JP2593702B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device

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JP2593702B2 JP63284262A JP28426288A JP2593702B2 JP 2593702 B2 JP2593702 B2 JP 2593702B2 JP 63284262 A JP63284262 A JP 63284262A JP 28426288 A JP28426288 A JP 28426288A JP 2593702 B2 JP2593702 B2 JP 2593702B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、ペレットの
放熱性能の向上技術に関するもので、例えば、多ピン、
低熱抵抗で、小型かつ低価格化が要求される半導体集積
回路装置(以下、ICという。)に利用して有効なものに
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, particularly to a technology for improving the heat radiation performance of a pellet.
The present invention relates to a device which is effective when used in a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC) which is required to have a low thermal resistance, a small size and a low price.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、所謂パワーIC等のような消費電力が大きいIC
においては、樹脂封止パッケージにヒートシンクを内蔵
することが行われている。ヒートシンクがパッケージに
内蔵される場合、通常、ヒートシンクはペレットがボン
ディングされているタブの裏面に機械的かつ熱的に結合
されることになる。
Generally, ICs with large power consumption such as so-called power ICs
, A heat sink is built in a resin-sealed package. If a heat sink is incorporated into the package, the heat sink will typically be mechanically and thermally bonded to the back of the tab to which the pellet is bonded.

なお、ヒートシンクが内蔵されているパワーICを述べ
てある例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マイ
クロデバイセズNo.2」昭和59年6月11日発行 P135、が
ある。
As an example describing a power IC having a built-in heat sink, there is P135 published by Nikkei McGraw-Hill, Inc., “Microdevices No. 2”, issued on June 11, 1984.

また、コンピュータに使用される高密度、高速ICにお
いては、高い放熱性能が要求されるため、例えば、特開
昭53−110371号公報に記載されているように、半導体ペ
レットをボンディングされた金属板にヒートシンクが外
付けされているセラミックパッケージ型半導体装置が使
用されている。
In addition, high-density, high-speed ICs used in computers require high heat dissipation performance. For example, as described in JP-A-53-110371, a metal plate bonded with a semiconductor pellet is used. There is used a ceramic package type semiconductor device in which a heat sink is externally mounted.

なお、樹脂封止パッケージにヒートシンクが配設され
ている半導体装置を述べてある例として、特開昭62−22
4049号公報、特開昭60−97652号公報、特開昭63−29562
号公報、特開昭61−77350号公報、特開昭58−223353号
公報、がある。
As an example describing a semiconductor device in which a heat sink is provided in a resin-sealed package, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-22 / 1987.
No. 4049, JP-A-60-97652, JP-A-63-29562
JP-A-61-77350 and JP-A-58-223353.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

前述したような樹脂封止パッケージを備えているICの
パッケージにヒートシンクを内蔵する技術は、パッケー
ジの外形的制限を受けるため、パッケージの外形につい
ての設計に自由度のあるピン(リード)数の少ないIC
(品種)にのみ適用されているのが現状である。
The technology of incorporating a heat sink in an IC package that has a resin-encapsulated package as described above is limited by the external dimensions of the package, so the number of pins (leads) that can be designed with respect to the external shape of the package is small. I c
It is currently applied only to (breeds).

また、ヒートシンクが外付けされたセラミックパッケ
ージ型半導体装置においては、量産しにくいため、コス
トの低減が困難である。
In addition, it is difficult to mass-produce a ceramic package type semiconductor device to which a heat sink is externally attached, so that it is difficult to reduce the cost.

しかし、ICの多機能化、高集積化、高速化が進む最
近、ピン数の多い表面実装形のICについても、熱放散性
の良好なヒートシンク内蔵形の樹脂封止パッケージを備
えているICの開発が要望されている。
However, in recent years, as ICs become more multifunctional, highly integrated, and faster, even surface-mounted ICs with a large number of pins, ICs with a heat-sink built-in resin-encapsulated package with good heat dissipation properties are becoming increasingly popular. Development is requested.

本発明の第1の目的は、高い放熱性能を有する樹脂封
止パッケージを備えている半導体装置を生産性良好にし
て製造することができる製造方法を提供することにあ
る。
A first object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a semiconductor device having a resin-sealed package having high heat dissipation performance with good productivity.

本発明の第2の目的は、生産性および実装性が良好
で、かつ低価格にして、小型化および多ピン化を促進す
ることができるとともに、高い放熱性能を有する半導体
装置を生産性良好にして製造することができる製造方法
を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a semiconductor device having good productivity and mountability, a low price, a reduction in size and an increase in the number of pins, and a high heat dissipation performance of a semiconductor device. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method which can be manufactured by using the method.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書に記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention are as follows.
It will be apparent from the description and accompanying drawings herein.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、次の通りである。
The outline of a representative invention among the inventions disclosed in the present application will be described as follows.

すなわち、半導体ペレットに電気的に接続された複数
本のリードが、平面形状が四角形形状に形成されている
樹脂封止パッケージの4側面から突設されているととも
に、樹脂封止パッケージにヒートシンクが植設されてい
る半導体装置の製造方法であって、 前記リード群が中央に形成された空所から四方に配線
されているとともに、このリード群が四角形形状の枠に
中央空所の外方で支持されており、この四角形形状枠に
おける4箇所のコーナー部のそれぞれに各ヒートシンク
結合部材が配されている単位リードフレームが複数個、
長手方向に配列されている多連リードフレームが準備さ
れる多連リードフレーム準備工程と、 前記ヒートシンクが前記各ヒートシンク結合部材にそ
れぞれ対向する4箇所に各結合部片をそれぞれ対角線方
向に配設されており、このヒートシンクが複数個、長手
方向に配列されているとともに、枠によって互いに連結
されている多連ヒートシンクが準備される工程と、 前記多連ヒートシンクの前記ヒートシンクが前記多連
リードフレームの前記単位リードフレームにおける前記
中央空所に整合されて、前記四角形形状枠の4箇所のコ
ーナー部のそれぞれにおいて互いに対向する前記各ヒー
トシンク結合部材と前記ヒートシンクの前記各結合部材
とがそれぞれ結合される結合工程と、 前記ヒートシンクの一主面に前記半導体ペレットがボ
ンディングされる工程と、 前記半導体ペレットの各電極パッドと前記各リードと
が電気的に接続される工程と、 前記樹脂封止パッケージが成形される工程と、 前記多連リードフレームの前記四角形形状枠および前
記多連ヒートシンクの前記枠が除去されて前記半導体装
置に分断される工程と、を備えていることを特徴とす
る。
That is, a plurality of leads electrically connected to the semiconductor pellet are projected from four sides of the resin-sealed package having a square planar shape, and a heat sink is implanted in the resin-sealed package. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the lead group is wired in four directions from a space formed in the center, and the lead group is supported by a rectangular frame outside the center space. A plurality of unit lead frames, each of which has a heat sink connecting member at each of four corners of the rectangular frame;
A multiple lead frame preparation step in which multiple lead frames arranged in the longitudinal direction are prepared; and the heat sinks are disposed diagonally at four locations facing the heat sink coupling members, respectively. A step of preparing a plurality of heat sinks in which a plurality of the heat sinks are arranged in the longitudinal direction and connected to each other by a frame; and A coupling step in which the heat sink coupling members and the coupling members of the heat sink are aligned with the central space of the unit lead frame and opposed to each other at each of four corners of the rectangular frame. The semiconductor pellet is bonded to one main surface of the heat sink. A step of electrically connecting each electrode pad of the semiconductor pellet and each of the leads; a step of molding the resin-sealed package; and the quadrangular frame of the multiple lead frame. And a step of removing the frame of the multiple heat sink and dividing the semiconductor device into the semiconductor devices.

