JPS63276899A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS63276899A JPS63276899A JP62111216A JP11121687A JPS63276899A JP S63276899 A JPS63276899 A JP S63276899A JP 62111216 A JP62111216 A JP 62111216A JP 11121687 A JP11121687 A JP 11121687A JP S63276899 A JPS63276899 A JP S63276899A
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）現象を
利用した薄膜ＥＬ素子に関するものである。
利用した薄膜ＥＬ素子に関するものである。
「従来の技術」
エレクトロルミネッセンス現象を利用した発光素子の一
種に薄膜ＥＬ素子がある。この薄膜ＥＬ素子は、一対の
電極とこれら電極間に積層された発光層および絶縁層と
からなる発光セグメントをガラス基板上に多数配設した
構成となっている。
種に薄膜ＥＬ素子がある。この薄膜ＥＬ素子は、一対の
電極とこれら電極間に積層された発光層および絶縁層と
からなる発光セグメントをガラス基板上に多数配設した
構成となっている。
従来、このようなＮｉ膜ＥＬ素子としては、第３図に示
すようなものがある。この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板
！上にインジウムスズの酸化物（ＩＴＯ）などからなる
帯状の透明電極２が形成され、この透明電極２上に酸化
アルミニウム（Ａ１＊Ｏｓ）、酸化ケイ素（Ｓ ｉＯ＊
）、酸化タンタル（Ｔａ＊Ｏｓ）、窒化ケイ素（Ｓｉｓ
Ｎ４）などからなる第一絶縁層３が形成されている。こ
の第一絶縁層３上には、硫化亜鉛（Ｚ ｎＳ ）などの
母材にマンガン（Ｍ ｎ）などの付活剤を添加してなる
発光層４が形成され、この発光層４上には、上記第一絶
縁層３と同様な材料からなる第二絶縁層５が形成されて
いる。そして、この第二絶縁層５上には、アルミニウム
（Ａ Ｉ）などからなる帯状の背面電極６が上記透明電
極２と直交するようにして形成されている。
すようなものがある。この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板
！上にインジウムスズの酸化物（ＩＴＯ）などからなる
帯状の透明電極２が形成され、この透明電極２上に酸化
アルミニウム（Ａ１＊Ｏｓ）、酸化ケイ素（Ｓ ｉＯ＊
）、酸化タンタル（Ｔａ＊Ｏｓ）、窒化ケイ素（Ｓｉｓ
Ｎ４）などからなる第一絶縁層３が形成されている。こ
の第一絶縁層３上には、硫化亜鉛（Ｚ ｎＳ ）などの
母材にマンガン（Ｍ ｎ）などの付活剤を添加してなる
発光層４が形成され、この発光層４上には、上記第一絶
縁層３と同様な材料からなる第二絶縁層５が形成されて
いる。そして、この第二絶縁層５上には、アルミニウム
（Ａ Ｉ）などからなる帯状の背面電極６が上記透明電
極２と直交するようにして形成されている。
この薄膜ＥＬ素子では、複数の透明電極２と複数の背面
電極６とが発光Ｈ４を隔てて格子状に配され、これら電
極の交点が一つの発光セグメントを構成しており、所定
の組み合わせの透明電極２と背面電極６との間に高電圧
を印加したときに、これら電極の交点に位置する発光セ
グメントを発光させるようになっている。
電極６とが発光Ｈ４を隔てて格子状に配され、これら電
極の交点が一つの発光セグメントを構成しており、所定
の組み合わせの透明電極２と背面電極６との間に高電圧
を印加したときに、これら電極の交点に位置する発光セ
グメントを発光させるようになっている。
「発明が解決しようとする問題点」
ところで、薄膜ＥＬ素子では、第４図に示すように、印
加電圧を増加させていったとき、この印加電圧が所定の
しきい値に達したところで輝度が急激に立ち上がり、立
ち上がりから定常状態に達するまでの電圧変化が小さい
ため、電圧変調による明るさの中間調表示ができないと
いう問題点があった。
加電圧を増加させていったとき、この印加電圧が所定の
しきい値に達したところで輝度が急激に立ち上がり、立
