JPS63265483A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63265483A JPS63265483A JP10036387A JP10036387A JPS63265483A JP S63265483 A JPS63265483 A JP S63265483A JP 10036387 A JP10036387 A JP 10036387A JP 10036387 A JP10036387 A JP 10036387A JP S63265483 A JPS63265483 A JP S63265483A
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- Japan
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- silicon submount
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- laser chip
- laser
- silicon
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、小型で堅牢、光の波長純度および空間均一性
に優れた半導体レーザに関する。
に優れた半導体レーザに関する。
従来の技術
現在、コンパクトディスク（ＣＤ）やビデオディスク（
ＶＤ）では、現在のところ、そのピックアップ方式の大
半を３ビ一ム方式が占めている。
ＶＤ）では、現在のところ、そのピックアップ方式の大
半を３ビ一ム方式が占めている。
この３ビ一ム方式では第２図に示す様に、レーザチップ
１から出されたレーザ光が、ビームスグリツタ２で３本
に分けられ、ハーフミラ−３を過つてディスク４０面に
到達し、主信号およびトラッキング信号を伝える。一方
、ディスク面で反射されたビームは、レーザチップ１の
発光点から４０〜１３０μｍの所（Ａ点）に戻ってくる
。なお、図中６は集光レンズ、６はフォトダイオード、
７はシリコンサブマウントである。ところで、半導体レ
ーザは、レーザチップの発光点とステムとの相対的な位
置の関係から２つの構造に大別されも第３図は、上記の
構造と出射光および戻シ光の関係を示す図であシ、第３
図（ａ）は発光点がステムヘッド８から離れたところに
位置するアップサイドアップ型、一方、第３図（ｂ）は
発光点がステムヘッド８の側に位置するアップサイドダ
ウン型を示している。ところで、第３図（ａ）で示すア
ップサイドアップ型では破線で示す戻シ光がレーザチッ
プの端面で反射する。また、第３図（ロ）で示すアップ
サイドダウン型では、レーザチップの端面ならびにシリ
コンサブマウント面で反射する。このような反射光が本
来のビームと干渉を起こし、トラッキングノイズとなる
。
１から出されたレーザ光が、ビームスグリツタ２で３本
に分けられ、ハーフミラ−３を過つてディスク４０面に
到達し、主信号およびトラッキング信号を伝える。一方
、ディスク面で反射されたビームは、レーザチップ１の
発光点から４０〜１３０μｍの所（Ａ点）に戻ってくる
。なお、図中６は集光レンズ、６はフォトダイオード、
７はシリコンサブマウントである。ところで、半導体レ
ーザは、レーザチップの発光点とステムとの相対的な位
置の関係から２つの構造に大別されも第３図は、上記の
構造と出射光および戻シ光の関係を示す図であシ、第３
図（ａ）は発光点がステムヘッド８から離れたところに
位置するアップサイドアップ型、一方、第３図（ｂ）は
発光点がステムヘッド８の側に位置するアップサイドダ
ウン型を示している。ところで、第３図（ａ）で示すア
ップサイドアップ型では破線で示す戻シ光がレーザチッ
プの端面で反射する。また、第３図（ロ）で示すアップ
サイドダウン型では、レーザチップの端面ならびにシリ
コンサブマウント面で反射する。このような反射光が本
来のビームと干渉を起こし、トラッキングノイズとなる
。
このようなノイズを防止するにあたシ、従来は、レーザ
チップ端面の戻シ光が入る部分を低反射率の面もしくは
戻シ光を吸収できる面とすること、ならびに、シリコン
サブマウントをその戻り光入射面（切断面）が傾斜する
ように取シつけ、戻シ光を主ビームとは異る方向へ反射
させることなどの対策が講じられていた。
チップ端面の戻シ光が入る部分を低反射率の面もしくは
戻シ光を吸収できる面とすること、ならびに、シリコン