〔作用〕[Action]

前記した手段によって製造された半導体装置によれ
ば、ペレットにヒートシンクがタブを介さずに直接的に
接触されているため、ペレットの発熱はこのヒートシン
クを経て外部に直接的に放出されることになり、充分な
放熱性能が確保される。
According to the semiconductor device manufactured by the above-described means, since the heat sink is directly in contact with the pellet without the intermediary of the tab, the heat generated by the pellet is directly discharged to the outside through the heat sink. And sufficient heat radiation performance is ensured.

ヒートシンクのリードフレームとの結合部は、四角形
の樹脂封止パッケージにおいてスペースに余裕があるコ
ーナ部に配設されているため、ヒートシンク内蔵形であ
っても樹脂封止パッケージの大形化を回避することがで
きる。
Since the joint portion of the heat sink with the lead frame is disposed in the corner portion of the rectangular resin sealed package where there is room for space, it is possible to prevent the resin sealed package from being enlarged even with the heat sink built-in type. be able to.

また、ペレット、リード群およびヒートシンクは樹脂
封止パッケージにより樹脂封止されているため、この半
導体装置がプリント配線基板に実装される時や、実装さ
れた後において、移送中の振動等による外力がこの半導
体装置に加わった場合においても、リード曲がり等のよ
うな事故が起きるのを防止することができ、その結果、
短絡不良や、断線不良の発生のを未然に回避することが
できる。さらに、樹脂封止パッケージは量産に適するた
め、コストを低減させることができる。また、リードフ
レームおよびヒートシンクは多連に構成されているた
め、量産に適し、コストをより一層低減させることがで
きる。
In addition, since the pellet, the lead group, and the heat sink are resin-sealed by the resin-sealed package, external force due to vibration during transportation when the semiconductor device is mounted on a printed wiring board or after the semiconductor device is mounted is reduced. Even in the case of joining the semiconductor device, it is possible to prevent an accident such as bending of a lead from occurring, and as a result,
Short circuit failure and disconnection failure can be prevented from occurring. Further, since the resin-sealed package is suitable for mass production, the cost can be reduced. In addition, since the lead frame and the heat sink are configured in multiples, it is suitable for mass production and the cost can be further reduced.

〔実施例〕〔Example〕

第1図(a)、(b)は本発明の一実施例である製造
方法により製造された樹脂封止形MSP・ICを示す正面断
面図および対角線に沿う断面端面図、第2図〜第8図は
本発明の一実施例であるそのMSP・ICの製造方法を示す
各説明図である。
1 (a) and 1 (b) are a front sectional view and a cross-sectional end view along a diagonal line showing a resin-sealed MSP · IC manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 8 is an explanatory view showing a method of manufacturing the MSP · IC according to one embodiment of the present invention.

本実施例において、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、高密度実装を実現するための半導体集積回路装置
(以下、ICという。)である樹脂封止形ミニ・スクエア
・パッケージを備えているIC(以下、MSP・IC、また
は、単に、ICということがある。)を製造する方法とし
て構成されている。
In the present embodiment, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a resin-sealed mini square package that is a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC) for realizing high-density mounting. It is configured as a method of manufacturing an IC (hereinafter, sometimes referred to as MSP · IC or simply IC).

この樹脂封止形MSP・IC25はシリコン半導体ペレット
(以下、ペレットという。)21と、ペレットの四方に配
設されている複数本のリード9と、ペレットの各電極パ
ッド21aおよび各リード9にその両端部をそれぞれボン
ディングされて橋絡されているボンディングワイヤ23
と、ペレットがボンディングされているヒートシンク11
と、これらを樹脂封止するパッケージ24とを備えてお
り、このMSP・ICは次のような製造方法により製造され
ている。
This resin-sealed type MSP / IC 25 includes a silicon semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a pellet) 21, a plurality of leads 9 arranged on four sides of the pellet, each electrode pad 21 a of the pellet, and each lead 9. Bonding wire 23 with both ends bonded and bridged
And the heat sink 11 to which the pellet is bonded
And a package 24 for sealing them with a resin. The MSP · IC is manufactured by the following manufacturing method.

以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形MSP・I
Cの製造方法を説明する。この説明により、前記MSP・IC
についての構成の詳細が共に明らかにされる。
Hereinafter, this resin-sealed type MSP · I which is an embodiment of the present invention
A method for manufacturing C will be described. By this explanation, the MSP ・ IC
The details of the configuration about will be disclosed together.

本実施例において、樹脂封止形MSP・ICの製造方法に
より、第2図に示されている多連リードフレーム1が使
用されている。この多連リードフレーム1は、鉄−ニッ
ケル合金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を
有するばね材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス
加工またはエッチング加工等のような適当な手段により
一体成形されており、この多連リードフレーム1の表面
には銀(Ag)等を用いためっき処理が、後述するワイヤ
ボンディングが適正に実施されるように施されている
(図示せず)。この多連リードフレーム1には複数の単
位リードフレーム2が横方向に1列に並設されている。
In this embodiment, a multiple lead frame 1 shown in FIG. 2 is used by a method of manufacturing a resin-sealed MSP / IC. The multiple lead frame 1 is formed by using a thin plate made of a spring material having relatively high mechanical strength such as an iron-nickel alloy or phosphor bronze, and by appropriate means such as punching press processing or etching processing. The multiple lead frames 1 are integrally formed, and the surface of the multiple lead frames 1 is subjected to a plating process using silver (Ag) or the like so that wire bonding described later is appropriately performed (not shown). In the multiple lead frame 1, a plurality of unit lead frames 2 are arranged in a row in the horizontal direction.

