JPH06216609A - Yig素子 - Google Patents

Yig素子

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Publication number
JPH06216609A
JPH06216609A JP5197312A JP19731293A JPH06216609A JP H06216609 A JPH06216609 A JP H06216609A JP 5197312 A JP5197312 A JP 5197312A JP 19731293 A JP19731293 A JP 19731293A JP H06216609 A JPH06216609 A JP H06216609A
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JP
Japan
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yig
magnetic
housing
air gap
circuit
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Pending
Application number
JP5197312A
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English (en)
Inventor
Ronny Andersson
ロニー・アーンデルソン
Gunnar Andersson
グンナー・アーンデルソン
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Sivers IMA AB
Original Assignee
Sivers IMA AB
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Publication date
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Publication of JPH06216609A publication Critical patent/JPH06216609A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/215Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
    • H01P1/218Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 小型であり、回路板上に組み込みが容易であ
り、多数の望ましい機能の統合を可能とし、機械的およ
び磁気的な影響にかなり鈍感であり、実質的に1つの時
定数のみを有し、周波数の急速変化を行えるように低イ
ンダクタンスを有する。 【構成】 エアギャップに均質な磁界を発生する磁気回
路と、エアギャップ内に配置した少なくとも1つのフェ
ライト結晶81とを包含する。フェライト結晶81の磁
気共振周波数は、均質な磁界の強さに応じて制御でき
る。磁気回路は外部の影響からの磁気回路を機械的に保
護するように配置したハウジング53、55の空所内に
収容される。ハウジング53、55は、任意に選定した
材料で形成できる。磁気回路は、ハウジング53、55
内にエアギャップを精密に位置決めする特殊な形状のシ
ート内に配置される。ハウジング53、55に形成した
基礎は、フェライト結晶81を包含するYIGユニット
75を支持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、総括的にはYIG素子に関する
ものであり、一層詳しく言えば、エアギャップに均質な
磁界を発生する磁気回路と、エアギャップ内に配置して
あり、均質な磁界の強さに応じて制御できる磁気共振周
波数を有する少なくとも1つのフェライト結晶とを包含
するYIG素子に関する。
【0002】「YIG素子」なる用語は、たとえば、電
気オシレータ、フィルタおよび弁別器で共振器として用
いられる、YIG(イットリウム−鉄−ガーネット)、
LiF(リチウム−フェライト)、NiZnFe(ニッ
ケル−亜鉛−フェライト)などの薄層または結晶である
