JPS63283095A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
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- JPS63283095A JPS63283095A JP11795487A JP11795487A JPS63283095A JP S63283095 A JPS63283095 A JP S63283095A JP 11795487 A JP11795487 A JP 11795487A JP 11795487 A JP11795487 A JP 11795487A JP S63283095 A JPS63283095 A JP S63283095A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン形成方法に係り、特にプリント基板等
の導体パターンを形成するためのパターン形成方法に関
する。
の導体パターンを形成するためのパターン形成方法に関
する。
プリント基板等の製造方法には、サブトラクティブ法、
セミアディティブ法、アディティブ法がある。第３図（
Ａ）乃至（Ｆ）は従来のサブトラクティブ法によるパタ
ーン形成方法の工程図である。第３図（Ａ）に示すよう
にプリント基板の基材７０はポリイミド系樹脂等の絶縁
体で形成された板材であり、基材７０の両面には銅箔７
２が張り付けられ、基材７０は両面銅張り積層板として
形成される。この銅箔７２は厚さ１８μｍ以上のものが
用いられる。また、第３図（Ｂ）に示すように基材７０
にはスルーホール７４が形成される場合がある。
セミアディティブ法、アディティブ法がある。第３図（
Ａ）乃至（Ｆ）は従来のサブトラクティブ法によるパタ
ーン形成方法の工程図である。第３図（Ａ）に示すよう
にプリント基板の基材７０はポリイミド系樹脂等の絶縁
体で形成された板材であり、基材７０の両面には銅箔７
２が張り付けられ、基材７０は両面銅張り積層板として
形成される。この銅箔７２は厚さ１８μｍ以上のものが
用いられる。また、第３図（Ｂ）に示すように基材７０
にはスルーホール７４が形成される場合がある。
次に、第３図（Ｃ）に示すように銅箔７２の表面には無
電解銅メッキが行われ約１μｍのメッキ膜７６が形成さ
れる。無電解銅メッキ膜７６の形成後、第３図（Ｄ）に
示すように銅の電気メッキ或いは化学メッキによって約
３０μｍの厚い銅層７８を形成する。従って、基材７０
の表面には銅箔７２、無電解銅メッキ膜７６及び電気メ
ッキの銅層７８による約５０μｍの銅層を得ることがで
きる。
電解銅メッキが行われ約１μｍのメッキ膜７６が形成さ
れる。無電解銅メッキ膜７６の形成後、第３図（Ｄ）に
示すように銅の電気メッキ或いは化学メッキによって約
３０μｍの厚い銅層７８を形成する。従って、基材７０
の表面には銅箔７２、無電解銅メッキ膜７６及び電気メ
ッキの銅層７８による約５０μｍの銅層を得ることがで
きる。
次に、銅層７８面には第３図（Ｅ）に示すように所定の
パターンに形成されたレジスト層８０．８０が形成され
る。このレジスト層８０は光硬化性を有する感光性樹脂
から形成され、パターンを形成するには、銅層７８の表
面全域に感光性樹脂を形成した後、パターン作成用のフ
ィルムを重ねて露光、現像して硬化した部分以外を有機
溶剤によって溶解させて所定のパターンを得るようにし
たものである。レジスト層８０が形成するパターンは、
基材７０上に形成される導体パターンと同じものになっ
ている。レジスト層８０のパターン形成後、エツチング
液を用いて第３図（Ｆ）に示すようにレジスト層８０に
覆われない銅層７８、無電解メッキ層７６及び銅箔７２
の部分が除去処理される。
パターンに形成されたレジスト層８０．８０が形成され
る。このレジスト層８０は光硬化性を有する感光性樹脂
から形成され、パターンを形成するには、銅層７８の表
面全域に感光性樹脂を形成した後、パターン作成用のフ
ィルムを重ねて露光、現像して硬化した部分以外を有機
溶剤によって溶解させて所定のパターンを得るようにし
たものである。レジスト層８０が形成するパターンは、