単位リードフレーム2は位置決め孔3aが開設されてい
る外枠3を一対備えており、両外枠3は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されてい
る。隣り合う単位リードフレーム2、2間には一対のセ
クション枠4が両外枠3、3間に互いに平行に配されて
一体的に架設されており、これら外枠、セクション枠に
より形成される略正方形の枠体内に単位リードフレーム
2が構成されている。
The unit lead frame 2 includes a pair of outer frames 3 each having a positioning hole 3a. The two outer frames 3 are arranged in parallel at a predetermined interval and extend in series. A pair of section frames 4 are arranged between the adjacent unit lead frames 2 and 2 in parallel with each other between the two outer frames 3 and 3 and are integrally built, and substantially formed by these outer frames and section frames. The unit lead frame 2 is formed in a square frame.

各単位リードフレーム2において、外枠3およびセク
ションバー4の接続部にはダム吊り部材5が略直角方向
にそれぞれ配されて一体的に突設されており、ダム吊り
部材5には4本のダム部材6が略正方形の枠形状になる
ように配されて、一体的に吊持されている。セクション
枠4側の各ダム部材6にはヒートシンク結合部材7が4
箇所のコーナ部にそれぞれ配されて、略弓形形状に一体
的に架設されており、各ヒートシンク結合部材7には結
合孔7aが略中央部に配されて開設されている。
In each unit lead frame 2, a dam suspension member 5 is disposed at a connection portion between the outer frame 3 and the section bar 4 in a substantially right-angle direction, and integrally protrudes therefrom. The dam member 6 is arranged so as to have a substantially square frame shape and is integrally suspended. Each dam member 6 on the section frame 4 side is provided with a heat sink coupling member 7.
Each of the heat sink connecting members 7 is provided with a connecting hole 7a at a substantially central portion thereof.

また、ダム部材6には複数本のリード9が長手方向に
等間隔に配されて、互いに平行で、ダム部材6と直交す
るように一体的に突設されており、各リード9の内側端
部は先端が後記するペレットを収容するための空所8を
取り囲むように配されることにより、インナ部9aをそれ
ぞれ構成している。他方、各リード9の外側延長部分
は、その先端が外枠3およびセクション枠4から離間し
て切り離され、アウタ部9bをそれぞれ構成している。そ
して、ダム部材6における隣り合うリード9、9間の部
分は、後述するパッケージ成形時にレジンの流れをせき
止めるダム9aを実質的に構成している。そして、この単
位リードフレーム2には通常のリードフレームにおいて
設けられるタブ、および、このタブを外枠等に吊持させ
るためのタブ吊りリードが設けられていない。すなわ
ち、この単位リードフレーム2の中央部にはタブの代わ
りに空所8が形成されている。
Also, a plurality of leads 9 are arranged at equal intervals in the longitudinal direction of the dam member 6, are parallel to each other, and are integrally protruded so as to be orthogonal to the dam member 6. The parts are arranged so that the front ends surround the voids 8 for accommodating the pellets described later, thereby constituting the inner parts 9a. On the other hand, the outer extension of each of the leads 9 is separated from the outer frame 3 and the section frame 4 by separating the leading end from the outer frame 3 and the section frame 4, thereby forming the outer portions 9b. The portion between the adjacent leads 9 in the dam member 6 substantially constitutes a dam 9a that blocks the flow of the resin at the time of package molding described later. The unit lead frame 2 is not provided with a tab provided in a normal lead frame and a tab suspension lead for suspending the tab on an outer frame or the like. That is, a cavity 8 is formed at the center of the unit lead frame 2 instead of the tab.

本実施例において、MSP・ICの製造方法には、第3図
に示されているヒートシンク11が使用されている。
In this embodiment, the heat sink 11 shown in FIG. 3 is used for the method of manufacturing the MSP · IC.

ヒートシンク11は銅等のような熱伝導性の良好な材料
を用いて、ペレットの平面形状に対して大きめの略正方
形状に形成されており、ヒートシンク11のペレット取付
面には環状溝12が複数条(本実施例においては、2
条)、ペレットの外方において同心的に配されるととも
に、ペレットを取り囲むように形成されてそれぞれ没設
されている。そして、これら環状溝12は後述する樹脂封
止パッケージ成形後において、リークパスを延長させる
とともに、樹脂と形状結合することにより、この樹脂封
止パッケージを備えているICの耐湿性を高めることにな
る。
The heat sink 11 is made of a material having good thermal conductivity such as copper and is formed in a substantially square shape larger than the planar shape of the pellet, and the heat sink 11 has a plurality of annular grooves 12 on the pellet mounting surface. Article (In this embodiment, 2
), Are arranged concentrically outside the pellets, and are formed so as to surround the pellets and are respectively submerged. The annular grooves 12 extend the leak path after the resin-sealed package is formed, which will be described later, and increase the moisture resistance of the IC having the resin-sealed package by being shape-coupled to the resin.

また、ヒートシンク11には結合部片13が4本、正方形
の4隅に配されて略対角線方向に放射状にそれぞれ突設
されており、各結合部片13の先端部には結合孔13aが前
記リードフレームの結合孔7aに対応するように開設され
ている。各結合部片13は結合孔13aまでの途中において
クランク形状に屈曲されており、この結合部片13の屈曲
により、後述するように、ヒートシンク11の上面はリー
ド9群の平面から所定の寸方離間されるようになってい
る。
The heat sink 11 is provided with four connecting pieces 13 arranged at four corners of a square and projecting radially in a substantially diagonal direction, and a connecting hole 13a is formed at a tip end of each of the connecting pieces 13. It is opened so as to correspond to the coupling hole 7a of the lead frame. Each coupling piece 13 is bent in a crank shape halfway to the coupling hole 13a, and the bending of the coupling piece 13 causes the upper surface of the heat sink 11 to have a predetermined dimension from the plane of the leads 9 as described later. It is designed to be separated.

そして、以上のように構成されたヒートシンク11は、
第12図に示されているように一列に配列された状態で外
枠によって互いに連結されて、多連構造に構成される。
この多連ヒートシンクによれば、取り扱い性を高めるこ
とができ、また、打ち抜き成形し易い。
And the heat sink 11 configured as described above,
As shown in FIG. 12, they are connected to each other by an outer frame in a state where they are arranged in a line, and are configured in a multiple structure.
According to this multiple heat sink, the handleability can be improved, and the stamping molding is easy.