フェライト結晶を用いるデバイスを総括的に表わす用語
である。YIG素子は、約500MHz以上の周波数に
ついて高周波用途で用いられる。この範囲の電磁周波数
は、マイクロ波と呼ばれ、これらの周波数で作動する電
気回路をここでは「マイクロ波回路」と呼ぶ。
【0003】フェライト結晶を用いる共振器を得ること
ができるためには、強くて均質な磁界が必要であり、こ
の磁界にフェライト結晶を配置する。磁界は、磁鉄構造
と組み合わせた電磁石または永久磁石からなる磁気回路
で発生する。共振器の磁気共振周波数は、磁界の強さに
正比例する。次いで、電磁石を用いている場合には、Y
IG素子の共振周波数は電磁石を通る電流によって電気
的に制御できる。フェライト共振器は、多数の特徴を有
し、特に高Q値によって特徴付けられ、非常に広い周波
数範囲(数オクターブ)内で電気的に制御され得る。
【0004】従来のYIG素子の大部分は、意図したY
IG素子を構成するのに必要な残りの構成要素、前記フ
ェライト結晶、マイクロ波回路などのためのハウジング
およびキャリヤを電磁石が完全にまたは部分的に構成す
るデザインを有する。磁鉄が加工が難しい材料であるた
め、目的はYIG素子のための簡単な機械的構造を提供
することであった。これにより、磁気コアが、底を有す
るシリンダと、キャップと、中心ピンまたは磁極ピンと
によって構成され、この磁極ピンが、キャップに向かっ
て底から上方に延び、ピン上端とキャップの間にスロッ
ト(磁極ギャップ)を残す構造を得ていた。ピンのまわ
りにはコイルが配置してある。残りの構成要素は、磁気
コイルと磁気コアのキャップの間に構成されたスペース
内に主として配置し、キャップまたはシリンダ壁に取り
付けてある。
【0005】この従来の構造はいくつかの欠点を有す
る。上記のことに加えて、磁気材料が加工の難しい特殊
な高価な合金であるために、比較的大きくて重く、高価
である。この構造は、徐々に小型化されてきたが、そこ
に収容される構成要素が一定量のスペースを必要とし、
共振器が機械的構造の中心に位置させなければならない
ので小型化にも限界がある。
【0006】磁鉄の熱伝導率が低く、前記コイルおよび
回路からの比較的高い熱の放散をこの材料を経て行わな
ければならないため、これが従来構造の欠点となってい
る。
【0007】確かに、従来のYIG素子は、電気的に制
御できるが、制御コイルの高インダクタンスおよび手に
負えない渦電流が周波数の変化が比較的時間を費やすと
いう結果をもたらし、それによって、用途の可能性範囲
が制限を受ける。電磁石によって発生させられた磁束の
うち大きい方の部分は前記磁極を通り、前記スロットま
たは磁極ギャップを経て前記キャップへ流れ、前記シリ
ンダおよび底を通って下方へ流れ、磁極ピンを通って上
向きに戻る。したがって、磁束は、異なった断面および
円周長の多くの部品を通ることになる。共振周波数を変
えるために電流変化をなす場合、磁束の変化が生じる。
その場合、渦電流が各断面、周面に生じ、これら断面ま
たは周面に応じて強さおよび消滅時間または時間定数が
変わることになる。これらの渦電流は、同調電流と磁化
(周波数変化)との間に指数関数的遅延を生じさせる。
この遅延は、「ドライバ」すなわちYIG素子電圧を制
御できるようにするのに用いられる電圧/電流変換用の
電子回路によって補正することができる。この従来のデ
ザインの磁石は、約5種の時間定数を生じさせ、これら
の時間定数は、同数の補正回路網によって補正しなけれ
ばならず、これら補正回路網の各々は、前記遅延に効果
的に反作用を行うように比例関係および時間定数に関し
て定めなければならない。
【0008】従来の磁石デザインは、大きな漏洩磁束を
発生する。磁束全体が磁極ピンとキャップの間で磁極ギ
ャップまたはエアギャップを通過するときには最適な状
態となるが、この従来構造では、かなりの磁束部分が磁
極ピンから逸れ、磁極ギャップの外側を流れ、過大なイ
ンダクタンスを発生することになる。
【0009】さらに、従来のYIG素子は、ファン、モ
ータなどからの機械的な影響や外部磁界に敏感であり、
共振周波数を変調する可能性がある。したがって、YI
G素子のまわりに特殊な機械的取り付けやμ金属の外部
磁場を配置することが必要であることが多い。
【0010】YIG素子は、普通は、多数の電気的機能
