JPS63266388A - 被検出物有無検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特にＩＣ等の半導体デバイスのパンケージ面
にマークが印刷されているか否かを検出する被検出物有
無検出装置に関する。

〔従来の技術〕

物品の有無あるいは物品の表面に貼られたラベルの有無
等を検出する場合、−Ｓに光学センサが使用されている
。たとえば、工業調査会発行「自動化技術Ｊ　１９８４
年６月号、昭和５９年６月１日発行、Ｐ５８〜Ｐ６１に
は、物品の有無検出センサについて記載されている。こ
の文献には、以下のようなことが記載されている。物品
の有無検出センサにはビームセンサや近接センサがある
。

また、ビームセンサには、透過形、ミラー反射形。

直接反射形、ファイバセンサ等がある。前記直接反射形
は投光部および受光部を一体ケースに収めた構造となる
とともに、被検出物（物品）に投光された光が被検出物
で直接反射された光（反射光）を受光部で検出すること
によって、物体の有無検出を行う。この直接反射形セン
サは、下記のような特長がある。

（１）投・受光一体であるため、取付場所を選ばない、
物体の有無検出に最適である。

（２）感度調整用のボリウムにより、検出距離調整が可
能である。

（３）透明体、半透明体検出が可能である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

■Ｃ等半導体デバイスの製造方法の一つとして、リード
フレームを用いる方式がある。この製造方法では、チン
プボンディング、ワイヤボンディングが終了したリード
フレームに対して、レジンで部分的にモールドを行って
、前記チンプボンデイング部、ワイヤボンディング部を
被い、その後、前記レジンで構成されたパッケージの表
面にマークを印刷するとともに、リードフレームから製
品を分離している。

ところで、本出願人はこのような製造フローにおいて、
マーク印刷の良否をマークの有無によって検出している
。この場合、センサとしては、前述のような直接反射形
センサ（直接反射形フォトセンサ）を使用し、リードフ
レームの移送停止中に、マークの有無を検出している。

しかし、ＩＣのマークは種々あることから、サイズの大
きなマークの検出をも考慮してスポット光サイズを大き
くしてマーク面全体を検出しようとすると、単位面積当
たりの光強度が小さくなり、検出が不安定となる。また
、スポット光を小さくして検出を行うと、マークの寸法
が大きくなった場合、マークからスポット光が外み出し
て検出ができなくなる。

また、このような方法では同期を取り、マークにスポッ
ト光を高精度に一致させて検出を行わなければならず、
リードフレームの停止位置がずれたりすると、マーク有
無検出ができなくなることもある。

本発明の目的は、被検出物寸法が変化しても確実に被検
出物の有無検出が行える被検出物有無検出装置を提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、搬送中の被検出物の有無を検出す
ることができる被検出物有無検出装置を提供することに
ある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明の被検出物有無検出装置にあっては、
センサスポット光は細長矩形スポット光となっていると
ともに、この細長矩形スポット光は半導体デバイスのパ
フケージに対して相対的に移動して、マーク面全域を走
査してマークの有無を検出するように構成されてい、る
。

〔作用〕

上記した手段によれば、被検出物有無検出装置のセンサ
スポット光は細長矩形スポット光となっていることから
、単位面積当たりの光強度は大きく、半導体デバイスの
マーク面の幅全域に亘って強い光を照射する。また、こ
の細長矩形スポット光は相対的にマーク面をその長さ方
向全域に亘って走査するため、確実にマークのを無が検
出できる。したがって、マークの大きさ如何に係わらず
、確実にマークの有無あるいはマーク形状を検出できる
。さらに、この被検出物有無検出装置は、細長矩形スポ
ット光を静止状態にし、半導体デバイスを移動させるこ
とによってマーク面を細長矩形スポット光で走査するよ
うにしていることから、細長矩形スポット光の照射時と
マーク位置との合わせ精度はそれほど高くなくともよ＜
、確実にマーク検出が行える。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例による被検出物有無検出装置
の概要を示す正面図、第２図は同じ（スポット光による
検出開始時の半導体デバイスの平面図、第３図は同じく
スポット光による検出終了時の半導体デバイスの平面図
である。