前記構成にかかる電気的接続リード用の多連リードフ
レーム1とヒートシンク11とは、第4図に示されている
ように、リードフレーム側結合部材7の結合孔7aと、ヒ
ートシンク側結合部片13の結合孔13aとが整合された状
態でそれぞれ上下に配されて重ね合わされるとともに、
両結合孔7aと13aとにリベット14を挿通されて、かしめ
加工されることにより固定的に結合される。このように
して各ヒートシンク11が結合された多連リードフレーム
重合体20において、下側のヒートシンク11は上側の多連
リードフレーム1における空所8に対向されるととも
に、前記結合部片13の屈曲によりリード9群に接触ない
しは干渉しない状態になっている。
As shown in FIG. 4, the multiple lead frame 1 for electrical connection leads and the heat sink 11 according to the above-described configuration are provided with a coupling hole 7a of the lead frame side coupling member 7 and a heat sink side coupling piece 13 While the coupling holes 13a are aligned one above the other with the alignment holes 13a aligned,
The rivet 14 is inserted into both the coupling holes 7a and 13a and fixedly coupled by caulking. In the multiple lead frame polymer 20 to which the heat sinks 11 are connected in this manner, the lower heat sink 11 is opposed to the space 8 in the upper multiple lead frame 1 and the bending of the connecting piece 13 is performed. Thus, the lead 9 group is not in contact with or interfered with.

この多連リードフレーム重合体20には各単位リードフ
レーム2毎にペレット・ボンディング作業、続いて、ワ
イヤ・ボンディング作業が実施される。これらボンディ
ング作業は多連リードフレーム重合体20が横方向にピッ
チ送りされることにより、各単位リードフレーム2毎に
順次実施される。
The multiple lead frame polymer 20 is subjected to a pellet bonding operation for each unit lead frame 2 and then to a wire bonding operation. These bonding operations are sequentially performed for each unit lead frame 2 by feeding the multiple lead frame polymers 20 in the horizontal direction at a pitch.

そして、ペレット・ボンディング作業により、第5図
および第6図に示されているように、半導体装置の製造
工程における所謂前工程において集積回路を作り込まれ
た半導体集積回路構造物としてのペレット21が、各単位
リードフレーム2におけるヒートシンク11上の略中央部
に配されて、ヒートシンク11とペレット21との間に形成
されたボンディング層22によって機械的に固着されるこ
とによりボンディングされる。ペレットボンディング層
の形成手段としては、金−シリコン共晶層、はんだ付け
層および銀ペースト接着層等々によるボンディング法を
用いることが可能である。但し、必要に応じて、ペレッ
トからヒートシンクへの熱伝達の障壁とならないよう
に、ボンディング層を形成することが望ましい。
Then, as shown in FIGS. 5 and 6, the pellet 21 as the semiconductor integrated circuit structure in which the integrated circuit is formed in the so-called previous process in the manufacturing process of the semiconductor device is formed by the pellet bonding operation. The unit lead frame 2 is arranged at a substantially central portion on the heat sink 11, and is bonded by being mechanically fixed by a bonding layer 22 formed between the heat sink 11 and the pellet 21. As a means for forming the pellet bonding layer, a bonding method using a gold-silicon eutectic layer, a soldering layer, a silver paste adhesive layer, or the like can be used. However, if necessary, it is preferable to form a bonding layer so as not to be a barrier for heat transfer from the pellet to the heat sink.

続いて、ワイヤボンディング作業により、第5図およ
び第6図に示されているように、ヒートシンク11上にボ
ンディングされたペレット21の電極パッド21aと、各単
位リードフレーム2におけるリード9のインナ部9aとの
間に、ボンディングワイヤ23が超音波熱圧着式ワイヤボ
ンディング装置等のような適当なワイヤボンディング装
置(図示せず)が使用されることにより、その両端部を
それぞれボンディングされて橋絡される。これにより、
ペレット21に作り込まれている集積回路は、電極パッド
21a、ボンディングワイヤ23、リード9のインナ部9aお
よびアウタ部9bを介して電気的に外部に引き出されるこ
とになる。
Subsequently, as shown in FIG. 5 and FIG. 6, the electrode pad 21a of the pellet 21 bonded on the heat sink 11 and the inner portion 9a of the lead 9 in each unit lead frame 2 are formed by wire bonding. By using a suitable wire bonding device (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device, both ends of the bonding wire 23 are bonded and bridged. . This allows
The integrated circuit built in the pellet 21 has electrode pads
The wire 21 is electrically drawn to the outside via the bonding wire 23, the inner portion 9a and the outer portion 9b of the lead 9.

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディング
されたリードフレーム重合体20には、各単位リードフレ
ーム毎に樹脂封止するパッケージ群が、第7図に示され
ているようなトランスファ成形装置30を使用されて単位
リードフレーム群について同時成形される。
In the lead frame polymer 20 thus pelletized and wire-bonded, a package group for resin sealing for each unit lead frame is used by using a transfer molding apparatus 30 as shown in FIG. Simultaneously for the unit lead frame group.

第7図に示されているトランスファ成形装置はシリン
ダ装置等(図示せず)によって互いに型締めされる一対
の上型31と下型32とを備えており、上型31と下型32との
合わせ面には上型キャビティー凹部33aと下型キャビテ
ィー凹部33bとが互いに協働してキャビティー33を形成
するようにそれぞれ複数組没設されている。上型31の合
わせ面にはポット34が開設されており、ポット34にはシ
リンダ装置(図示せず)により進退されるプランジャ35
が成形材料としての樹脂(以下、レジンという。)を送
給し得るように挿入されている。下型32の合わせ面には
カル36がポット34との対向位置に配されて没設されてい
るとともに、複数条のランナ37がポット34にそれぞれ接
続するように放射状に配されて没設されている。各ラン
ナ37の他端部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接
続されており、その接続部にはゲート38がレジンをキャ
ビティー33内に注入し得るように形成されている。
The transfer molding apparatus shown in FIG. 7 includes a pair of an upper mold 31 and a lower mold 32 which are mutually clamped by a cylinder device or the like (not shown). On the mating surface, a plurality of sets of upper mold cavity recesses 33a and lower mold cavity recesses 33b are respectively provided so as to cooperate with each other to form a cavity 33. A pot 34 is opened on the mating surface of the upper die 31, and a plunger 35 moved forward and backward by a cylinder device (not shown) is provided in the pot 34.
Are inserted so that resin (hereinafter, referred to as resin) as a molding material can be fed. On the mating surface of the lower mold 32, a cull 36 is disposed at a position facing the pot 34 and is laid down, and a plurality of runners 37 are radially disposed so as to be connected to the pot 34 and laid down. ing. The other end of each runner 37 is connected to the lower cavity recess 33b, and a gate 38 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 33.

