JPS63284824A - アルミ膜のエツチング方法 - Google Patents
アルミ膜のエツチング方法Info
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- JPS63284824A JPS63284824A JP11877987A JP11877987A JPS63284824A JP S63284824 A JPS63284824 A JP S63284824A JP 11877987 A JP11877987 A JP 11877987A JP 11877987 A JP11877987 A JP 11877987A JP S63284824 A JPS63284824 A JP S63284824A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子、発光素子、あるいは表示素子等にお
いて透明電極として広く用いられているＩＴＯ膜と接触
するアルミ（以下、ＡＩと示す）膜の加工方法に関する
。
いて透明電極として広く用いられているＩＴＯ膜と接触
するアルミ（以下、ＡＩと示す）膜の加工方法に関する
。
■ＴＯ膜は透明であシながら電気伝導性に優れているこ
とから、受光素子、発光素子あるいは表示素子等におい
て透明電極として広く用いられている。通常、透明電極
と素子内の他の電極、例えば表示素子でのＴＰＴソース
電極等との電気的接続には抵抗値の小さな五ｌ配線が使
用される。
とから、受光素子、発光素子あるいは表示素子等におい
て透明電極として広く用いられている。通常、透明電極
と素子内の他の電極、例えば表示素子でのＴＰＴソース
電極等との電気的接続には抵抗値の小さな五ｌ配線が使
用される。
このため、受光素子、発光素子、あるいは表示素子等の
製作には工ＴＯ膜と接触するムｊ膜、すなわちＩ’Ｊ’
Ｏ膜上に形成されたムを膜のエツチング工程が必要とな
っている。従来の工ＴＯ膜上のＡ４膜のエツチング法と
しては、一般にムｌのエツチング法として広く知られて
いる以下の二つの方法が用いられてきた。
製作には工ＴＯ膜と接触するムｊ膜、すなわちＩ’Ｊ’
Ｏ膜上に形成されたムを膜のエツチング工程が必要とな
っている。従来の工ＴＯ膜上のＡ４膜のエツチング法と
しては、一般にムｌのエツチング法として広く知られて
いる以下の二つの方法が用いられてきた。
その第一は常圧下で行う方法（以下、常圧法とよぶ）で
、通常恒温槽中においてエツチング液を４０℃程度に保
って行う方法である。エツチング液としてはシん酸を主
成分とし、硝酸、酢酸及び水を含む混合液が用いられて
いる。ここで、硝酸はシん酸とＡｊの反応を促進してエ
ツチング速度を高める効果をもち、また酢酸と水はバタ
ンエツジに生じやすい凹凸を抑制する効果をもつ。常圧
法では、必要な器具は簡単な恒温槽だけでよく、またエ
ツチング時間も数分程度と短く、極めて簡便な方法であ
る。しかし、この方法には均一性が悪く、かつ高密度バ
タンのエツチングが困難であるという欠点があった。
、通常恒温槽中においてエツチング液を４０℃程度に保
って行う方法である。エツチング液としてはシん酸を主
成分とし、硝酸、酢酸及び水を含む混合液が用いられて
いる。ここで、硝酸はシん酸とＡｊの反応を促進してエ
ツチング速度を高める効果をもち、また酢酸と水はバタ
ンエツジに生じやすい凹凸を抑制する効果をもつ。常圧
法では、必要な器具は簡単な恒温槽だけでよく、またエ
ツチング時間も数分程度と短く、極めて簡便な方法であ
る。しかし、この方法には均一性が悪く、かつ高密度バ
タンのエツチングが困難であるという欠点があった。
この欠点は共にＵ膜エツチング時のムｌとエツチング液
との反応過程において発生する水素ガスに起因する。す
なわち、水素ガスが基板表面に気泡状になって付着する
と、その部分にエツチング液が補給できなくなシ、エツ
チングの進行は気泡が消失するまでストップする。この
ような気泡の発生及び消失する割合は基板面上で一様で
ないため、特に表示素子等で使用される大面積基板では
