JPS63288411A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS63288411A JPS63288411A JP12332687A JP12332687A JPS63288411A JP S63288411 A JPS63288411 A JP S63288411A JP 12332687 A JP12332687 A JP 12332687A JP 12332687 A JP12332687 A JP 12332687A JP S63288411 A JPS63288411 A JP S63288411A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
げ）産業上の利用分野
不発明は高密度の磁気記録、再生に好適な薄膜Ｓ気ヘッ
ドに関する。
ドに関する。
（ロ）従来の技術
従来、この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、特開
１１８６０−１７００１３号公報（０１１Ｂ５／３１）
等に開示されているものがδる。
１１８６０−１７００１３号公報（０１１Ｂ５／３１）
等に開示されているものがδる。
第７図は従来の薄膜ａ９ＩＣヘッドの要部！！Ｆｒ面図
である。
である。
内申、 （１）Ｕ島伝導率７５１２５ Ｘ １０−’
Ｊ／ｃａ・８− ’に程度の結晶化ガラス等りりなる非
ｆｆｉ注の基板で、該基板（１）上にはセンダスト等の
強ａ性金属薄膜よりなる下部日性層（２）、８１０ ｚ
等のギャップスペーサ（３）、Ｃｕ等からなる感体：フ
ィル／ａ！（４）、５ｉＯｚ等からなる眉間絶縁層（５
）、及びセンダスト等の強磁性金Ｓ薄ｐｓＬ夕なる上部
磁性層（６）が夫々スパッタ法、蒸層法、フォトリング
ラフィ技術等による８１層、エラをングをａジ返丁こと
により形成されている。尚、Ｍ紀要間絶縁層（５）の熱
伝導率は１９Ｘ１０−ｓＪ／ｅｍφＳ＊ ’にでるる。
Ｊ／ｃａ・８− ’に程度の結晶化ガラス等りりなる非
ｆｆｉ注の基板で、該基板（１）上にはセンダスト等の
強ａ性金属薄膜よりなる下部日性層（２）、８１０ ｚ
等のギャップスペーサ（３）、Ｃｕ等からなる感体：フ
ィル／ａ！（４）、５ｉＯｚ等からなる眉間絶縁層（５
）、及びセンダスト等の強磁性金Ｓ薄ｐｓＬ夕なる上部
磁性層（６）が夫々スパッタ法、蒸層法、フォトリング
ラフィ技術等による８１層、エラをングをａジ返丁こと
により形成されている。尚、Ｍ紀要間絶縁層（５）の熱
伝導率は１９Ｘ１０−ｓＪ／ｅｍφＳ＊ ’にでるる。
前記薄ｐＨｌ磁気ヘッドに２いて、記録再生特性を同上
ゴせるｔめには、記録再生に直接関与する上部磁性層（
２）及び上部磁性層（６）の磁気特注を向上させる必要
がろる。そしてこのａ気持注の一つとして例えば保磁力
Ｈｅがろるが、この薄膜ヘッドのように結晶化ガラス基
板及びＳｉＯｚｇ上にスパッタリングにエラセンダスト
の薄膜を形成し几場合、この薄膜の保磁力ＨｅはＨｃａ
＝＋ＱＪＯｅ〜ｇ、５０ｅ程度でめり、高１ｉ４波領域
では十分にヒステリシス損を抑えることが出来なかつ友
。
ゴせるｔめには、記録再生に直接関与する上部磁性層（
２）及び上部磁性層（６）の磁気特注を向上させる必要
がろる。そしてこのａ気持注の一つとして例えば保磁力
Ｈｅがろるが、この薄膜ヘッドのように結晶化ガラス基
板及びＳｉＯｚｇ上にスパッタリングにエラセンダスト
の薄膜を形成し几場合、この薄膜の保磁力ＨｅはＨｃａ
＝＋ＱＪＯｅ〜ｇ、５０ｅ程度でめり、高１ｉ４波領域
では十分にヒステリシス損を抑えることが出来なかつ友
。
尚、基板（１１はフエライ）ｋ用いても、その熱伝導率
に４０ＸＩＯ−３Ｊ／傷・Ｓ・０にと小さく、上述の欠
点が生じる。
に４０ＸＩＯ−３Ｊ／傷・Ｓ・０にと小さく、上述の欠
点が生じる。
Ｑｊ 発明が解決しょうとする問題点本発明は上記従
来例の欠点に鑑みなされたものでろり、磁性ｊ―の保磁
力Ｈｃが小ざく、高周波特注に優ｎ九ｉｖ展磁気ヘッド
を提供することを目的とするものである。
来例の欠点に鑑みなされたものでろり、磁性ｊ―の保磁
力Ｈｃが小ざく、高周波特注に優ｎ九ｉｖ展磁気ヘッド
を提供することを目的とするものである。
に）問題点を解決する几めの手段
基板上に該基板よりも熱伝導率が大きい非金ｊ４層を介
して強ｄ注金Ｊ４ｍ膜を被着する。
