JPS63287209A - トランジスタのベ−ス駆動回路 - Google Patents
トランジスタのベ−ス駆動回路Info
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- JPS63287209A JPS63287209A JP62123221A JP12322187A JPS63287209A JP S63287209 A JPS63287209 A JP S63287209A JP 62123221 A JP62123221 A JP 62123221A JP 12322187 A JP12322187 A JP 12322187A JP S63287209 A JPS63287209 A JP S63287209A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明はトランジスタのベース駆動回路に関し、更に
詳しくはパワートランジスタである主トランジスタをス
イッチングさけるためのベース駆動回路部の保護回路の
改良に関するものである。
詳しくはパワートランジスタである主トランジスタをス
イッチングさけるためのベース駆動回路部の保護回路の
改良に関するものである。
(ロ)従来の技術
一般に、トランジスタのベース駆動回路は第4図に示さ
れたものが提案されている(特開昭58−88927号
公報)。すなわち、第4図において、正および負の電源
1および2を介してNPN型順バイアス用およびPNP
型逆バイアス用の第1および第2の補助トランジスタ3
および4か直列に接続され、第1の補助トランジスタの
ベースは抵抗5を介して入力信号端子すに接続されてい
る。そして、コレクタキャッチャ−ダイオード6は両補
助トランジスタ3.4の共通エミッタと主トランジスタ
であるパワートランジスタ7のコレクタとの間に接続さ
れ、かつ第1の補助トランジスタ3のエミッタ回路に該
トランジスタ3のコレクタ端子に流れる順バイアス電流
を検出する抵抗8が挿入され、さらに第1の補助トラン
ジスタ3のベース・エミッタ区間と上記抵抗8との直列
回路部分にツェナーダイオード201が並列接続されて
電圧と上記抵抗8の電圧とが常に比較される。9は第2
の補助トランジスタ4のエミッタに接続された逆バイア
ス電流制限抵抗である。
れたものが提案されている(特開昭58−88927号
公報)。すなわち、第4図において、正および負の電源
1および2を介してNPN型順バイアス用およびPNP
型逆バイアス用の第1および第2の補助トランジスタ3
および4か直列に接続され、第1の補助トランジスタの
ベースは抵抗5を介して入力信号端子すに接続されてい
る。そして、コレクタキャッチャ−ダイオード6は両補
助トランジスタ3.4の共通エミッタと主トランジスタ
であるパワートランジスタ7のコレクタとの間に接続さ
れ、かつ第1の補助トランジスタ3のエミッタ回路に該
トランジスタ3のコレクタ端子に流れる順バイアス電流
を検出する抵抗8が挿入され、さらに第1の補助トラン
ジスタ3のベース・エミッタ区間と上記抵抗8との直列
回路部分にツェナーダイオード201が並列接続されて
電圧と上記抵抗8の電圧とが常に比較される。9は第2
の補助トランジスタ4のエミッタに接続された逆バイア
ス電流制限抵抗である。
従来、この種のベース駆動回路部の保護回路として第5
図に示す回路構成の乙のがあり、′ニ。
図に示す回路構成の乙のがあり、′ニ。
第5図において、保護回路19は上述したベース駆動回
路部Aおよび主回路であるエミッタ接地トランジスタ回
路8間に介装されているユ すなわち、保護回路19は
3つの直列接続さ7774ダイオード13,14.15
と、このアノードとパワートランジスタ7のベース間に
接続されたヒユーズ10とからなる。
路部Aおよび主回路であるエミッタ接地トランジスタ回
路8間に介装されているユ すなわち、保護回路19は
3つの直列接続さ7774ダイオード13,14.15
と、このアノードとパワートランジスタ7のベース間に
接続されたヒユーズ10とからなる。
