JPS63285025A - 3-state output circuit - Google Patents

3-state output circuit

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JPS63285025A
JPS63285025A JP62121822A JP12182287A JPS63285025A JP S63285025 A JPS63285025 A JP S63285025A JP 62121822 A JP62121822 A JP 62121822A JP 12182287 A JP12182287 A JP 12182287A JP S63285025 A JPS63285025 A JP S63285025A
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JP
Japan
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whose
node
circuit
output
channel misfet
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Application number
JP62121822A
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Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Hayashi
豊 林
Hiroshi Hikichi
博 引地
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NEC Corp
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/09425Multistate logic
    • H03K19/09429Multistate logic one of the states being the high impedance or floating state

Abstract

PURPOSE:To obtain an economical 3-state output circuit whose instruction execution time is ended at medium speed by using a series connection comprising a p-channel MISFET and 2 n-channel MISFETs for an output circuit, and using a switch circuit for a logic circuit. CONSTITUTION:A logic circuit 21c consists of a switch circuit S and a 1st p-channel MISFET P1 whose gate is connected to a control signal terminal 2, whose source is connected to a power terminal 4 and whose drain is connected to a node N1. An output terminal 22c consists of a 2nd p-channel MISFET whose gate is connected to the node N1, whose source is connected to a power terminal 4, the 1st n-channel MISFET Q1 whose gate receives a control signal V1, whose drain is connected to the drain of the FET P2, the 2nd n-channel MISFET Q3 whose gate receives a voltage VN1 at the node N1, whose drain is connected to the source of the FET Q1 and whose source is connected to ground and an output terminal 3 connected to a node N2.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は3ステート出力回路に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a three-state output circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、3ステート出力回路は、複数のゲート出力回路
を同時に接続できること、高インピーダンス状態での漏
れ電流が極めて小さいなどの利点を有しているのでバス
駆動回路として使用されている。
In general, three-state output circuits are used as bus drive circuits because they have advantages such as being able to connect a plurality of gate output circuits at the same time and having extremely low leakage current in a high impedance state.

第3図は従来の3ステート出力回路の第1の例の回路図
である9 この3ステート出力回路20.は、論理回路21、と出
力回路22.より構成されている。
FIG. 3 is a circuit diagram of a first example of a conventional three-state output circuit.9 This three-state output circuit 20. are a logic circuit 21 and an output circuit 22 . It is composed of

論理回路213は、データ信号端子1のデータ信号■1
を入力とし、出力信号を第5の節点N5に与えるインバ
ータ6と、制御信号端子2の制御信号■2を入力とし、
出力信号を第6の節点N6に与えるインバータ5とで構
成されている。
The logic circuit 213 receives the data signal ■1 of the data signal terminal 1.
as an input, an inverter 6 that gives an output signal to the fifth node N5, and a control signal 2 of the control signal terminal 2 as input,
The inverter 5 provides an output signal to the sixth node N6.

また、出力回路21.は、ソース側を電源端子4(!l
にして2個が直列接続された第3及び第4のpチャネル
MISFET  P、及びP4と、出力端子3と接続さ
れた第9の節点N9を介して、ソース側を接地点側にし
て2個が直列に接続された第3及び第4のnチャネルM
ISFET  Q3及びQ4との計4個のMISFET
を直列に接続して構成されている。
Further, the output circuit 21. , connect the source side to power terminal 4 (!l
Through the third and fourth p-channel MISFETs P and P4, two of which are connected in series, and the ninth node N9, which is connected to the output terminal 3, two MISFETs are connected with the source side facing the ground point. a third and a fourth n-channel M connected in series;
Total of 4 MISFETs with ISFET Q3 and Q4
It is constructed by connecting in series.

ここで、論理回路21.から出力回路22.への信号路
上にある第5〜第8の節点N5〜N8は、それぞれM 
I S F ET  P 3 、 P 4及びMISF
ET  Q3 、Q4のゲートに対応して接続されてい
る。
Here, logic circuit 21. to the output circuit 22. The fifth to eighth nodes N5 to N8 on the signal path to M
ISFET P3, P4 and MISF
It is connected correspondingly to the gates of ET Q3 and Q4.