して強ｄ注金Ｊ４ｍ膜を被着する。
（ホ）作用
一般に、愚注体の磁化は「磁性薄膜工学」（九嵜株式会
社ンのＰ、１１４〜Ｐ、１１９に開示さｎている工うに
磁壁移動に工って行われる。この磁壁移＠を起こ丁のに
必要な最小の磁界の大ささは、磁性体の磁壁抗磁力Ｈｗ
ｉＣ工つて表わさｎる。
社ンのＰ、１１４〜Ｐ、１１９に開示さｎている工うに
磁壁移動に工って行われる。この磁壁移＠を起こ丁のに
必要な最小の磁界の大ささは、磁性体の磁壁抗磁力Ｈｗ
ｉＣ工つて表わさｎる。
そして、このｉ壁抗磁力Ｈｗは薄膜の場合、但し Ｍａ
：磁性膜の飽和磁化 Ｄ：膜厚 σ ：磁壁のエネルギー密度 χ ：磁壁の移動方法 で表わされる。そして磁性体にこのｆｆｉ壁抗磁力Ｈｗ
以上の磁界を加えると磁壁Ｓ勘が起こるわけで、磁壁抗
磁力ＨＷは保磁力Ｈｃｉｃ略等しいと考えられる。従っ
て、保磁力Ｈｅを小さくする九のム ル には、２及びθ、ｆ：小さくする必要がろり、このため
にＦｉ磁壁のエネルギー密度及び膜厚を磁性膜上で均一
にすることか必要でろる。そして、このような磁性膜を
被着形成する几めには、該磁性膜が被着する基板の温度
を該基板上で均一に丁ればよい。
：磁性膜の飽和磁化 Ｄ：膜厚 σ ：磁壁のエネルギー密度 χ ：磁壁の移動方法 で表わされる。そして磁性体にこのｆｆｉ壁抗磁力Ｈｗ
以上の磁界を加えると磁壁Ｓ勘が起こるわけで、磁壁抗
磁力ＨＷは保磁力Ｈｃｉｃ略等しいと考えられる。従っ
て、保磁力Ｈｅを小さくする九のム ル には、２及びθ、ｆ：小さくする必要がろり、このため
にＦｉ磁壁のエネルギー密度及び膜厚を磁性膜上で均一
にすることか必要でろる。そして、このような磁性膜を
被着形成する几めには、該磁性膜が被着する基板の温度
を該基板上で均一に丁ればよい。
上記構成の薄膜磁気ヘッドに依れば、第１１第２の非金
１４層はその熱伝導率が基板のそｒｔエクも大さいため
販非釡槁ノー上の温Ｆｉは夫々全域で均一でめり、その
上に形成される下部磁性層及び上部るエラに前記下部磁
性層及び上部ａ注層の保磁力Ｈｅは低下する。
１４層はその熱伝導率が基板のそｒｔエクも大さいため
販非釡槁ノー上の温Ｆｉは夫々全域で均一でめり、その
上に形成される下部磁性層及び上部るエラに前記下部磁
性層及び上部ａ注層の保磁力Ｈｅは低下する。
（へ）実施例
以下、図面ｔ−参照しつつ本発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図は本来施例の薄膜磁気ヘッドの要部断面内であり
％′ｉｇ７図と同一部分には同一符号を付し、その説明
Ｆ′ｉ第７図の説明を援用する。
％′ｉｇ７図と同一部分には同一符号を付し、その説明
Ｆ′ｉ第７図の説明を援用する。
基板（１）と下部磁性層（２Ｊとの間にはアルミｆエク
なるＨ）ｌ−２ｐｍの第１の非金１４層（７）が、層間
絶縁層（５）と下部磁性層（６）との闇にはアルミナエ
ラなる膜厚２声ｒｎｏ第２の非金属層（８）が夫々介在
さルている。前記第１．第２の非金属／ｍ （７１（８
）を形成するアルミナの熱伝導率は２１０ｘｌＯＪ／−
・Ｓ・０にで、基板ｉｌｌ及び中間絶縁層（５）エラも
大きい。
なるＨ）ｌ−２ｐｍの第１の非金１４層（７）が、層間
絶縁層（５）と下部磁性層（６）との闇にはアルミナエ
ラなる膜厚２声ｒｎｏ第２の非金属層（８）が夫々介在
さルている。前記第１．第２の非金属／ｍ （７１（８
）を形成するアルミナの熱伝導率は２１０ｘｌＯＪ／−
・Ｓ・０にで、基板ｉｌｌ及び中間絶縁層（５）エラも
大きい。
ＫＩＣ，この薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。
る。
先ず、第２１に示す工うに結晶化がラス専からなる基板
（１）上にスパッタリングにニジアルミナよりなる膜厚
２μｍの第１の非金属ｔｔｉ（１）を形成し、該非金属
層（７）上にスパッタリングにエラセンダストパーマロ
イ、アモルファス金属等工Ｖなる膜厚５μｍの下部磁性
層（２７を形成する。
（１）上にスパッタリングにニジアルミナよりなる膜厚
２μｍの第１の非金属ｔｔｉ（１）を形成し、該非金属
層（７）上にスパッタリングにエラセンダストパーマロ
イ、アモルファス金属等工Ｖなる膜厚５μｍの下部磁性
層（２７を形成する。
次に、第３図に示す工うに一前記下部ｉ注）ｍ ｆ２Ｊ