次に保護回路の動作について説明する。
主トランジスタ7であるパワートランジスタが、順バイ
アス安全動作領域あるいは逆バイアス安全動作領域外で
動作し、破損する。この時コレクターベース間が短絡し
、ベースに主回路電圧17h(加わる。ベース電位が、
ダイオード13.14゜15の順方向電圧降下VF:
VF=0.6V X3=1.8Vを上回った時、電流は
主回路電源17のプラス側端子−コレクターベースーヒ
ューズIO−ダイオード(13,14,15)−G(グ
ランド)に流れ、ヒユーズlOを溶断する。これにより
、ベース駆動回路部Aを保護する。
アス安全動作領域あるいは逆バイアス安全動作領域外で
動作し、破損する。この時コレクターベース間が短絡し
、ベースに主回路電圧17h(加わる。ベース電位が、
ダイオード13.14゜15の順方向電圧降下VF:
VF=0.6V X3=1.8Vを上回った時、電流は
主回路電源17のプラス側端子−コレクターベースーヒ
ューズIO−ダイオード(13,14,15)−G(グ
ランド)に流れ、ヒユーズlOを溶断する。これにより
、ベース駆動回路部Aを保護する。
この回路構成では、通常ベース電位:vBは、ベース電
流をIa、ヒユーズ10の抵抗をR3,主トランジスタ
7のベース−エミッタ飽和電圧をV e!(sat)と
すると、 v、> (Ia’ R1+Vat(Sat))である。
流をIa、ヒユーズ10の抵抗をR3,主トランジスタ
7のベース−エミッタ飽和電圧をV e!(sat)と
すると、 v、> (Ia’ R1+Vat(Sat))である。
通常、順方向電圧降下:■rがV F > V e
になる様、ダイオードを直列接続する。
(ハ)発明が解決し°ようとする問題点従って、ベース
駆動回路部Aのベース電位:■8が高くなれば、例えば
V at(sat)の高いダーリントントランジスタあ
るいは大容量トランジスタを駆動する場合、保護回路の
ダイオードが増え、コスト高になる欠点がある。
駆動回路部Aのベース電位:■8が高くなれば、例えば
V at(sat)の高いダーリントントランジスタあ
るいは大容量トランジスタを駆動する場合、保護回路の
ダイオードが増え、コスト高になる欠点がある。
又、ダイオードのかわりにツェナーダイオードを使用し
ても、現状では許容電流か最大数Aと限られており、容
量の大きな主回路電源17に使用すればヒユーズIOと
共に破損する欠点がある。
ても、現状では許容電流か最大数Aと限られており、容
量の大きな主回路電源17に使用すればヒユーズIOと
共に破損する欠点がある。
その上、この様な電力用ツェナーダイオードは、ダイオ
ードより高く入手も困難である。
ードより高く入手も困難である。
この発明はベース駆動回路部をこの回路のベース電位が
高くなっても確実に保護できて、かつ安価に構成できる
保護回路を有するトランジスタのベース駆動回路を提供
することを目的の一つとするしのである。
高くなっても確実に保護できて、かつ安価に構成できる
保護回路を有するトランジスタのベース駆動回路を提供
することを目的の一つとするしのである。
(ニ)問題点を解決するための手段
この発明は順バイアス・逆バイアス補助トランジスタを
直列に接続し、両補助トランジスタのコレクタに正・負
電源部をそれぞれ接続し、同じく共通エミッタにヒユー
ズを介して主トランジスタのベースを接続し、両補助ト
ランジスタを共通な信号でベース駆動することによって
上記主トランジスタのスイッチングを行なうよう構成し
たトランジスタのベース駆動回路であって、上記圧・負
電源部が、コンデンサを有する平滑回路を備え、上記両
補助トランジスタの共通エミッタと各コレクタとの間に
1つのダイオードをそれぞれ順方向に接続してなるトラ
ンジスタのベース駆動回路である。
直列に接続し、両補助トランジスタのコレクタに正・負
電源部をそれぞれ接続し、同じく共通エミッタにヒユー
ズを介して主トランジスタのベースを接続し、両補助ト
ランジスタを共通な信号でベース駆動することによって
上記主トランジスタのスイッチングを行なうよう構成し
たトランジスタのベース駆動回路であって、上記圧・負