次に、この3ステート出力回路203の動作を説明する
Next, the operation of this three-state output circuit 203 will be explained.

第4図は第3図の回路の動作を説明するための各部の信
号波形図である。
FIG. 4 is a signal waveform diagram of each part for explaining the operation of the circuit of FIG. 3.

期間t1〜t5において、データ信号端子1及び制御信
号端子2に高レベルHまたは低レベルLの信号を与える
と、節点N5〜N8にはそれぞれVN5〜■N8で示す
電圧が現われる。
During the period t1 to t5, when a high level H or low level L signal is applied to the data signal terminal 1 and the control signal terminal 2, voltages shown as VN5 to ■N8 appear at the nodes N5 to N8, respectively.

まず、制御信号V2が低レベルしてある期間を貫+j3
+j5では、節点N9を挟んだ2個のFET  P4と
Q、が同時にオフ状態となるために、節点N9に現われ
る電圧VN9、すなわち出力信号■3は、点線で示すよ
うに両FETが高インピーダンス状態となるために、漏
れ電流比で分圧される。
First, the control signal V2 is at a low level and passes through a certain period +j3.
At +j5, the two FETs P4 and Q that sandwich the node N9 are in the off state at the same time, so the voltage VN9 appearing at the node N9, that is, the output signal ■3, is such that both FETs are in a high impedance state as shown by the dotted line. Therefore, the voltage is divided by the leakage current ratio.

次に、制御信号V2とデータ信号■1が共に高レベルH
である期間t2では、節点N9の上方の2個のFET 
 P、及びP4が共にオン状態であり、下方のFETQ
4はオフ状態となるので、出力信号V3は高レベルHと
なる。
Next, both the control signal V2 and the data signal ■1 are at high level H.
During period t2, the two FETs above node N9
Both P and P4 are on, and the lower FETQ
4 is in the off state, so the output signal V3 becomes high level H.

制御信号■2が高レベルHでかつデータ信号V1が低レ
ベルしてある期間t4では、節点N9の上方の2個のF
ET  Q3及びQ4が共にオン状態となり、下方のF
ET  P、はオフ状態となるので、出力信号■3は低
レベルLどなる。
During the period t4 when the control signal ■2 is at a high level H and the data signal V1 is at a low level, the two Fs above the node N9
ET Q3 and Q4 are both on, and the lower F
Since ETP is in the off state, the output signal 3 becomes a low level L.

従って、出力端子3は、データ信号V1と制御信号V2
の信号の組合せによって、高レベルHと低レベルLと高
インピーダンスの三つの状態のいずれか一つを示す。
Therefore, the output terminal 3 outputs the data signal V1 and the control signal V2.
Depending on the combination of signals, one of the three states of high level H, low level L, and high impedance is indicated.

第5図は従来の3ステート出力回路の第2の例の回路図
である。
FIG. 5 is a circuit diagram of a second example of a conventional three-state output circuit.

論理回路21bは、データ信号■1と制御信号■2を入
力とし、出力端を第10の節点NIOと接続するNAN
D回路10と、制御信号■2を入力とするインバータ7
の出力及びデータ信号■1を入力とし、かつ出力端を第
11の節点Nllと接続するNOR回路11からなって
いる。
The logic circuit 21b receives the data signal (1) and the control signal (2) as input, and has an output terminal connected to the tenth node NIO.
D circuit 10 and inverter 7 which receives control signal 2 as input
It consists of a NOR circuit 11 which inputs the output of and data signal 1 and whose output terminal is connected to the eleventh node Nll.

出力回路22bは、ソースを電源端子4に、かつドレイ
ンを第12の節点N1□に接続した第5のpチャネルM
ISFET  p5と、ソースを接地しドレインを節点
N12に接続した第5のnチャネルM I S F E
 T  Q 5の2個の直列回路からなっている。
The output circuit 22b is a fifth p-channel M whose source is connected to the power supply terminal 4 and whose drain is connected to the twelfth node N1□.
ISFET p5 and a fifth n-channel MISFET whose source is grounded and whose drain is connected to node N12.
It consists of two series circuits with TQ5.

