JPS63277512A - 超伝導セラミックペ−スト - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Y−Ba−Cu−0系、La −5r −Go −0系
あるいはSc −Ba −Cu −0系の超電導セラミ
ックス中に金属Cu番分散させ機械的強度を増大させた
超伝導セラミックペーストを提供する。
あるいはSc −Ba −Cu −0系の超電導セラミ
ックス中に金属Cu番分散させ機械的強度を増大させた
超伝導セラミックペーストを提供する。
本発明は超伝導セラミックペーストに係り、特に金属C
nを分散させ機械的強度を増大させた超伝導セラミック
ペーストに関するものである。
nを分散させ機械的強度を増大させた超伝導セラミック
ペーストに関するものである。
ハイブリッドICや多層回路基板に用いる伝送線路は主
に金属の導体材料をバインダ、溶剤、可塑剤等からなる
ビヒクルと均一に混合されペースト状としたものを約1
000℃前後で熱処理され形成される。このように導体
ペーストは伝送線路となるので電気抵抗が低いことが要
求されている。
に金属の導体材料をバインダ、溶剤、可塑剤等からなる
ビヒクルと均一に混合されペースト状としたものを約1
000℃前後で熱処理され形成される。このように導体
ペーストは伝送線路となるので電気抵抗が低いことが要
求されている。
従来上記導体ペーストの導体材料として電気抵抗が低い
An (固有抵抗2.3μΩ・ell) 、Cu(固
有抵抗1.7μΩ・C11)あるいはマイグレーション
を抑制したAg−Pd、等が用いられていた。しかしな
がら導体ペースト用としてより電気抵抗の低い導体の使
用が望まれていた。
An (固有抵抗2.3μΩ・ell) 、Cu(固
有抵抗1.7μΩ・C11)あるいはマイグレーション
を抑制したAg−Pd、等が用いられていた。しかしな
がら導体ペースト用としてより電気抵抗の低い導体の使
用が望まれていた。
上記問題点は本発明によれば超伝導セラミックスに銅粉
末を分散させたことを特徴とする超伝導セラミックペー
ストによって解決される。
末を分散させたことを特徴とする超伝導セラミックペー
ストによって解決される。
すなわち本発明では回路基板の伝送線路(配線)材料と
して超伝導セラミックスを用いる。この超伝導セラミッ
クスは焼成後の最終組成はイツトリウム(Y)−バリウ
ム(Ba)−#i (Cu)−〇系、ランタン(La)
−ストロンチウム(Sr)−w4(cu)−o系、スカ
ンジウム(Sc)−バリウム(Ba)−銅(Cu)−〇
系等の液体窒素温度(77K)以上で超伝導現象を示す
もので、一般式はXo、b Y(+、4 ZOtx
(この式で3≦α≦4)(Xo、a Yo、h )zZ
o(y (この式で3≦α、!i:4)で表わされ、 X元素としてはB a I Ca + S r + M
gのうちの1種類の元素、あるいはBa6.hCao、
a等のそれらの中の2種類以上の元素が互いに固溶して
いてもよい。
して超伝導セラミックスを用いる。この超伝導セラミッ
クスは焼成後の最終組成はイツトリウム(Y)−バリウ
ム(Ba)−#i (Cu)−〇系、ランタン(La)
−ストロンチウム(Sr)−w4(cu)−o系、スカ
ンジウム(Sc)−バリウム(Ba)−銅(Cu)−〇
系等の液体窒素温度(77K)以上で超伝導現象を示す
もので、一般式はXo、b Y(+、4 ZOtx
(この式で3≦α≦4)(Xo、a Yo、h )zZ
o(y (この式で3≦α、!i:4)で表わされ、 X元素としてはB a I Ca + S r + M
gのうちの1種類の元素、あるいはBa6.hCao、
a等のそれらの中の2種類以上の元素が互いに固溶して
いてもよい。
Y元素としてはSc+ Y * La、 Ce、 Pr
+ Nd、 Sm+Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、LuまたはYo、hLaol等のそれ
らの中の2種類以上の元素が互いに固溶していてもよい
。
+ Nd、 Sm+Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、LuまたはYo、hLaol等のそれ
らの中の2種類以上の元素が互いに固溶していてもよい
。
更にZ元素としてはCu * A g + A nある
いはCu、、。
いはCu、、。
Ago、4等のそれらの中の2種類以上の元素が互いに
固溶していてもよい。αの範囲は超伝導を示すために必
要となる。
固溶していてもよい。αの範囲は超伝導を示すために必
要となる。
上記組成の超伝導セラミック材料は800〜1000℃
の温度範囲で焼結する。
の温度範囲で焼結する。
超伝導セラミックスを形成する前、いわゆる焼結前のペ
