JPS63277286A - 低温焼成型導電性ペ−スト - Google Patents
低温焼成型導電性ペ−ストInfo
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- JPS63277286A JPS63277286A JP11198987A JP11198987A JPS63277286A JP S63277286 A JPS63277286 A JP S63277286A JP 11198987 A JP11198987 A JP 11198987A JP 11198987 A JP11198987 A JP 11198987A JP S63277286 A JPS63277286 A JP S63277286A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント回路基板等に用いられる導電性ペース
トに関するもので、特に２００°Ｃ程度の低温での焼成
が可能な導電性ペーストに関するものである。
トに関するもので、特に２００°Ｃ程度の低温での焼成
が可能な導電性ペーストに関するものである。
電子機器用プリント回路基板等に用いられる導電性ペー
ストは従来金属粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルで構
成されており、前記基板に印刷後、約９００°Ｃで焼成
して導電回路が形成されている。
ストは従来金属粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルで構
成されており、前記基板に印刷後、約９００°Ｃで焼成
して導電回路が形成されている。
しかし前記導電性ペーストは焼成温度が高温であるため
、現在量も多く用いられているガラスエポキシ基板、紙
フェノール基板等の樹脂系基板に対しては使用する事が
出来ず、これら樹脂系基板に対しては、樹脂系の導電性
ペーストが用いられている。この導電性ペーストは金属
粉末と接着剤より構成されており、１００〜２００℃の
温度で樹脂を硬化させて回路を形成するものであるが、
この様にして得られる導体は導電性が充分でなく、又半
田付性も劣っており、表面に更にＮｆメッキ等を行なっ
てこれらの特性を改善する必要があった。
、現在量も多く用いられているガラスエポキシ基板、紙
フェノール基板等の樹脂系基板に対しては使用する事が
出来ず、これら樹脂系基板に対しては、樹脂系の導電性
ペーストが用いられている。この導電性ペーストは金属
粉末と接着剤より構成されており、１００〜２００℃の
温度で樹脂を硬化させて回路を形成するものであるが、
この様にして得られる導体は導電性が充分でなく、又半
田付性も劣っており、表面に更にＮｆメッキ等を行なっ
てこれらの特性を改善する必要があった。
尚導電性ペーストとは若干用途が異なるが、電磁波シー
ルド用として、カーボン又はＡｇの粉末を金属アルコキ
シド中に分散させた低温焼成型ペーストが提案されてい
る（工業材料ｖｏ１．３４（１９８６）、ｐ。１１７参
照）。しかし前記低温焼成型ペーストは、比抵抗が大き
い（１０１〜１０ツΩ・ｃｍ）、金属粉末としては酸化
しにくいＡｇ粉末等しか使用出来ない等の問題があり、
導電性ペーストとしては使用出来ないものであった。
ルド用として、カーボン又はＡｇの粉末を金属アルコキ
シド中に分散させた低温焼成型ペーストが提案されてい
る（工業材料ｖｏ１．３４（１９８６）、ｐ。１１７参
照）。しかし前記低温焼成型ペーストは、比抵抗が大き
い（１０１〜１０ツΩ・ｃｍ）、金属粉末としては酸化
しにくいＡｇ粉末等しか使用出来ない等の問題があり、
導電性ペーストとしては使用出来ないものであった。
本発明は上記の点に鑑み鋭意検討の結果なされた物であ
り、その目的とするところは、低温での焼成が可能で、
導電性、半田付性も良好な導電性ペーストを提供する事
である。
り、その目的とするところは、低温での焼成が可能で、