なお、出力端子3は節点NI2と接続されている。Note that the output terminal 3 is connected to the node NI2.

次に、この3ステート出力回路の動作を説明する。Next, the operation of this three-state output circuit will be explained.

第6図は第5図の回路の動作を説明するための各部の信
号波形図である。
FIG. 6 is a signal waveform diagram of each part for explaining the operation of the circuit of FIG. 5.

期間tl〜t5において、データ信号■1及び制御信号
■2として、第6図に示すような信号波形を与えると、
論理回路21bの出力として、節点NIO及びNllの
電圧VNIO及びVNIIは、FET  P、及びQ5
のゲートに入力する。その結果、出力信号V3は第6図
に示す波形となる。
When signal waveforms as shown in FIG. 6 are given as the data signal (1) and control signal (2) during the period tl to t5,
As the output of the logic circuit 21b, the voltages VNIO and VNII of the nodes NIO and Nll are applied to the FETs P and Q5.
input into the gate. As a result, the output signal V3 has the waveform shown in FIG.

ここで、データ信号Vlと制御信号■2と出力信号■3
の3つの波形は、前述の第4図と同一で、出力端子3に
3つの状態を示す。
Here, the data signal Vl, the control signal ■2, and the output signal ■3
The three waveforms shown in FIG. 4 are the same as those shown in FIG.

ただし、出力回路22bの出力信号V、が高レベルHま
たは低レベルLのいずれかにある場合は、節点N12の
上方または下方のいずれかの1個のFETのみがオン状
態にある点が第3図の出力回路228の場合と異なる。
However, when the output signal V of the output circuit 22b is at either the high level H or the low level L, the point where only one FET above or below the node N12 is in the on state is the third point. This is different from the case of the output circuit 228 shown in the figure.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来の3ステート出力回路のうち、第1の例の
場合は、論理回路21.の素子数は4個と少く、データ
信号■、が反転入力の設計ではさらにインバータ6の素
子2個が省かれるので経済的である反面、出力回路22
.はMISFETの数が多く、高レベルH及び低レベル
LにおけるMISFETの直列オン抵抗が大きく、負荷
側から出力端子3側を見た出力インピーダンスが高く、
負荷のバスに存在する容量と相まって、パルス応答特性
を劣化させるので、一般に制御信号■2のパルス幅が1
μsより長い低速の命令実行時間で、かつ3ステート出
力回路の並列数が少ない小規模のICに用途が限定され
るという問題があった。
Among the conventional three-state output circuits described above, in the case of the first example, the logic circuit 21. The number of elements in the inverter 6 is as small as 4, and in a design in which the data signal 2 is an inverted input, two elements of the inverter 6 can be omitted, which is economical.
.. has a large number of MISFETs, the series on-resistance of the MISFETs at high level H and low level L is large, and the output impedance when looking at the output terminal 3 side from the load side is high.
Coupled with the capacitance present in the load bus, this will degrade the pulse response characteristics, so generally the pulse width of control signal ■2 is 1.
There is a problem that the application is limited to small-scale ICs with a slow instruction execution time longer than μs and a small number of parallel 3-state output circuits.

一般に、nチャネルMISFETのオン抵抗は、キャリ
ヤの移動態度の差によって同−設計寸法のnチャネルM
ISFETのオン抵抗の約2倍と大きい値のために、特
にFET  P3及びP4がオン状態となる高レベルH
の場合のパルス応答特性が劣る。
Generally, the on-resistance of an n-channel MISFET is determined by the difference in carrier movement behavior.
Due to the large value of about twice the on-resistance of ISFET, especially the high level H at which FETs P3 and P4 are in the on-state.
The pulse response characteristics are poor in the case of

また、nチャネルMISFETのオン抵抗の値とつりあ
いをとるために、nチャネルMISFETの素子設計の
寸法を大きくしても、オン抵抗の改善はされるが、同時
に素子の容量の増大を伴うので、パルス応答特性はほと
んど改善されず、またチップ面積の増大によりコスト高
となる。
Furthermore, even if the dimensions of the n-channel MISFET element design are increased in order to balance the on-resistance value of the n-channel MISFET, the on-resistance will be improved, but at the same time, the capacitance of the element will increase. Pulse response characteristics are hardly improved, and the cost increases due to an increase in chip area.