電源部が、コンデンサを有する平滑回路を備え、上記両
補助トランジスタの共通エミッタと各コレクタとの間に
1つのダイオードをそれぞれ順方向に接続してなるトラ
ンジスタのベース駆動回路である。
すなわち、この発明は1つのダイオードをそれぞれ両補
助トランジスタの共通エミッタと各コレクタとの間に順
方向に接続し、かつ共通エミッタおよび主トランジスタ
のベース間にヒユーズを接続して保護回路を構成すると
ともに、両補助トランジスタのコレクタにそれぞれ接続
した正・負電源部をコンデンサを有する平滑回路にて構
成したものである。
助トランジスタの共通エミッタと各コレクタとの間に順
方向に接続し、かつ共通エミッタおよび主トランジスタ
のベース間にヒユーズを接続して保護回路を構成すると
ともに、両補助トランジスタのコレクタにそれぞれ接続
した正・負電源部をコンデンサを有する平滑回路にて構
成したものである。
(ホ)作用
主トランジスタが破損し、このベース電位か所定電圧を
上回ると、主回路電源から電流が主トランジスタのコレ
クタ、ベースを介してヒユーズに流れ込み、さらに二の
電流は類バイアス補助トランジスタ側のダイオードを介
して正電源部のコンデンサに流れヒユーズを溶断する。
上回ると、主回路電源から電流が主トランジスタのコレ
クタ、ベースを介してヒユーズに流れ込み、さらに二の
電流は類バイアス補助トランジスタ側のダイオードを介
して正電源部のコンデンサに流れヒユーズを溶断する。
一方、主トランジスタが破損し、このベース電位が所定
電位を下回ると負電源部のコンデンサから電流が逆バイ
アス補助トランジスタ側のダイオードを介してヒユーズ
に流れ込み、さらにこの電流は主トランジスタのベース
、コレクタを介して主回路電源に流れヒユーズを溶断す
る。これによりベース駆動回路を従来のように主トラン
ジスタのベース・エミッタ飽和電圧を維持するためのダ
イオードを設ける必要はなく最小限のダイオードを使用
して保護できる。
電位を下回ると負電源部のコンデンサから電流が逆バイ
アス補助トランジスタ側のダイオードを介してヒユーズ
に流れ込み、さらにこの電流は主トランジスタのベース
、コレクタを介して主回路電源に流れヒユーズを溶断す
る。これによりベース駆動回路を従来のように主トラン
ジスタのベース・エミッタ飽和電圧を維持するためのダ
イオードを設ける必要はなく最小限のダイオードを使用
して保護できる。
(へ)実施例
以下図面を用いてこの発明の一実施例を説明するうなお
、これによってこの発明が限定されろことはない。
、これによってこの発明が限定されろことはない。
第1図において、トランジスタのベース駆動回路Aは、
エミッタがそれぞれ第1の抵抗部8、第2の抵抗部9を
介して共通接続され共通ベースが第3の抵抗5を介して
入力端子すに接続された順バイアス用および逆バイアス
補助トランジスタ3および4と、この補助トランジスタ
の各コレクタにそれぞれ接続された第1の電解コンデン
サ23を有する電源電圧が■、の正の電源$1(第2図
参照)および第2の電解コンデンサ(図示什ず)を有す
る電源電圧が−V((の負の電源部2と、アノードが上
記第!および第2の抵抗部8および9間の共通エミッタ
λに接続されたツェナーダイオード201と、アノード
が順バイアス補助トランジスタ3のベースを介してツェ
ナーダイオード201のカソードに接続されたコレクタ
キャッチャ−ダイオード6とからなる。
エミッタがそれぞれ第1の抵抗部8、第2の抵抗部9を
介して共通接続され共通ベースが第3の抵抗5を介して
入力端子すに接続された順バイアス用および逆バイアス
補助トランジスタ3および4と、この補助トランジスタ
の各コレクタにそれぞれ接続された第1の電解コンデン
サ23を有する電源電圧が■、の正の電源$1(第2図
参照)および第2の電解コンデンサ(図示什ず)を有す
る電源電圧が−V((の負の電源部2と、アノードが上
記第!および第2の抵抗部8および9間の共通エミッタ
λに接続されたツェナーダイオード201と、アノード
が順バイアス補助トランジスタ3のベースを介してツェ