ち上がりから定常状態に達するまでの電圧変化が小さい
ため、電圧変調による明るさの中間調表示ができないと
いう問題点があった。
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、電圧
変調による中間調表示が可能な薄膜ＥＬ素子を提供する
ことを目的としている。
変調による中間調表示が可能な薄膜ＥＬ素子を提供する
ことを目的としている。
「問題点を解決するための手段Ｊ
この発明の薄膜ＥＬ素子は、一対の電極とこれら電極間
に積層された発光層および絶縁層とからなる発光セグメ
ントが配設され、この発光セグメント内の絶縁層または
発光層の膜厚が段階的に変化しているものである。
に積層された発光層および絶縁層とからなる発光セグメ
ントが配設され、この発光セグメント内の絶縁層または
発光層の膜厚が段階的に変化しているものである。
この薄膜ＥＬ素子では、発光セグメント内の絶縁層また
は発光層の膜厚を変化させてこの発光セグメント内にし
きい値の異なる複数の発光部位を設け、これにより電圧
変調による中間調表示が可能となる。
は発光層の膜厚を変化させてこの発光セグメント内にし
きい値の異なる複数の発光部位を設け、これにより電圧
変調による中間調表示が可能となる。
以下、この発明の一例を第１図を参照して説明する。
この例の薄１１１ＥＬ素子は、従来の薄膜ＥＬ素子と同
様に、ガラス基板１上に帯状の透明電極２が形成されて
いる。この透明基板２上には、膜厚が三段階に変化した
第一絶縁層７が形成されている。
様に、ガラス基板１上に帯状の透明電極２が形成されて
いる。この透明基板２上には、膜厚が三段階に変化した
第一絶縁層７が形成されている。
この第一絶縁層７上には、発光層８と第二絶縁層９とが
順次積層され、上記第二絶縁Ｂ９上には、上記透明電極
２と直交するようにして帯状の背面電極ＩＯが形成され
ている。この薄膜ＥＬ素子では、複数の透明電極２と複
数の背面電極１０とが発光層８を隔てて格子状に配され
、これら透明電極２と背面電極ＩＯとの交点が−っの発
光セグメント１１を構成している。そして、この発光セ
グメント１１には、上記第一絶縁層７の膜厚が異なる部
位Ａ１部位Ｂ、部位Ｃの三つの部位が設けられている。
順次積層され、上記第二絶縁Ｂ９上には、上記透明電極
２と直交するようにして帯状の背面電極ＩＯが形成され
ている。この薄膜ＥＬ素子では、複数の透明電極２と複
数の背面電極１０とが発光層８を隔てて格子状に配され
、これら透明電極２と背面電極ＩＯとの交点が−っの発
光セグメント１１を構成している。そして、この発光セ
グメント１１には、上記第一絶縁層７の膜厚が異なる部
位Ａ１部位Ｂ、部位Ｃの三つの部位が設けられている。
このような薄膜ＥＬ素子を作成する場合には、まず、ガ
ラス基板ｌ上に透明電極２を帯状に形成し、この透明電
極２上に第１絶縁層７を膜厚が三段階になるようにして
形成する。このような膜厚が三段階の第一絶縁層７を形
成する場合には、まず、透明電極２上に第一絶縁層７を
部位Ｃの膜厚で一様に形成し、次いで、部位Ｃを隠蔽し
た状態で部位Ｂの膜厚に達するまで成膜し、この後、部
位Ｂおよび部位Ｃを隠蔽した状態で部位Ａの膜厚に達す
るまで成膜する。このようにして第一絶縁層７を形成し
た後、この第一絶縁層７上に発光層８と第二絶縁層９と
を順次積層し、さらに、上記第二絶縁層９上に背面電極
ｌＯを上記透明電極２と直交するようにして帯状に形成
する。、上記発光層８をスパッタ法により形成する場合
には、第一絶縁層７の上面に段部が形成されているため
、スパッタガスの圧力を上げ、比較的低い印加電圧でス
パッタすることが望ましい。このようにした場合には、
スパッタされた原子がスパッタガスの分子と衝突して飛
行方向を変えるため、この原子が回り込んで段部にも一
様に膜を付けることができる。また、このような段部上
に一様に成膜していった場合、この段部上に形成された
膜上にも段部が形成される。このため、上記第二絶縁層
９および上記背面電極１０を形成する場合にも上記と同
様な方法でスパッタすることが望ましい。
ラス基板ｌ上に透明電極２を帯状に形成し、この透明電
極２上に第１絶縁層７を膜厚が三段階になるようにして
形成する。このような膜厚が三段階の第一絶縁層７を形
