JPS63285946A - ウェ−ハ搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ウェーハ搬送装置に関し、特に円盤状の半導
体ウェーハの中心をスピンコータの回転軸に対して整合
せしめるよう半導体ウェーハをスピンコータの回転シャ
フト上に載置せしめるウェーハ搬送装置に関するもので
ある。

［従来の技術］ 従来この種のウェーハ搬送装置としては、ウェーハ収容
部材からベルトコンベアによって移送されてきた半導体
ウェーハをそのベルトコンベア上の所定位置で吸着手段
によって吸着することにより、ベルトコンベアから持ち
上げスピンコータの回転シャフト上に移送する構造のも
のか提案されていた。

［解決すべき問題点］ しかしながら従来のウェーハ搬送装置では、ベルトコン
ベア上で吸着手段によって直接に半導体ウェーハを吸着
しスピンコータの回転シャフトに向けて移送していたの
で、ベルトコンベアによる搬送あるいは吸着手段による
吸着に際して半導体ウェーハか位置ズレを生じる欠点か
あり、ひいてはスピンコータの回転軸に半導体ウェーハ
の中心を整合せしめることができない欠点があって、ス
ピンコータによる拡散源溶解液あるいは７オトレジスト
などの塗布に際して塗布ムラを生じる欠点があり、更に
はスピンコータによる回転に際して半導体ウェーハが飛
散され破損される欠点もあった。

そこで本発明は、これらの問題点を解決するために、ウ
ェーハ収容部材からベルトコンベアによって移送されて
きた半導体ウェーハをウェーハ保持部材の凹部で直接に
受け取り保持レバーで押圧保持した状態でウェーハ保持
部材とともにスピンコータの回転シャフト上まで搬送す
ることにより、半導体ウェーハの中心を回転シャフトの
回転軸に整合せしめてなるウェーハ搬送装置を提供せん
とするものである。

［問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は。

「ウェーハ収容部材からベルトコンベアによって移送さ
れてきた半導体ウェーハをスピンコータの回転シャフト
上に蔵置せしめるよう搬送するウェーハ搬送装置におい
て、 （ａ）前記半導体ウェーハの周面に対して当接される凹
部と、前記凹部に 対し前記半導体ウェーハを押圧し て保持する保持レバーとを包有し てなるウェーハ保持部材と、 （ｂ）前記ウェーハ保持部材を、前記スピンコータに向
けて移動せしめ、 かつ前記凹部に保持された半導体 ウェーハの中心と前記回転シャツ トの回転軸とが整合する位置に停 止せしめる移動手段と を備えてなることを特徴とするウェーハ搬送装置」 である。

また本発明により提供される間■点の他の解決手段は、 「ウェーハ収容部材からベルトコンベアによって移送さ
れてきた半導体ウェーハをスピンコータの回転シャフト
上に載置せしめるよう搬送するウェーハ搬送装置におい
て、 （ａ）前記半導体ウェーハの周面に対して当接される凹
部と、前記凹部に 対し前記半導体ウェーハを押圧し て保持する保持レバーと、前記回 転シャフト上に４！鐙された半導体 ウェーハを受け取って保持する他 の凹部とを包有してなるウェーハ 保持部材と。

（ｂ）前記ウェーハ保持部材を、前記スピンコータに向
けて移動せしめ、 かつ前記回転シャフト上に載置さ れた半導体ウェーハを前記他の凹 部で受け取って保持したのち前記 凹部に保持された半導体ウェーハ の中心と前記回転シャフトの回転 軸とか整合する位置に停止せしめ る移動手段と を備えてなることを特徴とするウェーハ搬送装こ」 である。

［作用］ 本発明にかかるウェーハ搬送装置は、ウェーハ収容部材
からベルトコンベアによって移送されてきた半導体ウェ
ーハを受け取ってウェーハ保持部材の凹部に保持レバー
て保持し、かつ移動手段によってウェーハ保持部材を移
動しウェーハ保持部材の凹部に保持された半導体ウェー
ハの中心がスピンコータの回転シャフトの回転軸に整合
する位置に停止せしめる作用をなしており、スピンコー
タの回転シャフトの回転軸に対し中心を整合せしめて半
導体ウェーハを位置する作用をなし、結果的にスピンコ
ータによる拡散源溶解液あるいはフォトレジストなどの
塗布ムラを除去する作用、ならびにスピンコータの回転
に際する半導体ウェーハの飛散事故を防止する作用をな
す。

また本発明にかかる他のウェーハ搬送装置は、ウェーハ
収容部材からベルトコンベアによって移送されてきた半
導体ウェーハを受け取ってウェーハ保持部材の凹部に保
持レバーで保持し、かつ移動手段によってウェーハ保持
部材を移動しウェーハ保持部材の凹部に保持された半導
体ウェーハの中心がスピンコータの回転シャフトの回転
軸に整合する位置に停止せしめ、かつ回転シャフト上の
半導体ウェーハをウェーハ保持部材の他の凹部で受け取
って保持し移送する作用をなしており、上述の作用に加
え回転シャフト上から半導体ウェーハを損傷することな
く効率よく移送する作用をなす。