ナーダイオード201のカソードに接続されたコレクタ
キャッチャ−ダイオード6とからなる。
また、エミック接地トランジスタ回路B:よ、ベースが
ヒユーズ10を介して上記第1および第2の抵抗8およ
び9間にコレクタが上記コレクタキャッチャ−ダイオー
ド6のカソードにそれぞれ接続され、からエミッタが接
地されたダーリントントランジスタあるいは大容量トラ
ンジスタである主トランジスタ7と、このトランジスタ
のコレクタに接続された抵抗16と、この抵抗に正の端
子が接続された主回路電源17とからなり、そして保護
回路Cは上記ヒユーズIOと、アノードか上記共通エミ
ッタaとヒユーズ10間にカソードが順バイアス補助ト
ランジスタ3のコレクタにそれぞれ接続された第1のダ
イオード18と、カソードが上記共通エミッタ゛ユと上
記ヒユーズ10間にアノードが負の補助トランジスタ4
のコレクタにそれぞれ接続された第2のダイオード19
とからなる。これらは順方向電圧降下が0.6ボルトの
通常のPnダイオードを使用している。
ヒユーズ10を介して上記第1および第2の抵抗8およ
び9間にコレクタが上記コレクタキャッチャ−ダイオー
ド6のカソードにそれぞれ接続され、からエミッタが接
地されたダーリントントランジスタあるいは大容量トラ
ンジスタである主トランジスタ7と、このトランジスタ
のコレクタに接続された抵抗16と、この抵抗に正の端
子が接続された主回路電源17とからなり、そして保護
回路Cは上記ヒユーズIOと、アノードか上記共通エミ
ッタaとヒユーズ10間にカソードが順バイアス補助ト
ランジスタ3のコレクタにそれぞれ接続された第1のダ
イオード18と、カソードが上記共通エミッタ゛ユと上
記ヒユーズ10間にアノードが負の補助トランジスタ4
のコレクタにそれぞれ接続された第2のダイオード19
とからなる。これらは順方向電圧降下が0.6ボルトの
通常のPnダイオードを使用している。
さらに、正の電源部1は、交流電源から交流入力端子d
、eを介して必要な電圧を得るための電源トランス20
と、交流を直流に変換するための整流素子(ダイオード
)を有するブリッジ形の整流回路21と、整流された直
流′wi田・電流をこれに含まれるリプル分を少なくし
て出力端子f、gから出力する平滑回路24とからなり
、この平滑回路は周知のごとくコイル22および電解コ
ンデンサ23から構成されている。また、図示しないが
、負のMl電源部も正の電源部lと同様に構成され、電
解コンデンサを有する。
、eを介して必要な電圧を得るための電源トランス20
と、交流を直流に変換するための整流素子(ダイオード
)を有するブリッジ形の整流回路21と、整流された直
流′wi田・電流をこれに含まれるリプル分を少なくし
て出力端子f、gから出力する平滑回路24とからなり
、この平滑回路は周知のごとくコイル22および電解コ
ンデンサ23から構成されている。また、図示しないが
、負のMl電源部も正の電源部lと同様に構成され、電
解コンデンサを有する。
而して、主トランジスタ7のスイッチングを行うには、
入力端子すに入力された入力信号が正転すると、補助ト
ランジスタ3がオンし、正・負電源部1,2からの一定
電流■8が主トランジスタ7のベースに流れ、トランジ
スタ7はオンする。
入力端子すに入力された入力信号が正転すると、補助ト
ランジスタ3がオンし、正・負電源部1,2からの一定
電流■8が主トランジスタ7のベースに流れ、トランジ
スタ7はオンする。
この際、トランジスタ3のベース電流litのうち余分
な分は、キャッチャ−ダイオード6を介して主トランジ
スタ7のコレクタに流れる。
な分は、キャッチャ−ダイオード6を介して主トランジ
スタ7のコレクタに流れる。
コレクタキャッチャ−ダイオード6がらの電流は主トラ
ンジスタ7のターンオフを速めることになる。
ンジスタ7のターンオフを速めることになる。
次に、入力信号が反転するとトランジスタ3がオフし、
トランジスタ4がオンして、逆バイアス電流が流れ始め
、主トランジスタ7はターンオフタイム(蓄積時間+下
降時間)後、オフする。
トランジスタ4がオンして、逆バイアス電流が流れ始め