基材７０上に形成される導体パターンと同じものになっ
ている。レジスト層８０のパターン形成後、エツチング
液を用いて第３図（Ｆ）に示すようにレジスト層８０に
覆われない銅層７８、無電解メッキ層７６及び銅箔７２
の部分が除去処理される。
従って、この方法では、レジスト層８０に覆われた銅層
７８の部分が残され、レジスト層８０のパターン通りに
基材７０上に導体パターンが形成される。
７８の部分が残され、レジスト層８０のパターン通りに
基材７０上に導体パターンが形成される。
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は別の従来のパターン形成方法
を示す要部工程図である。第４図（Ａ）に示すように基
材７０には第３図に示した従来の方法と同様に銅箔７２
、無電解銅メッキ膜７６及び電気メッキの銅層７８が形
成され、銅層７８面には所定のレジスト層８２のパター
ンが形成される。第３図に示した従来の方法と異なるの
は、レジスト層８２の形成パターンが異なる点である。
を示す要部工程図である。第４図（Ａ）に示すように基
材７０には第３図に示した従来の方法と同様に銅箔７２
、無電解銅メッキ膜７６及び電気メッキの銅層７８が形
成され、銅層７８面には所定のレジスト層８２のパター
ンが形成される。第３図に示した従来の方法と異なるの
は、レジスト層８２の形成パターンが異なる点である。
第４図に示すレジスト層８２の形成パターンは、基材７
０上に形成される導体パターンと異なり、基材７０上か
らエツチング除去される銅層８０部分のパターン、即ち
除去用パターンが形成される。
０上に形成される導体パターンと異なり、基材７０上か
らエツチング除去される銅層８０部分のパターン、即ち
除去用パターンが形成される。
従って、第４図（、Ａ）に示す銅層７２上にはレジスト
層８２の除去用パターンが形成されている。
層８２の除去用パターンが形成されている。
レジスト層８２のパターン形成後、第４図（Ｂ）に示す
ように銅層７８の表面には、アルキル系イミダソール化
合物からなる保護膜８４が形成される。イミダソール化
合物は銅層７８の表面と親和性があり、銅とキレートを
形成しやすい。保護膜８４の形成後、第４図（Ｃ）に示
すようにレジスト層８２が銅層７８の表面から剥離除去
され、エツチング処理が行われる。これにより、第４図
（Ｄ）に示すように剥離されたレジスト層７８の下層の
銅層７８、無電解銅メッキ層７６及び銅箔７２の部分が
除去処理される。従って、基材１０上には銅層の導体パ
ターンが残ることになる。
ように銅層７８の表面には、アルキル系イミダソール化
合物からなる保護膜８４が形成される。イミダソール化
合物は銅層７８の表面と親和性があり、銅とキレートを
形成しやすい。保護膜８４の形成後、第４図（Ｃ）に示
すようにレジスト層８２が銅層７８の表面から剥離除去
され、エツチング処理が行われる。これにより、第４図
（Ｄ）に示すように剥離されたレジスト層７８の下層の
銅層７８、無電解銅メッキ層７６及び銅箔７２の部分が
除去処理される。従って、基材１０上には銅層の導体パ
ターンが残ることになる。
しかしながら、第３図及び第４図に示す従来の方法にお
いては、感光性樹脂からなるレジスト層８０．８２の形
成には手間と時間がかかる不具合がある。
いては、感光性樹脂からなるレジスト層８０．８２の形
成には手間と時間がかかる不具合がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、感光
性樹脂等のレジスト層のパターン形成工程を用いずに基
材上に導体パターンを容易に形成することのできるパタ
ーン形成方法を提案することを目的としている。
性樹脂等のレジスト層のパターン形成工程を用いずに基
材上に導体パターンを容易に形成することのできるパタ
ーン形成方法を提案することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、基材に形成した銅
層の表面に銅酸化膜の除去用パターンを形成し、次に銅
と親和性を有する有機物から成る保護膜を銅層面に形成
し、前記保護膜と親和性のない銅酸化膜の除去及びその