［実施例］ 次に本発明について添付図面を参照しつつ具体的に説明
する。

第１図は１本発明のウェーハ搬送装置の一実施例を示す
主としてＩ−Ｉ線にそった縦断面図であって、スピンコ
ータおよび後続の熱処理装置も併せて示されている。

第２図は、第１図の実施例を示す主としてｎ−ｎ線にそ
った横断面図であって、第１図と同様にスピンコータお
よび後続の熱処理装置も併せて示されている。

第３図は、第１図および第２図に一部か示された後続の
熱処理装置を示す■−ｍ線にそった縦断面図である。

第４図は、第３図の熱処理装置を示す主としてＩＴ−Ｉ
Ｔ線にそった横断面図である。

第５図は、第３図および第４図の熱処理装置を示す平面
図である。

まず本発明のウェーハ搬送装置の構成について詳細に説
明する。

すは本発明のウェーハ搬送装置で、両端部がそれぞれ支
持体１１Ａ、ＩＩＢに支持されかつ水平方向に向けて互
いに並行に延長された案内シャフト載置Ａ。

載置Ｂと、前記案内シャフト載置Ａに対し一端部がそれ
ぞれ案内可能に装着されかつ垂直方向に向けて互いに並
行に延長された案内シャフトｌ：ｌＡ、１３Ｂと、前記
案内シャフト載置Ｂに対し一端部がそれぞれ案内可能に
装着されかつ垂直方向に向けて互いに並行に延長された
案内シャフト１４Ａ、１４Ｂとを包有している。案内シ
ャフト１３＾、１３Ｂおよび１４Ａ。

１４Ｂの他端部には、支持基台１５が案内可能に装着さ
れている、案内シャフト１３Ａ、１３Ｂおよび１４Ａ。

１４Ｂの中間部には、それぞれ他の支持基台１６＾。

１６Ｂが固着されている。

支持基台１５の下面には、懸垂シャフト１７Ａ、１７Ｂ
およびｔ８Ａ、ＬｆｌＢを介して半導体ウェーハ３１の
品質を損なわない適宜の材料たとえばテフロンで形成さ
れたウェーハ保持部材たとえばウェーハ保持基板１９．
２０がそれぞれ配設されている。ウェーハ保持基板１９
．２０は、それぞれ案内シャフト＋２Ａ、載置Ｂの延長
方向に延長されており、互いに所定の間隔（すなわち後
述のスピンコータ並の回転シャフト４１の直径よりも大
きな間隔）を隔てて配設されている。

ウェーハ保持基板１９．２０の一端部には、円盤状の半
導体ウェーハ３１を保持するためのウェーハ保持部２１
が形成されている。すなわちウェーハ保持基板１９．２
０の一端部には、それぞれ円盤状の半導体ウェーハ３１
の周面の一部たとえば１７８に対して同時に接触される
凹部１９＾、２０＾が互いに対向してそれぞれ形成され
、かつ凹部１９＾、２０＾に接触された半導体ウェーハ
３１の周面の残部を押圧することによって半導体ウェー
ハ３１を凹部１９Ａ、２０Ａに対して保持するためのそ
の品質を損なわない適宜の材料たとえばテフロンで形成
された保持レバー１９８゜２［ＩＢが配設されている。

保持レバー１９Ｂ、２０Ｂは、適宜の駆動手段たとえば
支持基台１６＾、１６Ｒ１に配設されかつ外部の加圧空
気源（図示せず）に連通されたエアシリンダ（図示せず
）などによって駆動される。ウェーハ保持基板−１９，
２０の他端部には、円盤状の半導体ウェーハ３１を保持
するための他のウェーハ保持部２２が形成されている。

すなわちウェーハ保持基板１９．２０の他端部には、そ
れぞれ円盤状の半導体ウェーハ３１の周面の一部たとえ
ば１／８に対して同時に接触される凹部１９ｃ、２０ｆ
ｌ：が互いに対向してそれぞれ形成され、かつ凹部１９
Ｃ９２０Ｃに接触された半導体ウェーハ３１の下面を保
持する凸部１９Ｄ、２００か互いに対向してそれぞれ形
成されている。ウェーハ保持基板１９．２０の凹部１９
＾。

２０Ａおよび１９Ｃ，２０Ｃの上縁部に対しテーパな形
成すれば、スピンコータ並の回転シャフト４１に対する
半導体ウェーハ３１の移送を円滑とでき好ましい。

支持基台１６Ａ、１５Ｂ上には、支持基台１５を案内シ
ャフト１：ｌＡ、１３Ｂ、１４Ａ、１４Ｂにそって昇降
せしめるための適宜の駆動手段たとえばエアシリンダ２
３Ａ。

