JPS63293194A - 電解めっき方法 - Google Patents

電解めっき方法

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JPS63293194A
JPS63293194A JP12772887A JP12772887A JPS63293194A JP S63293194 A JPS63293194 A JP S63293194A JP 12772887 A JP12772887 A JP 12772887A JP 12772887 A JP12772887 A JP 12772887A JP S63293194 A JPS63293194 A JP S63293194A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
cathode
plating
plated
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP12772887A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Kimura
和博 木村
Hideyoshi Yamaoka
山岡 秀嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS63293194A publication Critical patent/JPS63293194A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/007Current directing devices

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は電気化学的に金属を析出させる、電解めっき
方法に関するものである。
(ロ)従来の技術 金属下地上や導電膜処理を施した不導体下地上に、保護
、装飾、耐食性の向上、機能性の付加或は、析出した金
属を剥離して形状の転写を行うなどの目的で電解めっき
を行う際に、技術的に望まれるごとの一つに、その析出
した金属の膜厚や物性、被覆力に対する均一性がある。
従来一般的に行われている対策としては、電解めっき中
に電解液を撹拌したり、陰極を揺動させたり、陰極、陽
極間にダミーの電極を位置させたり、或は、不導体の邪
魔板を位11させて電流密度分布を制御する事などによ
り、その析出金属の厚みや物性を均一化してきた。
(ハ)発明が解決しようとする内題点 一般に、電流の回り込みにくに陰極の凹部や、陽極に対
する相対的な位置関係により後ろ側になってしまう陰極
表面には、電着皮膜の厚みのばらつきが生じていた。こ
のため、均一な電着を得る−ための上記の方法のうち、
両極間にダミー電極を位置させる方法では、その電極に
電流を供給する為、導電線の取り回しゃ、ダミー電極の
支持方法に、特殊な工夫を行う必要や、特殊な材質の材
料を採用する必要があり、幾何学的な配置の設計にも制
約があった。
本発明は、均一な電着を得るために、ダミー電極を位置
させる方法において、電流の供給を考慮に入れずに幾何
学的な位置関係のみで電着の均一性を得ることのできる
方法を提供する。
(ニ)問題点を解決するための手段 この発明は、金属イオンを含む電解液中に陰極、陽極を
浸漬し両極間に電圧をかけて電着をする方法において、
電解液槽中の両極の周辺部又は、両極の中間部に、陽極
と同じ材質の金属片を位置させて両極間の電流密度分布
をl111iIlシ、金属被膜を均一に陰極上に析出さ
せることを特徴とする電解めっき方法である。
(ホ)作 用 一般に、第5図のように電流Cの流れている領域A中に
、金属などの導体、つまり低抵抗の物体Bを位置させる
と、物体Bの周囲を流れる電流Cは、領域Aと物体Bと
の抵抗値の比に従って、物体B中を優先的に流れる。従
って、その物体Bの形状及び位置を制御する事により、
領域A中を流れる電流Cの密度の分布をIIIImする
ことができる。
この時、物体Bは領域Aの外部となんら電気的に結合さ
れている必要は無く、物体Bの形状及び位置のみによっ
てこの効果を得ることができる。
ところで、電解めっきは電解液中にFIAIf!と陰極
を位置させ、電流の流れている領域を作り出しているこ
とに外ならない。そこで、陽極と同じ材質の金属材料を
両極の概ね中間部に位置させると、陽極などの金属材料
は電解液に比べ低抵抗であるため、位置させた金属材料
の周囲の領域を流れていた電流は一旦金属材料中に集中
し、再び分散して流れていく。このため、金属材料が位
置しているときと、していないときでは、電解液中の電
流密度分布に差が生じる。即ち、位置させた金属材料の
形状及び位置のみによって、電流密度分布を制御するこ
とができる。このとき、位置させた金属材料は外部とな
んら電気的に結合されている必要は無い。
さらに具体的に説明すると、第1図(C)に示すように
、電解液槽1の電解液2の中に陰極、3と陽極4を設け
、断面り字型の金属片5のめっきを行うと、コーナ一部
のような凹部では電流がよく回り込まず、めっきの厚さ
がコーナーに近ずくほど少ない。極端な場合には、全く
めっきできない場合がある。そこで従来、第1同市)に
示すように補助陽極6aを設け、その補助陽極6aに陽
極4と同じように電流を供給して、めっき被膜8の厚さ
の均一を計うているが、第1図(b>の場合には、補助
陽極6aを支持する支持棒9を絶縁被膜10によって被
覆し支持棒9から不必要な電流が流れ出すことを防止す
る必要がある。これに対して第1図(おに示す方法によ
れば、電流が回り込みにくい非めっき物のコーナ一部分
に近接して陽極4と同じ材質の金属片6を電解液2によ
っておかされることのない材料の支持棒7によって支持
して設置することにより、めっきの電流密度分布が制御
されて被めっき金属片5のコーナ一部にも電流が供給さ
れるので、めっき被1118はコーナ一部にはおいても
他の部分と同様な厚さに形成される。
第2図は大きな平面状の被めっき金属板5aにめっきを
行う場合を示す。この場合においても第2図(C1に示
す従来例においては、単に陽極を非めつき金属板5aに
対向させただけであるので、均一な膜厚のめっき被11
8を得ることは難しい。また第2図(b>に示すように
補助陽極6aを設けることによりめっき被膜8aの均一