成する場合には、まず、透明電極２上に第一絶縁層７を
部位Ｃの膜厚で一様に形成し、次いで、部位Ｃを隠蔽し
た状態で部位Ｂの膜厚に達するまで成膜し、この後、部
位Ｂおよび部位Ｃを隠蔽した状態で部位Ａの膜厚に達す
るまで成膜する。このようにして第一絶縁層７を形成し
た後、この第一絶縁層７上に発光層８と第二絶縁層９と
を順次積層し、さらに、上記第二絶縁層９上に背面電極
ｌＯを上記透明電極２と直交するようにして帯状に形成
する。、上記発光層８をスパッタ法により形成する場合
には、第一絶縁層７の上面に段部が形成されているため
、スパッタガスの圧力を上げ、比較的低い印加電圧でス
パッタすることが望ましい。このようにした場合には、
スパッタされた原子がスパッタガスの分子と衝突して飛
行方向を変えるため、この原子が回り込んで段部にも一
様に膜を付けることができる。また、このような段部上
に一様に成膜していった場合、この段部上に形成された
膜上にも段部が形成される。このため、上記第二絶縁層
９および上記背面電極１０を形成する場合にも上記と同
様な方法でスパッタすることが望ましい。
このようなＲａＥＬ素子を発光させる場合には、予め、
透明電極２および背面電極ＩＯに電源を接続しておく。
透明電極２および背面電極ＩＯに電源を接続しておく。
このようにした後、所定の組み合わせの透明電極２と背
面電極１０との間に高電圧を印加することによって所定
の発光、セグメント１１を発光させる。この場合、第２
図に示すように、一つの発光セグメントｌ！内の三つの
部位でそれぞれしきい値が異なる。したがって、この発
光セグメント１１を発光させる場合には、印加電圧をＣ
以上Ｂ以下とすると部位Ｃだけが発光し、Ｂ以上Ａ以下
とすると部位Ｂおよび部位Ｃが発光し、Ａ以上とすると
部位Ａ１部位８１部位Ｃの全てが発光することになる。
面電極１０との間に高電圧を印加することによって所定
の発光、セグメント１１を発光させる。この場合、第２
図に示すように、一つの発光セグメントｌ！内の三つの
部位でそれぞれしきい値が異なる。したがって、この発
光セグメント１１を発光させる場合には、印加電圧をＣ
以上Ｂ以下とすると部位Ｃだけが発光し、Ｂ以上Ａ以下
とすると部位Ｂおよび部位Ｃが発光し、Ａ以上とすると
部位Ａ１部位８１部位Ｃの全てが発光することになる。
このような薄膜ＥＬ素子によれば、発光セグメントｌｌ
内の第一絶縁層７の膜厚を段階的に変化させたので、こ
の発光セグメントｉｔの部位Ａ。
内の第一絶縁層７の膜厚を段階的に変化させたので、こ
の発光セグメントｉｔの部位Ａ。
部位Ｂ１部位Ｃを電圧の大きさに応じて段階的に発光さ
せていくことができる。このため、この発光セグメント
１１の発光面積を変化させて同発光セグメント１１全体
の輝度を変化させることができ、電圧変調による中間調
表示を行うことができる。また、一つの発光セグメント
１１を膜厚の異なる多数の部位に細かく分割したり、こ
れらの部位の膜厚変化の段階を多くすることによって、
中間調表糸の階調を増やすこともできる。さらに、この
薄膜ＥＬ素子では、電圧変調によって一つの発光セグメ
ント１１で複数のパターンを表示することもできる。
せていくことができる。このため、この発光セグメント
１１の発光面積を変化させて同発光セグメント１１全体
の輝度を変化させることができ、電圧変調による中間調
表示を行うことができる。また、一つの発光セグメント
１１を膜厚の異なる多数の部位に細かく分割したり、こ
れらの部位の膜厚変化の段階を多くすることによって、
中間調表糸の階調を増やすこともできる。さらに、この
薄膜ＥＬ素子では、電圧変調によって一つの発光セグメ
ント１１で複数のパターンを表示することもできる。
なお、この薄膜ＥＬ素子では、第一絶縁層７の膜厚を段
階的に変化させたが、発光層８または第二絶縁Ｗｉ９の
膜厚を変化させても同様に発光層に印加される電界の強
さが変化し、この場合にも、電圧変調による中間調表示
が可能となる。
階的に変化させたが、発光層８または第二絶縁Ｗｉ９の
膜厚を変化させても同様に発光層に印加される電界の強
さが変化し、この場合にも、電圧変調による中間調表示
が可能となる。
「発明の効果」
この発明の薄膜ＥＬ素子によれば、発光セグメント内の
絶縁層または発光層の膜厚を段階的に変化させたので、
