群がキャリアテープにより一体
化され、各リードに前記半導体ペレットがテープ・オー
トメイテッド・ボンディングにより電気的にそれぞれ接
続されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein said lead group is integrated by a carrier tape, and said semiconductor pellet is electrically connected to each lead by tape automated bonding. 13. The semiconductor device according to claim 1.
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US5293301A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame used therein
KR100366111B1 (en) * 1994-11-08 2003-03-06 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 Structure of Resin Sealed Semiconductor Device
US5705851A (en) * 1995-06-28 1998-01-06 National Semiconductor Corporation Thermal ball lead integrated package
US6858932B2 (en) * 2002-02-07 2005-02-22 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged semiconductor device and method of formation

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