２３Ｂがそれぞれ配設されている。駆動手段２３Ａ。

２３Ｂは、それぞれ駆動杆体２４Ａ、２４Ｂを介して支
持基台１５に連結されている。案内シャフト１４Ａの一
端部は、適宜の駆動手段たとえばエアシリンダ２５の出
力軸２６に対して連結されており、案内シャフト１４Ａ
ひいては案内シャフト１３Ａ、１３８．１４Ａ、１４Ｂ
に対して配設された支持基台１ｓ、１６Ａ、１５Ｂおよ
びウェーハ保持基板１９．２０などを案内シャフト載置
Ａ。

ＩＺＢにそって移動可能としている。案内シャフト載置
＾、載置Ｂおよび駆動手段２５などは、ウェーハ保持部
材たとえばウェーハ保持基板１９．２０の移動手段とし
て機能している。

凹は本発明のウェーハ搬送装置すに対して半導体ウェー
ハ３１を供給するためのウェーハ供給装置で、複数の半
導体ウェーハ３１を互いに所定間隔をおいて水平方向に
収容したウェーハ収容部材３２と、ウェーハ収容部材３
２を保持しかつ半導体クエーハ３１の収容間隔に相当す
る距離ずつ間歇的に降下せしめるエレベータ装置３３と
、ウェーハ収容部材３２から半導体ウェーハ３１を１枚
ずつ取り出しウェーハ搬送装置艮のウェーハ保持部２１
に向けて移送するための半導体ウェーハコ１の品質を損
なわない適宜の材料たとえばテフロンで形成されたベル
トコンベア３４とを包有している。ベルトコンベア３４
は、エレベータ装置３３の近傍に設置された支柱：１５
．３５間に対して配設されたシャフト３６と、案内シャ
フト載置Ａ、載置Ｂの−・端部近傍に設置された支柱３
７．３７間に対して配設されかつ適宜の駆動手段たとえ
ば電動モータ（図示せず）に連結されたシャフト３８と
の間に張設されている。

赳は案内シャフト載置Ａ、載置Ｂの間に配設されたスピ
ンコータで、支持部材４１Ａに対しベアリング４１Ｂを
介して装着されかつ適宜の駆動手段たとえば電動モータ
（図示せず）により歯車４１Ｃを駆動せしめることによ
って回転される回転シャフト４１と、支持部材４２Ａを
適宜の駆動手段たとえば電動モータ（図示せず）によっ
て駆動することにより−Ｅ下動されかつ回転シャフト４
１の周囲に配設されたシャフト部４２Ｂの頂部に対し形
成され半導体ウェーハ３１から飛散される拡散源溶解液
あるいはフォトレジストなどを捕集するためのカバー４
２０をもつカバ一部材４２とを包有している。回転シャ
フト４１には、上端面４１ａに開口されかつ下端面ａｔ
ｂて管体４３の一端部に連通された貫通孔４４かその延
長方向に向けて穿設されている。管体４３の他端部は、
外部の吸引源たとえば真空ポンプ（図示せず）に連通さ
れている。カバ一部材４２には、底面すなわちシャフト
部４２Ｂの上端面４２ａに開口されかつシャフト部４２
Ｂの下端面４２ｂで管体４５の一端部に連通された排出
孔４６か穿設されている。管体４５の他端部は、適宜の
回収容器（図示せず）に連通されており、カバ一部材４
２のカバ一部４２Ｇによって捕集された拡散源溶解液あ
るいはフォトレジストなどを回収する。

４７は案内シャフト載置Ｂの外側に配設された拡散源溶
解液あるいはフォトレジストなどの滴下装置て、支柱４
８の頂部に対し基端部が枢支されかつ自由端部か回転シ
ャフト４１の上方まで回動可部する回動アーム４９と、
回動アーム４９の自由端部に対し下方に向けて配設され
た滴下ノズル５０とを包有している。滴下ノズル５０は
、回動アーム４９および支柱４８内に配設された適宜の
管体（図示せず）を介して拡散源溶解液あるいはフォト
レジストなどの供給源（図示せず）に連通されている。

拡散源溶解液は、拡散源として機能するリンやホウ素な
どの化合物をアルコールなどの溶媒で溶解した液体であ
って、半導体ウェーハ３１上に熱処理後に数１００〜数
１，０００人の塗布膜を形成しつるように滴下ノズル５
０によって滴下される。

観はスピンコータ赳に後続しており拡散源溶解液あるい
はフォトレジストなどを加熱し乾燥せしめて半導体ウェ
ーハ３１に対し密着せしめるための熱処理装置で、案内
シャフト載置Ａ、載置Ｂの他端部近傍に対して加熱空間
６２の入口部が開口された加熱炉たとえば電気炉６１を
包有している。加熱炉６１の底面には、少なくとも３つ
たとえば４つ（以下この場合について説明する）を−組
とする貫通孔６２Ａか加熱空間６２の入口部から出口部
に向けて所定間隔て複数組穿設されている。