また、下型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレ
ーム重合体20の厚みを逃げ得るように、その外形よりも
若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定
深さに没設されている。さらに、下型32のキャビティー
凹部33bの底面には逃げ凹部33cがヒートシンク11の底部
の厚みを若干逃げ得るように、その外形と略等しい正方
形で、若干寸法の一定深さに没設されている。
In order to allow the escape recess 39 to escape the thickness of the lead frame polymer 20 on the mating surface of the lower mold 32, it is a rectangle slightly larger than its outer shape, and is immersed in a certain depth with dimensions almost equal to its thickness. Has been established. Furthermore, on the bottom surface of the cavity concave portion 33b of the lower mold 32, the escape concave portion 33c is a square substantially equal to the outer shape, and is immersed to a certain depth of a slight dimension so that the escape concave portion 33c can slightly escape the thickness of the bottom of the heat sink 11. I have.

前記構成に係る多連リードフレーム重合体20を用いて
樹脂封止パッケージをトランスファ成形する場合、上型
31および下型32における各キャビティー33は各単位リー
ドフレーム2における4本のダム部材6間の空間にそれ
ぞれ対応される。
When transfer molding a resin-encapsulated package using the multiple lead frame polymer 20 according to the above configuration, the upper mold
Each cavity 33 in the lower mold 31 and the lower mold 32 corresponds to a space between the four dam members 6 in each unit lead frame 2.

トランスファ成形時において、前記構成に係る多連リ
ードフレーム重合体20は下型32に没設されている逃げ凹
所39内に、各単位リードフレーム2におけるペレット21
が各キャビティー33内にそれぞれ収容されるように配さ
れてセットされる。このとき、ヒートシンク11の底部は
下型キャビティー凹部33bに没設されている逃げ凹部33c
に没入され、ペレット21はヒートシンク11にボンディン
グされた状態でキャビティー33内において保持されてい
る。
At the time of transfer molding, the multiple lead frame polymer 20 according to the above-described configuration is placed in the escape recess 39 submerged in the lower die 32, and the pellet 21 of each unit lead frame 2 is placed.
Are arranged and set so as to be accommodated in the respective cavities 33. At this time, the bottom of the heat sink 11 is provided in the lower cavity recess 33b.
The pellet 21 is held in the cavity 33 while being bonded to the heat sink 11.

続いて、上型31と下型32とが型締めされ、ポット34か
らプランジャ35により成形材料としてのレジン40がラン
ナ37およびゲート38を通じて各キャビティー33に送給さ
れて圧入される。
Subsequently, the upper mold 31 and the lower mold 32 are clamped, and a resin 40 as a molding material is fed from the pot 34 to the respective cavities 33 through the runner 37 and the gate 38 by the plunger 35 and press-fitted.

注入後、レジン40が熱硬化されて樹脂封止形パッケー
ジ24が成形されると、上型31および下型32は型開きされ
るとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)によりパッ
ケージ24群が離型される。このようにして、第8図に示
されているように、パッケージ24群を成形された多連リ
ードフレーム重合体20はトランスファ成形装置30から脱
装される。
After the injection, when the resin 40 is thermally cured to form the resin-sealed package 24, the upper mold 31 and the lower mold 32 are opened, and the packages 24 are separated by ejector pins (not shown). Typed. In this manner, as shown in FIG. 8, the multiple lead frame polymer 20 in which the packages 24 are formed is detached from the transfer molding apparatus 30.

そして、このように樹脂成形されたパッケージ24の内
部には、ペレット21、リード9のインナ部9a、ボンディ
ングワイヤ23およびヒートシンク11の一部が樹脂封止さ
れることになる。この状態において、ヒートシンク11の
一端面は樹脂封止パッケージ24の一端面から、逃げ凹部
33cに没入された分だけ突出されて露出されている状態
になっている。また、ヒートシンク11の各コーナ部に配
設された結合部片13およびリベット14は樹脂封止パッケ
ージ24の内部に埋め込まれた状態になっており、結合部
材17における一対の基端部側がパッケージ24のコーナ部
からそれぞれ突出されてダム部材6に吊持された状態に
なっている。
The pellet 21, the inner portion 9a of the lead 9, the bonding wire 23, and a part of the heat sink 11 are sealed with resin inside the resin molded package 24. In this state, one end surface of the heat sink 11 is separated from the one end surface of the resin-sealed package 24 by an escape recess.
It is in a state of being protruded and exposed by the amount immersed in 33c. The connecting piece 13 and the rivet 14 provided at each corner of the heat sink 11 are embedded in a resin-sealed package 24. A pair of base ends of the connecting member 17 Are protruded from the corners of the above-mentioned and are suspended from the dam member 6.

その後、多連リードフレーム重合体20はリード切断成
形工程において、各単位リードフレーム2毎に順次、リ
ード切断装置(図示せず)により、外枠、セクション
枠、ヒートシンク部材7の基端部、および各ダム6aを切
り落された後、リード成形装置(図示せず)により、リ
ード9のアウタ部9bをアイ(I)リード形状に屈曲成形
される。このとき、ヒートシンク結合部材7の切り口は
パッケージのコーナ部に一対宛形成されることになる。
Thereafter, in the lead cutting and molding step, the multiple lead frame polymer 20 is sequentially used for each unit lead frame 2 by a lead cutting device (not shown), and the outer frame, the section frame, the base end of the heat sink member 7, and After each dam 6a is cut off, the outer portion 9b of the lead 9 is bent and formed into an eye (I) lead shape by a lead forming device (not shown). At this time, a pair of cutouts of the heat sink coupling member 7 are formed at the corners of the package.

以上のようにして製造された樹脂封止形MSP・IC25は
第9図および第10図に示されているようにプリント配線
基板に実装される。
The resin-sealed MSP · IC 25 manufactured as described above is mounted on a printed wiring board as shown in FIGS. 9 and 10.

第9図および第10図において、プリント配線基板26に
はランド27が複数個、実装対象物となる樹脂封止形MSP
・IC25における各リード9に対応するように配されて、
はんだ材料を用いて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド27にこのIC25のリード9群が整合されて
当接されているとともに、各リード9とランド27とがリ
フローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層28によ
って電気的かつ機械的に接続されている。
9 and 10, the printed wiring board 26 has a plurality of lands 27 and a resin-sealed MSP to be mounted.
・ It is arranged to correspond to each lead 9 in IC25,
It is formed in a substantially rectangular thin plate shape using a solder material, and the leads 9 of the IC 25 are aligned and abutted on the lands 27, and the respective leads 9 and the lands 27 are formed by reflow soldering. It is electrically and mechanically connected by the solder layer 28 thus formed.