一様なエツチングが困難となっていた。また、特に間隔
の狭いバタン間には水素ガスが付着しやすく、これが五
ｌのエツチング残シを生じさせバタン間のショートの原
因となって、高密度化を困難としていた。
との反応過程において発生する水素ガスに起因する。す
なわち、水素ガスが基板表面に気泡状になって付着する
と、その部分にエツチング液が補給できなくなシ、エツ
チングの進行は気泡が消失するまでストップする。この
ような気泡の発生及び消失する割合は基板面上で一様で
ないため、特に表示素子等で使用される大面積基板では
一様なエツチングが困難となっていた。また、特に間隔
の狭いバタン間には水素ガスが付着しやすく、これが五
ｌのエツチング残シを生じさせバタン間のショートの原
因となって、高密度化を困難としていた。
第二の方法は、数十τｏｒｒの減圧下で行う方法（以下
、減圧法とよぶ）であシ、上記常圧法の欠点を克服する
方法として用いられてきた。
、減圧法とよぶ）であシ、上記常圧法の欠点を克服する
方法として用いられてきた。
減圧法ではエツチング液に）ん酸のみが用いられておシ
、硝酸等は含まれてい々い。この理由は、硝酸等の蒸気
圧の高い酸の使用は減圧用の真空ポンプを損傷させるた
めである。減圧法で使用されるエツチング装置を第２図
に示す。すなわち第２図は従来の減圧法で用いられてい
るエツチング装置の概略構成図である。第２囚において
１はエツチング液、２は恒温槽、３は真空槽、４は真空
ポンプ、５は基板ホル・ダー、６は基板、７は加熱ヒー
タを意味する。エツチング液１の入った恒温槽２は真空
槽３内に入っておシ、真空ポンプ４によシ真空槽ｓ内が
減圧される。この方法では、減圧によシ発生する水素気
泡をすばやく基板表面から除去し上記常圧法の欠点を克
服する。したがって、均一性に優れており、かつ高密度
バタンのエツチングに適している。
、硝酸等は含まれてい々い。この理由は、硝酸等の蒸気
圧の高い酸の使用は減圧用の真空ポンプを損傷させるた
めである。減圧法で使用されるエツチング装置を第２図
に示す。すなわち第２図は従来の減圧法で用いられてい
るエツチング装置の概略構成図である。第２囚において
１はエツチング液、２は恒温槽、３は真空槽、４は真空
ポンプ、５は基板ホル・ダー、６は基板、７は加熱ヒー
タを意味する。エツチング液１の入った恒温槽２は真空
槽３内に入っておシ、真空ポンプ４によシ真空槽ｓ内が
減圧される。この方法では、減圧によシ発生する水素気
泡をすばやく基板表面から除去し上記常圧法の欠点を克
服する。したがって、均一性に優れており、かつ高密度
バタンのエツチングに適している。
しかしながら、減圧法によシエＴｏ膜と接触するムｌ膜
をエツチングすると、ＩＴＯ膜が激しく侵食され、ムｌ
膜がエツチングされる前に工ＴＯ膜が消失するという問
題があったため、ＩＴＯ膜上の五ｊ膜のエツチングには
使用できなかった。
をエツチングすると、ＩＴＯ膜が激しく侵食され、ムｌ
膜がエツチングされる前に工ＴＯ膜が消失するという問
題があったため、ＩＴＯ膜上の五ｊ膜のエツチングには
使用できなかった。
本発明の目的は、従来のＩＴＯ膜上の五ｌ膜エツチング
方法における上記欠点を解決するためのものであり、Ｉ
ＴＯ膜を損傷することなくムｌ膜を均一にエツチングす
る方法を提供することにある。
方法における上記欠点を解決するためのものであり、Ｉ
ＴＯ膜を損傷することなくムｌ膜を均一にエツチングす
る方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明はムｊ膜のエツチング方法
に関する発明であって、ＩＴＯ膜と接触するムｌ膜の減
圧エツチングにおいて、エツチング液としてりん酸に硝
酸塩を添加した液を用いることを特徴とする。
に関する発明であって、ＩＴＯ膜と接触するムｌ膜の減
圧エツチングにおいて、エツチング液としてりん酸に硝
酸塩を添加した液を用いることを特徴とする。
前記のようにＩＴＯ膜の侵食が常圧法では生じていない
ことに着目し、常圧法で用いられるエツチング液の成分