この実施例の被検出物有無検出装置は、第１図に示され
るように、リードフレーム１を載置する移送テーブル２
と、この移送テーブル２の上方に配設される直接反射形
フォトセンサ３と、前記リードフレームｌを間欠的に移
送する図示しない移送機構とからなっている。

前記リードフレーム１は、第２図に示されるように、定
間隔にレジンからなるパフケージ４を有している。この
パッケージ４内には、図示はしないが半導体素子が搭載
されているとともに、この半導体素子の電極と図示しな
いリードの内端とは、それぞれワイヤで電気的に接続さ
れている。前記リードは、図示はしないが、その外端が
パッケージ４の外に突出している。なお、前記パッケー
ジ４は、図では、その４辺の中間部分を吊りリード５で
支持されている。また、前記パフケージ４の上面（主面
）には、Ａなるマーク６が印刷されている。このマーク
６は、前記パンケージ４をレジンモールドによって形成
した後の工程で、リードフレームｌにパッケージ４が支
持された状態で印刷される。また、このマーク６が印刷
されたパッケージ４は、リードフレームｌに支持された
状態で、第１図に示されるように、移送テーブル２に載
って間欠的に移送され、マーク有無検出ステーションに
配設された前記直接反射形フォトセンサ３の下を通過す
る。

前記直接反射形フォトセンサ３は、スポット光７を前記
パッケージ４に照射するとともに、パッケージ４面で反
射した反射光８を受光するようになっている。また、こ
の反射光８の光強度の変化によってマーク６の有無を検
出し、パッケージ４にマーク６が印刷されているか否か
を検出するようになっている。

ところで、この直接反射形フォトセンサ３は、前述のよ
うにスポット光７をパッケージ４の主面に照射するが、
このスポット光７は、第２図および第３図に示されるよ
うに、細長矩形状のスポット光（細長矩形スポット光）
７となっている。これは、出力が小さい直接反射形フォ
トセンサ３であっても、スポット光７を細長矩形状のス
ポット光にするため、スポット光７の単位面積当たりの
光強度を大きくできる。このため、照射光の光強度の増
大によって、確実にマーク６を検出できるようになる。

また、光強度の増大によって、リードフレーム１が反っ
ていたりした場合にも、マークとその下地とのコントラ
ストが強くなるため、確実なマーク検出が行える。

しかし、前記スポット光７は細長矩形状のスポット光と
なっていることから、マーク６の一部しか検出できない
。そこで、この実施例では、この細長矩形スポット光７
をマーク６に対して走査することによって、マーク６全
体を検出するようになっている。具体的には、前記直接
反射形フォトセンサ３はリードフレーム１の間欠移動に
同期し、リードフレームｌ、すなわち、パンケージ４が
移動する際、細長矩形スポット光７を発光させてマーク
６を検出する。第２図は、細長矩形スポット光７による
検出開始時の状態を示す図であって、細長矩形スポット
光７は、パッケージ４の右側に位置しているが、リード
フレーム１が右に移動し、マーク検出が終了状態となる
と、第３図に示されるように、細長矩形スポット光７は
パンケージ４の左側に位置するようになる。そして、細
長矩形スポット光７がパンケージ４に対して相対的に移
動して走査した際、この走査の途中でマーク６の有無を
検出する。

前記細長矩形スポット光７による走査頭載は、第３図の
クロスハンチングで示される領域となり、この領域は、
パンケージ４におけるマーク６を印刷する領域、すなわ
ち、マーク面９となる。このマーク面９は、マークが印
刷される最大幅Ｗとなり、かつ細長矩形スポット光７の
長さに一致している。したがって、マーク等の形状や寸
法力月Ｃ等半導体デバイス毎に異なっても、マーク等は
この領域から食み出すようなことはなく、細長矩形スポ
ット光７によって確実に検出される。