が望まれ、YIG素子が他のYIG素子または他のユニ
ットと協働することを意図されているマイクロ波システ
ムで用いられる。それに加えて、前記構成要素およびユ
ニットは、外部の接点、ケーブルおよび機械的装置によ
って相互に接続されなければならない。
【0011】現在まで、YIG素子の用途範囲は、上記
の欠点によって制限されていた。
【0012】本発明の一目的は、従来技術の欠点を除く
と共に、小型であり、回路板上に組み込みが容易であ
り、多数の望ましい機能の統合を可能とするYIG素子
を提供することにある。
【0013】本発明の別の目的は、従来のものに比べて
機械的および磁気的な影響にかなり鈍感であり、実質的
に1つの時定数のみを有し、周波数の急速変化を行える
ように低インダクタンスを有するYIG素子を提供する
ことにある。
【0014】これらの目的を達成すべく、本発明による
YIG素子は、磁気回路がハウジングの空所内に収容し
てあり、このハウジングが、外部の影響から磁気回路を
機械的に遮断するように配置してあり、また、任意に選
定した材料で形成してあり、さらに、磁気回路が前記ハ
ウジング内にエアギャップを正確に位置させる特殊な形
状のシート上に配置してあり、またさらに、前記ハウジ
ング内に、前記フェライト結晶を包含するYIGユニッ
トを支持する基礎が構成してあり、フェライト結晶をエ
アギャップ内に正しく位置決めできるようになっている
ことを特徴とする。
【0015】こうして本発明に従って得たYIG素子
は、まったく新規な思考方法を開示する。1つの意味で
は、古い構造は逆転された。磁気コアはもはやハウジン
グを構成せず、その代わりに、残りの構成要素を囲んで
特殊なハウジングが形成してある。このことは、構成要
素をハウジング内にまったく自由に位置決めでき、磁気
回路を他の構成要素の寸法にあまりこだわらずに小さく
することができるので、構造がかなり小さくなり、自由
度も大きくなるということを意味する。さらに、ハウジ
ングは、上記の特殊な合金以外の材料で作ることがで
き、複雑な構造に高精度で成形でき、精密な相互の整合
性を必要とする構成要素を時間のかかる再調整を行うこ
となくハウジング内に正しく位置決め、配置することが
できる。
【0016】本発明の好ましい実施例は、変調コイルが
プリント回路を包含することによって特徴付けられる。
【0017】この実施例は、従来技術に比べて多数の利
点を有する。それは、本発明によるYIG素子の磁気回
路が小型であり得るし、非常に短いエアギャップを形成
し得るからである。これは非常に薄い変調コイルの場合
にのみ可能である。このコンパクトな磁気構造で普通の
ワイヤ巻き式変調コイルを用いる場合、それはエアギャ
ップの外に設置しなければならない。このことは、従来
のYIG素子に比べて変調特性に関して劣る性能をもた
らすことになる。本発明のこの好ましい実施例によれ
ば、本発明によるYIG素子の現存の状態に適用し、従
来の変調コイルに比べて変調特性をかなり改善すること
ができる変調コイルを得ることができた。
【0018】本発明によるYIG素子を、以下、図面に
示す実施例によってより詳しく説明する。
【0019】図1は、マイクロ波オシレータの形をした
従来のYIG素子を開示している。このYIG素子にお
いては、ハウジングは、同時に、電磁石のコアも構成し
ている。このコアは、上部2と下部3を有し、下部3
は、磁鉄材料から一体に折り曲げた要素である。下部3
は、シリンダ4、底5およびシリンダ4の中心で底5か
ら上方へ延びる磁極ピン6を有する。このYIG素子を
組み立てたとき、磁極ピン6の上面7とキャップ2の間
にエアギャップが存在する。コイル8(周波数を粗調節
するための主コイルである)が、磁極ピン6のまわりに
配置してある。微調整のための変調コイルまたはFmコ
イル9がエアギャップ内に設けてあり、このコイルは、
磁極ピン6の端面に接着してある。この変調コイルは、
粗く巻いたコイル(通常、25捲回)であり、薄い絶縁
銅線から作ってある。球体10の形をしたフェライト結
晶が、エアギャップ内に設置してあり、たいていの場合
セラミック、たとえば、サファイアで作ってある絶縁ロ
ッド11上に配置してある。絶縁ロッドはキャリヤ12
上に装着してある。変調コイル9は、フェライト結晶1
0にできるだけ接近して位置させてある。キャリヤ12
