JPS63272202A - 低雑音磁気同調共振回路 - Google Patents

低雑音磁気同調共振回路

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JPS63272202A
JPS63272202A JP63081140A JP8114088A JPS63272202A JP S63272202 A JPS63272202 A JP S63272202A JP 63081140 A JP63081140 A JP 63081140A JP 8114088 A JP8114088 A JP 8114088A JP S63272202 A JPS63272202 A JP S63272202A
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    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/215Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
    • H01P1/218Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters

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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気同調共振回路に関し、特に低雑音の磁気
的に同調される共振回路に関する。
(従来の技術) 当技術において周知のように、イツトリウム−鉄−ガー
ネット(YIG)フィルタの如き磁気同調共振回路が、
レーダー受信機のような多くの無線周波用途において使
用されている。磁気同調による共振回路の1つの用途は
、無線周波数発振器にある。特に、iつの形式の発振器
は、増Ill器のフィードバック回路に置かれたYIG
帯域フィルタを含むものである。開ループの利得および
発振器の位相条件がある周波数において同時に満たされ
る時、即ち開ループの利得が1よりも大きくかつ開ルー
プの位相シフトが2πラジアンの整数倍に等しい時、回
路はこの特定の周波数において発振器として作動する。
磁気同調共振回路に対する第2の用途は、干渉計型の周
波数弁別器における一分散性要素としてである。
例えば、典型的に高レベルの周波数変調(FM)雑音を
持つ(、E号を生じるマイク・口波電圧;1制御発振器
(VCO)は、周波数弁別器における分散性要素として
YIGフィルタを用いた周波数ロック・ループにより安
定化される。
これらの多くの用途においては、発振器の雑音性能は非
常に重要な案件である。例えば、ドツプラ・レーダーに
おいては、予期されるドツプラ周波数シフト程度の周波
数において生じる雑音であるベースバンド周波数におい
て生じる雑音が、レーダーのサブクラッタ可視度を減殺
することになる。上記の用途にいずれにおいても、YI
Gフィルタまたは電気同調共振回路が、回路に誘起され
る雑?:fに対して寄与する。この寄与は、特定の回路
における他の構成要素が低雑音要素である時特に重要と
なる。
従って、非常に低い雑音特性を持つマイクロ波に同調し
得る発振器を提供することが望ましい。
(発明の要約) 本発明によれば、磁気同調共振回路は、磁束を発生ずる
手段と、閉じられた磁束路を提供する手段とを含む。開
口を持つ電気不活性部材が111f記磁束路内に置かれ
、磁気回転部材が前記開L1内に置かれ、更にそこに前
記磁束を指向させる手段が配置されている。磁気同調共
振回路は更に、前記磁気回転部材を通るように指向され
た磁束の変動を低減させる手段を含む。このような構成
においては、前記磁気回転体に近い磁束における変動を
低減する前記手段は、磁気同調共振回路の共振周波数特
性の変動における付随する低減をもたらすことになる。
本発明の別の特質によれば、前記磁気回転部材を通るよ
うに指向され、る磁束における変動を低減させる手段は
、磁気回転体に対する支持部を提供する磁気不活性体の
導電率を低減させる手段を含む。この磁気不活性体の導
電率は、望ましくは導電(絶縁)物質を含む高い抵抗の
材料から磁気不活性体を作ることにより低減される。無
線周波構造体には、任意に導電性材料のコーティングを
施すことができる。このコーティングは、使用するマイ
クロ波周波数において、約1乃至10の範囲内の表皮深
さく5kin depth: 浸透厚)、望ましくは4
より小さな表皮深さの厚さを持つことが望ましい。更に
望ましくは、無線周波構造体の導電率は、この構造体の
電気的な連続性を破ることにより低減させられる。この
ような特定構成を用いて、無線周波構造体の導電率を実
質的に低減させることにより、共振体の周囲の無線周波
構造体において誘起した渦電流およびこれに伴う磁界の
変動もまた低減する。YIG球体における磁界の変動の
減少は、磁気同調共振回路の共振周波数における変動を
低減することになる。
本発明の更に別の特質によれば、磁束帰路は;内部に磁
気回転体を持つ磁気不活性体が置かれた1対の隔てられ
た面を含む。nη記磁気回転共振体を通るように指向さ
れた磁束における変動を低減する前記手段は、対をなす
対向する距離をおいた面を提供する1対の磁極キャップ
を含み、このキャップはフェライト材料からなり、共振
体に隣接して置かれている。このキヤ・ツブは、使用マ