下の銅層をエツチング液で除去処理して基材に導体パタ
ーンを形成することを特徴とする。
層の表面に銅酸化膜の除去用パターンを形成し、次に銅
と親和性を有する有機物から成る保護膜を銅層面に形成
し、前記保護膜と親和性のない銅酸化膜の除去及びその
下の銅層をエツチング液で除去処理して基材に導体パタ
ーンを形成することを特徴とする。
本発明に係るパターン形成方法によれば、基材に形成し
た銅層表面に銅酸化膜から成る除去用パターンを容易に
形成した後、導体パターンとして残す銅層表面に保護膜
を形成し、エツチング液で保護膜に覆われない酸化膜の
除去及びその下の銅層を除去処理するので、基材上には
感光性樹脂のレジスト層を用いることなく導体パターン
を形成することができる。
た銅層表面に銅酸化膜から成る除去用パターンを容易に
形成した後、導体パターンとして残す銅層表面に保護膜
を形成し、エツチング液で保護膜に覆われない酸化膜の
除去及びその下の銅層を除去処理するので、基材上には
感光性樹脂のレジスト層を用いることなく導体パターン
を形成することができる。
以下添付図面にしたがって本発明に係るパターン形成方
法の好ましい実施例を詳説する。
法の好ましい実施例を詳説する。
第１図（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明に係るパターン形成方
法の工程図である。第１図（Ａ）に示すようにプリント
基板の基材１０はポリイミド系樹脂で形成され、基材１
０の表面には銅箔１２が張付けられる。従って、基材１
０は両面が銅張りにされた積層板として形成される。次
に第１図（Ｂ）に示すように銅箔１２を張付けた基材１
０にはスルーホール１４が開口形成される。次いで第１
図（Ｃ）に示すように銅箔１２の表面及びスルーホール
１４内に無電解銅メッキにより厚さ約１μｍの無電解銅
メッキ膜１６が形成される。
法の工程図である。第１図（Ａ）に示すようにプリント
基板の基材１０はポリイミド系樹脂で形成され、基材１
０の表面には銅箔１２が張付けられる。従って、基材１
０は両面が銅張りにされた積層板として形成される。次
に第１図（Ｂ）に示すように銅箔１２を張付けた基材１
０にはスルーホール１４が開口形成される。次いで第１
図（Ｃ）に示すように銅箔１２の表面及びスルーホール
１４内に無電解銅メッキにより厚さ約１μｍの無電解銅
メッキ膜１６が形成される。
無電解銅メッキ膜１６の形成後、第１図（Ｄ）に示すよ
うに銅の電気メッキ或いは化学メッキによって約３０μ
ｍの厚い銅層１８が形成される。
うに銅の電気メッキ或いは化学メッキによって約３０μ
ｍの厚い銅層１８が形成される。
従って基板１０の表面には銅箔１２、無電解銅メッキ膜
１６及び電気メッキの銅層１８による約５０μｍの銅層
が形成される。
１６及び電気メッキの銅層１８による約５０μｍの銅層
が形成される。
次に第１図（Ｅ）に示すように銅層１８の表面には、銅
酸化膜２０による所定のパターンが形成される。銅酸化
膜２０のパターンは基板１０上に形成される導体パター
ンではなく、基板１０からエツチング除去される銅層１
８部分のパターン、即ち除去用パターンである。銅酸化
膜２０及びそのパターンの形成方法は、酸素雰囲気のも
とて直接銅層１８の表面にレーザー照射することによっ
て行うことができる。このレーザー照射によって、銅層
１８の表面は酸化され酸化第一銅の酸化膜２０が形成さ
れる。又、酸化方法としては、これ以外に化学的な方法
、例えば過酸化水素水、亜塩素酸す） ＩＪウムと水酸
化ナトリウムの混合液又はカマンガン酸カリウムと水酸
化ナトリウムの混合液を銅層１８の表面に塗布して行う
ことができる。
酸化膜２０による所定のパターンが形成される。銅酸化
膜２０のパターンは基板１０上に形成される導体パター
ンではなく、基板１０からエツチング除去される銅層１
８部分のパターン、即ち除去用パターンである。銅酸化
膜２０及びそのパターンの形成方法は、酸素雰囲気のも
とて直接銅層１８の表面にレーザー照射することによっ
て行うことができる。このレーザー照射によって、銅層
１８の表面は酸化され酸化第一銅の酸化膜２０が形成さ
れる。又、酸化方法としては、これ以外に化学的な方法