はキャップ12の内側に固定してある。
【0020】キャップ2の内側には、マイクロ波電子機
器からなるセラミック製回路板13も取り付けてある。
組み込んだ構成要素への電圧供給およびその制御のため
の接続部14がマイクロ波接続部15と共にキャップ2
に設けてある。マイクロ波接続部15は信号出力部であ
る。
【0021】図1の従来の素子は、次のように作動す
る。主コイル8を制御するための第1制御電流と変調コ
イル9を制御するための第2制御電流が接続部14を経
て供給される。主コイル8によって磁束が発生し、この
磁束の大きな部分は磁鉄をたどる。すなわち、磁極ピン
6を通って上向きに、そしてエアギャップを経て上部2
へ、そこからシリンダ4および底5を通って下向きに流
れ、磁極ピン6を通って上方へ戻る。変調コイル9は、
磁極ピン6の上端面7とフェライト結晶10を設置した
キャップ2の間でエアギャップ内の磁束に影響を与え
る。エアギャップには、均質な磁界が得られる。フェラ
イト結晶10は、或る大きさの磁界(H磁界)に設置し
たときに、H磁界に比例する共振周波数が得られるとい
う特徴を有する。この共振は、或る周波数範囲、たとえ
ば、2〜20GHz内で制御し得る。次いで、変調コイ
ル9は、永久磁石、主コイル、エアギャップおよび磁気
構造を含む残りの構成要素およびファクタによって決ま
る周波数付近で限られた周波数範囲(偏差)内で共振要
素(すなわち、フェライト結晶10)の共振周波数を制
御する。フェライト結晶10は、回路板13上の電気オ
シレータ回路に接続してある。このオシレータ回路は、
フェライト結晶10の共振周波数と一致する周波数を有
する電気波(発振)を発生する。周波数の粗調整は、主
コイル8で行い、微調整は、変調コイル9によって行
う。発生したマイクロ波信号は、信号出力部15へ送ら
れる。電磁石コア1のこの従来のデザインは、比較的大
きな役に立たない磁束を発生する。すなわち、エアギャ
ップを通らず、磁極ピン6からキャップ2まで直接流れ
る磁束を発生する。
【0022】より大きな周波数変化を得たい場合には、
主コイル8への制御電流をまず変え、或る場合には、変
調コイル9への制御電流を変えることによって周波数を
微調整する。前記コイルにおいて電流を変えた場合、渦
電流が電磁石のコアに生じ、この変化に抵抗しようとす
る。前記渦電流は、磁性材料の表面層に優先的に現れ
る。渦電流の消滅時間は、磁束に対して横方向の磁気コ
アの円周に比例する。図1に示す磁気コアの従来のデザ
インでは、磁気コア1の種々の部分において実質的に5
種類の消滅時間または時定数を生じさせることになる。
それと共に、構成要素10について比較的長い整定時間
をもたらす。しかしながら、これは、各時定数のための
補正回路、すなわち、5種類の補正回路を含む個別の制
御機器によって部分的に補正できる。かなり無駄な漏洩
磁束は構成要素10に大きなインダクタンスを生じさせ
る。したがって、この変調コイルの変調特性は前記渦電
流によって負の影響を受ける。
【0023】図2、3は、本発明によるYIG素子の実
施例を開示している。この実施例(図2に展開図、図3
に断面図で開示している)はマイクロ波オシレータであ
る。このYIG素子は、キャップ53と底55を有する
ハウジング51を包含する。底55には、くぼみ59が
形成してある。キャップ53には、電磁石として形成さ
れた磁気回路の一部となる磁気コア61、63を収容す
るためのシート57が精密に形成してある。この新しい
構造原理によれば、電磁石がハウジング51によって保
護されるので、機械的な影響に対する感度が低下する。
前記コアは、ハウジング51のキャップ53内に配置し
た上部61と、この上部61と連結する下部63とを包
含する。磁気コア61、63は、この実施例ではE字形
であり、そこを通る磁束の方向に対して横方向の断面ま
わりにほぼ同一の円周を持つ要素で構成してある。磁気
コアは、上方磁極ピン65と下方磁極ピン67を有し、
間には、エアギャップまたは磁気ギャップ69(図3参
照)が構成されている。前記磁極ピン65、67それぞ
れの、エアギャップ69に向いた端はテーパが付けてあ
ってそれぞれ端部66、68となっている。電磁石は、
さらに、上方磁極ピン65を取り囲み、キャップ53に
固定された主コイル71と、エアギャップ69に隣接し
てあるいはその中に配置してあり、磁極ピン65、67