６３は加熱炉６１の下方に配設された半導体ウェーハ３
１の持」二装置て、適宜の駆動手段たとえば電動モータ
（図示せず）により加熱炉６１の底面すなわち加熱面に
向けて上下動される基板６３Ａと、基板６３＾の上面に
貫通孔［載置Ａの数に対応し４つを一組として所定の間
隔すなわち貫通孔６２Ａと同一の間隔て配設された複数
の支柱６３Ｂと、支柱６３Ｂの頂部に対して破損時など
に所望により着脱可能に植設されかつ基板６３Ａの上動
に伴って貫通孔６２Ａに挿入され加熱炉６Ｉの底面に載
置された半導体ウェーハ３１を持ち」二げるための複数
の支持ピン６３Ｃとを包有している。支持ピン６３Ｃは
、熱処理中の半導体ウェーハ３１を損傷せずかつ熱処理
後の半導体ウェーハ３１の品質を損なわない適宜の材料
たとえば酸化病ＩＦのためにテフロンの塗布された金属
あるいは石英ガラスなどで作成されていることか好まし
い。支持ピン６３Ｇは、加熱空間６２の入口部外方にも
一組だけ配設されており、ウェーハ保持部材たとえばウ
ェーハ保持基板１９．２０の間の間隔よりも横幅の狭小
な受取台６４の貫通孔６４Ａに挿通される。これにより
、スピンコータ赳によって拡散源溶解液あるいはフォト
レジストなどの滴下塗布されたのちウェーハ搬送装ｆｉ
ｌＯのウェーハ保持部２２によって保持されかつ移送さ
れてきて下記の要望で受取台６４に載置された半導体ウ
ェーハ３１を持ち上げる。

６５は加熱炉６１の加熱空間６２内で半導体ウェーハ３
１を間歇的に移動するための間歇移送装こで、加熱空間
６２にそいその入口部から出口部に向けて延長されてお
り互いに接近離間される第１．第２の移送半休６６．６
７を包有している。移送半体６６は、加熱炉６１の上部
において加熱空間６２に並行にその入口部から出口部に
向けて延長された基部６６Ａと、基部６６＾の両端部に
対しそれぞれ連結部６６Ｂを介して両端部か連結されて
おり加熱空間６２内で入口部から出口部に向けて延長さ
れた支持本体６６Ｃと、支持本体６５Ｇに対して所定間
隔すなわち貫通孔６２Ａの穿設間隔と同一の間隔でたと
えば２木を一組として植設されており支持ピン６３Ｇに
よって持ち上げられた半導体ウェーハ３１を保持するた
めの支持手段たとえば支持爪［ｉ６Ｄとを包有している
。移送半体６７は、加熱炉６１の上部において加熱空間
６２に並行にその入口部から出口部に向けて延長された
基部６７Ａと、基部６７Ａの両端部に対しそれぞれ連結
部６７Ｂを介して両端部が連結されており加熱空間６２
内て入口部から出口部に向けて延長された支持本体６７
Ｇと、支持本体６７Ｃに対して所定間隔すなわち貫通孔
６２Ａの穿設間隔と同一の間隔でたとえば２木を一組と
して植設されており支持ピン６３Ｇによって持ち上げら
れた半導体ウェーハ３１を保持するための支持手段たと
えば支持爪６７Ｄとを包有している。

支持手段たとえば支持爪５６０，６７Ｄは、支持ピン６
３Ｃと同様に熱処理中の半導体ウェー八３１を損傷せず
かつ熱処理後の半導体ウェーハ３１の品質を損なわない
適宜の材料たとえば酸化防止のためにテフロンの塗布さ
れた金属あるいは石英ガラスなどで作成されていること
が好ましい。また支持手段たとえば支持爪６６Ｄ、６７
０は、それぞれ半導体ウェーハ３１の下面に接触される
部分たとえば水平部分を少なくとも１つ包有しているこ
とか好ましく、特に半導体ウェーハ３１の下面および上
面に対してそれぞれ接触される部分たとえば水平部分を
少なくとも１つずつ包有している（その部分間の間隔は
、半導体ウェーハ３１よりも若干大きいことが好ましい
）ことか好ましい、加えて支持手段たとえば支持爪６６
Ｄ、６７Ｄは、半導体ウェーハ３１の周面に対して接触
されない構造とされていることが好ましい、更に支持手
段たとえば支持爪６６Ｄ、６７Ｄは、たとえば破損時な
どに支持本体６５（：、６７Ｃから取り外し新たな支持
手段たとえば支持爪６６Ｄ、６７Ｄ交換できるように形
成されておれば、特に好ましい。

６８は間歇移送装Ｗ１６５の駆動手段で、支持体６８＾
で両端部がそれぞれ支持されかつ加熱炉６１の上方にお
いて加熱空間６２に並行にその入口部から出口部に向け
て延長された案内シャフト６８Ｂと、前記案内シャフト
６８Ｂに装着されかつ案内シャフト６８Ｂにそって移動
するエアシリンダなどの動力源６８Ｃと、前記動力源６
８Ｃを介して移送半体６６、　Ｉｉ７の基部６６Ａ、５
７Ａを互いに連結しかつ所望に応じて基部６５Ａ、６７
Ａを互いに接近離間せしめる連結体６８Ｄとを包有して
いる。６９は加熱空間６２の出口部外方に配設された放
冷台で、加熱炉６１の底面と同一の高さを有しており、
加熱炉６１の底面と同様に４つを一組とする貫通孔６９
Ａか穿設されている。