、例えば過酸化水素水、亜塩素酸す） ＩＪウムと水酸
化ナトリウムの混合液又はカマンガン酸カリウムと水酸
化ナトリウムの混合液を銅層１８の表面に塗布して行う
ことができる。
銅酸化膜２０の形成後、第１図（Ｆ）に示すように銅層
１８の表面には保護膜２２が形成される。
１８の表面には保護膜２２が形成される。
保護膜２２は有機物質からなり、例えば特公昭５１−１
８８９６号公報に示されたイミダゾール化合物、特にア
ルキル系イミダゾ−）Ｈ銅キレート剤等が用いられる。
８８９６号公報に示されたイミダゾール化合物、特にア
ルキル系イミダゾ−）Ｈ銅キレート剤等が用いられる。
保護膜２２は銅量外の金属とは親和性がないため、銅酸
化膜２０の表面には付着しない。従って、保護膜２２は
銅層１８の表面のみに形成される。
化膜２０の表面には付着しない。従って、保護膜２２は
銅層１８の表面のみに形成される。
次に第１図（Ｇ）に示すように銅酸化膜２０はアルカリ
性溶液で溶解除去され、基板１０がアルカリ性エツチン
グ液に浸されエツチング処理される。これにより、保護
膜２２に覆われた部分以外の銅層１８、無電解銅メッキ
膜１６及び銅箔１２が溶解除去される。次に、第１図（
Ｈ）に示すように保護膜２２が酸性溶液によって取り除
かれて導体パターンが形成される。
性溶液で溶解除去され、基板１０がアルカリ性エツチン
グ液に浸されエツチング処理される。これにより、保護
膜２２に覆われた部分以外の銅層１８、無電解銅メッキ
膜１６及び銅箔１２が溶解除去される。次に、第１図（
Ｈ）に示すように保護膜２２が酸性溶液によって取り除
かれて導体パターンが形成される。
前記の如く構成された本発明に係るパターン形成方法に
よれば、第１図ＣＦ）に示すように銅酸化膜２０は、保
護膜２２であるイミダゾール化合物と親和性がなく、そ
の表面にイミダソール化合物の保護膜を形成することが
できない。
よれば、第１図ＣＦ）に示すように銅酸化膜２０は、保
護膜２２であるイミダゾール化合物と親和性がなく、そ
の表面にイミダソール化合物の保護膜を形成することが
できない。
第２図は銅及び酸化銅のエツチング処理時間に対するエ
ツチング量を示す特性線図である。、第２図に示すよう
に特性線Ａは銅表面にイミダゾール化合物の保護膜２２
の形成処理をした特性線である。銅を保護膜２２で保護
すると、エツチング処理が遅くなり保護されることがわ
かる。一方、特性線Ｂは酸化銅をエツチング処理したも
のであり、特性線Ｃは酸化銅表面に保護膜２２（イミダ
ゾール化合物）の形成処理したものである。特性線Ｂ及
びＣを比較すると、酸化銅は保護膜２２形成処理の効果
が全く見られないことがわかる。このため、銅酸化膜２
０は保護膜２２によって保護されないことがわかる。従
って、銅層１８の酸化膜２０部分には、保護膜２２が形
成されず、エツチング処理によって銅酸化膜２０の下の
銅層１８が除去され、基材１０上には所定の導体パター
ンが形成される。
ツチング量を示す特性線図である。、第２図に示すよう
に特性線Ａは銅表面にイミダゾール化合物の保護膜２２
の形成処理をした特性線である。銅を保護膜２２で保護
すると、エツチング処理が遅くなり保護されることがわ
かる。一方、特性線Ｂは酸化銅をエツチング処理したも
のであり、特性線Ｃは酸化銅表面に保護膜２２（イミダ
ゾール化合物）の形成処理したものである。特性線Ｂ及
びＣを比較すると、酸化銅は保護膜２２形成処理の効果
が全く見られないことがわかる。このため、銅酸化膜２
０は保護膜２２によって保護されないことがわかる。従
って、銅層１８の酸化膜２０部分には、保護膜２２が形
成されず、エツチング処理によって銅酸化膜２０の下の
銅層１８が除去され、基材１０上には所定の導体パター
ンが形成される。
尚、前記実施例に於いては、スルーホール１４を形成し
たため、銅箔１２に無電解銅メッキ膜１６を形成したが
、これに限るものではなく、直接銅箔１２面に銅層１８
を形成して所定の導体パターンを形成してもよい。
たため、銅箔１２に無電解銅メッキ膜１６を形成したが
、これに限るものではなく、直接銅箔１２面に銅層１８
を形成して所定の導体パターンを形成してもよい。
以上説明したように本発明に係る、パターン形成方法に
