JPS6327086A - 半導体レ−ザ出力制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザ出力制御装置Info
- Publication number
- JPS6327086A JPS6327086A JP17023486A JP17023486A JPS6327086A JP S6327086 A JPS6327086 A JP S6327086A JP 17023486 A JP17023486 A JP 17023486A JP 17023486 A JP17023486 A JP 17023486A JP S6327086 A JPS6327086 A JP S6327086A
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- JP
- Japan
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- laser output
- detector
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ出力制御装置に関し、特許にレー
ザ出力のレベルを検出し、こ゛のレベルと基準電圧との
差信号により半導体レーザを駆動制御してレーザ出力の
レベルを一定値に制御する半導体レーザ出力制御装置に
関する゛。
ザ出力のレベルを検出し、こ゛のレベルと基準電圧との
差信号により半導体レーザを駆動制御してレーザ出力の
レベルを一定値に制御する半導体レーザ出力制御装置に
関する゛。
従来、この種の半導体レーザ出力制御装置は、第２図に
示すように、半導体レーザ７のレーザ出力を検出するホ
トダイオードなどのレーザ出力検出部４と、このレーザ
出力検出部４の出力信号のレベルを検出するレベル検出
部５と、このレベル検出部５の出力信号とレーザ出力の
レベルを所定の値に設定するための設定電圧ｖｓとを比
較し、差信号を出力する比較部２と、この差信号により
半導体レーザ７を駆動制御するレーザ駆動部３とを備え
、その差信号が零になるように追値制御する構成となっ
ており、レベル検出部５は、通常、コンデンサと抵抗と
を含む回路で構成され、このコンデンサの充電電圧によ
り尖頭値を検出するようになっている。
示すように、半導体レーザ７のレーザ出力を検出するホ
トダイオードなどのレーザ出力検出部４と、このレーザ
出力検出部４の出力信号のレベルを検出するレベル検出
部５と、このレベル検出部５の出力信号とレーザ出力の
レベルを所定の値に設定するための設定電圧ｖｓとを比
較し、差信号を出力する比較部２と、この差信号により
半導体レーザ７を駆動制御するレーザ駆動部３とを備え
、その差信号が零になるように追値制御する構成となっ
ており、レベル検出部５は、通常、コンデンサと抵抗と
を含む回路で構成され、このコンデンサの充電電圧によ
り尖頭値を検出するようになっている。
上述した従来の半導体レーザ出力制御装置は、レーザ出
力のレベルを検出するレベル検出部５がコンデンサの充
電電圧を検出する構成となっているので、レーザ出力が
連続波の゛場合には正常に制御されるが、パルス変調さ
れたレーザ出力のように間欠的な出力である場合には、
レベル検出部５の出力レベルがパルス幅により変化し、
真値を検出できないため、パルス幅によりレーザ出力が
変化し、また、レーザ出力を目的のレベルに設定するこ
とが困難であるという欠点がある。
力のレベルを検出するレベル検出部５がコンデンサの充
電電圧を検出する構成となっているので、レーザ出力が
連続波の゛場合には正常に制御されるが、パルス変調さ
れたレーザ出力のように間欠的な出力である場合には、
レベル検出部５の出力レベルがパルス幅により変化し、
真値を検出できないため、パルス幅によりレーザ出力が
変化し、また、レーザ出力を目的のレベルに設定するこ
とが困難であるという欠点がある。
本発明の目的は、レーザ出力がパルス幅により変化する
ことを防止し、レーザ出力のレベル設定が容易にできる
半導体レーザ出力制御装置を提供することにある。
ことを防止し、レーザ出力のレベル設定が容易にできる
半導体レーザ出力制御装置を提供することにある。
本発明の半導体レーザ出力制御装置は、半導体レーザの
レーザ出力を検出するレーザ出力検出部と、このレーザ
出力検出部の出力信号のレベルを検出するレベル検出部
と、前記レーザ出力検出部の出力信号から前記レーザ出
力のパルス幅を検出するパルス幅検出部と、このパルス
幅検出部の出力電圧と前記レーザ出力のレベルを設定す
るための設定電圧とを合成し基準電圧を発生する基準電
圧発生部と、前記基準電圧と前記レベル検出部の出力信
号とを比較し差信号を出力する比較部と、前記差信号に
より前記半導体レーザを駆動し前記レーザ出力を所定の
レベルに制御するレーザ駆動部とを有している。
レーザ出力を検出するレーザ出力検出部と、このレーザ
出力検出部の出力信号のレベルを検出するレベル検出部
と、前記レーザ出力検出部の出力信号から前記レーザ出
力のパルス幅を検出するパルス幅検出部と、このパルス
幅検出部の出力電圧と前記レーザ出力のレベルを設定す
るための設定電圧とを合成し基準電圧を発生する基準電
圧発生部と、前記基準電圧と前記レベル検出部の出力信
号とを比較し差信号を出力する比較部と、前記差信号に
より前記半導体レーザを駆動し前記レーザ出力を所定の
レベルに制御するレーザ駆動部とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第１図は本発明の一実施例のブロック図である。
半導体レーザ７から発したレーザ出力の一部はホトダイ
オードなどのレーザ出力検出部４で検出され、レベル検
出部５に入る。このレベル検出部５は、コンデンサと抵
抗とを含む回路で構成された一種の積分回路であり、こ
のコンデンサの充電電圧から尖頭値を検出して比較部２
へ出力する。
オードなどのレーザ出力検出部４で検出され、レベル検
出部５に入る。このレベル検出部５は、コンデンサと抵
抗とを含む回路で構成された一種の積分回路であり、こ
のコンデンサの充電電圧から尖頭値を検出して比較部２
へ出力する。
一方、レーザ出力検出部４の出力信号はパルス幅検出部
６にも伝達され、同様に一種の積分回路によりパルス幅
に対応した電圧を出力する。パルス幅検出部６の出力電
圧は、基準電圧発生部１により、レーザ出力のレベルを