イクロ波周波数において約1乃至10の表皮深さ、望ま
しくは4より小さな表皮深さの厚さを持つ導電材料で覆
われることが望ましい。このような構成により、閉じた
磁束帰路の対をなす対向した離間面部分を形成するため
1対のフェライト製磁極キャップを提供することにより
、このフェライト磁極キャップは渦電流に対して高い抵
抗性を提供し、このため、磁束における変動が低減する
。このように、YIG球体が置かれる領域における減少
しだ磁束の変動は、磁気同調共振回路の共振周波数にお
ける小さな変動を提供することになろう。
本発明の更に他の特質によれば、磁気不活性体に設けら
れた開口の直径は、この開口に跨がって置かれる球体の
直径の少なくとも5倍である。
このような構成を用いて、開L1の直径を増やすことに
より、前記球体は電気不活性体の開口の金属側壁の付近
から除去される。従って、これらの導電性のある側壁に
生しる電流は、磁気回転体に流れるよう指向された磁束
にお・ける実質的に減少した変動を提供することになろ
う。
本発明の他の特質によれば、発振器は、予め定めた振幅
を持つ電気信号を生じる手段と、前記振幅装置の入力に
対してnf記電気信号の−・部をフィードバックする手
段とを含む。このフィードバック装置は、前記信号に対
し予め定めた位相特性を与えるため、磁気同調共振回路
を含む手段を含んでいる。この磁気同調共振回路は、そ
の共振周波数の変動を低減させる手段を含む。このよう
な構成によれば、共振周波数における変動を低減させる
手段を持つ磁気同調共振回路を提供することにより自ら
を通るよう送られた信号に対して与えられる位相の雑音
が低減されることになり、従って発振器は比較的低い周
波数変調雑音レベルを持つことになろう。
本発明の更に他の特質°によれば、低い雑音の磁気同調
発振器は、電圧制御された発振を生じる手段と、電圧制
御発振手段からの周波数雑音を検出し、この検出された
雑音に応答して前記電圧制御された発振手段に対し信号
をフィードバックして発振手段における周波数変調雑音
を打消す装置を含む、前記電圧;tll+御された発振
装置の周I用に置かれたフィードバック回路手段とから
なる。
このフィードバック回路は更に、周波数弁別器およびビ
デオ信号増+iI器を含む。この周波数弁別器は、分散
性要素および発振器の周波数決定要素として用いられる
電気同調共振回路を含む。この磁気同調共振回路は、磁
気回転体を通るよう指向された磁束における変動を低減
させて、磁気同調共振回路の共振周波数における変動を
低減させる手段を含む。この特定の構成によれば、磁気
同調共振回路は、回路の周波数決定要素であり、電圧制
御された発振器における雑音を打消す信号を供給するた
めに用いられるので、磁気同調共振回路により寄与され
る雑音の減少は、マイクロ波発振器の周波数雑音におけ
る付随的な減少をもたらすことになる。
本発明の」−記の特徴ならびに本発明自体については、
添付の図面と共に以降の詳細な記述を読めば更に詳細に
理解されよう。
(実施例) 先ず第1図においては、発振器10の回路は、磁気同調
共振回路、本例では1−渉計望の周波数弁別器28にお
ける分散性要素として用いられるYIGフィルタ16を
含むことか示されている。
この弁別器28は、電圧it+(I御発振器(VCO)
+4のフィードバック回路!3に置かれている。フィー
ドバック回路13は、周波数弁別器28とビデオ信号増
11器25とを含む。この周波数弁別器28は、YIG
コイル・ドライバ26を介して送られた制御信号により
発振器の周波数に同調されたYIGフィルタ16と、発
振器IOの周波数において90°の位相シフトを生じる
装置と、位相検出器24(を衡ミキサー)とを含む。位
相検出器24は、マイクロ波の電圧1制御発振器14か
らのFM雑音を検出し、この検出された雑音をベースバ
ンド電圧に変換する。この電圧は、ビデオ増中器25に
より増巾され、整形フィルタ・17によりフィルタされ
、電圧制御された化m器に対して適正な位相で送出され
て周知めように発振器の;ト制御信号における周波改変
、m (FM)雑音を打消す。
前述のように、発振器からの最も低い雑音性能は、各構
成要素が低雑音要素である時に提供される。しかし、Y
IGフィルタ16の如き磁気同調共振回路におけるこの
ような回路のFM雑音に対する最も1■要な寄与の1つ
であることを発見した。発振器の(言分の周波数はYI
Gフィルタ16の共振周波数に正比例するため、YIG
ドライバからのYIGフィルタにおける雑音あるいはY
IGフィルタの共振周波数における帯域ディザ−が発振
器におけるFM雑音に寄与することになろう。スピン波
の不安定性の発生の危険がない時、即ち、充分な直径を
持つ球体を提供することにより、またこの球体に対して
充分な入力電力を与えることにより、この帯域における
ディザ−は充分な周波数雑音のソースとなる。別の雑音
は、フィルタ操作および低雑音要素の選択によって低減
させられる。
しかし、帯域におけるディザ−によりもたらされる雑音
は、第2図乃至第9図に関して以下に述べるように低減
させられる。
次に第2図乃信第4図においては、低雑音の磁気同調共
振回路、本例においては低雑音のYIG帯域フィルタ1
6が、上方シェル部20a、中間シェル部20bおよび
下方シェル部20cを持つ複合フィルタ・ハウジング2
0を含むように示される。複合フィルタ・ハウジング2
0は、磁気的に透過し得る材料からなり、閉じた磁気路