これに応じて貫通孔６９＾に挿通され半導体ウェーハ３
１を持ち上げる支持ピン６３Ｃが、基板６３Ａ上の支柱
５３Ｂに対して植設されている。また間砿移送装２２６
５に包有される移送半休６６．６７の支持本体６６Ｇ、
６７Ｃ：には、たとえば２木を一組として支持手段たと
えば支持爪５６Ｄ、６７Ｄがそれぞれ植設されており、
支持ピン６３Ｃによりて放冷台６９から持ち上げられた
半導体ウェーハ３１を保持する。

期は熱処理′？を置並から熱処理済の半導体ウェーハ３
１を受け取り排出するためのウェーハ排出装置で、放冷
台６９から間歇移送装２ｔ６５によって移送されてきた
半導体ウェーハ３１を一端部で受け取り移送するための
半導体ウェーハ３１の品質を損なわない適宜の材料たと
えばテフロンで形成されたベルトコンベア７１を包有し
ている。ベルトコンベア７１は、放冷台６９の近傍に設
置された支柱７２．７２間に対して配設されたシャフト
７３と、他の支柱７４．７４間に対して配設されかつ適
宜の駆動手段たとえば電動モータ（図示せず）に連結さ
れたシャフト７５との間に張設されている。７６はベル
トコンベア７１の他端部の近傍に配設されたウェーハ収
容部材で、ベルトコンベア７１によって移送されてきた
半導体ウェーハ３１かその他端部から順次収容される。

７７はエレベータ装置で、ウェーハ収容部材７６を保持
しており、半導体ウェーハ３１が収容されるごとに間歇
的に上昇せしめる。

更に本発明のウェーハ搬送装置の作用について詳細に説
明する。

ウェーハ供給装置３０のエレベータ装置３コを最上位置
まで上昇せしめたのち、エレベータ装と３３に対してウ
ェーハ収容部材３２を設置する。エレベータ装置３３に
よってウェーハ収容部材３２を矢印へ方向に向けて若干
降下せしめると、最下位の半導体ウェーハ３１かベルト
コンベア３４の一端部表面に接触され、ベルトコンベア
３４の移動に伴って矢印Ｂ方向に取り出される。ウェー
ハ収容部材３２から取り出された半導体ウェーハ３１は
、ベルトコンベア３４によってウェーハ搬送装置赳のウ
ェーハ保持部２１まて移送すなわち搬送される。ウェー
ハ保持部２１では、ベルトコンベア３４によって半導体
ウェーハ３１がその周面を凹部１９Ａ、２０Ａに対して
当接されたのち、保持レバー１９８，２０８が矢印Ｃｒ
　、　Ｃ２方向に回転せしめられる。これによって半導
体ウェーハ３１の周面か保持レバー１９Ｂ、２０Ｂによ
り凹部１９＾。

２０＾に対し押圧され、半導体ウェーハ３１がウェーハ
保持部２１に確実に保持され、結果的に後続の搬送に際
して位置ズレを生じない。

案内シャフト１４Ａの一端部に連結された駆動手段２５
によって、クエーへ搬送装置２１０すなわち案内シャフ
ト１転ひいては案内シャフト１３Ａ、１３Ｂ、１４Ａ。

１４Ｂおよびこれらに装着された支持基台１５．１６Ａ
。

１６８などを案内シャフト載置Ａ、載置Ｂにそい矢印Ｄ
１方向に移動せしめる。ウェーハ保持部２１がスピンコ
ータ赳に達し半導体ウェーハ３１が回転シャフト４１の
直上に位ｎしたとき、ウェーハ搬送装置赳の移動が停止
される。このとき半導体ウェーハ３１の中心が、回転シ
ャフト４１の回転軸に対して整合せしめられている。支
持基台１６Ａ、１［ｉＢ上の駆動手段２３Ａ、２３Ｂが
動作せしめられ、駆動杆体２４Ａ、２４Ｂを介して支持
基台１５か案内シャフト１３Ａ、１３Ｂ、１４Ａ。

１４ｆｌにそい降下される。これに応じてウェーハ保持
部材すなわちウェーハ保持基板１９．２０も降下され、
ウェーハ保持部２１に保持された半導体ウェーハ３１の
下面が回転シャフト４１の上端面４１ａの近傍に到達す
る。保持レバー１９Ｂ、２０Ｂが開放され、半導体ウェ
ーハ３１が回転シャフト４Ｉの上端面４１ａに載置され
たのち、管体４３および貫通孔４４を介して外部の吸引
源で吸引を開始すると、半導体ウェーハ３１が回転シャ
フト４１の上端面４１ａに対して吸着される。そののち
支持基台Ｉ５およびウェーハ保持基板１９．２０が更に
降下され、ウェーハ保持基板１９．２０の上面か回転シ
ャフト４１の上端面４１ａに吸着された半導体ウェーハ
３１の下面よりも下方位置とされる。