次に、第2の例の3ステート出力回路20bの場合では
、出力回路22bはMISFET2個の少ない素子構成
であり、出力インピーダンスの半減でパルス応答特性は
改善され、制御信号■2のパルス幅が150ns以下の
高速の命令実行時間に適しているが、逆に論理回路21
bが複雑で素子数が10個と多いので1.3ステート出
力回路を多数ICに組込む場合にチップ面積の増大を伴
いコスト高となるので高速の命令実行時間に使用が限定
されるという問題があった。
Next, in the case of the 3-state output circuit 20b of the second example, the output circuit 22b has a small element configuration with two MISFETs, the output impedance is halved, the pulse response characteristic is improved, and the pulse width of the control signal 2 is reduced. It is suitable for high-speed instruction execution time of 150 ns or less, but on the contrary, it is suitable for logic circuits 21
b is complex and has a large number of elements (10), so when a large number of 1.3 state output circuits are incorporated into an IC, the chip area increases and the cost increases, so there is a problem that its use is limited to high-speed instruction execution times. there were.

本発明の目的は、論理回路が簡単で素子数が少なく、か
つオン抵抗の高いnチャネルMISFETを1個とした
出力回路を用いて出力インピーダンスを低くし、命令実
行時間が中速度でかつ経済的である3ステート出力回路
を提供することにある。
The purpose of the present invention is to reduce the output impedance by using an output circuit with a simple logic circuit, a small number of elements, and a single n-channel MISFET with high on-resistance, and to achieve an economical and medium-speed instruction execution time. The object of the present invention is to provide a 3-state output circuit.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の3ステート出力回路は、 (A) 入力側がデータ信号端子と制御信号端子に接続
し、出力側が第1の節点に接続し、制御信号によりデー
タ信号を通過するか遮断するかを制御するスイッチ回路
と、前記制御信号をゲートに入力し、ソースを電源に接
続し、かつドレインを前記第1の節点に接続する第1の
nチャネルMISFETとを有する論理回路、 (B)  ゲートを前記第1の節点に接続して前記デー
タ信号を入力し、かつソースを前記電源に接続する第2
のpチャネルM I 5FETと、ゲー1〜に前記制御
信号を入力し、ドレインを第2の節点を介して前記第2
のnチャネルMISFETのドレインに接続する前記第
1のnチャネルMISFETと、ゲートを前記第1の節
点に接続して前記データ信号を入力し、ドレインが前記
第1のnチャネルMISFETのソースに接続し、かつ
ソースを接地する第2のnチャネルM I 5FETと
、前記第2の節点と接続する出力端子とを有する出力回
路、 を含んで構成されている。
The three-state output circuit of the present invention has the following features: (A) The input side is connected to the data signal terminal and the control signal terminal, the output side is connected to the first node, and the control signal controls whether to pass or block the data signal. a logic circuit comprising a switch circuit and a first n-channel MISFET that inputs the control signal to the gate, connects the source to the power supply, and connects the drain to the first node; (B) the gate is connected to the first node; a second node connected to the first node to input the data signal and having a source connected to the power source;
The control signal is input to the p-channel MI 5FET and the gate 1, and the drain is connected to the second
The first n-channel MISFET is connected to the drain of the n-channel MISFET, the gate is connected to the first node to input the data signal, and the drain is connected to the source of the first n-channel MISFET. , a second n-channel MI 5FET whose source is grounded, and an output circuit having an output terminal connected to the second node.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の回路図である。スイッチ回
路Sは、入力側のデータ信号端子1と接続するインイバ
ータ9と、出力端を第1の節点Nlと接続し、かつゲー
トを制御信号端子2と接続するnチャネルMISFET
で構成された伝達ゲートTとの直列接続からなっている
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. The switch circuit S includes an inverter 9 connected to the data signal terminal 1 on the input side, and an n-channel MISFET whose output end is connected to the first node Nl and whose gate is connected to the control signal terminal 2.
It consists of a series connection with a transmission gate T composed of.