、主トランジスタ7はターンオフタイム(蓄積時間+下
降時間)後、オフする。
ところで、トランジスタ3のコレクタ端子に流れる順バ
イアス電流は第1の抵抗8で検出されツェナーダイオー
ド201の電圧と常に比較されている。
イアス電流は第1の抵抗8で検出されツェナーダイオー
ド201の電圧と常に比較されている。
このようにして入力端子すに入力された共通な信号にて
補助トランジスタ3.4をベース駆動し、主トランジス
タ7のスイッチングを行う。
補助トランジスタ3.4をベース駆動し、主トランジス
タ7のスイッチングを行う。
次に保護回路Cの動作について説明する。
まず、主トランジスタ7が破損し、ベース電位がV c
c+ 0.6 (ボルト)を上回った場合(なお、0.
6ボルトはダイオード18の順方向電圧降下である)、
ヒユーズ10を溶断するまでバイパス電流■1により、
電解コンデンサ23をチャージするから、電解コンデン
サ23の耐圧か問題となる。
c+ 0.6 (ボルト)を上回った場合(なお、0.
6ボルトはダイオード18の順方向電圧降下である)、
ヒユーズ10を溶断するまでバイパス電流■1により、
電解コンデンサ23をチャージするから、電解コンデン
サ23の耐圧か問題となる。
第3図にヒユーズlOのt−Btの関係を示す。tは時
間、IFはヒユーズに流れる電流である。
間、IFはヒユーズに流れる電流である。
通常ヒユーズ10の11を曲線が、ベース電流のIit
直線を上回る様、ヒユーズIOの容量を決定する。ここ
で、主トランジスタ7が破損しバイパス電流11が流れ
ると、Iit直線上の点から1?を直線上のA点に移行
する。このl;を曲線とBt直線の交点BとA点までの
時間が、ヒユーズ10の溶断時間である。ここで、ヒユ
ーズlOの溶断時間をΔT1ヒユーズが溶断するまでの
電解コンデンサ23の電圧上昇をΔVとすると、=−二
一一・■1ΔT(C:電解コンデンサの容量)従ってヒ
ユーズは、2:1曲線がベース電流のfit直線に近い
ものを選択し、ΔTを小さくすればΔVを小さくできろ
。
直線を上回る様、ヒユーズIOの容量を決定する。ここ
で、主トランジスタ7が破損しバイパス電流11が流れ
ると、Iit直線上の点から1?を直線上のA点に移行
する。このl;を曲線とBt直線の交点BとA点までの
時間が、ヒユーズ10の溶断時間である。ここで、ヒユ
ーズlOの溶断時間をΔT1ヒユーズが溶断するまでの
電解コンデンサ23の電圧上昇をΔVとすると、=−二
一一・■1ΔT(C:電解コンデンサの容量)従ってヒ
ユーズは、2:1曲線がベース電流のfit直線に近い
ものを選択し、ΔTを小さくすればΔVを小さくできろ
。
また、電解コンデンサ23の容量は、第2図に示す実用
的な回路の場合、商用60Hzあるいは50Hzのリッ
プル電圧を吸収するため大きなものか必要となるからΔ
Vを小さくできろ。
的な回路の場合、商用60Hzあるいは50Hzのリッ
プル電圧を吸収するため大きなものか必要となるからΔ
Vを小さくできろ。
以上より、主トランジスタ7の破損時、溶断時間の小さ
なヒユーズを選択すれば、電解コンデンサ23の耐圧も
従来と同程度のむので良い。
なヒユーズを選択すれば、電解コンデンサ23の耐圧も
従来と同程度のむので良い。
次に、主トランジスタ7の破損時ベース電位が負、すな
わち、−V。−0,6(ボルト)を下回った場合(なお
、0.6ボルトはダイオード19の順方向電圧降下であ
る)、順バイアス補助トランジスタ3はツェナーダイオ
ード201で規定される電流しか流さないため、ヒユー
ズ10を溶断することができない。ベース電位が(Vc
c−0,6)ボルトを下回った時のみ、負の電源部2の
電解コンデンサ(図示せず)→ダイオード19→ヒユー
ズ10→ベース→コレクタ→主回路電源17に電流が流
れ、ヒユーズIOを溶断する。
わち、−V。−0,6(ボルト)を下回った場合(なお
、0.6ボルトはダイオード19の順方向電圧降下であ
る)、順バイアス補助トランジスタ3はツェナーダイオ
ード201で規定される電流しか流さないため、ヒユー