なお、この実施例でもスポット光７の照射とリードフレ
ームｌの間欠的移動は同期が取られるが、マーク６はマ
ーク面９の端、すなわち、検出開始側および検出終了側
の端部分には印刷の余裕度のために印刷されないのが一
般的であることから、スポット光７とリードフレーム１
のタイミング合わせは、従来の構造に比較して高精度を
要求されない。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明の被検出物有無検出装置は、小さいスポッ
ト光を発光する直接反射形フォトセンサを使用しても、
スポット光を細長矩形スポット光として単位当たりの光
強度を大きくし、かつこの細長矩形スポット光をマーク
に対して走査するため、高精度にマーク検出が行えると
いう効果が得られる。

（２）上記（１）により、本発明の被検出物有無検出装
置は、小型の直接反射形フォトセンサを使用しても、細
長矩形スポット光を走査させるため、マーク面を大きく
できるという効果が得られる。

（３）上記（１）により、本発明の被検出物有無検出装
置は、マーク面が広くなることから、マークサイズの大
きいものをも検出することができるという効果が得られ
る。

（４）上記（１）により、本発明の被検出物有無検出装
置は小型の直接反射形フォトセンサを使用するため、そ
の製造コストを安価にできるという効果が得られる。

（５）本発明の被検出物有無検出装置は、マークに照射
するスポット光の光強度が強いため、リードフレームが
反っていても、マークとその下地とのコントラストが強
いため、高精度なマーク検出が行えるという効果が得ら
れる。

（６）本発明の被検出物有無検出装置は、マークをスポ
ット光で走査することによってマークを検出するため、
マークとスポット光とのタイミングが取り易いという効
果が得られる。

（７）上記（１）〜（６）により、本発明によれば、高
精度のマーク検出が行える安価な被検出物有無検出装置
を提供することができるという相乗効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＩＣのマーク検出技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではな（、マークを表示した物品そのものを検出
する技術に適用できる。

本発明は少な（とも物品の有無検出技術には適用できる
。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明の被検出物有無検出装置のセンサスポット光は、
細長矩形スポット光となっていることから、単位面積当
たりの光強度は大きく、半導体デバイスのマーク面の幅
全域に亘って強い光を照射する。また、この細長矩形ス
ポット光は相対的にマーク面をその長さ方向全域に亘っ
て走査するため、確実にマークの有無が検出できる。し
たがって、マークの大きさ如何に係わらず、確実にマー
クの有無あるいはマーク形状を検出できる。さらに、こ
の被検出物有無検出装置は、細長矩形スポット光を静止
状態にし、半導体デバイスを移動させることによってマ
ーク面を細長矩形スポット光で走査するようにしている
ことから、細長矩形スポット光の照射時とマーク位置と
の合わせ精度はそれほど高（なくともよく、確実にマー
ク検出が行える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による被検出物有無検出装置
の概要を示す正面図、 第２図は同じくスポット光による検出開始時の半導体デ
バイスの平面図、 第３図は同じくスポット光による検出終了時の半導体デ
バイスの平面図である。 工・・・リードフレーム、２・・・移送テーブル、３・
・・直接反射形フォトセンサ、４・・・パッケージ、５
・・・吊りリード、６・・・マーク、７・・・スポット
光、８・・・反射光、９・・・マーク面。 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３　　図 ／−リート°’７Ｌ−Ａ ７−　ズホー・・Ｉトｔ！

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、直接反射形フォトセンサで被検出物を検出する被検
   出物有無検出装置であって、前記直接反射形フォトセン
   サは、細長矩形スポット光を被検出物に照射するととも
   に、被検出物に対して相対的に走査して被検出物を検出
   するように構成されたことを特徴とする被検出物有無検
   出装置。 ２、前記直接反射形フォトセンサは静止状態にあり、被
   検出物が移動することによって走査が行われるように構
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の被検出物有無検出装置。 ３、前記直接反射形フォトセンサでは被検出物の表面の
   マークを検出することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項および第２項記載の被検出物有無検出装置。