即ち磁束帰路を提供して以下に述べる方法で磁気回転部
材46を通るよう磁束を指向させる。上方シェル部20
aは、第1の磁極片311を載置した第1の内側の中心
位置の固定部20a°を含み、この磁極片38は露出し
た表面部分38aを持つ。
部分20a°の周囲には、周知のようにDC磁界H9C
の強さを変化させるため設けら゛れた電磁石が置かれて
いる。下方シェル部20cは、第2の内側の中心に置か
れた部分2Qc’を持ち、その上に永久磁石22が置か
れ、図示のように磁束供給源と、露艷dした表面部24
aをおよびつ第2の磁極片24とを提供する。温度補償
スリーブ22は、図示のように磁極片24と磁石20の
周囲に任意に置かれる。中間シェル部20bは、その上
部表面部上に以下本文て無線周波構造体30と呼ばれる
磁気不活性体の部材が置かれた状態で示されている。こ
の無線周波構造体30は、磁極片24の表面部24aと
、!fl極片38の表面部38aとの間に配置される。
無線周波構造体30は、以下に述べるように磁気不活性
材料からなり、1つの開口部45と1対の同軸状の伝送
ライン42.44を含む。
この同軸状の伝送ライン42.44の各々は、図示のよ
うにそれぞれ内側の導体から絶縁されるように隔てられ
た外側の導体42a、44aを含む。
この無線周波構造体30は更に、本例ではイツトリウム
−鉄−ガーネット(YIG)の如き磁気回転材料からな
る球状部46を含む。YIG球体46は、無線周波構造
体30を4通して設けられた通路(図示せず)を介して
配置され・る支持ロッド(これも図示せず)の一端部に
置かれる。無線周波構造体30は更に、中心部の導体4
2b、44bの1対の結合ループ部37a、37bを含
む。このループ部37a、37bは開口47内でYIG
球体46の周部に配置され、YIG球体46の11「1
記部分は結合ループ37a、J7b内に置かれている。
前記結合ループの各々は、相互に直交するよう配置され
、710球体から隔てられて、当技術においては周知の
ように、球体に関する所要量の結合を生じる。Ila記
結合ループの部分17a、17bの丼々は、端部が無線
周波構造体と結合されてYIG球体46の領域において
接地する短絡回路を提供し、これによりYIG球体46
に対して電磁エネルギの無線周波磁界成分を確実に結合
する。
前記結合ループの1つ、ここでは結合ループ37aはX
軸の周囲に置かれ、前記結合ループ37bの2番目のも
のはY軸の周囲に置かれている。
従って、加えられる外部の磁界HIICがイT在する場
合の第1の同軸状伝送ラインは、前記入力された無線周
波信号の選択された一部を航記同軸状伝送ラインの2番
目のものに結合するため用いられる。この結合された無
線周波エネルギの周波数は、式f。=γH1)Cに従っ
て与えられ、ここてf。はフィルタ16の共振周波数、
γは磁気回転比と11・「ばれる甲であり、YIGの場
合には2、JIMI+7./ Oeと略々等しく、Hf
、cは永久磁石22によりYIG球体を通って′j−え
られる磁界強さである。高性能のフィルタの場合には、
磁極キャップおよび無線周波構造体が予め定めた圧力下
に置かれ、共振周波数における変動が生じた変化を減少
させる。
次に第3図においては、対をなす磁極キャップ24.3
8が磁束の帰路に置かれた状態で示されている。磁極キ
ャップ24.311は、それぞれフェライト材24b、
38bからなり、本例ではその上に導電性材料24a、
38aのコーティングが置かれて7いる。この導電性材
料24a、3(laは、例えば金または銅の如き材料か
らなることが望ましく、YIG帯域フィルタの共振周波
数においては、−・一般に少なくともlの表皮深さに等
しい厚さを持つが、略々10より小さな表皮深さ、望ま
しくは4より小さな表皮深さを持つ。従ワて、ドツプラ
・レーダー受信機においてYIGフィルタ等が用いられ
る時、特にP朋されるドツプラ周波数シフトの程度にお
いて問題となる雑γ?周波数においては、Ni極弁キヤ
ツプ導電性を持つ面における電流から生じる誘起磁界は
、フェライトが電気的に絶縁体であり従って電流が流れ
ないため除去されることになろう。あるいはまた、もし
導電性を持つコーティングがフェライト上に設けられる
ならば、共振周波数における表皮深さ程度の厚さを持つ
このコーティングは、 200KIlz以下の程度の周
波数における雑音ソースからの誘起電流に対して高い抵
抗性のある経路をもたらすことになる。
再び第3図および第4図について、図示した磁極キャッ
プ構造を提供する代佇として、無線周波構造体30は、
少なくとも約100マイクロΩ−cmの抵抗性を持つ高
い抵抗材料、およびセラミックの如き硬質の誘電体3θ
aの如き誘電材料から作ることができる。ここで、誘電
体部分30aは、YIGフィルタ16の共振周波数にお
ける4より小さな表皮深さであることが望ましい表皮深
さが1乃4110の厚さを持つ例えば金および銅の導電
性コーティング30bがその上に置かれる。高い抵抗性
材料は、例えば、l17Cu −S N i −27M
 n (p =99.75 μΩ−cm)の如き銅、マ
ンガン、ニッケル合金、80N i −20Cr(p 
= 112.2 μΩ−cm)、(CuまたはFe)を
含む75N i −20Cr−3Au (ρ=+3:1
 μΩ−cm) 、あるし)は72Fe”2:]Cr−
5Al −0,5Co (p = 135.5 μΩ−
cm)の如き鉄−クローム−アルミニウム合金のような
合金でよい。硬質の耐火性を持つ誘電体は、アルミナ(