のいずれか一方に取り付けてある変調コイル73または
Fmコイルとを包含する。変調コイル73は、たとえ
ば、下方磁極ピン67の端面に接着してもよい。図4に
示すように、前記変調コイル73は、厚さが0.1mm
より小さいことが好ましい、非常に薄いキャリヤ12上
に設けた1層またはいくつかの層の導電パターン101
の形をしたプリント回路10として作ると好ましい。図
4に開示したプリント回路は、2つの同一形状の層から
なり、一方の層はキャリヤ102の上側に位置し、他方
の層はその下側(図示せず)に位置する。螺旋状に配置
したコイル導体103は、最初、非常に薄く形成し、そ
の後、金メッキによって低抵抗の要件を満たすに充分な
厚さとする。このYIG素子は、さらに、YIGユニッ
ト75を備え、このYIGユニットは、円盤状のセラミ
ック回路キャリヤ76からなる。このキャリヤ76は、
ハウジング51のキャップ53にある基礎の表面に隣接
して配置するか、あるいは、そこに固定する。他の点で
は、マイクロ波電子機器を包含するセラミック回路79
およびフェライト結晶81がセラミック回路キャリヤ7
6上に配置してある。このフェライト結晶81は、支持
体85によって支持されているロッド83の一端に配置
してある。支持体85はセラミック・キャリヤ76に連
結してある。マイクロ波回路79は、フェライト結晶8
1に電気的に接続してある。支持体850を経てYIG
結晶81を一定の温度に保つ加熱要素(図示せず)が支
持体85上に配置してある。1つの実質的な利点は、本
発明によるこの新しい構造では、YIGユニット75の
一体部品を実質的に自立ユニットに組み立てることがで
きるということにある。セラミック回路キャリヤ76に
は孔87が形成してある。キャップ53内にセラミック
回路キャリヤ75を配置したとき、上方磁極ピン65の
端部66がこの孔87に入る。この孔は、端部66の直
径よりもやや大きい直径を有する。これにより、フェラ
イト結晶81をエアギャップ69内の均質な磁界に位置
決めすることができる。フェライト結晶81を垂直方向
に整合させたい場合には、磁気コアの上部61を所定の
高さに精密に機械加工し、シート57の底からキャップ
53内の基礎の表面までの距離を同じセットアップ状態
で同じ工具を用いて機械加工することによって精密に調
整することが重要である。ハウジング51、磁気コア6
1および支持体85の精密加工により、均質な磁界内で
フェライト結晶81の良好な整合を確保できると共に、
再調整の必要性を最小限に抑えることができる。
【0024】電圧および制御電流を供給する電流/電圧
接続部89およびマイクロ波出力部91がハウジング5
1内に配置してある。高周波出力信号はマイクロ波出力
部91で得られる。ハウジング51のキャップ53およ
び底55は管状リベット93によって連結してある。キ
ャップ53と底55の間のシールリング95はハウジン
グ51の空所と周囲との間の良好なシールを与える。ハ
ウジング51は、磁性板、いわゆる、μ金属のケーシン
グ97、99によって取り囲み、磁界の周囲への漏洩を
抑え、外部磁気傷害を排除する磁気シールドを与える。
このシールドは、前記ケーシング97、99が磁気コア
61、63と直接接触せず、余分な非磁気ギャップがシ
ールド97、99と磁気コア61、63の間に得られる
ので、従来構造の相当する配置のシールドよりも小型で
効率が良い。
【0025】図2、3に開示したような本発明によるY
IG素子の実施例は、従来構造とほぼ同じ要領で作動す
る。したがって、電流は、YIG素子からの出力信号の
粗調整のためには、接続部89を経て主コイル71に供
給される。相応じて、微調整は変調コイル73によって
得られる。コイル71を流れる電流は、磁気コア61、
63を通り、エアギャップ57を経て下方磁極ピン67
および上方磁極ピン65を通って上方へ流れ、側部要素
を通って側方下方向へ流れ、中心に向かって内方へ流
れ、再び下方磁極ピン67を通って上方へ流れる閉ルー
プをほぼたどる磁束を発生させる。強くて均質な磁界が
フェライト結晶81を設置したエアギャップ69内で得
られる。フェライト結晶81は、マイクロ波回路79と
組み合って、H磁界の強さに正比例する或る周波数の信
号を発生する。この信号は出力部91に送られる。
【0026】主作動原理は同じであっても、YIG素子