ースト組成としては上記超伝導セラミック材料組成で XについてBat Ca、 Sr %又はMgの酸化物
、炭酸塩又は硝酸塩を0.6モル%、又はそれらの2種
類以上の組合せ例えばBaO0,a6caOo、 2い
あるいはBaO*、si Ca0o1o MgOO,1
4等を番傘モ士蕎班用い、 YについてSc、 y 、 La+ Ce、 Pr+
Nd、 S+w+ Eu+Gd、 Tbl DY+ H
ot Er+ Tm、 yb又はLuの酸化物、炭酸塩
又は硝酸塩を0.2モル%、又はそれらの中の2種類以
上の組合せ例えばvtos。、+5Latos。、。S
等を用い、 2についてCu、Ag又はAnの酸化物、炭酸塩又は硝
酸塩を1モル%又はそれらの中の2種類板゛上の組合せ
例えばCu0o、a Ag0e、n等を用いることがで
きる。
ースト組成としては上記超伝導セラミック材料組成で XについてBat Ca、 Sr %又はMgの酸化物
、炭酸塩又は硝酸塩を0.6モル%、又はそれらの2種
類以上の組合せ例えばBaO0,a6caOo、 2い
あるいはBaO*、si Ca0o1o MgOO,1
4等を番傘モ士蕎班用い、 YについてSc、 y 、 La+ Ce、 Pr+
Nd、 S+w+ Eu+Gd、 Tbl DY+ H
ot Er+ Tm、 yb又はLuの酸化物、炭酸塩
又は硝酸塩を0.2モル%、又はそれらの中の2種類以
上の組合せ例えばvtos。、+5Latos。、。S
等を用い、 2についてCu、Ag又はAnの酸化物、炭酸塩又は硝
酸塩を1モル%又はそれらの中の2種類板゛上の組合せ
例えばCu0o、a Ag0e、n等を用いることがで
きる。
本発明に係る超伝導セラミックペーストは上記非金属無
機成分に金属銅(Cu)及び公知のバインダ、可塑剤、
及び高沸点溶剤を添加して構成されるンそれら成分の好
ましい組成範囲は、非金属無機材料粉末は50〜80重
量%、より好ましくは70重量%、金属Cu粉末は5〜
20重量%、より好ましくは10重量%、エチルセルロ
ース、ポリビニルブチラール(PVB)アクリル樹脂等
のバインダは0.5〜5重量%、より好ましくは1重量
%、テルピネオール等の高沸点溶剤は5〜20重量、よ
り好ましくは10重量%、ジブチルフタレート(DBP
)等の可塑剤は4〜20重量%、より好ましくは9重量
%である。
機成分に金属銅(Cu)及び公知のバインダ、可塑剤、
及び高沸点溶剤を添加して構成されるンそれら成分の好
ましい組成範囲は、非金属無機材料粉末は50〜80重
量%、より好ましくは70重量%、金属Cu粉末は5〜
20重量%、より好ましくは10重量%、エチルセルロ
ース、ポリビニルブチラール(PVB)アクリル樹脂等
のバインダは0.5〜5重量%、より好ましくは1重量
%、テルピネオール等の高沸点溶剤は5〜20重量、よ
り好ましくは10重量%、ジブチルフタレート(DBP
)等の可塑剤は4〜20重量%、より好ましくは9重量
%である。
本発明によれば従来の導体ペーストにおける導体部を超
伝導セラミックスと金属銅粉末としているので電気抵抗
を低下させた導体ペーストが得られる。
伝導セラミックスと金属銅粉末としているので電気抵抗
を低下させた導体ペーストが得られる。
以下本発明の詳細な説明する。
まず酸化バリウム(Bad)粉末42.5g、酸化イツ
トリウム(yzoi)粉末20.8g及び酸化銅(Cu
b)粉末36.7 gを非金属無機材料粉末として調合
し、更に金属銅粉末7g及びメチルエチルケトン(ME
K)100gを添加、調合する。
トリウム(yzoi)粉末20.8g及び酸化銅(Cu
b)粉末36.7 gを非金属無機材料粉末として調合
し、更に金属銅粉末7g及びメチルエチルケトン(ME
K)100gを添加、調合する。
この際Ba0−YtO+ CuO粉末を混合、圧粉し
、予め800〜1000℃の温度で熱処理して超伝導性
を有する粉末を用いてもよい。
、予め800〜1000℃の温度で熱処理して超伝導性
を有する粉末を用いてもよい。
上記のMEKを添加、調合した材料をボールミルで50
時間混合する0次にこの混合物にバインダとしてエチル
セルロース0.9g、高沸点溶剤としてテルピネオール
2.5g、可塑剤としてジブチルフタレー) 2.6
gを添加し、第一次混練としてらいかい機中で10時間
混合する。次に三本ロールミルによりこのペースト状の
ものを45回通しペーストとする。この時の粘時は20
00 Pであった。
時間混合する0次にこの混合物にバインダとしてエチル
セルロース0.9g、高沸点溶剤としてテルピネオール
2.5g、可塑剤としてジブチルフタレー) 2.6
gを添加し、第一次混練としてらいかい機中で10時間
混合する。次に三本ロールミルによりこのペースト状の
ものを45回通しペーストとする。この時の粘時は20
00 Pであった。
次にこのペーストをアルミナ基板上に300メツシユの