Al2O3、BeO、SiO20)、酸化ベリリウム(
Bed)およびシリカ(SiO7)の如きセラミックス
、または他の適当な絶縁材料である。これら構成はそれ
ぞれ、無線周波構造体30を提供する材料の嵩または導
電率を減少させる。理論的に得た数式では、H’  (
磁界雑音)はρに反比例するため、ρの増加は磁界雑音
における対応する減少をもたらすことになる。即ち、無
線周波構造体31において誘起される電流は高くなる程
弱くなり、従って磁界の変動は比較的弱いものとなる。
典J(す的には、高性能YIGフィルタの無線周波構造
体に対して選択される材料は、Cuの1.7 μΩ−c
mと55Cu −45N iの49.88との間の抵抗
性を持つCuまたはCu合金である。
また第3図および第4図にも示されるように、YIG球
体46が置かれる開口32は、少なくとも5倍の球径に
等しい直径を持つ。この特定の構成によれば、球体46
は無線周波構造体30の開1」41の導電性を持つ側壁
から相互に隔離されるため、球体46もまたこれらの導
電性を持つ側壁において循環する電流から生じる磁界の
変動から隔離されることになる。
次に第5A図乃1巳第5E図においては、5つの異なる
磁極キャップ構造に対するオフセット周波数の関数とし
てのシステム!fIrfが示される。
これらの測定値の各々は、第1図と関連して述べた発振
器を全体的にシミュレートした試験具によりとられた。
第5A図は、磁気的に透過し得る導電材料から作られた
従来の磁極キャップを持つYIGフィルタを備えた発振
器におけるシステムのFM信号/雑音比対オフセツト周
波数の関係を示している。
この場合、パーマロイとして一般に知られる80%Ni
/20%Feを含む合金を用いて磁極キャップを作った
。第5B図は、モル比が4/:]OLi、3/30Zn
、1/30Mn、残りがFeである適当な組成を持つリ
チウム亜鉛マンガン・フェライトから作られた磁極キャ
ップを備えた第2図および第3図に関して述べた如きY
IGフィルタを使用する」1記の発振器の場合のFM(
LS号/雑音比対オフセット周波数の関係を示している
。第5C図は、これもまたリチウム亜鉛マンガン・フェ
ライトであるAMPEX社(米国カルフォルニア940
86 、サニーヴエイル)の品番3−5000−8から
作られた1対の511M1キヤツプを持つ点を除いて、
第5B図におCする如き発振器構造に対するシステムの
FM信号/雑音比対オフセツト周波数の関係を示してい
る。第5D図は、亜鉛マンガン・フェライトであるAM
PEX社の品番RH70−3から作られた磁極キャップ
を持つ点を除いて、第5B図における如き発振器構造の
場合のシステムのFM信号/雑音比対オフセツト周波数
の関係を示している。第5E図は、アルミナから作られ
た1対の5iteキヤツプを持つ点を除いて、第5B図
における如き発振器構造の場合のシステムFM(3号/
雑音比対オフセット周波数の関係を示している。
第5B図乃¥第5E図に示された雑音周波数の各関係に
おいては、フェライト材料(第5B図乃至第5D図)あ
るいは磁気的に不活性の誘電材料(第5E図)が、YI
G発振器の共振周波数における表皮深さ1の厚さを持つ
導電性のある材料、この基合金の層が設けられている。
従って、第5B図乃全第5E図の各々を第5A図と比較
すると、雑?“fレベルは、第5A図に示された従来の
パーマロイの導・電性を有する磁気材料構造の雑音レベ
ルに比較して、電気的に絶縁性を持つ磁気材料から作ら
れた6Ft、 Vx +ヤッブを持つYIGフィルタの
場合の示されたオフセット周波数において2.5乃至L
Odb低いことが判る。
次に第6図においては、第2図のYIGフィルタと構造
において同しであり、而124aとl:18aの間に変
更された無線周波構造体130が挿置されたパーマロイ
の如き導電性を持つ磁気材料から作られた1対の従来の
磁極片124 、138を含むYIGフィルタ16°の
部分が示されている。
特に、無線周波構造体130は、例えば第7図乃至第9
図に示されるように、どのような形態ても取ることがで
きる。
第7A図および第7B図においては、変更された無線周
波構造体130が、スロットl:lla、1:]lbに
置かれたエポキシ133の如き非導電性剤を介して一つ
に接着された1対の部分1:]Oa、 1:10bを含
むことが示されている。スロットl:lla、 131
bは、YIG球体+46が配置される領域の周囲の電気
的連続性を断切っている。電気的連続性の遮断は、YI
G球体球体1同6 この領域から磁界の変動を除去j−るかあるいは減少さ
せるものと考えられる。従って、無線周波構造体130
の導電性部分における雑音電流により生じる共振体にお
ける磁界の変動が実質的に減少する。このため、共振体
における磁界の強さは、周波数および位相特性と同様に
実質的に一定の状態を維持し、修正された無線周波構造
体130を持つYIGフィルタ16は、従来のY[Gフ
ィルタよりも実質的に少ない位相雑音および位相変動を
有する。YIGフィルタ+6。
を製造する際、磁極キャップ124 、 138が無線
周波構造体+10と接触しないようにして、スロットl
:]la’ 、 l31b’の周囲に電気路を意図せず
に提供するよう注意しなければならない。
第8図に示されるように、無線周波構造体の電気回路あ
るいは導電性材料の塊体を破断するための第2の手段は
、本例では無線周波構造体130内を半径方向に伸びる