のこの新しい構造によれば、従来の構造と比べて、構造
上の大きな利点を超えて多数の作動利点を提供する。こ
の新しい磁気コア構造61、63によれば、従来の構造
に比べて、無用な磁束すなわち漏洩磁束がかなり少なく
なる。上述したようなYIG素子のこの新しい構造およ
びさらに別のデザインの性能の改良により、従来のYI
G素子よりもかなり小さく、かなり軽い非常に複雑でコ
ンパクとなYIG素子を簡単に製造できる。
【0027】ハウジング51の材料の選択は、合理的な
範囲で任意に行い得るが、容易に加工でき、軽量であり
かつ頑丈な材料の選択が可能である。好ましくは、アル
ミまたは亜鉛が用いられる。しかしながら、少なくとも
部分的にμ金属を用いると有利であるかも知れない。
【0028】コイル71、73の電流を変えて出力信号
周波数を変える場合、磁気コア61、63に渦電流が発
生する。磁束の方向に対して横方向に材料を通る各断面
がほぼ同じ円周を有するようにコアの部分を寸法決めす
ることによって、ほぼ1つの時定数が得られる。このこ
とは、渦電流がほぼ表面の関係にあるという事実によっ
て説明される。このことは、急速整定時間を得るために
ただ1つの補正回路を使用するだけでよいことを意味す
る。さらに、低漏洩磁束は主コイル71のインダクタン
スを低くし、これは整定時間も短縮する。別の改良は、
磁気コアを積層物で作ることによって得られる。これが
渦電流を減らすからである。
【0029】磁気コア61、63の断面の寸法は、漏洩
磁束の減少によりさらに減少できる。それによって、前
記渦電流についての時定数をさらに短くすることができ
る。
【0030】コイル73は、従来タイプのコイルよりも
捲回数が少なく、これは、それがプリント回路100と
して形成してあるという事実と組み合って、小さい寸法
を与える。捲回数の低減は、非常に狭いエアギャップ6
9を持つ本発明による小型構造によって可能となる。こ
れは、捲回数がエアギャップの長さにほぼ比例し、ま
た、コイル73の新しいデザインによりコイル73をフ
ェライト結晶81に接近して位置させることができるか
らである。変調コイル73の導体は、従来の変調コイル
の導体よりもかなり短く、磁極ピンにおける渦電流の低
減に貢献する。そして、このことにより、変調コイル7
3のバンド幅(変調バンド幅)が大きくなる。変調バン
ド幅は、変調感度が0Hzでの感度の71%(−3d
B)まで減少する周波数として定義される。
【0031】非常に薄いコイル、コイル捲回数の減少、
狭いエアギャップおよびコイルがフェライト結晶に接近
して配置してあるという事実の組み合わせにより、YI
G素子は、従来の磁気構造を用いる従来のYIG素子に
比べてかなり改良された変調特性を持つことができる。
【0032】この新しい構造のさらなる大きな利点は、
同じハウジング内にいくつかのYIGおよび他の電気機
能を統合させることができるということである。したが
って、ミキサ、フィルタ、分圧器、増幅器などを統合し
て1つのモジュールを形成することができる。したがっ
て、中間導体を有する多数の個別の構成要素を従来必要
としていたものが本発明による構造では同じハウジング
51内に統合できる。これに加えて、オプションのシス
テムをハウジング51内に構築し、収容することがで
き、それによって、いくつかの磁石またはいくつかのフ
ェライト結晶あるいはこれら両方を有するいくつかの空
所さえそこに設けることができる。また、YIG素子を
制御し、管理するための他の電子機器、たとえば、小型
化デザインの電圧−電流変換のための回路(「ドライ
バ」)を同じハウジング51内へ統合させることができ
る。
【0033】前記新しいYIG素子の寸法により、サブ
システム・ユニットへの直接の統合が可能となる。この
統合により、妨害電波(EMI)からの保護のための要
件が減るため、制御接続部が簡略化される。また、これ
により、外部電気傷害に実質的に反応しないシステムを
得ることができる。
【0034】当業者には明らかなように、上記の実施例
は、本発明によるYIG素子のほんの一例であり、添付
の特許請求の範囲に定義してある発明的アイデアの枠内
で変更が可能である。たとえば、磁気コアの形状を時定
数または漏洩磁束あるいはこれら両方に関して寸法付け
るために定めた基準を満たすかぎり変えることができ
る。さらに、磁気コアを一体片として形成してもよい