スクリーンを印刷し線路(配線)を形成する。
スクリーンを印刷し線路(配線)を形成する。
これを窒素あるいはアルゴン等の不活性ガス雰囲気中9
00℃の温度で6時間焼成し導体化した。
00℃の温度で6時間焼成し導体化した。
この導体は第1図に示すように77Kにおいて電気抵抗
値が零となった。
値が零となった。
なお本発明は、下記(1)式
%式%(1)
:
で示される超伝導セラミックスについて適用され得るも
のである。
のである。
以上説明したように本発明によれば回路基板の配線材を
液体窒素温度以上で電気抵抗零とすることが可能となる
。また超伝導セラミック組成物中に銅が分散しているの
で機械的強度、特に靭性に優れた線路が形成され、断線
の可能性を防止することができる。
液体窒素温度以上で電気抵抗零とすることが可能となる
。また超伝導セラミック組成物中に銅が分散しているの
で機械的強度、特に靭性に優れた線路が形成され、断線
の可能性を防止することができる。
第1図は本発明に係る一実施例の超伝導セラミックス配
線の電気抵抗温度依存性を示す図である。 手続補正書(自発) 昭和63年8月ノ0日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第112550号 2、発明の名称 超伝導セラミックペースト 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒105東京都港区虎ノ門−丁目8番10号5、
補正の対象 明細書(全文) 6、補正の内容 別紙の通り 7、添付書類の目録 全文補正明細書 1通全文補正明細
書 10発明の名称 超伝導セラミックペースト 2、特許請求の範囲 1≦b≦2. 1≦C≦2、 m−13」ごじL工 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は超伝導セラミックペーストに係り、特にY −
Ba−Cu−0系、La−5r−Cu−0系、あるいは
5c−Ba−Cu−0系等の高温Tc超伝導セラミック
スにおいて金属Cuを混合してペーストの性能を向上さ
せた超伝導セラミックペーストに関するものである。 ハイブリッドICや多層回路基板に用いる伝送線路は主
に金属の導体材料をバインダ、溶剤、可塑剤等からなる
ビヒクルと均一に混合されペースト状としたものを約1
000℃前後で熱処理され形成される。このように導体
ペーストは伝送線路となるので電気抵抗が低いことが要
求されている。 〔従来の技術〕 従来上記導体ペーストの導体材料として電気抵抗が低い
Au(固有抵抗2.3μΩ・clI)、cu(固有抵抗
1.7μΩ・elm)あるいはマイグレーションを抑制
したAg −Pd 、等が用いられていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記の導体材料でもなお電気抵抗が高い
ので、より電気抵抗の低い導体の使用が望まれていた。 そこで、本発明は超伝導材料を半導体装置や回路基板に
適用することによって、電気抵抗の低い導体材料を提供
しようとするものである。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、この目的を達成するために、高温超伝導セラ
ミックス粉末を用いた超伝導セラミックペーストに金属
銅粉末を添加したことを特徴とする超伝導セラミックペ
ーストを提供するものである。 すなわち、本発明では回路基板の伝送線路(配線)等の
導体材料として超伝導セラミックスを用いることを可能
にするための高温Tc超伝導セラミック形成用ペースト
を提供する。 高温Tc超伝導セラミックとは、最近開発された液体窒
素温度<77K)以上の温度で超伝導現象を示すことが
できる主として複合酸化物系セラミックスのことであり
、代表的には下記式で表わされるものがある。 (CM”0)−(M”zOsL−−) b (CuO)
c(0)aここで、Mff: Ba、Sr、Ca、Mg
のうちの少なくとも1種、 M” : Y * Sc + La + Ce 、Pr
r Nd r Sta+ Eu。 Gd 、 Tb 、 Ho 、 Er 、 Tm 、
Yb 、 Luのうちの少なくとも1種、 0、5≧a≦0.9. 1≦b≦2. 1≦C≦2、 −1<d<2゜ そのほか、ビスマス系、タリウム系の高温TC超伝導セ
ラミックが見い出されているが、それらにも本発明は適
用可能である。 このような高温Tc超伝導セラミックペーストは、高温
超伝導セラミックス粉末と、その超伝導セラミック粉末
を分散させ、ペーストとしての適当な取扱い性を付与す
るための分散媒とからなる。 高温超伝導セラミックス粉末は、成分金属の酸化物、炭
酸塩、硝酸塩、水酸化物又は金属単体からなる出発混合
粉末を酸素含を雰囲気中800〜1000℃程度で焼成