穴137を提供することによる。この穴+37は、空気
またはエポキシ等の誘電体で充填されているが、この穴
は無線周波構造体の一部を完全には断絶しないように設
けられる。
第9A図および第9B図は、共振体の周囲の電流を防除
するためスロット(番号は付さず)を持つ多重YIG球
体フィルタに対する無線周波構造体150 、 152
の色々な構成を示している。
本文に述べた、薄い導電層を持つフェライト磁極キャッ
プ24、38、電気的に絶縁性を持つ材料であることが
望ましい高°い抵抗性材料からなる無線周波構造体14
10,Y[0球体が内蔵される比較的大きな開口を持つ
無線周波構造体、および電気的連続性を遮断して共振体
の周囲の電流を防除するため設けた手段を有する無線周
波構造体130°の如き本発明の各実施態様は,それぞ
れ独立的に、例えば磁気回転体46に近い導電性表面の
嵩を少なくすることによっ・て位相雑音を減少させるも
のである。渦7「流、特に熱により誘起される渦′?r
f.流は、磁気回転部材46における磁束密度の小さな
不規則な変動を生じると考えられる。上記の実施態様は
品々、磁気回転部材46に隣接する導電性領域における
このような渦電流の大きさを減少させ、従ってこれらの
渦電流により生じる磁界の大きさを減少させるものであ
る。
共振体付近のフェライト磁極キャップ24、28は、こ
の!ii極キャップ24゛、28における渦電流の大き
さを減少させるが、これは渦電流が薄い表皮深さの導電
性コーティング24c、28cにのみ生じるためである
。比較的大きな開口32が、磁気回転部材46を無線周
波構造体30に設けた腔部47の側壁から隔離し、また
磁気回転部材46をこれら電流により生じる磁界から隔
離する。
無線周波構造体30は、アルミナまたは他の高い抵抗性
材料から作られる時、あるいは無線周波構造体の電気的
連続性の破断を有する時、その各々は無線周波構造体の
平坦な専電性面における渦電流の大きさを小さくする。
この熱で生じた渦電流がレーダーのドップラ周波数シフ
ト内(200にIlzという高いドツプラ周波数シフト
内)で存在する比率を持つ共振周波数の変動を誘起する
ため、これらの実施態様は従ってレーダー受信機におけ
る予期されるドツプラ周波数シフトの変調周波数と対応
する周波数においてYIGフィルタ16(第2図乃至第
4図)および+6° (第6図乃至第9図)のH1’r
、レベルを減少させるに有効である。従って、このよう
な低雑音のYIGフィルタを第1図および第10図に示
した如きドツプラ・レーダー受信機における発振器の用
途において使用することにより、レーダーのサブクラッ
タのiiI視度を増大させることになる。
次に第10図においては、発振回路1fiOが、矢印1
83により示されるフィードバック・ループに置かれた
増11」器+62を含むことが示されている。
増111器+62の入力および出力ボート間には、電力
分割器164、上記の如き低雑音の・磁気同調共振回路
IFiまたは口6、および可変移相器168を含むフィ
ードバック回路が配置されている。第2図乃〒第4図の
低雑?“t6i1気同調共振回路16(または第6図乃
信第9図の16°)、本例ではYIG同調帯域フィルタ
を用いて、発FA ??=の位相および周波数特性を安
定化する。増II器+62の出力は、電力分割器+64
の入力ポートと接続されている。
′−゛「力分割器164の第1の出カポ゛−トは共振回
路16と接続され、電力分割器164の第2の出力ポー
トは発振器160の出力ターミナル161と接続されて
負荷(図示せず)へ送られる。発振回路+60において
低雑音の構成要素を用いることにより、ターミナル16
+に対して送られる出力信号は、実質的なエネルギfc
、即ち発振器の中心帯域周波数を持ち、fcから少なく
とも±200旧IZの周波数におけるエネルギが実質的
に減少した周波数スペクトルを持つことになる。増11
1器+67へ送られる出力信号の周波数は、増111P
3+62の入力端にフィードバックされた信号の位相お
よび周波数特性に従って生じる。この信号の位相および
周波数特性は更に、当技術では周知の如く、YIG同調
フィルタ16、移相i +68および発振器のフィード
バック・ループにおける他の構成要素の位相および周波
数特性によって制御される。従って、低雑ン゛fの磁気
同調共振回路16または1lfiを発振器に提供するこ
とにより、低雑音の発振器160が提供される。
本発明の望ましい実施態様について本文に記述したが、
当業者には、本発明の概念を盛り込んだ他の実施態様の
使用が可能なことが明らかであろう。例えば、第2図乃
至第4図に関・し、て記載した実施態様は、第6図乃至
第9図に示した実施態様と同様に一つに纏めることが可
能である。従って、本発明は本文に開示した実施態様に
限定されるへきものではなく、頭書の特許請求の範囲に
よってのみ限定されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は周波数変調雑音減衰ループにおいて磁気同調共
振回路を用いた低雑・音の電圧制御された発振器を示す
ブロック図、第2図は第1図の磁気同調共振回路として
使用することができる本発明により構成されたYIG同
調帯域フィルタを示す断面図、第3図は第2図に示され
たYIGフィルタの線3−3に沿、った拡大図、第4図
は第3図り示された回路の線4−4で示す部分の概略図
、第5A図乃至第5E図は従来のYIGフィルタと本発
明により構成されたY[Gフィルタとの周波数の信号/