のうち、いずれかにＩＴＯ膜の侵食を阻止する効果があ
ると考え、各成分についてＩＴＯ膜侵食阻止効果の有無
を調べた結果、硝酸がｘＴｏ膜の侵食を阻止する効果を
有していることを見出した。硝酸が上記効果を有するの
は、工ＴＯ膜の侵食がシん酸とｈｐの反応過程で発生す
る水素イオンの還元作用に起因し、硝酸のもつ酸化力が
この還元作用を抑制するためと考えられ、現に硝酸と同
様に強い酸化力をもつ過酸化水素水について調べたとこ
ろ、同様の効果を有することを見出した。
ことに着目し、常圧法で用いられるエツチング液の成分
のうち、いずれかにＩＴＯ膜の侵食を阻止する効果があ
ると考え、各成分についてＩＴＯ膜侵食阻止効果の有無
を調べた結果、硝酸がｘＴｏ膜の侵食を阻止する効果を
有していることを見出した。硝酸が上記効果を有するの
は、工ＴＯ膜の侵食がシん酸とｈｐの反応過程で発生す
る水素イオンの還元作用に起因し、硝酸のもつ酸化力が
この還元作用を抑制するためと考えられ、現に硝酸と同
様に強い酸化力をもつ過酸化水素水について調べたとこ
ろ、同様の効果を有することを見出した。
以上からりん酸中へ酸化力を有する薬品を添加すること
がＩＴＯ侵食防止に有効であることを明らかにした。し
かし、上述のように硝酸等の蒸気圧の高い酸の使用は減
圧用真空ポンプを損傷させるため使用できない。そこで
、ポンプの損傷を避けるため、蒸気圧の低い塩に着目し
、硝酸イオンによる強い酸化作用が期待できる硝酸塩を
採り上げ、その効果を調べた。その結果、硝酸塩におい
ても硝酸同様に工ＴＯの侵食を防止できることを見出し
た。硝酸塩のＩＴＯ侵食防止効果は硝酸イオンによるた
め、硝酸塩の種類を問わず有効であった。
がＩＴＯ侵食防止に有効であることを明らかにした。し
かし、上述のように硝酸等の蒸気圧の高い酸の使用は減
圧用真空ポンプを損傷させるため使用できない。そこで
、ポンプの損傷を避けるため、蒸気圧の低い塩に着目し
、硝酸イオンによる強い酸化作用が期待できる硝酸塩を
採り上げ、その効果を調べた。その結果、硝酸塩におい
ても硝酸同様に工ＴＯの侵食を防止できることを見出し
た。硝酸塩のＩＴＯ侵食防止効果は硝酸イオンによるた
め、硝酸塩の種類を問わず有効であった。
以上より、本発明によるムｌ膜の減圧エツチング方法で
は、りん酸に硝酸塩を添加した液をエツチング液として
用いる。硝酸塩添加によシ従来の減圧法では不可能であ
った工ＴＯ膜上のムｌ膜のエツチングが可能となった。
は、りん酸に硝酸塩を添加した液をエツチング液として
用いる。硝酸塩添加によシ従来の減圧法では不可能であ
った工ＴＯ膜上のムｌ膜のエツチングが可能となった。
また、本発明では減圧下でエツチングを行うため、従来
の常圧法にくらべ均一性に優れておシ、かつ高密度バタ
ンのエツチングが可能であるという特徴を有する。
の常圧法にくらべ均一性に優れておシ、かつ高密度バタ
ンのエツチングが可能であるという特徴を有する。
本発明で使用する硝酸塩の例としては硝酸アンモニウム
及び硝酸カリが挙げられ、特に硝酸アンモニウムが好ま
しい。硝酸アンモニウムを用いる場合、その量はシん酸
１１当シ硝酸アンモニウム２０ｆ以上が好適である。
及び硝酸カリが挙げられ、特に硝酸アンモニウムが好ま
しい。硝酸アンモニウムを用いる場合、その量はシん酸
１１当シ硝酸アンモニウム２０ｆ以上が好適である。
以下、本発明の詳細を実施例によシ説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されない。
はこれら実施例に限定されない。
実施例１
本実施例ではりん酸に添加する硝酸塩として硝酸アンモ
ニウムを用いた。エツチング装置は第２図に示す従来の
減圧法で用いられるエツチング装置と同じ装置を用いて
行った。使用した試料は約５０Ｘ２０．！の大面積基板
上に約５００ｎｍの工ＴＯ膜と約１μ憔のムｌ膜が堆積
されたものであシ、更にＡ／膜上には高密度にレジスト
バタンが形成されている。Ａｌ膜エツチングは真空ポン
プにより真空槽内を５０Ｔｏｒｒまで減圧し、エツチン
グ液の温度を４０℃に保って行った。シん酸に添加する