し、必要に応じて酸素雰囲気中でアニールして高温超伝
導セラミックスのバルクを得、これを粉砕して作製する
ことができる。超伝導セラミックス粉末はペースト中好
ましくは6790w t%、より好ましくは80−t%
の量で用いられる。 分散媒はバインダ、可塑剤、溶剤(高沸点溶剤)等によ
って構成される。バインダとしてはエチルセルロース、
ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等からなり、ペー
スト中に好ましくは0.5〜5wt%、より好ましくは
1wt%の量で用いられる゛。 可塑剤はジブチルフタレートなどからムリ、好ましくは
4〜20wt%、より好ましくは9wt%の量で用いら
れる。高沸点溶剤はテルピネナールなどからなり、好ま
しくは5〜20wt%、より好ましくは10wL%の量
で用いる。その他の添加剤(界面活性剤、チタン又はシ
ランカップリング剤、など)を必要に応じて添加しても
よいことはもちろんである。 本発明の超伝導セラミックペーストの最大の特徴は、ペ
ースト中に超伝導セラミック粉末に加えて金属銅を添加
することである。金属銅の添加量は超伝導セラミック1
00重量部に対して2〜15、好ましくは5〜IO重量
部とする。添加量が少ないと効果がなく、多すぎると焼
成後の超伝導セラミックスの特性を低下させるおそれが
あるからである。金属銅は延性に優れているためにペー
ストの印刷適性を顕著に改良し、得られる超伝導パター
ンを鮮明にする効果を有する。 本発明の高温超伝導セラミックペーストはスクリーン印
刷法などの公知の方法で基板又はグリーンシート上に適
用後、酸素含有雰囲気中で800〜1000℃で焼成し
、必要に応じて酸素雰囲気中でアニールすることによっ
て超伝導セラミックとなる。 〔作 用〕 本発明によれば従来の導体ペーストにおける導体部を超
伝導セラミックスとしているので電気抵抗を低下させた
導体ペーストが得られ、かつペースト中に金属銅を用い
たことによってペーストの印刷適正、パターン形成性が
改良される。金属銅は焼成時に酸化され、焼成超伝導セ
ラミックス中に残るが、その量は微量なので超伝導性に
は影響しない。 〔実施例〕 以下に本発明の詳細な説明する。 まず酸化バリウム(Bad)粉末42.5 g 、酸化
イツトリウム(Yz03)粉末20.8g及び酸化fI
(CuO)粉末36.7 gを混合、圧粉し、予め酸素
含有雰囲気中で800〜1000℃の温度で熱処理して
超伝導セラミックスを作製し、これを圧粉して超伝導セ
ラミックス粉末とした。 この超伝導セラミックス粉末に金属銅粉末7g、メチル
エチルケトン100gを添加、調合し、この材料をボー
ルミルで50時間混合した。それからこの混合物にバイ
ンダとしてエチルセルロース0.9g、高沸点溶剤とし
てテルピネオール2.5g、可塑剤としてジブチルフタ
レー) 2.6 gを添加し、第一次混練としてらいか
い機中で10時間混合した。次に三本ロールミルにより
このペースト状のものを45回通しペーストとした。こ
の時の粘時は2000 Pであった。 それから、このペーストを高純度アルミナ基板(99,
7%A6!03、残部MgO及びCrt03:特公昭5
5−11483号公報参照)上に300メツシユのスク
リーンを用いて配線パターンを印刷した。 これを大気中(酸素雰囲気又は酸素と不活性ガスの混合
ガス雰囲気中でもよい)で900℃、6時間焼成した。 得られた配線パターンの電気抵抗を調べたところ、第1
図に示す如く、77Kにおいて超伝導現象を示すことが
確認された。 比較のために、上記と同様にして、但し、ペースト中に
金属銅粉末を含まないペーストを用いて配線パターンを
作製した。この配線パターンも77にで超伝導を示した
が、パターンには明らかな乱れ(変形)があり、金属銅
を含むペーストの効果が認められた。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば回路基板の配線材を
液体窒素温度以上で電気抵抗零とすることが可能となる
。また超伝導セラミック組成物中に銅が分散しているの
でペーストの印刷特性が改良され、きれいな超伝導セラ
ミックスパターンが得られ、またそのパターンが幅が小
さくても断線の可能性を防止することができる。 4、図面の簡単な説明 第1図は本発明に係る一実施例の超伝導セラミックス配
線の電気抵抗温度依存性を示す図である。
線の電気抵抗温度依存性を示す図である。 手続補正書(自発) 昭和63年8月ノ0日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第112550号 2、発明の名称 超伝導セラミックペースト 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒105東京都港区虎ノ門−丁目8番10号5、