雑音比対オフセツト周波数の関係を示すグラフ、第6図
は従来の磁極キャップおよび本発明の別の特質に従って
構成された無線周波構造体を持つ第2図に示したYIG
フィルタに類似するYIGフィルタの一部を示す拡大図
、第7A図は第6図のYIGフィルタの無線周波構造体
を示す平面図、第7B図は第7A図の線7B−7Bに沿
った断面図、第8図および第2図は第6図の本発明の特
質に従った無線周波構造体の別の構成を示す平面図、お
よび第10図は発振器のフィードバック回路内に置かれ
た周波数決定要素としての磁気同調共振回路を備えた発
振器を示すブロック図である。 10・・・発振:計、1:1・・・フィードバック回路
、■・・弓U圧制御発振器、16・・・YIG(イツト
リウム−鉄−カーネット)フィルタ、17・・・整形フ
ィルタ、20・・・複合フィルタ・ハウジング、22・
・・永久磁石、24・・・位相検出器、25・・・ビデ
オ信号増巾器、26・・−YIGコイル・トライバ、2
8・・・干渉計型の周波数弁別器、30・・・無線周波
構造体、31・・・無線周波構造体、32・・・開L1
.38・・・磁極片、41・・・開口、42.44・・
・同軸状伝送ライン、45・・・開11部。 46・・・磁気回転部材。 阜3凹 尾4凹 氷ろ凹 )7B図 第80 尾94図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、a)磁束を発生させる手段と、 b)1対の対向して隔てられた面を有する磁束路を提供
    する手段と、 c)前記1対の対向して隔てられた面間に置かれ、内部
    に開口を有する磁気的に不活性な部材と、 d)前記磁気不活性部材が、磁気回転部材を通して前記
    磁束を指向させる状態で、前記磁気不活性部材の開口を
    通して置かれた磁気回転部材と、 e)前記1対の対向して隔てられた面に近接して配置さ
    れ、前記磁気回転部材を通して指向された磁束の変動を
    低減させる手段と、 から構成される磁気同調共振回路。 2、磁界の変動を低減させる前記手段が、前記磁気回転
    体に近接した導電性領域に熱的に誘起された渦電流を低
    減させ、前記磁気回転体に付随して前記渦電流により誘
    起される磁界の大きさを低減させる請求項1記載の回路
    。 3、磁界の変動を低減させる前記手段が、無線周波構造
    体に近接して置かれた1対の部材を含み、該1対の部材
    が対をなし対向して隔てられた面を提供し、前記1対の
    部材の少なくとも1つが磁気透過性を有する電気的絶縁
    材料からなる請求項1記載の回路。 4、前記部材が、磁気透過性を有する電気絶縁材料から
    なり、該絶縁材料はその表面上に導電性材料のコーティ
    ングを載置した請求項3記載の回路。 5、前記の磁気透過性を有する電気絶縁材料がフェライ
    トであり、前記コーティングが、前記共振回路の共振周
    波数における約1乃至10の表皮深さ範囲内の厚さを有
    する請求項4記載の回路。 6、磁界の変動を低減させる前記手段が磁気不活性体の
    部材を含み、該部材は磁気不活性の電気絶縁材料からな
    る請求項1記載の回路。 7、前記磁気不活性体部材が、その表面上に導電性材料
    の薄いコーティングを載置した請求項6記載の回路。 8、前記磁気不活性絶縁体が、Al_2O、BeO、S
    i_2Oからなるグループから選定され、前記コーティ
    ングが、前記共振回路の共振周波数における約1乃至1
    0の表皮深さ範囲内の厚さを有する請求項7記載の回路
    。 9、磁界の変動を低減させる前記手段が磁気不活性体部
    材であり、該部材は更に、 前記磁気回転体の周囲に置かれた磁気不活性体部材の領
    域における電気的な連続性を遮断する手段 を含む請求項1記載の回路。 10、電気的連続性を遮断する前記手段が、前記磁気不
    活性部材に少なくとも1つの通路を有し、該通路は電気
    絶縁材料で充填される請求項9記載の回路。 11、前記通路が前記部材の一部により断切られ、かつ
    絶縁材料で充填される請求項10記載の回路。 12、前記通路が前記部材の半径方向領域を貫通して設
    けられ、かつ前記部材の部分を断切らない請求項10記
    載の回路。 13、前記磁気回転体がある選択された直径を有する球
    体であり、磁界の変動を低減する前記手段は磁気不活性
    体部材であり、前記開口は前記磁気回転球体の直径の少
    なくとも5倍に等しい直径を有する請求項1記載の回路
    。 14、前記無線周波構造体における磁界の変動を低減さ
    せる前記手段が、約100μΩ−cmよりも大きな固有
    抵抗を有する高抵抗材料からなる請求項1記載の回路。 15、前記高抵抗材料が、67Cu−5Ni−27Mn
    合金、80Ni−20Cr合金、75Ni−20Cr−
    3Au、プラス残がFeまたはCuの合金、72Fe−
    23Cr−5Al−0.5Co合金、BeO、Al_2
    O_3およびSiO_2からなるグループから選定され
    る請求項12記載の回路。 16、磁束を発生する手段と、 1対の対向して隔てられた面を有する磁気 透過性材料からなるハウジングと、 前記1対の対向して隔てられた面間に置 かれた、内部に開口を有する無線周波構造体と、 前記開口内に配置される磁気回転体であっ て、それを通して前記磁束を指向させるように配置され