論理回路21.は、このスイッチ回路Sと、ゲートを制
御信号端子2と接続し、ソースを電源端子4と接続し、
かつドレインを節点N、と接続する第1のnチャネルM
ISFET  P、とで構成されている。
Logic circuit 21. connects this switch circuit S, the gate is connected to the control signal terminal 2, the source is connected to the power supply terminal 4,
and a first n-channel M connecting the drain to the node N.
It is composed of ISFET P.

出力回路22.は、ゲートを節点N1に接続し、かつソ
ースを電源端子4と接続する第2のpチャネルMISF
ETと、ゲートに制御信号V2を入力し、ドレインを第
2の節点N2を介してFET  p2のドレインと接続
する第1のnチャネルMISFET  Qlと、ゲート
に節点N1の電圧VN1を入力し、ドレインがFETQ
+のソースと接続し、かつソースを接地する第2のnチ
ャネルM I S F E T  Q 2と、節点N2
と接続する出力端子3とで構成されている。
Output circuit 22. is a second p-channel MISF whose gate is connected to node N1 and whose source is connected to power supply terminal 4.
ET, a first n-channel MISFET Ql whose gate receives the control signal V2 and whose drain is connected to the drain of the FET p2 via the second node N2, whose gate receives the voltage VN1 of the node N1, and whose drain is connected to the drain of the FET p2. is FETQ
a second n-channel M I S F E T Q 2 connected to the source of + and whose source is grounded, and a node N2
and an output terminal 3 connected to the terminal.

次に、この3ステート出力回路20.の動作を説明する
Next, this 3-state output circuit 20. Explain the operation.

第2図は第1図の回路の動作を説明するための各部の信
号波形図である。
FIG. 2 is a signal waveform diagram of each part for explaining the operation of the circuit of FIG. 1.

期間t1〜t5におけるデータ信号端子1及び制御信号
端子2と出力端子3のそれぞれの信号■1〜V3の波形
は、前述の従来の3ステート出力回路の第1及び第2の
例の波形とそれぞれ同一である。
The waveforms of the signals 1 to V3 of the data signal terminal 1, control signal terminal 2, and output terminal 3 during the period t1 to t5 are the same as the waveforms of the first and second examples of the conventional three-state output circuit described above, respectively. are the same.

制御信号■2が低レベルしてある期間jl+1、.1.
では、FET Plはオン状態なので節点N1の電圧V
H+は高レベルHとなり、FETP2はオフ状態となり
、またFETQ+も第3の節点N3の電圧■N3をゲー
トに入力し、共にオフ状態となるので、出力端子3は高
インピーダンス状態となる。
During a period when the control signal ■2 is at a low level, jl+1, . 1.
Now, since FET Pl is in the on state, the voltage at node N1 is V
H+ becomes a high level H, FET P2 is turned off, and FET Q+ also inputs the voltage N3 of the third node N3 to its gate, and both are turned off, so that the output terminal 3 becomes a high impedance state.

この期間は伝達ゲートTは制御信号■2によってデータ
信号■lの節点N、への出力を遮断している。
During this period, the transmission gate T cuts off the output of the data signal ``l'' to the node N by the control signal ``2''.

制御信号■2が高レベルHである期間t2及びt4では
、伝達ゲートTがオン状態となり、データ信号■鳳が節
点N、の電圧と同レベルとなる。
During periods t2 and t4 when the control signal 2 is at a high level H, the transmission gate T is in an on state, and the data signal 2 is at the same level as the voltage at the node N.