補正の対象 明細書(全文) 6、補正の内容 別紙の通り 7、添付書類の目録 全文補正明細書 1通全文補正明細
書 10発明の名称 超伝導セラミックペースト 2、特許請求の範囲 1≦b≦2. 1≦C≦2、 m−13」ごじL工 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は超伝導セラミックペーストに係り、特にY −
Ba−Cu−0系、La−5r−Cu−0系、あるいは
5c−Ba−Cu−0系等の高温Tc超伝導セラミック
スにおいて金属Cuを混合してペーストの性能を向上さ
せた超伝導セラミックペーストに関するものである。 ハイブリッドICや多層回路基板に用いる伝送線路は主
に金属の導体材料をバインダ、溶剤、可塑剤等からなる
ビヒクルと均一に混合されペースト状としたものを約1
000℃前後で熱処理され形成される。このように導体
ペーストは伝送線路となるので電気抵抗が低いことが要
求されている。 〔従来の技術〕 従来上記導体ペーストの導体材料として電気抵抗が低い
Au(固有抵抗2.3μΩ・clI)、cu(固有抵抗
1.7μΩ・elm)あるいはマイグレーションを抑制
したAg −Pd 、等が用いられていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記の導体材料でもなお電気抵抗が高い
ので、より電気抵抗の低い導体の使用が望まれていた。 そこで、本発明は超伝導材料を半導体装置や回路基板に
適用することによって、電気抵抗の低い導体材料を提供
しようとするものである。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、この目的を達成するために、高温超伝導セラ
ミックス粉末を用いた超伝導セラミックペーストに金属
銅粉末を添加したことを特徴とする超伝導セラミックペ
ーストを提供するものである。 すなわち、本発明では回路基板の伝送線路(配線)等の
導体材料として超伝導セラミックスを用いることを可能
にするための高温Tc超伝導セラミック形成用ペースト
を提供する。 高温Tc超伝導セラミックとは、最近開発された液体窒
素温度<77K)以上の温度で超伝導現象を示すことが
できる主として複合酸化物系セラミックスのことであり
、代表的には下記式で表わされるものがある。 (CM”0)−(M”zOsL−−) b (CuO)
c(0)aここで、Mff: Ba、Sr、Ca、Mg
のうちの少なくとも1種、 M” : Y * Sc + La + Ce 、Pr
r Nd r Sta+ Eu。 Gd 、 Tb 、 Ho 、 Er 、 Tm 、
Yb 、 Luのうちの少なくとも1種、 0、5≧a≦0.9. 1≦b≦2. 1≦C≦2、 −1<d<2゜ そのほか、ビスマス系、タリウム系の高温TC超伝導セ
ラミックが見い出されているが、それらにも本発明は適
用可能である。 このような高温Tc超伝導セラミックペーストは、高温
超伝導セラミックス粉末と、その超伝導セラミック粉末
を分散させ、ペーストとしての適当な取扱い性を付与す
るための分散媒とからなる。 高温超伝導セラミックス粉末は、成分金属の酸化物、炭
酸塩、硝酸塩、水酸化物又は金属単体からなる出発混合
粉末を酸素含を雰囲気中800〜1000℃程度で焼成
し、必要に応じて酸素雰囲気中でアニールして高温超伝
導セラミックスのバルクを得、これを粉砕して作製する
ことができる。超伝導セラミックス粉末はペースト中好
ましくは6790w t%、より好ましくは80−t%
の量で用いられる。 分散媒はバインダ、可塑剤、溶剤(高沸点溶剤)等によ
って構成される。バインダとしてはエチルセルロース、
ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等からなり、ペー
スト中に好ましくは0.5〜5wt%、より好ましくは
1wt%の量で用いられる゛。 可塑剤はジブチルフタレートなどからムリ、好ましくは
4〜20wt%、より好ましくは9wt%の量で用いら
れる。高沸点溶剤はテルピネナールなどからなり、好ま
しくは5〜20wt%、より好ましくは10wL%の量
で用いる。その他の添加剤(界面活性剤、チタン又はシ
ランカップリング剤、など)を必要に応じて添加しても
よいことはもちろんである。 本発明の超伝導セラミックペーストの最大の特徴は、ペ
ースト中に超伝導セラミック粉末に加えて金属銅を添加
することである。金属銅の添加量は超伝導セラミック1
00重量部に対して2〜15、好ましくは5〜IO重量
部とする。添加量が少ないと効果がなく、多すぎると焼
成後の超伝導セラミックスの特性を低下させるおそれが
あるからである。金属銅は延性に優れているためにペー