し、あるいは、多数の個別の部品からなるものとしても
よい。さらに、ハウジング、セラミック回路キャリヤな
どは種々の方法で成形し得る。電磁石とする代わりに、
磁気回路が磁気構造内の永久磁石からなるものであって
もよいし、電磁石と永久磁石の組み合わせからなるもの
であってもよい。ほんの1種の定まった周波数を用いる
構成要素においては、電磁石の代わりに永久磁石を用い
てもよい。変調コイルを薄い絶縁銅線から普通に形成し
てもよい。
【0035】この新しいYIG素子のシールもやや異な
った機械的デザインを用いて気密とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のYIG素子の展開図である。
【図2】本発明のYIG素子の実施例の展開図である。
【図3】図2に開示した組み立て済みのYIG素子の図
である。
【図4】YIG素子に組み込んだ変調コイルの好ましい
実施例の平面図である。
【符号の説明】
1・・・磁気コア 2・・・上部 3・・・下部 4・・・シリンダ 5・・・底 6・・・磁極ピン 8・・・コイル 9・・・変調コイル 10・・・フェライト結晶 11・・・絶縁ロッド 12・・・キャリヤ 13・・・セラミック回路板 14・・・接続部 15・・・マイクロ波接続部 51・・・ハウジング 53・・・キャップ 55・・・底 57・・・シート 59・・・くぼみ 61・・・磁気コア 63・・・磁気コア 65・・・上方磁極ピン 67・・・下方磁極ピン 69・・・エアギャップ 71・・・主コイル 73・・・変調コイル 75・・・YIGユニット 76・・・セラミック回路キャリヤ 81・・・フェライト結晶 85・・・支持体 87・・・孔 89・・・電流/電圧接続部 91・・・マイクロ波出力部 93・・・管状リベット 95・・・シールリング 97・・・ケーシング 99・・・ケーシング 102・・・キャリヤ 103・・・コイル導体

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エアギャップ(69)に均質な磁界を発
    生する磁気回路と、前記エアギャップ(69)内に配置
    してあり、均質な磁界の強さに応じて制御できる磁気共
    振周波数を有する少なくとも1つのフェライト結晶(8
    1)とを包含するYIG素子において、前記磁気回路が
    ハウジング(53、55)の空所内に収容してあり、こ
    のハウジングが、外部の影響から磁気回路を機械的に遮
    断するように配置してあり、また、任意に選定した材料
    で形成してあり、さらに、前記磁気回路が前記ハウジン
    グ(51、53)内にエアギャップ(69)を正確に位
    置させる特殊な形状のシート(57)上に配置してあ
    り、またさらに、前記ハウジング(51、53)内に、
    前記フェライト結晶(81)を包含するYIGユニット
    (75)を支持する基礎が構成してあり、フェライト結
    晶をエアギャップ(69)内に正しく位置決めできるよ
    うになっていることを特徴とするYIG素子。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のYIG素子において、い
    くつかの異なったYIG機能を果たす手段と、他の電気
    的機能を果たす手段とが同じハウジング(53、55)
    内に一体に設けてあることを特徴とするYIG素子。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載のYIG素子にお
    いて、前記磁気回路が前記エアギャップ(69)を構成
    する磁極ピン(65、67)を備えており、1つの磁極
    ピン(75)が前記YIGユニット(75)の孔を貫い
    て突出しており、それによってこのYIGユニットを位
    置決めしており、前記フェライト結晶(81)が前記均
    質な磁界内に二次元で存在し、前記基礎が、YIGユニ
    ット(75)およびフェライト結晶を均質な磁界内に三
    次元で位置決めするように精密に成形してあることを特
    徴とするYIG素子。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のうちのいずれか1つに記