そして、必要に応じて、このIC25にはヒートシンク11
に放熱フィン(図示せず)が取り付けられたり、ヒート
シンク11が押さえ具(図示せず)によりプリント配線基
板26に押さえられて固定されたりする。
And, if necessary, this IC25 has a heat sink 11
A radiating fin (not shown) is attached to the device, or the heat sink 11 is pressed and fixed to the printed wiring board 26 by a presser (not shown).

この実装状態で、IC25が稼働されてペレット21が発熱
した場合、その熱はペレット21からヒートシンク11に直
接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク11の広い表
面積から外気に放熱されるため、相対的にペレット21は
充分に冷却される。また、ヒートシンク11に放熱フィン
や、押さえ具等が連設されている場合には、ヒートシン
ク11の熱が放熱フィンや、押さえ具等を通じてさらに広
い範囲に熱伝導されるため、放熱効果はより一層高くな
る。
In this mounting state, when the IC 25 is operated and the pellet 21 generates heat, the heat is directly conducted to the heat sink 11 from the pellet 21 and is radiated to the outside air from a large surface area of the heat sink 11, so that the relative heat is released. The pellet 21 is sufficiently cooled. Further, in the case where the heat sink 11 is provided with a radiating fin, a holding member, or the like, the heat of the heat sink 11 is conducted to a wider range through the radiating fin, the holding member, or the like. Get higher.

前記実施例によれば次の効果が得られる。 According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

(1) ペレットにヒートシンクをタブを介せずに直接
的にボンディングすることにより、ペレットの発熱をヒ
ートシンクに直接的に伝えてパッケージの外部に効果的
に放出させることができるため、高い放熱性能を確保す
ることができる。
(1) By directly bonding a heat sink to the pellet without using a tab, heat generated by the pellet can be directly transmitted to the heat sink and effectively released to the outside of the package, so that high heat radiation performance can be achieved. Can be secured.

(2) ヒートシンクのリードフレームとの結合をミニ
・スクエア・パッケージにおいて正方形のコーナ部に配
設することにより、当該コーナ部には比較的スペースに
余裕があるため、ヒートシンク内蔵形であっても樹脂封
止パッケージの大形化を回避することができ、小型化お
よび高密度化並びに低コスト化を促進することができ
る。
(2) Since the connection of the heat sink to the lead frame is provided at the square corner in the mini-square package, the corner has a relatively large space. Enlargement of the sealed package can be avoided, and downsizing, high density, and low cost can be promoted.

(3) 電気的接続用のリードとは別に、熱伝導性の良
好な材料を用いて形成されたヒートシンクにペレットを
ボンディングすることにより、前記(1)の放熱性能を
より一層高めることができる。
(3) By separately bonding the pellets to a heat sink formed of a material having good thermal conductivity, separately from the leads for electrical connection, the heat radiation performance of (1) can be further improved.

(4) 他方、電気的接続用のリードはヒートシンクと
は別に機械的強度の高い材料を用いて形成することによ
り、リード群の曲がりや破損等を防止することができる
とともに、前記(1)および(3)により、高い放熱性
能を確保することができる。
(4) On the other hand, by forming the lead for electrical connection using a material having high mechanical strength separately from the heat sink, the lead group can be prevented from being bent or damaged, and the leads (1) and (2) can be prevented. According to (3), high heat dissipation performance can be secured.

(4) ペレット、リード群およびヒートシンクの一部
を樹脂封止パッケージによって樹脂封止することによ
り、リード曲がり等のような事故が起きるのを防止する
ことができるため、短絡不良や、断線不良の発生を未然
に回避することができる。
(4) Since the pellet, the lead group, and a part of the heat sink are resin-sealed with a resin-sealed package, it is possible to prevent an accident such as bending of the lead, so that short-circuit failure or disconnection failure can be prevented. Occurrence can be avoided beforehand.

(5) ペレット周囲に配設される複数本のリードの面
とは異なる面でヒートシンクを支持することにより、ペ
レットがボンディングされたヒートシンクと各リードと
の短絡事故の発生を確実に防止することができるため、
半導体装置の品質および信頼性を高めることができる。
(5) By supporting the heat sink on a surface different from the surfaces of the plurality of leads disposed around the pellet, it is possible to reliably prevent a short circuit accident between the heat sink to which the pellet is bonded and each lead. Because you can
The quality and reliability of the semiconductor device can be improved.

(6) ヒートシンクの一部を樹脂封止パッケージの一
端面から若干突出されるように露出させることにより、
封止樹脂パッケージの一端面に樹脂ばりとして付着され
るのを防止することができるとともに、ヒートシンクへ
の放熱フィンの取付性や、ヒートシンクの基板等への接
着性を良化することができる。
(6) By exposing a part of the heat sink so as to slightly protrude from one end surface of the resin-sealed package,
It is possible to prevent resin burrs from being attached to one end surface of the sealing resin package, and it is possible to improve the attachment of the heat radiation fins to the heat sink and the adhesion of the heat sink to the substrate or the like.

ところで、ヒートシンク内蔵形の樹脂封止パッケージ
を備えているICとして、第11図に示されているように、
樹脂封止パッケージ24′の内部においてヒートシンク1
1′がリード9のインナ部9a群における裏面に絶縁層1
5′および接着層16′を介して固定的に接合されて成る
もの、がある(例えば、特開昭61−77350号公報、特開
昭63−29562号公報参照)。しかし、リード群裏面にヒ
ートシンクが絶縁層を介して接着されるヒートシンク内
蔵形のICにおいては、次のような不具合がある。
By the way, as shown in FIG. 11, as an IC having a resin-sealed package with a built-in heat sink,
Heat sink 1 inside resin-sealed package 24 '
1 'is an insulating layer 1 on the back surface of the inner portion 9a group of the lead 9.
Some are fixedly joined via a 5 'and an adhesive layer 16' (see, for example, JP-A-61-77350 and JP-A-63-29562). However, an IC with a built-in heat sink in which a heat sink is bonded to the back surface of the lead group via an insulating layer has the following problems.