よれば、基材に形成した銅層の表面に銅酸化膜の除去用
パターンを形成し、銅層に保護膜を形成させた時に銅酸
化膜に保護膜が形成されず、銅酸化膜及びその下層の銅
層がエツチング除去処理されるので、基材には容易に導
体パターンが形成される。
よれば、基材に形成した銅層の表面に銅酸化膜の除去用
パターンを形成し、銅層に保護膜を形成させた時に銅酸
化膜に保護膜が形成されず、銅酸化膜及びその下層の銅
層がエツチング除去処理されるので、基材には容易に導
体パターンが形成される。
第１図（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明に係る、パターン形成
方法の工程図、第２図は銅表面のエツチング処理時間と
エツチング量の特性線図、第３図（Ａ）乃至（Ｆ）は従
来のパターン形成方法の工程図、第４図（Ａ）乃至（Ｄ
）は従来の他のパターン形成方法の工程図である。 １０・・・基材、 １２・・・銅箔、 １６・・・
無電解銅メッキ膜、 １８・・・銅層、 ２０・・・
銅酸化膜、２２・・保護膜。 出願人 日立プラント建設株式会社 第１図 （Ｄ） ニー・アチンゲンＢ王里時閣（七ｋ） 第３図
方法の工程図、第２図は銅表面のエツチング処理時間と
エツチング量の特性線図、第３図（Ａ）乃至（Ｆ）は従
来のパターン形成方法の工程図、第４図（Ａ）乃至（Ｄ
）は従来の他のパターン形成方法の工程図である。 １０・・・基材、 １２・・・銅箔、 １６・・・
無電解銅メッキ膜、 １８・・・銅層、 ２０・・・
銅酸化膜、２２・・保護膜。 出願人 日立プラント建設株式会社 第１図 （Ｄ） ニー・アチンゲンＢ王里時閣（七ｋ） 第３図
Claims (3)
- （１）基材に形成した銅層の表面に銅酸化膜の除去用パ
ターンを形成し、 次に銅と親和性を有する有機物から成る保護膜を銅層面
に形成し、 前記保護膜と親和性のない銅酸化膜の除去及びその下の
銅層をエッチング液で除去処理して基材に導体パターン
を形成することを特徴としたパターン形成方法。 - （２）前記保護膜物質は銅とキレートを形成する有機物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパ
ターン形成方法。 - （３）前記銅キレート有機物はイミダゾール化合物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11795487A JPS63283095A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11795487A JPS63283095A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283095A true JPS63283095A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14724353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11795487A Pending JPS63283095A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101854779A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-10-06 | 惠州中京电子科技股份有限公司 | 一种金属化半孔的制作工艺 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP11795487A patent/JPS63283095A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101854779A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-10-06 | 惠州中京电子科技股份有限公司 | 一种金属化半孔的制作工艺 |
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