JPS63293921A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPS63293921A JPS63293921A JP62130478A JP13047887A JPS63293921A JP S63293921 A JPS63293921 A JP S63293921A JP 62130478 A JP62130478 A JP 62130478A JP 13047887 A JP13047887 A JP 13047887A JP S63293921 A JPS63293921 A JP S63293921A
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- Japan
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- wafer
- gas
- heater
- heating plate
- equipment
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は熱処理装置に係り、特に半導体ウニノー等のシ
ート状材料のエツチング等を行なった後に加熱するため
の熱処理装置に関する。
ート状材料のエツチング等を行なった後に加熱するため
の熱処理装置に関する。
（従来の技術）
一般に、例えば塩素系ガス等を用いて半導体ウェハのエ
ツチングを行なうドライエツチング装置においては、エ
ツチング終了後に上記装置からウェハを取出した際に、
ウェハ上の例えばＡＩ Ｃ９３等の塩素系物質と大気中
の酸素とが反応して腐蝕が生じることがある。
ツチングを行なうドライエツチング装置においては、エ
ツチング終了後に上記装置からウェハを取出した際に、
ウェハ上の例えばＡＩ Ｃ９３等の塩素系物質と大気中
の酸素とが反応して腐蝕が生じることがある。
そのため、従来、電気炉あるいは工業用ドライヤを用い
てウェハを加熱し、上記有害物質を除去する熱処理装置
が多く用いられている。
てウェハを加熱し、上記有害物質を除去する熱処理装置
が多く用いられている。
（発明が解決しようとする１問題点）
しかし、上記のような熱処理装置においては、昇温に時
間が掛かるため熱処理工程を迅速に行なうことができず
、しかも、温度分布が悪いため均一に熱処理を行なうこ
とができないという問題を有している。
間が掛かるため熱処理工程を迅速に行なうことができず
、しかも、温度分布が悪いため均一に熱処理を行なうこ
とができないという問題を有している。
また、上記ドライヤの場合、加熱ヒータが内蔵されてい
るため、ヒータの劣化により発生する酸化物等がガスと
ともにウェハに吹付けられて、つエバが汚染してしまう
という問題をも有している。
るため、ヒータの劣化により発生する酸化物等がガスと
ともにウェハに吹付けられて、つエバが汚染してしまう
という問題をも有している。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、ウェハを
汚染させることなく均一に加熱することができ、かつ、
迅速に処理を行なうことのできる熱処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
汚染させることなく均一に加熱することができ、かつ、
迅速に処理を行なうことのできる熱処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため本発明に係る熱処理装置は、ケ
ーシングの両側部にウェハの挿入口および取出口を設け
るとともに、上記ケーシングの内部に上記挿入口から取
出口に上記ウェハを搬送する搬送装置を配置し、この搬
送装置により搬送される上記ウェハの熱処理位置に加熱
板を設け、この加熱板の上方に空気またはガスを吹付け
る吹付は装置を配設し、この吹付は装置と加熱板との間
に加熱ヒータを配置して構成されている。
ーシングの両側部にウェハの挿入口および取出口を設け
るとともに、上記ケーシングの内部に上記挿入口から取
出口に上記ウェハを搬送する搬送装置を配置し、この搬
送装置により搬送される上記ウェハの熱処理位置に加熱
板を設け、この加熱板の上方に空気またはガスを吹付け
る吹付は装置を配設し、この吹付は装置と加熱板との間
に加熱ヒータを配置して構成されている。
（作 用）
本発明によれば、搬送装置により搬送されたウェハを、
加熱板および加熱ヒータで加熱するとともに、吹付は装
置から空気またはガスをウェハ表面に吹付け、ウェハ表
面に付着した生成物を除去するものであり、上記加熱ヒ
ータとガス等の吹付は装置とを別個に設けたので、加熱
ヒータの劣化により発生する酸化物等がガスとともにウ
ェハに吹付けられてウェハが汚染することを防ぐことが
でき、しかも、迅速な昇温を行なうことができるもので
ある。
加熱板および加熱ヒータで加熱するとともに、吹付は装
置から空気またはガスをウェハ表面に吹付け、ウェハ表
面に付着した生成物を除去するものであり、上記加熱ヒ
ータとガス等の吹付は装置とを別個に設けたので、加熱
ヒータの劣化により発生する酸化物等がガスとともにウ
ェハに吹付けられてウェハが汚染することを防ぐことが
でき、しかも、迅速な昇温を行なうことができるもので