    た磁気回転部材と、 前記磁気回転部材に対する入力無線周波数 信号および該磁気回転部材からの出力無線周波数信号に
    、前記磁気回転部材を通して指向された磁束と関連する
    周波数を有する信号を与える手段と、 前記1対の対向して隔てられた面に近接して置かれ、前
    記出力信号における周波数雑音を低減させる手段と を設けてなるフィルタ。 17、前記出力信号における周波数雑音を低減させる前
    記手段が、前記無線周波構造体に近接して置かれた1対
    の部材を含み、該1対の部材が前記ハウジングの対をな
    す対向して隔てられた面を提供し、前記1対の部材の少
    なくとも1つが磁気透過性を有する電気絶縁材料からな
    る請求項16記載の回路。 18、磁気透過性の電気絶縁材料からなる前記部材が、
    その面上に電気絶縁材料のコーティングを載置した請求
    項17記載の回路。 19、前記磁気透過性の電気絶縁材料がフェライトであ
    り、前記コーティングが、前記共振回路の共振周波数に
    おける約1乃至10の表皮深さ範囲内の厚さを有する請
    求項18記載の回路。 20、出力信号における周波数雑音を低減させる前記手
    段が、磁気不活性の電気絶縁材料からなる無線周波構造
    体を含む請求項16記載の回路。 21、前記磁気不活性の無線周波構造体が、その表面上
    に導電性材料の薄いコーティングを載置した請求項20
    記載の回路。 22、前記磁気不活性の電気絶縁材料が、 Al_2O_3、BeO、Si_2Oからなるグループ
    から選定され、前記コーティングが、前記 共振回路の共振周波数における約1乃至10の表皮深さ
    範囲内の厚さを有する請求項21記載の回路。 23、出力信号における周波数雑音を低減させる前記手
    段が磁気不活性体部材であり、該部材は更に、 前記磁気回転体の周囲に置かれた磁気不活性体部材の領
    域における電気的な連続性を遮断する手段 を含む請求項16記載の回路。 24、電気的な連続性を遮断する前記手段が、前記磁気
    不活性部材に少なくとも1つの通路を有し、該通路は電
    気絶縁材料で充填される請求項23記載の回路。 25、前記通路が前記部材の一部により断切られ、かつ
    絶縁材料で充填される請求項24記載の回路。 26、前記通路が前記部材の半径方向領域を貫通して設
    けられ、かつ前記部材の部分を断切らない請求項25記
    載の回路。 27、前記磁気回転体がある選択された直径を有する球
    体であり、前記無線周波構造体の出力信号における周波
    数雑音を低減させる前記手段が、前記磁気回転球体の直
    径の少なくとも5倍に等しい直径を有する前記無線周波
    構造体における前記開口を有する請求項16記載の回路
    。 28、前記無線周波構造体における磁界の変動を低減さ
    せる前記手段が、100μΩ−cmよりも大きな固有抵
    抗を有する高抵抗材料からなる請求項16記載の回路。 29、前記高抵抗材料が、67Cu−5Ni−27Mn
    合金、80Ni−20Cr合金、75Ni−20Cr−
    3Au、プラス残がFeまたはCuの合金、72Fe−
    23Cr−5Al−0.5・Co合金からなるグループ
    から選定される請求項24記載の回路。 30、入力および出力を持ち、出力側において予め定め
    た振幅を有する電気信号を発生する手段と、 該信号の一部を前記振幅手段の前記入力に フィードバックする手段とを有する低雑音の発振器にお
    いて、 前記振幅手段の入力にフィードバックされた前記信号部
    分に対し予め定めた位相シフト特性を与える手段を更に
    設け、 磁束を発生する手段と、 閉じられた磁束路を提供する手段とを設け、該手段は、 i)1対の対向して隔てられた面を有する 磁気透過性の材料からなるハウジングと、 ii)前記1対の対向して隔てられた面間に置かれ、開
    口を有する磁気不活性部材と、 iii)前記不活性部材が、前記磁気回転部材を通して
    前記磁束を指向させるようにして、前記不活性部材の開
    口を通して配置された磁気回転部材と、 iv)前記1対の対向して隔てられた面に近接して置か
    れ、前記磁気回転部材を通るよう指向された磁束におけ
    る変動を低減させる手段を含む低雑音発振器。 31、磁界の変動を低減させる前記手段が、前記磁気回
    転体に近接した領域に熱的に誘起された渦電流を低減さ
    せ、これに付随して前記渦電流により誘起される磁界を
    低減させる請求項30記載の発振器。 32、磁界の変動を低減させる前記手段が、1対の対向
    する面を有する前記無線周波構造体に近接して置かれた
    1対の部材を含み、該部材が前記ハウジングの対をなす
    対向する面を提供し、前記対の部材の少なくとも1つが
    磁気透過性を有する電気絶縁材料からなる請求項30記
    載の発振器。 33、前記磁気透過性の電気絶縁部材が、その表面上に
    導電性材料のコーティングを載置した請求項32記載の
    発振器。 34、前記磁気透過性の電気絶縁材料がフェライトであ
    り、前記コーティングが、前記共振回路の共振周波数に
    おける約1乃至10の表皮深さの厚さを有する請求項3
    3記載の発振器。 35、磁界の変動を低減させる前記手段が磁気不活性体