この発光セグメント内の発光層を電圧の大きさに応じて
段階的に発光させていくことができる。このため、この
発光セグメントの発光面積を変化させて同発光セグメン
ト全体の輝度を変化させることができ、電圧変調による
中間調表示を行うことができる。また、一つの発光セグ
メントを膜厚の異なる多数の部位に細かく分割したり、
これらの部位の膜厚変化の段階を多くすることによって
、中間調表示の階調を増やすこともできる。さらに、こ
の薄膜ＥＬ素子では、電圧変調によって一つの発光セグ
メントで複数のパターンを表示することもできる。
絶縁層または発光層の膜厚を段階的に変化させたので、
この発光セグメント内の発光層を電圧の大きさに応じて
段階的に発光させていくことができる。このため、この
発光セグメントの発光面積を変化させて同発光セグメン
ト全体の輝度を変化させることができ、電圧変調による
中間調表示を行うことができる。また、一つの発光セグ
メントを膜厚の異なる多数の部位に細かく分割したり、
これらの部位の膜厚変化の段階を多くすることによって
、中間調表示の階調を増やすこともできる。さらに、こ
の薄膜ＥＬ素子では、電圧変調によって一つの発光セグ
メントで複数のパターンを表示することもできる。
第１図、第２図は、この発明の一例を示す図であって、
第１図は薄膜ＥＬ素子の概略構成断面図、第２図はこの
薄１ｉＥＬ素子の印加電圧−輝度特性表示したグラフで
ある。第３図、第４図は、従来の例を示す図であって、
第３図は薄膜ＥＬ素子の概略構成断面図、第４図はこの
薄膜ＥＬ素子の印加電圧−輝度特性を表示したグラフで
ある。 ２・・・・電極（透明電極）、 ７・・・・絶縁層（第一絶縁！ｉ１）、８・・・・発光
層、 ９・・・・絶縁層８（第二絶縁層）、 １０・・・・電極（背面電極）、 １１・・・・発光セグメント。
第１図は薄膜ＥＬ素子の概略構成断面図、第２図はこの
薄１ｉＥＬ素子の印加電圧−輝度特性表示したグラフで
ある。第３図、第４図は、従来の例を示す図であって、
第３図は薄膜ＥＬ素子の概略構成断面図、第４図はこの
薄膜ＥＬ素子の印加電圧−輝度特性を表示したグラフで
ある。 ２・・・・電極（透明電極）、 ７・・・・絶縁層（第一絶縁！ｉ１）、８・・・・発光
層、 ９・・・・絶縁層８（第二絶縁層）、 １０・・・・電極（背面電極）、 １１・・・・発光セグメント。
Claims (1)
- 一対の電極とこれら電極間に積層された発光層および
絶縁層とからなる発光セグメントが配設され、この発光
セグメント内の絶縁層または発光層の膜厚が段階的に変
化していることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111216A JPS63276899A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111216A JPS63276899A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276899A true JPS63276899A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14555469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111216A Pending JPS63276899A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276899A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048808A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111216A patent/JPS63276899A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009048808A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
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