ストの印刷適性を顕著に改良し、得られる超伝導パター
ンを鮮明にする効果を有する。 本発明の高温超伝導セラミックペーストはスクリーン印
刷法などの公知の方法で基板又はグリーンシート上に適
用後、酸素含有雰囲気中で800〜1000℃で焼成し
、必要に応じて酸素雰囲気中でアニールすることによっ
て超伝導セラミックとなる。 〔作 用〕 本発明によれば従来の導体ペーストにおける導体部を超
伝導セラミックスとしているので電気抵抗を低下させた
導体ペーストが得られ、かつペースト中に金属銅を用い
たことによってペーストの印刷適正、パターン形成性が
改良される。金属銅は焼成時に酸化され、焼成超伝導セ
ラミックス中に残るが、その量は微量なので超伝導性に
は影響しない。 〔実施例〕 以下に本発明の詳細な説明する。 まず酸化バリウム(Bad)粉末42.5 g 、酸化
イツトリウム(Yz03)粉末20.8g及び酸化fI
(CuO)粉末36.7 gを混合、圧粉し、予め酸素
含有雰囲気中で800〜1000℃の温度で熱処理して
超伝導セラミックスを作製し、これを圧粉して超伝導セ
ラミックス粉末とした。 この超伝導セラミックス粉末に金属銅粉末7g、メチル
エチルケトン100gを添加、調合し、この材料をボー
ルミルで50時間混合した。それからこの混合物にバイ
ンダとしてエチルセルロース0.9g、高沸点溶剤とし
てテルピネオール2.5g、可塑剤としてジブチルフタ
レー) 2.6 gを添加し、第一次混練としてらいか
い機中で10時間混合した。次に三本ロールミルにより
このペースト状のものを45回通しペーストとした。こ
の時の粘時は2000 Pであった。 それから、このペーストを高純度アルミナ基板(99,
7%A6!03、残部MgO及びCrt03:特公昭5
5−11483号公報参照)上に300メツシユのスク
リーンを用いて配線パターンを印刷した。 これを大気中(酸素雰囲気又は酸素と不活性ガスの混合
ガス雰囲気中でもよい)で900℃、6時間焼成した。 得られた配線パターンの電気抵抗を調べたところ、第1
図に示す如く、77Kにおいて超伝導現象を示すことが
確認された。 比較のために、上記と同様にして、但し、ペースト中に
金属銅粉末を含まないペーストを用いて配線パターンを
作製した。この配線パターンも77にで超伝導を示した
が、パターンには明らかな乱れ(変形)があり、金属銅
を含むペーストの効果が認められた。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば回路基板の配線材を
液体窒素温度以上で電気抵抗零とすることが可能となる
。また超伝導セラミック組成物中に銅が分散しているの
でペーストの印刷特性が改良され、きれいな超伝導セラ
ミックスパターンが得られ、またそのパターンが幅が小
さくても断線の可能性を防止することができる。 4、図面の簡単な説明 第1図は本発明に係る一実施例の超伝導セラミックス配
線の電気抵抗温度依存性を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、超伝導セラミックスに銅粉末を分散させたことを特
徴とする超伝導セラミックペースト。 2、前記超伝導セラミック材料組成が次に示す一般式 X_0_._6Y_0_._4ZO_αまたは(X_0
_._4Y_0_._6)_2ZO_αで表わされ、こ
こで、3≦α≦4、 X:Ba、Ca、Sr、Mg、 Y:Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、
Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、及
びZ:Cu、Ag、An、であり、 各X、Y、及びZ群のそれぞれ一種類の元素又は二種類
以上の元素もしくは化合物が互いに固溶状態にある場合
を含んで選択された化合物の酸化物からなることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の超伝導セラミックペ
ースト。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62112550A JP2748931B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 超伝導セラミックペースト |
DE3853316T DE3853316T2 (de) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | Supraleitende Schaltungskarte und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