    部材であり、該部材は磁気不活性の電気絶縁材料からな
    る請求項30記載の発振器。 36、前記部材が、その表面上に導電性材料の薄いコー
    ティングを載置した請求項35記載の発振器。 37、前記磁気不活性の誘電体が、Al_2O_3、B
    eO、SiO_2からなるグループから選定され、前記
    コーティングが、前記共振回路の共振周波数における約
    1乃至10の表皮深さの厚さを有する請求項36記載の
    発振器。 38、磁界の変動を低減させる前記手段が磁気不活性体
    部材であり、該部材は更に、 前記磁気回転体が置かれた開口の周囲に おける渦電流を防止する磁気不活性体部材における電気
    的連続性を遮断する手段を 含む請求項30記載の発振器。 39、電気的連続性を遮断する前記手段が、前記磁気不
    活性部材に1つの通路を有し、該通路は電気絶縁材料で
    充填される請求項38記載の発振器。 40、前記磁気回転体がある選択された直径を有する球
    体であり、磁界の変動を低減する前記手段は、前記磁気
    回転球体の直径の少なくとも5倍に等しい直径を有する
    前記開口を有する前記磁気不活性体部材である請求項3
    0記載の発振器。 41、磁界の変動を低減させる前記手段が、100μΩ
    −cmよりも大きな固有抵抗を有する高抵抗材料からな
    る無線周波構造体である請求項30記載の発振器。 42、前記高抵抗材料が、Al_2O_3、BeO、S
    iO_2からなるグループから選定される請求項40記
    載の発振器。 43、予め定めた周波数変調雑音特性を有する電圧制御
    された発振を発生させる手段と、 前記電圧制御された発振手段の周囲に置 かれたフィードバック回路とを設け、該回路は、 周波数弁別回路を含み、該周波数弁別回路 は、 低雑音磁気同調フィルタを含み、該フィルタは、 磁束を発生する手段と、 1対の対向して隔てられた面を有する磁気 透過性材料からなるハウジングと、 前記1対の対向して隔てられた面間に置かれた、開口を
    有する磁気不活性部材と、 前記開口に置かれ、かつ磁気回転部材を通るように前記
    磁束が指向されるべく置かれた磁気回転部材と、 前記磁気回転部材に対する入力無線周波数 信号および該磁気回転部材からの出力無線周波数信号を
    発生する手段とを設け、該出力信号は前記磁気回転部材
    を通るよう指向された磁束と関連する周波数を有し、更
    に 前記1対の対向して隔てられた面に近接 して置かれ、前記出力信号における前記磁気同調共振回
    路からの周波数変調雑音を低減させる手段と を設けてなる低雑音発振器。 44、周波数変調雑音を低減させる前記手段が、1対の
    対向する面を有する前記磁気不活性部材に近接して置か
    れた1対の部材を含み、該部材が前記ハウジングの対を
    なす対向する面を提供し、前記1対の部材の少なくとも
    1つが磁気透過性を有する電気絶縁材料からなる請求項
    43記載の回路。 45、前記磁気透過性の電気絶縁部材からなる前記部材
    が、その表面上に導電性材料のコーティングを載置した
    請求項44記載の回路。 46、前記の磁気透過性の電気絶縁材料がフェライトで
    あり、前記コーティングが、前記共振回路の共振周波数
    における約1乃至10の表皮深さの厚さを有する請求項
    45記載の回路。 47、周波数変調雑音を低減させる前記手段が磁気不活
    性体部材であり、該部材は磁気不活性の電気絶縁材料か
    らなる請求項43記載の回路。 48、前記磁気不活性体部材が、その表面上に導電性材
    料の薄いコーティングを載置した請求項47記載の回路
    。 49、前記磁気不活性の電気絶縁材料が、 Al_2O_3、BeO、SiO_2からなるグループ
    から選定され、前記コーティングが、前記共振回路の共
    振周波数における約1乃至10の表皮深さの厚さを有す
    る請求項48記載の回路。 50、周波数変調雑音を低減させる前記手段が磁気不活
    性体部材であり、該部材は更に、 前記磁気回転体が置かれた開口の周囲の前記磁気不活性
    体部材における電気的連続性を遮断する手段を 含む請求項43記載の回路。 51、電気的連続性を遮断する前記手段が、前記磁気不
    活性部材に少なくとも1つの通路を有し、該通路は電気
    絶縁材料で充填される請求項50記載の回路。 52、前記磁気回転体がある選択された直径を有する球
    体であり、周波数変調雑音を低減させる前記手段は、前
    記磁気回転球体の直径の少なくとも5倍に等しい直径を
    有する前記開口を有する前記磁気不活性体部材である請
    求項43記載の回路。 53、前記無線周波構造体における磁界の変動を低減さ
    せる前記手段が、100μΩ−cmよりも大きな固有抵
    抗を有する高抵抗材料からなる請求項43記載の回路。 54、前記高抵抗材料が、67Cu−5Ni−27Mn
    合金、80Ni−20Cr合金、75Ni−20Cr−
    3Au、プラス残がFeまたはCuの合金、および72
    Fe−23Cr−5Al−0.5Co合金からなるグル
    ープから選定される請求項53記載の回路。
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