(1) リード裏面に絶縁層を介して接着されたヒート
シンクにより、リード相互間の静電容量が増加され、ま
た、絶縁抵抗が低下されるため、電気的特性が低下し、
高周波信号を取り扱う半導体装置には不適当である。
(1) Since the heat sink bonded to the back surface of the lead via an insulating layer increases the capacitance between the leads and lowers the insulation resistance, the electrical characteristics deteriorate.
It is not suitable for a semiconductor device that handles high-frequency signals.

(2) 絶縁層および接着層が樹脂封止パッケージの内
部において全体的に横断しているため、また、接着層の
イオンがペレットの近傍にあるため、耐湿性が低下す
る。
(2) Since the insulating layer and the adhesive layer are entirely traversed inside the resin-sealed package, and the ions of the adhesive layer are near the pellet, the moisture resistance is reduced.

しかし、本実施例においては、樹脂封止パッケージ24
の内部においてヒートシンク11はリード9のインナ部9b
から電気的に完全に隔離されているため、このような問
題点を発生を回避することができる。
However, in this embodiment, the resin sealing package 24
The heat sink 11 is an inner part 9b of the lead 9
Since the power supply is completely electrically isolated from the power supply, such a problem can be avoided.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Nor.

電気的接続用のリードフレームのヒートシンクとの結
合部の形状は、第13図に示されているように、対角線上
に延びるように突設してもよい。この場合、接合部の切
り口は樹脂封止パッケージの4隅に1個宛露出されるこ
とになる。
As shown in FIG. 13, the shape of the connecting portion of the lead frame for electrical connection with the heat sink may protrude so as to extend diagonally. In this case, one cutout of the joint is exposed at each of the four corners of the resin-sealed package.

ヒートシンクと電気的接続用リードフレームとの結合
手段としては、リベットによる締結構造を使用するに限
らず、接着剤による接着構造や、はんだ材料による溶着
構造等を使用してもよい。これらの場合、結合孔は省略
することができる。
The connecting means between the heat sink and the lead frame for electrical connection is not limited to the use of a rivet fastening structure, but may be an adhesive bonding structure using an adhesive or a welding structure using a solder material. In these cases, the coupling holes can be omitted.

ヒートシンクは樹脂封止パッケージから若干突出する
ように構成するに限らず、樹脂封止パッケージの一端面
と略同一平面(所謂面いち)になるように構成してもよ
い。
The heat sink is not limited to be configured to slightly protrude from the resin-sealed package, but may be configured to be substantially flush with one end surface of the resin-sealed package (so-called flat surface).

ヒートシンクの形状、大きさ、構造等は、要求される
放熱性能、実装形態(例えば、押さえ具や締結ボルトの
使用の有無等)、ペレットの性能、大きさ、形状、構造
等々の諸条件に対応して選定することが望ましく、必要
に応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設
けることができる。
The shape, size, structure, etc. of the heat sink correspond to various requirements such as required heat dissipation performance, mounting form (for example, whether or not holding tools and fastening bolts are used), pellet performance, size, shape, structure, etc. It is desirable to select the radiating fins, and if necessary, radiating fins, bolt insertion holes, internal threads, and the like can be provided.

また、ヒートシンクを形成する材料としては銅系材料
を使用するに限らず、アルミニューム系等のような熱伝
導性の良好な他の金属材料を使用することができる。特
に、炭化シリコン(SiC)等のように熱伝導性に優れ、
かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそれ
と略等しい材料を使用することが望ましい。
The material for forming the heat sink is not limited to a copper-based material, but may be another metal material having good thermal conductivity such as an aluminum-based material. In particular, it has excellent thermal conductivity like silicon carbide (SiC),
It is desirable to use a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of silicon as a material of the pellet.

ペレットのヒートシンクへのボンディング作業は、ヒ
ートシンクがリードフレームに結合される以前に実施し
てもよい。
The operation of bonding the pellet to the heat sink may be performed before the heat sink is bonded to the lead frame.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である表面実装形樹脂封
止パッケージを備えたICに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、樹脂封止型パワ
ートランジスタや、その他の電子装置全般に適用するこ
とができる。特に、小型軽量、多ピンで、しかも、低価
格であり、高い放熱性能が要求される半導体装置に利用
して優れた効果が得られる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to an IC having a surface mount type resin-encapsulated package, which is a field of application in the background, has been described, but the invention is not limited thereto. The present invention can be applied to a resin-sealed power transistor and other general electronic devices. In particular, an excellent effect can be obtained when used in a semiconductor device that is small, lightweight, has many pins, is inexpensive, and requires high heat radiation performance.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りであ
る。
The effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