ズ10を溶断することができない。ベース電位が(Vc
c−0,6)ボルトを下回った時のみ、負の電源部2の
電解コンデンサ(図示せず)→ダイオード19→ヒユー
ズ10→ベース→コレクタ→主回路電源17に電流が流
れ、ヒユーズIOを溶断する。
このように本実施例では、保護回路に、従来におけるよ
うな主トランジスタ7のベース・エミッタ飽和電圧を維
持するための余分なダイオードを設ける必要はなく新た
に補助トランジスタ3および4の共通エミッタaと電解
コンデンサをそれぞれ有する正・負電源部lおよび2と
の間に1つのダイオード18および19をそれぞれ接続
したので、ベース電位V8の異常時、各ダイオード18
゜19を介してバイパス電流l、か流れてヒユーズlO
を溶断てき、これによりベース駆動回路を経済的に保護
できる。
うな主トランジスタ7のベース・エミッタ飽和電圧を維
持するための余分なダイオードを設ける必要はなく新た
に補助トランジスタ3および4の共通エミッタaと電解
コンデンサをそれぞれ有する正・負電源部lおよび2と
の間に1つのダイオード18および19をそれぞれ接続
したので、ベース電位V8の異常時、各ダイオード18
゜19を介してバイパス電流l、か流れてヒユーズlO
を溶断てき、これによりベース駆動回路を経済的に保護
できる。
なお、本実施例では保護回路のダイオードとして通常の
Pnダイオードを使用したちのを示したが、順方向電圧
降下が小さく、かつ応答時間の速いショットキーバリヤ
ダイオードを使用すれば、より確実な保護ができる。
Pnダイオードを使用したちのを示したが、順方向電圧
降下が小さく、かつ応答時間の速いショットキーバリヤ
ダイオードを使用すれば、より確実な保護ができる。
(ト)発明の効果
以上のようにこの発明によれば、正・負電源用コンデン
サと、共通な信号でベース駆動される順バイアス・逆バ
イアス補助トランジスタを直列に接続し、補助トランジ
スタの共通エミッタをヒユーズを介して主トランジスタ
のベースに接続するトランジスタのベース駆動回路にお
いて、補助トランジスタの共通エミッタと正・負電源間
に接続されたそれぞれ1つのダイオードと上記ヒユーズ
とから保護回路を構成したので、ベース電位の異常時に
上記各ダイオードを介してバイパス電流によりヒユーズ
を溶断てきるとともに、従来の保護回路のように主トラ
ンジスタのベース・エミッタ飽和電圧を維持するための
余分なダイオードを設ける必要はなく、部品点数を少な
くできることから、コスト安に構成できる効果がある。
サと、共通な信号でベース駆動される順バイアス・逆バ
イアス補助トランジスタを直列に接続し、補助トランジ
スタの共通エミッタをヒユーズを介して主トランジスタ
のベースに接続するトランジスタのベース駆動回路にお
いて、補助トランジスタの共通エミッタと正・負電源間
に接続されたそれぞれ1つのダイオードと上記ヒユーズ
とから保護回路を構成したので、ベース電位の異常時に
上記各ダイオードを介してバイパス電流によりヒユーズ
を溶断てきるとともに、従来の保護回路のように主トラ
ンジスタのベース・エミッタ飽和電圧を維持するための
余分なダイオードを設ける必要はなく、部品点数を少な
くできることから、コスト安に構成できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す回路構成図、第2図
は正の電源部を示す回路構成図、第3図はヒユーズ、ベ
ース電流及びバイパス電流における1”t−tの関係を
説明した特性図、第4図は従来の保護回路を有しないベ
ース駆動回路部を示す回路構成図、第5図は従来のトラ
ンジスタのベース駆動回路を示す回路構成図である。 1・・・・・・正の電源部、 2・・・・・・負
の、電源部、3・・・・・・順バイアス補助トランジス
タ、4・・・・・・逆バイアス補助トランジスタ、7・
・・・・・主トランジスタ、 lO・・・・・・ヒユ
ーズ、18.19・・・・・・ダイオード、 20・・・・・・電源トランス、 21・・・・・・
整流素子、23・・・・・・電解コンデンサ、24・・