ある。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図およ第２図は本発明の一実施例を示したもので、
装置本体１の両側面には、ウェハ２を搬入、搬出するた
めの挿入口３および取出口４がそれぞれ同一高さに設け
られており、上記装置本体１の内部には、上記本体１の
外部に配置された駆動装置５に伝達装置６を介して接続
された一対のプーリ７で駆動される搬送ベルト８が配設
されている。また、上記搬送ベルト８の上側部分には、
このベルト８とほぼ面一に加熱板９が配置されており、
この加熱板９の上方には、ガス吹付はカバー１０配設さ
れている。このガス吹付はカバー１０の上部には、装置
本体１の外部に連通しＮ２ガスまたは空気を導入するガ
ス導入管１１の吹出口１２が配置され、上記ガス吹付は
カバー１０の内側には、加熱ヒータ１３が上記搬送ベル
ト８による搬送方向に沿うように配置されている。この
加熱ヒータ１３は、石英ガラス管に赤外線ランプを内蔵
して形成されている。さらに、上記装置本体１の下面に
は、噴出されたガスやウェハ表面の生成物等を排出する
排気口１４が設けられている。
装置本体１の両側面には、ウェハ２を搬入、搬出するた
めの挿入口３および取出口４がそれぞれ同一高さに設け
られており、上記装置本体１の内部には、上記本体１の
外部に配置された駆動装置５に伝達装置６を介して接続
された一対のプーリ７で駆動される搬送ベルト８が配設
されている。また、上記搬送ベルト８の上側部分には、
このベルト８とほぼ面一に加熱板９が配置されており、
この加熱板９の上方には、ガス吹付はカバー１０配設さ
れている。このガス吹付はカバー１０の上部には、装置
本体１の外部に連通しＮ２ガスまたは空気を導入するガ
ス導入管１１の吹出口１２が配置され、上記ガス吹付は
カバー１０の内側には、加熱ヒータ１３が上記搬送ベル
ト８による搬送方向に沿うように配置されている。この
加熱ヒータ１３は、石英ガラス管に赤外線ランプを内蔵
して形成されている。さらに、上記装置本体１の下面に
は、噴出されたガスやウェハ表面の生成物等を排出する
排気口１４が設けられている。
上記のように構成された熱処理装置１５は、第３図に示
すように、真空処理装置１６に組込まれる。すなわち、
ロードロック室１７、エツチング等を行なう真空チャン
バ１８、アンロートロツタ室１９、Ｎ２ガス室２０、熱
処理装置１５を順次連続して設け、ロード側カセット２
１から半導体ウェハ２を、図示しない搬送装置によりロ
ードロック室１７に送り、このロードロック室１７を真
空にした後、該ウェハ２を真空チャンバ１８内に搬送す
る。そして、真空チャンバ１８内でウェハ２のエツチン
グ等の処理を行ない、処理後のウェハ２をアンロードロ
ック室１９へ送って大気に戻した後、Ｎ２ガス室２０で
酸化防止処理が施されて、熱処理装置１５に搬送される
。
すように、真空処理装置１６に組込まれる。すなわち、
ロードロック室１７、エツチング等を行なう真空チャン
バ１８、アンロートロツタ室１９、Ｎ２ガス室２０、熱
処理装置１５を順次連続して設け、ロード側カセット２
１から半導体ウェハ２を、図示しない搬送装置によりロ
ードロック室１７に送り、このロードロック室１７を真
空にした後、該ウェハ２を真空チャンバ１８内に搬送す
る。そして、真空チャンバ１８内でウェハ２のエツチン
グ等の処理を行ない、処理後のウェハ２をアンロードロ
ック室１９へ送って大気に戻した後、Ｎ２ガス室２０で
酸化防止処理が施されて、熱処理装置１５に搬送される
。
この熱処理装置１５においては、挿入口３から送られた
ウェハ２、搬送ベルト８により加熱板９の上部位置まで
搬送して停止させる。この状態で、加熱板９および加熱
ヒータ１３を加熱するとともに、装置本体１の外部に設
けられた図示しないガス導入装置からのＮ２ガスまたは
空気を、ガス導入管１１を介してガス吹出口１２からウ
ェハ２の表面にを吹付ける。これにより、真空チャンバ
１８内におけるエツチング等によりウェハ２表面に付着
した塩素系生成物等の除去が行なわれ、この除去された
ものは、排気口１４から外部へ排出される。熱処理が終
了したウェハ２は、取出口４からアンロード側のカセッ
トに収納される。
ウェハ２、搬送ベルト８により加熱板９の上部位置まで
搬送して停止させる。この状態で、加熱板９および加熱
ヒータ１３を加熱するとともに、装置本体１の外部に設
けられた図示しないガス導入装置からのＮ２ガスまたは
空気を、ガス導入管１１を介してガス吹出口１２からウ
ェハ２の表面にを吹付ける。これにより、真空チャンバ
１８内におけるエツチング等によりウェハ２表面に付着
した塩素系生成物等の除去が行なわれ、この除去された
ものは、排気口１４から外部へ排出される。熱処理が終
了したウェハ２は、取出口４からアンロード側のカセッ
トに収納される。
したがって、本実施例においては、上記加熱ヒータ１３
とガス等の吹付は装置とを別個に設けたので、加熱ヒー
タ１３の劣化により発生する酸化物等がガスとともにウ
ェハ２に吹付けられてウェハ２が汚染することを防ぐこ
とができる。しかも、加熱板９および加熱ヒータ１３に
よりウェハ２の上面および下面から同時に加熱するので
、加熱による昇温時間が短く迅速に加熱処理を行なうこ
とができる。
とガス等の吹付は装置とを別個に設けたので、加熱ヒー