ウェーハ搬送装置１０のウェーハ保持部２２に半導体ウ
ェーハ３１か保持されていないので、受取台６４上に半
導体ウェーハ３Ｉが載δされることはなく、この状態で
は未だ間歇移送装置６５によって加熱炉５１の内部すな
わち加熱空間６２に半導体ウェーハ３１か移送されるこ
とがない、したがって説明を簡潔とするために、ここに
おける持上装置６３および間歇移送装置６４などからな
る熱処理装置並以下の動作の説明を省略する。

ウェーハ搬送装置１［１が、案内シャフト載置Ａ、載置
Ｂにそって矢印Ｄ２方向に移動され、スピンコータ凹の
近傍を通過して当初の位とに復帰される。そののち支持
基台１６Ａ、１６Ｂ上の駆動手段２３Ａ、２３Ｂが動作
せしめられ、駆動杆体２４Ａ、２４Ｂを介して支持基台
１５か案内シャフト１３Ａ、１’ｌＢ、１４Ａ、１４Ｂ
にそい上昇せしめられる。これによってウェーハ保持基
板１９．２０も上昇され、ウェーハ供給装ｆｉ１３０か
ら次の半導体ウェーハ３１を受け取ることが可能とされ
る。

次いで滴下装置４７の回動アーム４９が１回動シャフト
４１の直上まで矢印Ｅ方向に向けて回動され、その自由
端部の滴下ノズル５０から所定量の拡散源溶解液あるい
はフォトレジストなどが回動シャフト４１に吸着された
半導体ウェーハ３１の上面のほぼ中心に滴下される０滴
下ノズル５０から拡散源溶解液あるいはフォトレジスト
などが滴下されると。

回動アーム４９が再度回動され当初の位置へ復帰される
。そののちカバ一部材４２が矢印Ｆ□力方向上昇され、
カバー４２Ｃで回転シャフト４１の上端面４１ａに吸着
された半導体ウェーパフェの周囲を包囲する。歯車４１
Ｇを介して適宜の駆動手段て回転シャフト４１を回転せ
しめることにより、滴下された拡散源溶解液あるいはフ
ォトレジストなどを半導体ウェーハ３１の上面に対し均
一の肉厚で塗布する０回転シャフト４１の回転によって
半導体ウエーハ３１の上面から飛散した拡散源溶解液あ
るいはフォトレジストなどは、カバー４２Ｇによって捕
集され、底面４２ａに開口された貫通孔４６および管体
４５を介して回収容器（図示せず）に回収される。

拡散源溶解液あるいはフォトレジストなどの塗布が完了
すると、回転シャフト４１の回転が停止され、カバ一部
材４２か矢印Ｆ２方向に降下される。

スピンコータ並における半導体ウェーハ３１に対する拡
散源溶解液あるいはフォトレジストなどの塗布動作に並
行して、次の半導体ウェーハ３１か上述と同様にウェー
ハ搬送装置刊のウェーハ保持部２１に対して保持されて
いる。

スピンコータ赳にによる拡散源溶解液あるいはフォトレ
ジストなどの塗布が完了すると、貫通孔４４および管体
４３を介した半導体ウェーハ３１の回転シャフト４１の
上端部４１ａに対する吸引が遮断され、かつウェーハ搬
送装置■が上述と同様に案内シャフト載置Ａ、載置Ｂに
そって矢印Ｄ□力方向移動される。ウェーハ搬送装置艮
のウェーハ保持部２２の凸部１９０，２００が、回転シ
ャフト４１の上端面４１ａに載置された半導体ウェーハ
３１の下面にそい所定の間隔をおいて矢印り、方向に移
動され、結果的にスピンコータ赳による拡散源溶解液あ
るいはフォトレジストなどの塗布された半導体ウェーハ
３１の周面かウェーハ保持部２２の凹部１９Ｇ、２０Ｇ
に当接され、これにより半導体ウェーハ３１か回転シャ
フト４１の上端面４１ａからウェーバ保持部２２へ移動
される。ウェーハ搬送装置用が矢印Ｄ１方向へ移動され
続け、ウェーハ保持部２１か回転シャフト４１の真上へ
到達されると停■二される。ウェーハ搬送装ａ厘のうち
支持基台１５およびウェーハ保持基板１９゜２０が上述
と同様その中心を回転シャフト４１の回転軸に一致せし
めた状態でに降下されるので１次の半導体ウェーハ３１
か回転シャフト４１の上端面４１ａ上に対し適宜にａｉ
され、管体４３および貫通孔４４を介して適宜の吸着源
によって吸着される。

ウェーハ搬送装置１！！のウェーハ保持部２２に保持さ
れた半導体ウェーハ３１は、支持基台１５およびウェー
ハ保持基板１９．２０の降下に伴って受取台６４上に移
転される。すなわち受取台６４の表面か回転シャフト４
１の上端面４１ａとほぼ同一の高さとされており、かつ
受取台６４の横幅がウェーハ保持部材たとえばウェーハ
保持基板１９．２０の間の間隔よりも狭小であるので、
支持基台１５およびウェーハ保持基板１９．２０の降下
に伴ってウェーハ保持基板１９．２０の間に受取台６４
が侵入することとなり、受取台６４がウェーハ保持部２
２に保持された半導体ウェーハ３１の下面を支持し、半
導体ウェーハ３１を受け取ることとなる。