ペレットの裏面にヒートシンクを付設することによ
り、ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝導させ
ることができるため、小型の樹脂封止パッケージを備え
ているICであっても放熱性能を高めることができ、高密
度、高速性能が要求されるIC等においても低熱抵抗化を
実現させることができる。その結果、この種のIC等にお
いても樹脂封止パッケージ化を実現させることにより、
また、生産性が良好であるため、コストを大幅に低減さ
せることができる。
By attaching a heat sink to the back surface of the pellet, the heat of the pellet can be conducted directly to the heat sink, so that the heat dissipation performance can be improved even for ICs with a small resin-sealed package. In addition, it is possible to realize low thermal resistance even in ICs and the like that require high density and high speed performance. As a result, by realizing resin-encapsulated packaging for this type of IC, etc.,
Further, since the productivity is good, the cost can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a)、(b)は本発明の一実施例である製造方
法により製造された樹脂封止形MSP・ICを示す正面断面
図および対角線に沿う断面端面図、 第2図〜第8図はその製造方法を説明するものであり、
第2図は多連リードフレームを示す一部省略平面図、 第3図はヒートシンクを示す斜視図、 第4図はヒートシンクのリードフレームへの結合工程を
示す拡大部分斜視図、 第5図はペレットおよびワイヤボンディング後を示す拡
大部分平面図、 第6図は第5図のVI−VI線に沿う断面図、 第7図は樹脂封止パッケージ成形作業を示す部分縦断面
図、 第8図はパッケージ成形後を示す部分底面図、 第9図はそのMSP・ICの実装状態を示す斜視図、 第10図は同じく一部切断正面図である。 第11図はその作用を説明するための他のICを示す部分正
面断面図である。 第12図はヒートシンクの製造の一実施例を示す一部省略
平面図、 第13図はヒートシンクとリードフレームとの結合構造の
変形例を示す一部省略平面図である。 1……多連リードフレーム、2……単位リードフレー
ム、3……外枠、4……セクション枠、5……ダム吊り
部材、6……ダム部材、6a……ダム、7……ヒートシン
ク結合部材、8……空所、9……電気的接続用リード、
11……ヒートシンク、12……環状溝、13……リードフレ
ーム結合部片、14……リベット、20……多連リードフレ
ーム重合体、21……ペレット、22……ボンディング層、
23……ボンディングワイヤ、24……樹脂封止パッケー
ジ、25……MSP・IC(半導体装置)、26……プリント配
線基板、27……ランドパット、30……トランスファ成形
装置、31……上型、32……下型、33……キャビティー、
34……ポット、35……プランジャ、36……カル、37……
ランナ、38……ゲート、39……凹所、40……レジン。
1 (a) and 1 (b) are a front cross-sectional view and a cross-sectional end view along a diagonal line showing a resin-sealed MSP / IC manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 explains the manufacturing method.
FIG. 2 is a partially omitted plan view showing a multiple lead frame, FIG. 3 is a perspective view showing a heat sink, FIG. 4 is an enlarged partial perspective view showing a step of connecting the heat sink to the lead frame, and FIG. FIG. 6 is a sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 5, FIG. 7 is a partial longitudinal sectional view showing a resin-sealed package molding operation, and FIG. 8 is a package. FIG. 9 is a partial bottom view showing a state after molding, FIG. 9 is a perspective view showing a mounting state of the MSP / IC, and FIG. 10 is a partially cut front view of the same. FIG. 11 is a partial front sectional view showing another IC for explaining the operation. FIG. 12 is a partially omitted plan view showing one embodiment of the manufacture of the heat sink, and FIG. 13 is a partially omitted plan view showing a modification of the coupling structure between the heat sink and the lead frame. 1 Multiple lead frame 2 Unit lead frame 3 Outer frame 4 Section frame 5 Dam suspension member 6 Dam member 6a Dam 7 Heat sink connection Member 8, empty space 9, electrical connection lead,
11 ... heat sink, 12 ... annular groove, 13 ... lead frame connecting piece, 14 ... rivet, 20 ... multiple lead frame polymer, 21 ... pellet, 22 ... bonding layer,
23: Bonding wire, 24: Resin-sealed package, 25: MSP / IC (semiconductor device), 26: Printed wiring board, 27: Land pad, 30: Transfer molding device, 31: Upper die , 32 …… Lower mold, 33 …… Cavity,
34 …… Pot, 35 …… Plunger, 36 …… Cul, 37 ……
Runner, 38 ... gate, 39 ... recess, 40 ... resin.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 団野 忠敏 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 (56)参考文献 特開 昭58−223353(JP,A) 特開 昭54−73565(JP,A) 実開 昭57−69244(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Tadatoshi Tanno 111, Nishiyokote-cho, Takasaki-shi, Gunma, Japan Inside the Takasaki Plant of Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-58-223353 (JP, A) JP-A Sho 54-73565 (JP, A) Actually open 57-69244 (JP, U)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体ペレットに電気的に接続された複数
本のリードが、平面形状が四角形形状に形成されている
樹脂封止パッケージの4側面から突設されているととも
に、樹脂封止パッケージにヒートシンクが植設されてい
る半導体装置の製造方法であって、 前記リード群が中央に形成された空所から四方に配線さ
れているとともに、このリード群が四角形形状の枠に中
央空所の外方で支持されており、この四角形形状枠にお
ける4箇所のコーナー部のそれぞれに各ヒートシンク結
合部材が配されている単位リードフレームが複数個、長
手方向に配列されている多連リードフレームが準備され
る多連リードフレーム準備工程と、 前記ヒートシンクが前記各ヒートシンク結合部材にそれ
ぞれ対向する4箇所に各結合部片をそれぞれ対角線方向
に配設されており、このヒートシンクが複数個、長手方
向に配列されているとともに、枠によって互いに連結さ
れている多連ヒートシンクが準備される工程と、 前記多連ヒートシンクの前記ヒートシンクが前記多連リ
ードフレームの前記単位リードフレームにおける前記中
央空所に整合されて、前記四角形形状枠の4箇所のコー
ナー部のそれぞれにおいて互いに対向する前記各ヒート
シンク結合部材と前記ヒートシンクの前記各結合部片と
がそれぞれ結合される結合工程と、 前記ヒートシンクの一主面に前記半導体ペレットがボン
ディングされる工程と、 前記半導体ペレットの各電極パッドと前記各リードとが
電気的に接続される工程と、 前記樹脂封止パッケージが成形される工程と、 前記多連リードフレームの前記四角形形状枠および前記
多連ヒートシンクの前記枠が除去されて前記半導体装置
に分断される工程と、を備えていることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
A plurality of leads electrically connected to a semiconductor pellet are projected from four side surfaces of a resin-sealed package having a quadrangular planar shape. A method of manufacturing a semiconductor device in which a heat sink is implanted, wherein the lead group is wired in four directions from a space formed in the center, and the lead group is formed outside a center space in a rectangular frame. A plurality of unit lead frames, each of which has a heat sink coupling member at each of four corners of the rectangular frame, and a multiple lead frame arranged in the longitudinal direction. A plurality of lead frame preparing steps, wherein each of the connecting pieces is diagonally arranged at four positions where the heat sink faces each of the heat sink connecting members. Providing a plurality of heat sinks, wherein a plurality of the heat sinks are arranged in the longitudinal direction and connected to each other by a frame; and The heat sink coupling members and the coupling pieces of the heat sink, which are aligned with the central space in the unit lead frame of the frame and face each other at each of the four corner portions of the rectangular frame, are coupled to each other. A bonding step; a step of bonding the semiconductor pellet to one main surface of the heat sink; a step of electrically connecting each electrode pad of the semiconductor pellet to each of the leads; And forming the square lead frame and the front of the multiple lead frame. The method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the frame of the array type heat sink is provided with a step which is divided into the semiconductor device are removed.
【請求項2】前記樹脂封止パッケージの成形工程におい
て、前記樹脂封止パッケージは前記ヒートシンクの前記
半導体ペレットがボンディングされた前記主面と反対側
の主面が外部に露出するように成形されることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の製造方
法。
2. In the step of molding the resin-sealed package, the resin-sealed package is molded such that a main surface of the heat sink opposite to the main surface to which the semiconductor pellet is bonded is exposed to the outside. 2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
【請求項3】前記結合工程において、前記リードフレー
ムの前記ヒートシンク結合部材と前記ヒートシンクの前
記結合部片とがかしめ加工によって固定されることを特
徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の半導
体装置の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein in the connecting step, the heat sink connecting member of the lead frame and the connecting piece of the heat sink are fixed by caulking. The manufacturing method of the semiconductor device described in the above.
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