タ１３の劣化により発生する酸化物等がガスとともにウ
ェハ２に吹付けられてウェハ２が汚染することを防ぐこ
とができる。しかも、加熱板９および加熱ヒータ１３に
よりウェハ２の上面および下面から同時に加熱するので
、加熱による昇温時間が短く迅速に加熱処理を行なうこ
とができる。
以」二述べたように本発明に係る熱処理装置は、搬送装
置により搬送されたウェハを、加熱板および加熱ヒータ
で加熱するとともに、吹付は装置から空気またはガスを
ウニ八表面に吹付け、ウニ八表面に付着した生成物を除
去するものであり、上記加熱ヒータとガス等の吹付は装
置とを別個に設けるようにしたので、加熱ヒータの劣化
により発生する酸化物等がガスとともにウェハに吹付け
られてウェハが汚染することを防ぐことができ、しかも
、昇温時間を短くすることができるので、迅速な熱処理
を行なうことができる等の効果を奏する。
置により搬送されたウェハを、加熱板および加熱ヒータ
で加熱するとともに、吹付は装置から空気またはガスを
ウニ八表面に吹付け、ウニ八表面に付着した生成物を除
去するものであり、上記加熱ヒータとガス等の吹付は装
置とを別個に設けるようにしたので、加熱ヒータの劣化
により発生する酸化物等がガスとともにウェハに吹付け
られてウェハが汚染することを防ぐことができ、しかも
、昇温時間を短くすることができるので、迅速な熱処理
を行なうことができる等の効果を奏する。
第１図乃至第３図はそれぞれ本発明の実施例を示したも
ので、第１図は正面断面図、第２図は側面断面図、第３
図は第１図の熱処理装置を組込んだ真空処理装置を示す
構成図である。 １・・・装置本体、２・・・ウェハ、８・・・搬送ベル
ト、９・・・加熱板、１ｏ・・・ガス吹付はカバー、１
１−・・ガス導入管、１２・・・ガス吹出口、１３・・
・加熱ヒータ、１４・・・排気口。
ので、第１図は正面断面図、第２図は側面断面図、第３
図は第１図の熱処理装置を組込んだ真空処理装置を示す
構成図である。 １・・・装置本体、２・・・ウェハ、８・・・搬送ベル
ト、９・・・加熱板、１ｏ・・・ガス吹付はカバー、１
１−・・ガス導入管、１２・・・ガス吹出口、１３・・
・加熱ヒータ、１４・・・排気口。
Claims (1)
- ケーシングの両側部にウェハの挿入口および取出口を設
けるとともに、上記ケーシングの内部に上記挿入口から
取出口に上記ウェハを搬送する搬送装置を配置し、この
搬送装置により搬送される上記ウェハの熱処理位置に加
熱板を設け、この加熱板の上方に空気またはガスを吹付
ける吹付け装置を配設し、この吹付け装置と加熱板との
間に加熱ヒータを配置したことを特徴とする熱処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62130478A JPS63293921A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62130478A JPS63293921A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293921A true JPS63293921A (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=15035208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62130478A Pending JPS63293921A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293921A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS594023A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 無接触ベ−キング機構 |
| JPS61131532A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | シ−ト状材料の熱処理装置 |
| JPS6232619A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | シ−ト状材料の熱処理装置 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62130478A patent/JPS63293921A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS594023A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 無接触ベ−キング機構 |
| JPS61131532A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | シ−ト状材料の熱処理装置 |
| JPS6232619A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | シ−ト状材料の熱処理装置 |
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