硝酸アンモニウムの量を変えて多数のエツチングを行っ
たところ、硝酸アンモニウムを全く添加しないシん酸の
みのエツチング液ではエツチング中にＩＴＯ膜が激しく
侵食されＡｌ膜エツチング終了時には完全に消失されて
いるのに対し、シん酸１１当シ数２の硝酸アンモニウム
を添加することＫよシ、工ＴＯ膜侵食の速度が著しく遅
くなシエッチング終了後もＩＴＯ膜は存在する。更に、
シん酸１１当シ２０を以上の硝酸アンモニウムを添加す
れば、工ＴＯ膜はムｌ膜のエツチング中に全く侵食を受
けないことがわかった。また、シん酸１１当シ２０１以
上の硝酸アンモニウムを添加しても、減圧用真空ポンプ
は劣化しないことを確認した。以上から、本発明による
ＩＴＯ膜上のＡｌ膜エツチングにおいては、シん酸１１
当シ硝酸アンモニウムを２Ｏｆ以上添加して用いること
が望ましい。
ニウムを用いた。エツチング装置は第２図に示す従来の
減圧法で用いられるエツチング装置と同じ装置を用いて
行った。使用した試料は約５０Ｘ２０．！の大面積基板
上に約５００ｎｍの工ＴＯ膜と約１μ憔のムｌ膜が堆積
されたものであシ、更にＡ／膜上には高密度にレジスト
バタンが形成されている。Ａｌ膜エツチングは真空ポン
プにより真空槽内を５０Ｔｏｒｒまで減圧し、エツチン
グ液の温度を４０℃に保って行った。シん酸に添加する
硝酸アンモニウムの量を変えて多数のエツチングを行っ
たところ、硝酸アンモニウムを全く添加しないシん酸の
みのエツチング液ではエツチング中にＩＴＯ膜が激しく
侵食されＡｌ膜エツチング終了時には完全に消失されて
いるのに対し、シん酸１１当シ数２の硝酸アンモニウム
を添加することＫよシ、工ＴＯ膜侵食の速度が著しく遅
くなシエッチング終了後もＩＴＯ膜は存在する。更に、
シん酸１１当シ２０を以上の硝酸アンモニウムを添加す
れば、工ＴＯ膜はムｌ膜のエツチング中に全く侵食を受
けないことがわかった。また、シん酸１１当シ２０１以
上の硝酸アンモニウムを添加しても、減圧用真空ポンプ
は劣化しないことを確認した。以上から、本発明による
ＩＴＯ膜上のＡｌ膜エツチングにおいては、シん酸１１
当シ硝酸アンモニウムを２Ｏｆ以上添加して用いること
が望ましい。
これらの点を第１図を参考に更に説明する。
すなわち第１図は前記の条件下におけるシん酸１１当シ
の硝酸アンモニウム添加量Ｃｐｓ横軸）とエツチング時
間（分、縦軸）との関係を示すグラフである。第１図に
よれば、エツチング液がりん酸のみの場合、すなわち従
来の減圧法では配線等で使用される厚さ１μ悔のム２膜
をエツチングするのに２０分近くもかかったのに対し、
エッチング液としてりん酸に硝酸アンモニウムを添加し
た液を用いる本発明では約３分となシ、エツチング時間
が数分の１に短縮される。
の硝酸アンモニウム添加量Ｃｐｓ横軸）とエツチング時
間（分、縦軸）との関係を示すグラフである。第１図に
よれば、エツチング液がりん酸のみの場合、すなわち従
来の減圧法では配線等で使用される厚さ１μ悔のム２膜
をエツチングするのに２０分近くもかかったのに対し、
エッチング液としてりん酸に硝酸アンモニウムを添加し
た液を用いる本発明では約３分となシ、エツチング時間
が数分の１に短縮される。
エツチングの均一性はエツチングが減圧下で行われるた
め極めて良く、またバタン間隔が２〜３μ鶴程度と狭い
部分においてもＡｊのエツチング残りは生じず高密度パ
タンのエツチングも良好であった。
め極めて良く、またバタン間隔が２〜３μ鶴程度と狭い
部分においてもＡｊのエツチング残りは生じず高密度パ
タンのエツチングも良好であった。
なお、本実施例では硝酸塩として硝酸アンモニウムを選
んだが、他の硝酸塩を用いても同様にＩＴＯ膜上のムｌ
膜のエツチングが可能である。
んだが、他の硝酸塩を用いても同様にＩＴＯ膜上のムｌ
膜のエツチングが可能である。
以上説明したように、本発明によるＩＴＯ膜上のムｌ膜
のエツチング方法では、工ＴＯ膜を全く侵食することな
くムｌ膜をエツチングすることが可能である。また、エ
ツチングは減圧下で行われる九め、均一性に優れておシ