    載のYIG素子において、磁気回路が磁気コア(61、
    63)を有する電磁石を包含することを特徴とするYI
    G素子。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のYIG素子において、磁
    気コア(61、63)が、磁束が通る方向に対して横方
    向の断面のまわりにほぼ同じ環境を有する元素から作っ
    てあることを特徴とするYIG素子。
  6. 【請求項6】 請求項4または5記載のYIG素子にお
    いて、磁気コア(61、63)が積層物で作ってあるこ
    とを特徴とするYIG素子。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のうちいずれか1つに記載
    のYIG素子において、エアギャップ内に変調コイル
    (73)が配置してあり、この変調コイル(73)がプ
    リント回路(100)を包含することを特徴とするYI
    G素子。
  8. 【請求項8】 請求項1〜7のうちいずれか1つに記載
    のYIG素子において、回路板にYIG素子を直結する
    手段を備えていることを特徴とするYIG素子。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のうちいずれか1つに記載
    のYIG素子において、前記ハウジング(54、55)
    が下部(55)と上部(53)に分離しており、前記磁
    気回路がハウジングの上部(53)に取り付けてあるこ
    とを特徴とするYIG素子。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のうちいずれか1つに記
    載のYIG素子において、ハウジング(53、55)を
    ほぼ取り囲む磁気遮断材料のハウジング(97、99)
    を包含することを特徴とするYIG素子。
  11. 【請求項11】 請求項1〜10のうちいずれか1つに
    記載のYIG素子において、YIGユニット(75)
    が、キャリヤ(76)と、マイクロ波回路(75)と、
    前記フェライト結晶(81)と、マイクロ波回路(7
    9)とフェライト結晶(81)を相互に電気的に接続す
    る手段を包含し、前記キャリヤが基礎に連結してあり、
    マイクロ波回路(79)、フェライト結晶(81)およ
    び前記最後に述べた手段を支持することを特徴とするY
    IG素子。
  12. 【請求項12】 請求項1〜11のうちいずれか1つに
    記載のYIG素子において、前記磁気回路が永久磁石を
    包含することを特徴とするYIG素子。
  13. 【請求項13】 請求項1〜12のうちいずれか1つに
    記載のYIG素子において、前記ハウジング(53、5
    5)にさらに別の空所が形成してあり、この空所にさら
    に別の電磁石または永久磁石が配置してあることを特徴
    とするYIG素子。
  14. 【請求項14】 請求項1〜13のうちいずれか1つに
    記載のYIG素子において、前記ハウジング(53、5
    5)がアルミまたは亜鉛で作ってあることを特徴とする
    YIG素子。
JP5197312A 1992-10-02 1993-08-09 Yig素子 Pending JPH06216609A (ja)

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SE9202871A SE469999B (sv) 1992-10-02 1992-10-02 Yig-komponent innefattande en magnetkrets och åtminstone en ferritkristall
SE9202871-1 1992-10-02

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SE9202871L (sv) 1993-10-18
SE469999B (sv) 1993-10-18
DE69327287D1 (de) 2000-01-20
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