ウェーハ搬送装置用は、矢印Ｄ２方向に移動されて上述
と同様に当初の状態に復帰される。

持上装置６３が矢印Ｇ、力方向上昇され、その支持ビン
６３Ｇのうち加熱炉６１の入口部外方に位置するものが
受取台６４の貫通孔１ｉ４Ａに挿通される。これにより
受取台６４に載置された半導体ウェーハ３１が、持上装
ｊ１６３の支持ビン６３Ｃの頂部に！を詮され支持され
る。

持上装置６３の支持とン６３Ｃに半導体ウェーハ３１が
ｖＬ置されると１間歇移送装置ｉ６ｓの移動手段６８が
動作される。すなわち動力源６８Ｇおよび連結体６８Ｄ
によって移送半休６６．６７の基部６５Ａ、６７Ａか、
矢印Ｈ１方向に移動され互いに接近される。基部５６Ａ
、６７Ａの接近に伴ッテ支持本体６６Ｇ、６７Ｃも、矢
印Ｈ，力方向移動され互いに接近される。これにより支
持手段たとえば支持爪６６Ｄ、６７Ｄが支持ビン６３Ｃ
にａ２ｉされた半導体ウェーハ３１の下方に進出する。

持上装２１６３が矢印Ｇ２方向に降下されると、支持ビ
ン６３Ｃにａ近された半導体ウェーハ３１が支持手段た
とえば支持爪６６Ｄ、６７Ｄ上に移動される。

動力源５８Ｃか案内シャフト６８Ｂにそって矢印１、方
向に所定距離たけ移動すると、移送半休６６．６７も矢
印１．方向に所定距離だけ移動される。この状態で持上
装置６３が再び矢印Ｇ１方向に上昇されると、加熱炉６
１の入口部に最も近い貫通孔６２Ａに挿通された支持ビ
ン６３Ｃによって半導体ウェーハ３１か支持される。動
力源５８Ｇによって移送半休６６．６７が、矢印Ｈ２方
向に向は互いに離間されたのち、更に矢印Ｉ２方向に移
動され当初の位こに復帰される。そののち持上装置６３
か矢印Ｇ２方向に降下されると、支持ピン６３Ｃ上の半
導体ウェーハ３１か加熱炉６１の底面すなわち加熱面上
に直接ａ、辺され、効率よく加熱処理される。これによ
り、スピンコータ赳で塗布された拡散源溶解液あるいは
フォトレジストなどが、加熱乾燥されて半導体ウェーハ
３１の表面に対し密着される。

ウェーハ搬送型を匹のウェーハ保持部２２によってスピ
ンコータ赳から半導体ウェーハ３１が移送されてくるご
とに、持上装置６３および間歇移送装置６５か上述の動
作を反復するので、半導体ウェーハ３１が加熱炉６１内
を所定距離すなわち底面の貫通孔６２Ａの穿設間隔ずつ
間歇的に移送される。

加熱炉６１の出口部まで移送された半導体ウェーハ３１
は、持上装置６３および間歇移送装置５５によって放冷
台６９上に一旦＠装置されたのち、更に放冷台６９から
ウェーハ排出袋Ｗ１７０のベルトコンベア７１の一端部
上に移送される。

ベルトコンベア７１に載置された半導体ウェーハ３１は
、矢印Ｊ方向に移送され、その他端部でウェーハ収容部
材７６に収容される。ウェーハ収容部材７６は、半導体
ウェーハ３１が収容されるごとにエレベータ装置７７に
よって矢印に方向に間歇的に上昇される。ウェーハ収容
部材７６の収容空間が半導体ウェーハ３１によって充満
されると、エレベータ装置７７から取り外され、新たな
ウェーハ収容部材７６と交換される。エレベータ装置７
７は、当初の位置まで降下され、再び上述の動作が反復
される。

以上の動作が反復されることにより、ウェーハ収容部材
３２に収容された半導体ウェーハ３１が、順次ウェーハ
搬送型ｇｌｌＯによってスピンコータ凹に移送され、か
つスピンコータ赳で拡散源溶解液あるいはフォトレジス
トなどが塗布されたのち再びウェーハ搬送装置圧によっ
てスピンコータ赳から熱処理袋ｆｉ６０に移送され、熱
処理装置並で適宜の熱処理を施したのち他のウェーハ収
容部材７６に収容される。

なお上述においてはウェーハ搬送装置すのウェーハ保持
部２２によってスピンコータ赳の回転シャフト４１上の
半導体ウェーハ３１を受け取り後続の熱処理装置並に向
けて移送しているが、本発明は、これに限定されるもの
ではなく、他の手段によって回転シャフト４１上から半
導体ウェーハ３１を後続の熱処理装置廷に向けて移送す
る構成としてもよい。