上に５１０２からなるギャップスペーサ（３）、Ｃｕか
らなる導体コイルノｄ（４）、 Ｓ ｉ Ｏｚからなる
層間絶縁層（５）ｔ−蒸層及びエツテングを繰ジ返丁周
知の技術にＬり形成する。尚、ギャップスペーサ（３）
の膜厚は０．２μｍＳ４坏コイルノ＝ （４）の膜厚は
２ｐｍである。
上に５１０２からなるギャップスペーサ（３）、Ｃｕか
らなる導体コイルノｄ（４）、 Ｓ ｉ Ｏｚからなる
層間絶縁層（５）ｔ−蒸層及びエツテングを繰ジ返丁周
知の技術にＬり形成する。尚、ギャップスペーサ（３）
の膜厚は０．２μｍＳ４坏コイルノ＝ （４）の膜厚は
２ｐｍである。
久に、？Ｊ１４図に示す工うに前記層間絶縁層（５）上
にアルミナを２μｍスパッタリングにニジ被着した後、
所定形状にエラをングして第２の非金属）―（８１を形
成する。
にアルミナを２μｍスパッタリングにニジ被着した後、
所定形状にエラをングして第２の非金属）―（８１を形
成する。
次に、第５図に示すＬうに前記第２の非金属層膜（８）
上にスパッタリングにエフセンダスト、パーマσイーア
モルファス金）７ｉ４″４？を５μｍ被看被着後、エツ
チングを施して上部磁性ノω（６）？：影形成る。
上にスパッタリングにエフセンダスト、パーマσイーア
モルファス金）７ｉ４″４？を５μｍ被看被着後、エツ
チングを施して上部磁性ノω（６）？：影形成る。
そして最後に、前記上部磁性層（６）上に８１０２から
なる保護＃（９）を被着し、咳保ｉ膜上にガラス接合層
ａｌＩｌを介して結晶化ガラス等の非磁性体からなる保
獲板σＤを接合して、不笑施例の１４模伍気ヘツドを得
る。
なる保護＃（９）を被着し、咳保ｉ膜上にガラス接合層
ａｌＩｌを介して結晶化ガラス等の非磁性体からなる保
獲板σＤを接合して、不笑施例の１４模伍気ヘツドを得
る。
上述の１つな博ａ磁気ヘッドでは、第１．第２の非金属
層（力（８）はその熱伝導率が２１０Ｘ１０″Ｊ／ａｍ
−３、’にと基板ｆｌ）及び中間絶縁層（５）ニジもは
るかに大きい次め、該第１．第２の非金Ａ層（７）（８
）の温度は略全域ζ（わ九りて略等しく、その上にスパ
ッタリングにエフ形成される下部！柱層（２）及び上部
磁性層（６）の磁壁のエネルギー密度及び膜厚はさくな
り＃述の（１）式から判る工うに前記下部に注層（２）
及び上部磁性１ｍ！！ （６）の保磁力Ｈａは低下し、
高周波領域においてもヒステリシス損金十分に抑えるこ
とが出来る。ま几、第１．第２の非金属層（７）（８）
には截置流損失は生じない。
層（力（８）はその熱伝導率が２１０Ｘ１０″Ｊ／ａｍ
−３、’にと基板ｆｌ）及び中間絶縁層（５）ニジもは
るかに大きい次め、該第１．第２の非金Ａ層（７）（８
）の温度は略全域ζ（わ九りて略等しく、その上にスパ
ッタリングにエフ形成される下部！柱層（２）及び上部
磁性層（６）の磁壁のエネルギー密度及び膜厚はさくな
り＃述の（１）式から判る工うに前記下部に注層（２）
及び上部磁性１ｍ！！ （６）の保磁力Ｈａは低下し、
高周波領域においてもヒステリシス損金十分に抑えるこ
とが出来る。ま几、第１．第２の非金属層（７）（８）
には截置流損失は生じない。
不実施例の効果を確認するために、
（４１結晶比ガラス基板上に直接センダストエフなる膜
厚５μｍｏ磁性層を形成した場合と、（４結晶化ガラス
恭板上にアルミカエクなる膜厚２μｍの非笠属虐を介し
てセンダストＬりなる膜厚５μｍの仏性ノーを形成した
場合 の夫々の４＆１１４１４の保磁力ＨＣｆｔ側冗し九０そ
して、その結果を下表に示す。
厚５μｍｏ磁性層を形成した場合と、（４結晶化ガラス
恭板上にアルミカエクなる膜厚２μｍの非笠属虐を介し
てセンダストＬりなる膜厚５μｍの仏性ノーを形成した
場合 の夫々の４＆１１４１４の保磁力ＨＣｆｔ側冗し九０そ
して、その結果を下表に示す。
上表から非金属層を介して磁性層全形成した（ｂ）の１
曾、該磁性ノーの保磁力Ｈｃが低下することを確認出来
る。
曾、該磁性ノーの保磁力Ｈｃが低下することを確認出来
る。
よ友、第１％石２０非釡属ノ誦（７ハ８）としてアルミ
ナの代りにケイ素（熱伝導率８４０ Ｘ １０−’ Ｊ
／ａｍ・Ｓ、’Ｋ）、ゲルマニウム（熱伝導率５９０Ｘ
１０ ’Ｊ／ａ−・Ｓ、＠Ｋ）を用いても上述と同様の
効果が得られる。
ナの代りにケイ素（熱伝導率８４０ Ｘ １０−’ Ｊ
／ａｍ・Ｓ、’Ｋ）、ゲルマニウム（熱伝導率５９０Ｘ