、かつ高密度メタンの加工も可能である。更に、硝酸ア
ンモニウムの添加によシ、第１図に示すようなエツチン
グ時間の短縮という効果も生じている。
のエツチング方法では、工ＴＯ膜を全く侵食することな
くムｌ膜をエツチングすることが可能である。また、エ
ツチングは減圧下で行われる九め、均一性に優れておシ
、かつ高密度メタンの加工も可能である。更に、硝酸ア
ンモニウムの添加によシ、第１図に示すようなエツチン
グ時間の短縮という効果も生じている。
第１図は本発明で用いるりん酸に硝酸アンモニウムを添
加したエツチング液において、硝酸アンモニウムの添加
量と１μ偽のＡｌ膜エツチングにかかる時間の関係を表
すグラフ、第２図は従来の減圧法で用いられているエツ
チング装置の概略構成図である。
加したエツチング液において、硝酸アンモニウムの添加
量と１μ偽のＡｌ膜エツチングにかかる時間の関係を表
すグラフ、第２図は従来の減圧法で用いられているエツ
チング装置の概略構成図である。
Claims (1)
- １、ＩＴＯ膜と接触するアルミ膜の減圧エッチングにお
いて、エッチング液としてりん酸に硝酸塩を添加した液
を用いることを特徴とするアルミ膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11877987A JPH084084B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | アルミ膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11877987A JPH084084B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | アルミ膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284824A true JPS63284824A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH084084B2 JPH084084B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14744870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11877987A Expired - Lifetime JPH084084B2 (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | アルミ膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084084B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009066750A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | エッチング液組成物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102653026B1 (ko) * | 2019-03-07 | 2024-04-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP11877987A patent/JPH084084B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009066750A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | エッチング液組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH084084B2 (ja) | 1996-01-17 |
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