導電性、半田付性も良好な導電性ペーストを提供する事
である。
即ち本発明は、少量の水を混和してなる金属アルコキシ
ド中に比抵抗が６Ｘ１０”６Ω・ａｍ以下の金属粉末を
分散させ、該金属アルコキシドの割合が金属酸化物に換
算して５〜５０ｗｔ％となる様にした事を特徴とする低
温焼成型導電性ペーストである。
ド中に比抵抗が６Ｘ１０”６Ω・ａｍ以下の金属粉末を
分散させ、該金属アルコキシドの割合が金属酸化物に換
算して５〜５０ｗｔ％となる様にした事を特徴とする低
温焼成型導電性ペーストである。
本発明における金属アルコキシドとしては、Ｓ ｉ
（ＯＣｚＨｓ）４、Ａｌ （ＯＣａＨ９）ｓ 、Ｓ ｒ
（ＯＣ３Ｈｔ）ｎ 、Ｂａ （ＯＣｔＨｔ）ｚ 、Ｐ
ｂ （ＱＣｓＨｉｔ）ｘ 、Ｔ ｉ （ＯＣｄ（＋
＋）ａ 、Ｚ ｒ （ＱＣｓＨｉｔ）４、Ｓｎ （
ＯＣｚＨｙ ）ａ 、Ｌａ （ＯＣ３Ｈ？）３ 、Ｎ
ａ０ＣｓＨ１等があり、これらを単独又は混合して用い
る事が出来る。ヌ金属粉末としては、Ｃｕ粉末、Ａｕ粉
末、Ａｇ粉末、Ａ ｇ−Ｐ ｄ粉末、Ｎｊ粉末、ＡＩ！
粉末、Ｍｏ粉末、Ｗ粉末等比抵抗が６Ｘ１０−’Ω・ｃ
ｍ以下の粉末を用いる必要があり、比抵抗が６Ｘ１０−
’Ω・ｃｍを超えると充分に良好な導電性を得ることが
出来ない。
（ＯＣｚＨｓ）４、Ａｌ （ＯＣａＨ９）ｓ 、Ｓ ｒ
（ＯＣ３Ｈｔ）ｎ 、Ｂａ （ＯＣｔＨｔ）ｚ 、Ｐ
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＋）ａ 、Ｚ ｒ （ＱＣｓＨｉｔ）４、Ｓｎ （
ＯＣｚＨｙ ）ａ 、Ｌａ （ＯＣ３Ｈ？）３ 、Ｎ
ａ０ＣｓＨ１等があり、これらを単独又は混合して用い
る事が出来る。ヌ金属粉末としては、Ｃｕ粉末、Ａｕ粉
末、Ａｇ粉末、Ａ ｇ−Ｐ ｄ粉末、Ｎｊ粉末、ＡＩ！
粉末、Ｍｏ粉末、Ｗ粉末等比抵抗が６Ｘ１０−’Ω・ｃ
ｍ以下の粉末を用いる必要があり、比抵抗が６Ｘ１０−
’Ω・ｃｍを超えると充分に良好な導電性を得ることが
出来ない。
本発明による導電性ペーストを２００°Ｃ程度の温度で
低温焼成すると、前記金属アルコキシドは熱反応により
金属酸化物に変化するが、この際に硬化し、しかも大き
な収縮を示す。そのため金属粉末の粒子間の接触が確実
なものとなり、充分に良好な導電性及び密着性を得るこ
とが出来、Ｃｕ又はＡｇ粉末を用いた場合の半田付性も
良好である０本発明において金属アルコキシドの割合を
金属酸化物に換算して５〜５０％の範囲内に限定したの
は、５％未満では低温焼成した際に充分に良好な導電性
、半田付性、密着性等を得ることが出来なく、又５０％
を超えると金属粉末の割合が少なくなりすぎて導電性が
低下するためであり、より好ましくは、１０〜４０％の
範囲内に限定すべきである 本発明における金属粉末としてＣｕ等の酸化しやすい金
属粉末を用いる場合は、オレイン酸の様な酸化防止剤を
添加するか或いはＮ８等の不活性ガス雰囲気中で焼成す
ることが望ましい。
低温焼成すると、前記金属アルコキシドは熱反応により
金属酸化物に変化するが、この際に硬化し、しかも大き
な収縮を示す。そのため金属粉末の粒子間の接触が確実
なものとなり、充分に良好な導電性及び密着性を得るこ
とが出来、Ｃｕ又はＡｇ粉末を用いた場合の半田付性も
良好である０本発明において金属アルコキシドの割合を
金属酸化物に換算して５〜５０％の範囲内に限定したの
は、５％未満では低温焼成した際に充分に良好な導電性
、半田付性、密着性等を得ることが出来なく、又５０％
を超えると金属粉末の割合が少なくなりすぎて導電性が
低下するためであり、より好ましくは、１０〜４０％の
範囲内に限定すべきである 本発明における金属粉末としてＣｕ等の酸化しやすい金
属粉末を用いる場合は、オレイン酸の様な酸化防止剤を
添加するか或いはＮ８等の不活性ガス雰囲気中で焼成す
ることが望ましい。
又存機質ビヒクルを添加して、回路をプリントする際の
粘度を調整することも出来、更に導電膜の強度を上げる
ために、接着剤、ガラス粉末、セラミックス粉末等を添