またウェーハ搬送装置艮の支持基台１５およびウェーハ
保持部材たとえばウェーハ保持基板１９゜２０を昇降す
ることにより半導体ウェーハ３１をスピンコータ赳の回
転シャフト４１に対して移送し、かつウェーハ搬送装置
艮がウェーハ供給装置用の近傍へ復帰するに際してスピ
ンコータ赳との接触などを回避しているか、本発明は、
これに限定されるものではなく、たとえばスピンコータ
些の回転シャフト４１を昇降せしめることによってウェ
ーハ搬送装近耗との間で半導体ウェーハ３１を移送し、
かつウェーハ搬送装置圧との接触などを回避してもよい
。

（３）発明の効果 上述より明らかなように本発明にかかるウェーハ搬送装
置は、ウェーハ収容部材からベルトコンベアによって移
送されてきた半導体ウェーハをスピンコータの回転シャ
フト上に蔵置せしめるよう搬送するウェーハ搬送装置で
あって、（ａ）前記半導体ウェーハの周面に対して当接
される凹部と、前記凹部に 対し前記半導体ウェーハを押圧し て保持する保持レバーとを包有し てなるウェーハ保持部材と、 （ｂ）前記ウェーハ保持部材を、前記スピンコータに向
けて移動せしめ、 かつ前記凹部に保持された半導体 ウェーハの中心と前記回転シャツ トの回転軸とが整合する位置に停 止せしめる移動手段と を備えてなるので、 （ｉ）スピンコータの回転シャフトの回転中心に対し中
心を整合せしめて半導体ウエーハを蔵置できる効果 を有し、ひいては （ｉｉ）スピンコータによる拡散源溶解液あるいはフォ
トレジストなどの塗布ムラを除去できる効果 ならびに （ｉｉｉ）スピンコータによる回転に際する半導体ウェ
ーハの飛散事故を防止できる効果 を有する。

また本発明にかかる他のウェーハ搬送装置は、ウェーハ
収容部材からベルトコンベアによって移送されてきた半
導体ウェーハをスピンコータの回転シャフト上に蔵置せ
しめるよう搬送するウェーハ搬送装置であって、 （ａ）前記半導体ウェーハの周面に対して当接される凹
部と、前記凹部に 対し前記半導体ウェーハを押圧し て保持する保持レバーと、前記回 転シャフト上に載置された半導体 ウェーハを受け取って保持する他 の凹部とを包有してなるウェーハ 保持部材と、 （ｂ）前記ウェーハ保持部材を、前記スピンコータに向
けて移動せしめ、 かつ前記回転シャフト上に載置さ れた半導体ウェーハを前記他の凹 部で受け取って保持したのち前記 凹部に保持された半導体ウェーハ の中心と前記回転シャフトの回転 軸とが整合する位置に停止せしめ る移動手段と を備えてなるので、上記（＋）〜（ｉｉｉ）の効果に加
え （ｉｖ）スピンコータの回転シャフト上から半導体ウェ
ーハを損傷することなく効率よく移送できる効果 を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す主としてＩ−■線にそ
った縦断面図、第２図は回生としてｎ−■線にそった横
断面図、第３図は後続の熱処理装置を示す■−ｍ線にそ
った縦断面図、第４図は回生としてｆｆ−ＩＶ線にそっ
た横断面図、第５図は同平面図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェーハ収容部材からベルトコンベアによって移
   送されてきた半導体ウェーハをスピンコータの回転シャ
   フト上に載置せしめるよう搬送するウェーハ搬送装置に
   おいて、 （ａ）前記半導体ウェーハの周面に対して当接される凹
   部と、前記凹部に対し前記半導 体ウェーハを押圧して保持する保持レ バーとを包有してなるウェーハ保持部材 と、 （ｂ）前記ウェーハ保持部材を、前記スピンコータに向
   けて移動せしめ、かつ前記凹 部に保持された半導体ウェーハの中心と 前記回転シャフトの回転軸とが整合する 位置に停止せしめる移動手段と を備えてなることを特徴とするウェーハ搬送装置。
2. （２）ウェーハ収容部材からベルトコンベアによって移
   送されてきた半導体ウェーハをスピンコータの回転シャ
   フト上に載置せしめるよう搬送するウェーハ搬送装置に
   おいて、 （ａ）前記半導体ウェーハの周面に対して当接される凹
   部と、前記凹部に対し前記半導 体ウェーハを押圧して保持する保持レ バーと、前記回転シャフト上に載置され た半導体ウェーハを受け取って保持する 他の凹部とを包有してなるウェーハ保持 部材と、 （ｂ）前記ウェーハ保持部材を、前記スピンコータに向
   けて移動せしめ、かつ前記回 転シャフト上に載置された半導体ウェー ハを前記他の凹部で受け取って保持した のち前記凹部に保持された半導体ウェー ハの中心と前記回転シャフトの回転軸と が整合する位置に停止せしめる移動手段 と を備えてなることを特徴とするウェーハ搬送装置。