１０ ’Ｊ／ａ−・Ｓ、＠Ｋ）を用いても上述と同様の
効果が得られる。
（ト〕発明の効果
本発明に畝れば、磁性層の保磁力Ｈｃが低下して、高周
波領域に２いても十分にヒステリ７ス損金抑えることが
出来る薄膜磁気ヘッドｔｌ−長供し得る。
波領域に２いても十分にヒステリ７ス損金抑えることが
出来る薄膜磁気ヘッドｔｌ−長供し得る。
第１図乃至第６図は本発明に係り、Ｗ、１図は薄膜磁気
ヘッドの要部ＩＦｒ［ｆｉ図、第２図、第３図、第４図
、第５図及び第６図は夫々上記Ｎ膜磁気ヘッドの製造方
法金示す図でゐる。第７図は従来の薄膜磁気ヘッドの要
部断面図である。 （ｌｌ・・・基板、 ＋２７（６）・・・強ｄ１注金属
薄膜、（５）・・・中間絶縁層（基板）、＋７）・・・
第ｌの非金属層、（８）・・・第２の非金属層
ヘッドの要部ＩＦｒ［ｆｉ図、第２図、第３図、第４図
、第５図及び第６図は夫々上記Ｎ膜磁気ヘッドの製造方
法金示す図でゐる。第７図は従来の薄膜磁気ヘッドの要
部断面図である。 （ｌｌ・・・基板、 ＋２７（６）・・・強ｄ１注金属
薄膜、（５）・・・中間絶縁層（基板）、＋７）・・・
第ｌの非金属層、（８）・・・第２の非金属層
Claims (4)
- （１）基板上に該基板よりも熱伝導率が大きい非金属層
を介して強磁性金属薄膜を被着したことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - （２）前記非金属層がアルミナよりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （３）前記非金属層がケイ素よりなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （４）前記非金属層がゲルマニウムよりなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12332687A JPS63288411A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12332687A JPS63288411A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288411A true JPS63288411A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14857786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12332687A Pending JPS63288411A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288411A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0442407A1 (de) * | 1990-02-13 | 1991-08-21 | Forschungszentrum Jülich Gmbh | Magnetfeldsensor mit ferromagnetischer, dünner Schicht |
| US6914750B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-07-05 | Headway Technologies, Inc. | Thermal protrusion reduction in magnet heads by utilizing heat sink layers |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS57172520A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Thin-film type magnetic head |
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1987
- 1987-05-20 JP JP12332687A patent/JPS63288411A/ja active Pending
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