従って、データ信号V、が高レベルHの期間t2では、
電圧VNIも高レベルHなので、FET Plはオフ状
態に、FETQsとQlは共にオン状態となり、出力信
号■3も高レベル!(となる。
Therefore, during the period t2 when the data signal V is at a high level H,
Since the voltage VNI is also at a high level H, FET Pl is turned off, FETs Qs and Ql are both turned on, and the output signal ■3 is also at a high level! (It becomes.

また、データ信号■1と電圧VN1も共に低レベルLの
期間t4では、FET Plがオン状態で、FETQ2
はオフ状態となり、出力信号v3も低レベルLどなる。
In addition, during the period t4 when both the data signal ■1 and the voltage VN1 are at low level L, FET Pl is in the on state and FET Q2 is in the on state.
turns off, and the output signal v3 also goes to low level L.

この3ステート出力回路20.の出力回路22cのFE
T数は3個であり、オン抵抗の大きいpチャネルMIS
FETはFET Plの1個とし、オン抵抗の小さいn
チャネルMI 5FETをFET  Q、及びQlの2
個直列として構成しているので、出力端子3の高レベル
I4及び低レベルLの状態の出力インピーダンスは、共
にpチャネルFETの1個のオン抵抗の値とつりあいが
とれ、制御信号■2のパルス幅が100〜1000ns
の中速度のバス駆動回路に適している。
This 3-state output circuit 20. FE of the output circuit 22c of
The number of T is 3, and it is a p-channel MIS with high on-resistance.
The FET is one FET Pl, with a small on-resistance n
Channel MI 5FET FET Q, and Ql 2
Since the output impedance of the output terminal 3 at the high level I4 and the low level L state are both balanced with the value of the on-resistance of one p-channel FET, the pulse of the control signal Width is 100~1000ns
Suitable for medium speed bus drive circuits.

同時に、論理回路22cの素子数も4個と少ない。At the same time, the number of elements in the logic circuit 22c is also as small as four.

なお、上述の実施例において、スイッチ回路Sはインバ
ータ9と伝達ゲートTを有しているが、他のスイッチ手
段でもよい。また、データ信号■lの論理値が逆の場合
は、インバータ9を除いてもよい。
In the above embodiment, the switch circuit S includes the inverter 9 and the transmission gate T, but other switch means may be used. Furthermore, if the logical value of the data signal 1 is reversed, the inverter 9 may be omitted.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、出力回路に1個の
pチャネルMISFETと2個のnチャネルMISFE
Tの直列接続を用いることによって、出力端子の高及び
低レベル時の出力インピーダンスを低くして、従来の低
速用の3ステート出力回路ができなかった中速度の命令
実行時間が可能となる効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, the output circuit includes one p-channel MISFET and two n-channel MISFETs.
By using a series connection of T, the output impedance at high and low levels of the output terminal is lowered, and the effect is that medium-speed instruction execution time is possible, which was not possible with conventional low-speed 3-state output circuits. can get.

また、論理回路にスイッチ回路を用いて簡単にすること
により、従来は素子数が多くコストの高かった高速用の
3ステート出力回路ができなかった経済性を得るという
効果がある。
Furthermore, by simplifying the logic circuit by using a switch circuit, there is an effect of obtaining economical efficiency that could not be achieved with conventional high-speed 3-state output circuits, which had a large number of elements and were expensive.