加しても差し支えない。
粘度を調整することも出来、更に導電膜の強度を上げる
ために、接着剤、ガラス粉末、セラミックス粉末等を添
加しても差し支えない。
本発明においては金属粉末を金属アルコキシド中に分散
させているので、２００ ’Ｃ程度の低温での焼成が可
能であり、かつ前記金属アルコキシドの割合を所定の範
囲内に限定しているので、充分に良好な導電性並びに半
田付性を得ることが出来る。又酸化防止剤を添加するか
或いは不活性ガス雰囲気中で焼成することにより、Ｃｕ
粉末等酸化しやすい金属粉末を用いることも可能である
。
させているので、２００ ’Ｃ程度の低温での焼成が可
能であり、かつ前記金属アルコキシドの割合を所定の範
囲内に限定しているので、充分に良好な導電性並びに半
田付性を得ることが出来る。又酸化防止剤を添加するか
或いは不活性ガス雰囲気中で焼成することにより、Ｃｕ
粉末等酸化しやすい金属粉末を用いることも可能である
。
〔実施例１）
次に本発明を実施例により更に１体的に説明する。
Ｓ ｉ （０（、Ｈ６）、 、ＡＮ （ＯＣ４Ｈ？
）３ 、及びＰ ｂ （ＯＣｓｌ（＋＋）ｚを２：ｌ
：２の割合で混合し、これに少量の水と微量のアルコー
ルを加えてバインダーを調整した。このバインダーとＣ
ｕ粉末（平均粒径５μｍ）を、第１表に示す様に、バイ
ンダーが金属酸化物に換算して所定の割合になる様に混
合して導電性ペーストを得た。これをガラスエポキシ基
板にスクリーン印刷して、２００°Ｃで６０分焼成した
。尚焼成はＣｕが酸化しない程度のＮ２ガス雰囲気（ｏ
ｘ：ｔ％）中及び大気中で行い、後者の場合は前記導電
性ペーストに更に５％オレイン酸を添加したものを用い
た。以上の様にして得られた導体について、比抵抗、半
田付性及び基板への密着強度を評価し、これらの結果を
まとめて第１表に示した。
）３ 、及びＰ ｂ （ＯＣｓｌ（＋＋）ｚを２：ｌ
：２の割合で混合し、これに少量の水と微量のアルコー
ルを加えてバインダーを調整した。このバインダーとＣ
ｕ粉末（平均粒径５μｍ）を、第１表に示す様に、バイ
ンダーが金属酸化物に換算して所定の割合になる様に混
合して導電性ペーストを得た。これをガラスエポキシ基
板にスクリーン印刷して、２００°Ｃで６０分焼成した
。尚焼成はＣｕが酸化しない程度のＮ２ガス雰囲気（ｏ
ｘ：ｔ％）中及び大気中で行い、後者の場合は前記導電
性ペーストに更に５％オレイン酸を添加したものを用い
た。以上の様にして得られた導体について、比抵抗、半
田付性及び基板への密着強度を評価し、これらの結果を
まとめて第１表に示した。
第 １ 表
ｏ−優、 ０−・−良、 八−・可
第 舌表 （続き）
◎・・・優、 ０〜良、 Δ・−可
第１表から明らかな欅に、Ｃｕ粉末の割合が本発明の範
囲内である本発明例Ｎｏ、１〜１２はいずれも比抵抗が
小さく、半田付性が良好で、基板への密着性も優れてい
る。−・方Ｃｕ粉末の割合が本発明の範囲外である比較
例Ｎｏ、１３〜１６は、比抵抗が大きく、半田付性も余
り良好でない。特にＣｕ粉末の割合が本発明の範囲より
も少ない比較例Ｎｏ、Ｌ３．１５は密着強度も不充分で
ある。
囲内である本発明例Ｎｏ、１〜１２はいずれも比抵抗が
小さく、半田付性が良好で、基板への密着性も優れてい
る。−・方Ｃｕ粉末の割合が本発明の範囲外である比較
例Ｎｏ、１３〜１６は、比抵抗が大きく、半田付性も余
り良好でない。特にＣｕ粉末の割合が本発明の範囲より
も少ない比較例Ｎｏ、Ｌ３．１５は密着強度も不充分で
ある。
〔実施例２〕
Ｓｉ （０（、Ｈｓ）ｎに少量の水と＠量のアルコー
ルを加えてバインダーを調整した。このバインダーとＭ
ｏ粉末を、バインダーが金属酸化物に換算して２０ｗｔ
％になる様に混合し、更に前記混合物の５ｗｔ％のエポ
キシ樹脂を加えて導電性ペーストを得た。これをガラス
エポキシ基板にスクリーン印刷して、２００”Ｃで６０
分、大気中で焼成した。その結果、比抵抗５Ｘ１０−’
Ω・ｃｍ、密着強度１．８ｋｇ／ｍｍ”の値が得られた
。