EP88304129A EP0290271B1 (en) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | Superconducting circuit board and process of manufacturing it |
CN88102627A CN1040937C (zh) | 1987-05-08 | 1988-05-07 | 超导电路板 |
CN91101166A CN1059349A (zh) | 1987-05-08 | 1991-02-23 | 一种用于形成超导陶瓷薄膜的涂料 |
US08/064,668 US5286713A (en) | 1987-05-08 | 1993-05-21 | Method for manufacturing an oxide superconducting circuit board by printing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62112550A JP2748931B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 超伝導セラミックペースト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63277512A true JPS63277512A (ja) | 1988-11-15 |
JP2748931B2 JP2748931B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=14589465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62112550A Expired - Lifetime JP2748931B2 (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-11 | 超伝導セラミックペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2748931B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6450324A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Sanyo Electric Co | Manufacture of oxide superconductive film |
JPH02206504A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 超電導材料加工物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63233071A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクスの作製方法 |
JPS63250014A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Hitachi Maxell Ltd | 複合材料 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62112550A patent/JP2748931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63233071A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクスの作製方法 |
JPS63250014A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Hitachi Maxell Ltd | 複合材料 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6450324A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Sanyo Electric Co | Manufacture of oxide superconductive film |
JPH02206504A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 超電導材料加工物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2748931B2 (ja) | 1998-05-13 |
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