すなわち、制御信号■2のパルス幅が100〜1000
nsの命令実行時間の中速度のバス駆動回路等に適した
性能と経済性の両面で適合した3ステーI・出力回路が
得られるという効果がある。
That is, the pulse width of control signal (2) is 100 to 1000.
This has the effect of providing a 3-stay I/output circuit that is suitable for both performance and economy, such as a medium-speed bus drive circuit with an instruction execution time of ns.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は第1図の
回路の動作を説明するための各部の信号波形図、第3図
は従来の3ステート出力回路の第1の例の回路図、第4
図は第3図の回路の動作を説明するための各部の信号波
形図、第5図は従来の3ステート出力回路の第2の例の
回路図、第6図は第5図の回路の動作を説明するための
各部の信号波形図である。 1・・・データ信号端子、2・・・制御信号端子、3・
・・出力端子、4・・・電源端子、5〜9・・・インバ
ータ、1O−NAND回路、1l−NOR回路、20゜
〜20c・・・3ステー1・出力回路、213〜21゜
・・・論理回路、22.〜22.・・・出力回路、N、
〜NI2・・・第1〜第12の節点、P、〜P5・・・
第1〜第5のpチャネルM I S F ET、 Q+
〜Q、・・・第1〜第5のnチャネルMISFET、S
・・・スイッチ回路、T・・・伝達ゲート、t1〜t、
・・・期間、■1・・・データ信号、■2・・・制御信
号、V3・・・出力信号、VNI〜■N!2・・・節点
N、〜〜N1□の電圧。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a signal waveform diagram of each part to explain the operation of the circuit of FIG. 1, and FIG. Example circuit diagram, 4th
The figure is a signal waveform diagram of each part to explain the operation of the circuit in Figure 3, Figure 5 is a circuit diagram of a second example of a conventional 3-state output circuit, and Figure 6 is the operation of the circuit in Figure 5. FIG. 3 is a signal waveform diagram of each part for explaining. 1...Data signal terminal, 2...Control signal terminal, 3...
...Output terminal, 4...Power supply terminal, 5-9...Inverter, 1O-NAND circuit, 1l-NOR circuit, 20°-20c...3 stay 1. Output circuit, 213-21°...・Logic circuit, 22. ~22. ...output circuit, N,
~NI2...1st to 12th nodes, P, ~P5...
1st to 5th p-channel MISFET, Q+
~Q,...first to fifth n-channel MISFETs, S
...Switch circuit, T...Transmission gate, t1-t,
...Period, ■1...Data signal, ■2...Control signal, V3...Output signal, VNI~■N! 2...Voltage at node N, 〜〜N1□.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (A)入力側がデータ信号端子と制御信号端子に接続し
、出力側が第1の節点に接続し、制御信号によりデータ
信号を通過するか遮断するかを制御するスイッチ回路と
、前記制御信号をゲートに入力し、ソースを電源に接続
し、かつドレインを前記第1の節点に接続する第1のp
チャネルMISFETとを有する論理回路、 (B)ゲートを前記第1の節点に接続して前記データ信
号を入力し、かつソースを前記電源に接続する第2のp
チャネルMISFETと、ゲートに前記制御信号を入力
し、ドレインを第2の節点を介して前記第2のpチャネ
ルMISFETのドレインに接続する前記第1のnチャ
ネルMISFETと、ゲートを前記第1の節点に接続し
て前記データ信号を入力し、ドレインが前記第1のnチ
ャネルMISFETのソースに接続し、かつソースを接
地する第2のnチャネルMISFETと、前記第2の節
点と接続する出力端子とを有する出力回路、 を含むことを特徴とする3ステート出力回路。
[Claims] (A) A switch circuit whose input side is connected to a data signal terminal and a control signal terminal, whose output side is connected to a first node, and whose control signal controls whether to pass or block the data signal. , a first p that inputs the control signal to a gate, has a source connected to a power supply, and has a drain connected to the first node.
a logic circuit having a channel MISFET; (B) a second transistor whose gate is connected to the first node to input the data signal and whose source is connected to the power supply;
channel MISFET, the first n-channel MISFET whose gate receives the control signal and whose drain is connected to the drain of the second p-channel MISFET via a second node, and whose gate is connected to the first node. a second n-channel MISFET that is connected to and receives the data signal, whose drain is connected to the source of the first n-channel MISFET, and whose source is grounded; and an output terminal that is connected to the second node. A 3-state output circuit comprising: an output circuit having:
JP62121822A 1987-05-18 1987-05-18 3-state output circuit Pending JPS63285025A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200653A (en) * 1990-06-22 1993-04-06 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Tristate output gate structure particularly for cmos integrated circuits
EP0547525A1 (en) * 1991-12-18 1993-06-23 Siemens Aktiengesellschaft CMOS driver stage

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200653A (en) * 1990-06-22 1993-04-06 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Tristate output gate structure particularly for cmos integrated circuits
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