化を計ることが可能である。しかし、前述と同様に支持
棒9aから不必要な電流が流れ出すことがないように、
その表面を絶縁被膜で広く被覆する必要があるばかりで
なく、めっき被118の高い均一性を得るためには、補
助陽極6aの形状と位置、及び補助1m6aから給電さ
れる電流と陽極4から給電される電流との条件などを検
討する必要があり、それらの適正条件を見出すことは非
常に手間を要することである。これに対して第2図(田
に示す方法では、陽極4と同じ材質の金属片6を電解液
2におかされることのない材料を用いた支持棒7で支持
するだけでよく、陽極4との電気的結合を全く取る必要
がない。したがってめつき被I!I8の高い均一性を得
るためにはこの金属片6の1及び形状のみを検討するだ
けでよく比較的適正条件を容易に見出すことが可能であ
る。
つまり、この発明に係る電解めっき方法は、電気的に外
部と結合する事なく、陽極と同じ材質の金属材料を電解
液中の、陽極と陰極の中間部に位置させることのみによ
り、両極間に流れる電流の密度分布を制御することを特
徴とする。陰極上に析出する金属の膜厚や物性、被覆力
に対する均一性を両極間に陽極と同じ材質の金属材料を
位置させることにより容易に得ることができる。
(へ)実施例 以下、対応する従来例と対比させた実施例に基づいてこ
の発明を詳述する。なおこれによってこの発明が限定さ
れるものではない。
この実施例では円盤状の表面に均一にめっきを行う場合
を示している。従来の方法においては第3図(b>に示
すように、陽極11に対向させて、めっきする金属用!
114を円形ホルダーに支持して対向させ開口12aを
有する円盤状の遮蔽板12をスペーサー13によりて支
持し、液面をしで示す電解液中においてめっきを行う。
このときの条件は次の通りである。
陽極:Sニッケルベレットにッケルにわずかのイオウ不
純物を含んだもの) 陰極ニガラス基板上にニッケルスパッタ膜で被覆したも
の。
電解液:スルファミン酸ニッケルと塩化ニッケルとホウ
酸との溶液。
陰極形状:直径195−の円形。
遮n板開ロ形状二円形。
陽性−陰性間距離: 78− 開ロー陰性間距離=48−一 この場合電解液中を流れる電流は遮蔽板12によっであ
る程度制御されるが、その結果は第4図+b>に示すよ
うに金属円盤14の半径rに対してめっき膜厚tは変動
しており、高い均一性を得ることが困難であることを示
している。
これに対して第3図(田に示すこの発明の実施例におい
ては、陽極11と同じ材質のリング状の金属片16及び
17を樹11%の支持体18によって遮蔽板12の上に
支持し、電解液中の電流密度分布を制限するようにして
いる。そこで次のような条件でめっきを行った。
リング状金属片16 外径: 55+es 内径: 35i+s 板厚:  2a+a リング状金属片17 外径: 145m働 内径=125鋼− 板厚=2I― 金属片−陰極間距離: 20111 その他:第3図(b)と同じ。
その結果、金属円盤14の半径「に対するめつき膜厚t
は第4図(田に示すようになり高い均一性が得られた。
(ト)発明の効果 この発明によれば、電解めっきにおいて、陰極上に析出
する金属の膜圧が両極間に陽極と同じ材質の金属材料を
位置させることのみによって制御することができるので
、従来のように補助電極に対する1!流供給方法を検討
したり補助電極の支持手段を特殊な材料を用いて被覆す
る必要がないため、設計の自由度が増大する。又均−な
めつき膜厚を得るための条件を見い出す場合には、陽極
と同じ材質の金属材料を用いてその形状と位置とを変更
するだけでよいので、所定のめつき膜厚を得るための適
正条件を見出す時間が大幅に短縮される。
【図面の簡単な説明】
第1図(おはこの発明の原理の一例を示す説明図、第1
図(to及び第1図(C)は従来例を示す第1図(ω対
応図、第2図(a)はこの発明の原理の他の例を示す説
明図、第2図(b>及び第2図(e)は従来例を示す第
2図(ω対応図、第3図(ωはこの発明の一実施例を示
す説明図、第3図ttnは従来例を示す第3図(田対応
図、第4図(ω及び第4図+tnはそれぞれ第3図(ω
及び第3図+toにおける半径とめつき膜厚との関係を
示すグラフ、第5図は液中のN流密度分布の状態を示す
説明図である。 11・・・・・・陽極、12・・・・・・遮蔽板、14
・・・・・・陰極、16.17・・・・・・金属片。 代理人  弁理士  野 河 信太部 ゛第 (a) 3図 (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、金属イオンを含む電解液中に陰極、陽極を浸漬し両
    極間に電圧をかけて電着をする方法において、電解液槽
    中の両極の周辺部又は、両極の中間部に、陽極と同じ材
    質の金属片を位置させて両極間の電流密度分布を制御し
    、金属被膜を均一に陰極上に析出させることを特徴とす
    る電解めっき方法。
JP12772887A 1987-05-25 1987-05-25 電解めっき方法 Pending JPS63293194A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000022194A2 (en) * 1998-10-15 2000-04-20 Central Research Laboratories Limited Method of, and apparatus for, electro-plating a structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000022194A2 (en) * 1998-10-15 2000-04-20 Central Research Laboratories Limited Method of, and apparatus for, electro-plating a structure
WO2000022194A3 (en) * 1998-10-15 2000-10-19 Central Research Lab Ltd Method of, and apparatus for, electro-plating a structure

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