設定するための設定電圧■５と合成されて基準電圧とし
て出力される。
６にも伝達され、同様に一種の積分回路によりパルス幅
に対応した電圧を出力する。パルス幅検出部６の出力電
圧は、基準電圧発生部１により、レーザ出力のレベルを
設定するための設定電圧■５と合成されて基準電圧とし
て出力される。
比較部２は、この基準電圧とレベル検出部５の出力信号
とを比較し、これらの信号の差信号をレーザ駆動部３へ
出力する。レーザ駆動部３は、この差信号により半導体
レーザ７を駆動し、レーザ出力が所定のレベルになるよ
うに制御する。
とを比較し、これらの信号の差信号をレーザ駆動部３へ
出力する。レーザ駆動部３は、この差信号により半導体
レーザ７を駆動し、レーザ出力が所定のレベルになるよ
うに制御する。
従って、パルス幅が短かくなるとレベル検出部５の出力
電圧はパルス幅に応じて低下するが、同時にパルス幅検
出部６の出力電圧もパルス幅に応じて低下し、この出力
電圧と設定電圧Ｖｓとの合成電圧である基準電圧もパル
ス幅に応じて低下するので、比較部２においては、パル
ス幅で変動するレベル検出部５の出力電圧を、補正した
形で比較することになり、半導体レーザ７からのレーザ
出力のレベルがパルス幅で変化することを防止すること
ができる。
電圧はパルス幅に応じて低下するが、同時にパルス幅検
出部６の出力電圧もパルス幅に応じて低下し、この出力
電圧と設定電圧Ｖｓとの合成電圧である基準電圧もパル
ス幅に応じて低下するので、比較部２においては、パル
ス幅で変動するレベル検出部５の出力電圧を、補正した
形で比較することになり、半導体レーザ７からのレーザ
出力のレベルがパルス幅で変化することを防止すること
ができる。
以上説明したように本発明は、設定電圧とパルス幅検出
部からのパルス幅に対応した出力電圧とを合成して基準
電圧を作り、この基準電圧とレベル検出部の出力信号と
を比較し、これら信号の差信号により半導体レーザを駆
動制御する構成にすることにより、レーザ出力のレベル
がパルス幅により変化することを防止し、レーザ出力の
レベイレ設定を容易にすることができる効果がある。
部からのパルス幅に対応した出力電圧とを合成して基準
電圧を作り、この基準電圧とレベル検出部の出力信号と
を比較し、これら信号の差信号により半導体レーザを駆
動制御する構成にすることにより、レーザ出力のレベル
がパルス幅により変化することを防止し、レーザ出力の
レベイレ設定を容易にすることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
従来の半導体レーザ出力制御装置の、−例を示すブロッ
ク図である。
従来の半導体レーザ出力制御装置の、−例を示すブロッ
ク図である。
Claims (1)
- 半導体レーザのレーザ出力を検出するレーザ出力検出部
と、このレーザ出力検出部の出力信号のレベルを検出す
るレベル検出部と、前記レーザ出力検出部の出力信号か
ら前記レーザ出力のパルス幅を検出するパルス幅検出部
と、このパルス幅検出部の出力電圧と前記レーザ出力の
レベルを設定するための設定電圧とを合成し基準電圧を
発生する基準電圧発生部と、前記基準電圧と前記レベル
検出部の出力信号とを比較し差信号を出力する比較部と
、前記差信号により前記半導体レーザを駆動し前記レー
ザ出力を所定のレベルに制御するレーザ駆動部とを有す
ることを特徴とする半導体レーザ出力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17023486A JPS6327086A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17023486A JPS6327086A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327086A true JPS6327086A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0513554B2 JPH0513554B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=15901151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17023486A Granted JPS6327086A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6327086A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0392515U (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-20 | ||
| EP0649201A1 (en) * | 1993-10-14 | 1995-04-19 | AT&T Corp. | Amplitude detection scheme for optical transmitter control |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17023486A patent/JPS6327086A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0392515U (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-20 | ||
| EP0649201A1 (en) * | 1993-10-14 | 1995-04-19 | AT&T Corp. | Amplitude detection scheme for optical transmitter control |
| US5448629A (en) * | 1993-10-14 | 1995-09-05 | At&T Corp. | Amplitude detection scheme for optical transmitter control |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513554B2 (ja) | 1993-02-22 |
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