・・・・平滑回路、A・・・・・・ベース駆動回路部、 B・・・・・・エミッタ接地トランジスタ回路、C・・
・・・・保護回路。 第4図 ■ 一−−−−−−−−−」
は正の電源部を示す回路構成図、第3図はヒユーズ、ベ
ース電流及びバイパス電流における1”t−tの関係を
説明した特性図、第4図は従来の保護回路を有しないベ
ース駆動回路部を示す回路構成図、第5図は従来のトラ
ンジスタのベース駆動回路を示す回路構成図である。 1・・・・・・正の電源部、 2・・・・・・負
の、電源部、3・・・・・・順バイアス補助トランジス
タ、4・・・・・・逆バイアス補助トランジスタ、7・
・・・・・主トランジスタ、 lO・・・・・・ヒユ
ーズ、18.19・・・・・・ダイオード、 20・・・・・・電源トランス、 21・・・・・・
整流素子、23・・・・・・電解コンデンサ、24・・
・・・・平滑回路、A・・・・・・ベース駆動回路部、 B・・・・・・エミッタ接地トランジスタ回路、C・・
・・・・保護回路。 第4図 ■ 一−−−−−−−−−」
Claims (1)
- 1、順バイアス・逆バイアス補助トランジスタを直列に
接続し、両補助トランジスタのコレクタに正・負電源部
をそれぞれ接続し、同じく共通エミッタにヒューズを介
して主トランジスタのベースを接続し、両補助トランジ
スタを共通な信号でベース駆動することによって上記主
トランジスタのスイッチングを行なうよう構成したトラ
ンジスタのベース駆動回路であって、上記正・負電源部
が、コンデンサを有する平滑回路を備え、上記両補助ト
ランジスタの、共通エミッタと各コレクタとの間に1つ
のダイオードをそれぞれ順方向に接続してなるトランジ
スタのベース駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62123221A JPS63287209A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | トランジスタのベ−ス駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62123221A JPS63287209A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | トランジスタのベ−ス駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63287209A true JPS63287209A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14855199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62123221A Pending JPS63287209A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | トランジスタのベ−ス駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63287209A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0345167A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-26 | Toshiba Corp | トランジスタインバータ |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62123221A patent/JPS63287209A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0345167A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-26 | Toshiba Corp | トランジスタインバータ |
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