ルを加えてバインダーを調整した。このバインダーとＭ
ｏ粉末を、バインダーが金属酸化物に換算して２０ｗｔ
％になる様に混合し、更に前記混合物の５ｗｔ％のエポ
キシ樹脂を加えて導電性ペーストを得た。これをガラス
エポキシ基板にスクリーン印刷して、２００”Ｃで６０
分、大気中で焼成した。その結果、比抵抗５Ｘ１０−’
Ω・ｃｍ、密着強度１．８ｋｇ／ｍｍ”の値が得られた
。
〔実施例３〕
実施例２と同様にしてバインダーを調整し、このバイン
ダーとＡｕ粉末を、バインダーが金ｔｔａ化物に換算し
て２０ｗｔ％になる様に混合し、更に前記混合物の３ｗ
ｔ％のガラス粉末（軟化点約３５０°Ｃ）を加えて導電
性ペーストを得た。これを鉄ホーロー基板にスクリーン
印刷して、４００°Ｃで３０分大気中で焼成した。その
結果、非抵抗８ＸＩＱ−’Ω’ｃｍ、密着強度１密着強
度１．７ｋｇ価が得られた。
ダーとＡｕ粉末を、バインダーが金ｔｔａ化物に換算し
て２０ｗｔ％になる様に混合し、更に前記混合物の３ｗ
ｔ％のガラス粉末（軟化点約３５０°Ｃ）を加えて導電
性ペーストを得た。これを鉄ホーロー基板にスクリーン
印刷して、４００°Ｃで３０分大気中で焼成した。その
結果、非抵抗８ＸＩＱ−’Ω’ｃｍ、密着強度１密着強
度１．７ｋｇ価が得られた。
本発明による導電性ペーストは、低温での焼成が可能で
導電性も良好であり、樹脂系基板に対しても使用する事
ができる等工業上顕著な効果を奏するものである。
導電性も良好であり、樹脂系基板に対しても使用する事
ができる等工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- （１）少量の水を混和してなる金属アルコキシド中に比
抵抗が６×１０＾−＾６Ω・ｃｍ以下の金属粉末を分散
させ、該金属アルコキシドの割合が金属酸化物に換算し
て５〜５０ｗｔ％となる様にした事を特徴とする低温焼
成型導電性ペースト。 - （２）酸化防止剤、有機質ビヒクル、接着剤、ガラス粉
末、セラミックス粉末の群から選ばれた１種以上の物質
を含有する事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
低温焼成型導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11198987A JPS63277286A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 低温焼成型導電性ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11198987A JPS63277286A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 低温焼成型導電性ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277286A true JPS63277286A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14575156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11198987A Pending JPS63277286A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 低温焼成型導電性ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63277286A (ja) |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP11198987A patent/JPS63277286A/ja active Pending
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