サブマウントをその戻り光入射面（切断面）が傾斜する
ように取シつけ、戻シ光を主ビームとは異る方向へ反射
させることなどの対策が講じられていた。
発明が解決しようとする問題点
前者の対策は、レーザチップそのものに対して施される
ため、このことによって実装面での不都合をきたすこと
はないが、後者の対策を施すと、レーザチップの取付精
度の低下をもたらすばかシでなく、放熱特性にばらつき
をもたらす。半導体レーザにおいては、特に取付精度の
低下は致命的な不良原因につながる。
ため、このことによって実装面での不都合をきたすこと
はないが、後者の対策を施すと、レーザチップの取付精
度の低下をもたらすばかシでなく、放熱特性にばらつき
をもたらす。半導体レーザにおいては、特に取付精度の
低下は致命的な不良原因につながる。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題点、すなわち、シリコンサブマウ
ントを傾けて取りつけることにより派生する不都合の排
除を意図してなされたもので、本発明の特徴はレーザチ
ップが取９つけられるシリコンサブマウントの端面を、
レーザビーム径以下の凹凸加工面となし、同凹凸加工面
となし、同凹凸加工面への戻シ光を乱反射させるように
したところにある。
ントを傾けて取りつけることにより派生する不都合の排
除を意図してなされたもので、本発明の特徴はレーザチ
ップが取９つけられるシリコンサブマウントの端面を、
レーザビーム径以下の凹凸加工面となし、同凹凸加工面
となし、同凹凸加工面への戻シ光を乱反射させるように
したところにある。
作 用
この構造によれば、シリコンサブマウントを傾けて取シ
つけることが不要となフ、この状態で戻シ光の反射に起
因するトラッキングノイズを抑圧することができる。
つけることが不要となフ、この状態で戻シ光の反射に起
因するトラッキングノイズを抑圧することができる。
実施例
以下に図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の半導体レーザを示す図であシ、レーザ
チップ１は、ｐ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板９の上に電流狭窄
層１０、ｐ形ＧａＡ４Ａｓ＋クラッド層１１、活性層１
２、ｎ形Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層１３、コン
タクト層１４を形成し、さらにｎ側電極１６とｐ側電極
１６とを設けた構造となっている。ところで、各層（７
） Ａ Ｉ Ａ ｍ混晶比は、Ｘ＝０，０．５，０．０
８゜０．５ ０．Ｏ４０，０，５、０，０４、また、各
層の膜厚は、１．０ 、０．２ 、０．０８ 、２．０
、２．０μｍ程度である。
チップ１は、ｐ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板９の上に電流狭窄
層１０、ｐ形ＧａＡ４Ａｓ＋クラッド層１１、活性層１
２、ｎ形Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層１３、コン
タクト層１４を形成し、さらにｎ側電極１６とｐ側電極
１６とを設けた構造となっている。ところで、各層（７
） Ａ Ｉ Ａ ｍ混晶比は、Ｘ＝０，０．５，０．０
８゜０．５ ０．Ｏ４０，０，５、０，０４、また、各
層の膜厚は、１．０ 、０．２ 、０．０８ 、２．０
、２．０μｍ程度である。
なお、ｎ側電４１１５は、Ａｕ−ＧｏあるいはＡｕを真
空蒸着し、骨間の目安となるパターンとして形成され、
一方、ｐ側電極１６は、骨間を容易にするため、基板厚
みを１００μｍ程度としてからＡｕ−Ｚｎを真空蒸着し
て形成されている。
空蒸着し、骨間の目安となるパターンとして形成され、
一方、ｐ側電極１６は、骨間を容易にするため、基板厚
みを１００μｍ程度としてからＡｕ−Ｚｎを真空蒸着し
て形成されている。
このような構造とされたレーザチップ１の弁開面上には
保護膜１７としてＡ１２ｏ３膜が形成されるが、この保
護膜１７の厚みを戻ル光が入射する部分では薄く、残部
では厚くなるように変化させることによって戻シ光に対
する反射率を低下させている。
保護膜１７としてＡ１２ｏ３膜が形成されるが、この保
護膜１７の厚みを戻ル光が入射する部分では薄く、残部
では厚くなるように変化させることによって戻シ光に対
する反射率を低下させている。
ところで、本発明の半導体レーザでは、上記のレーザチ
ップ１が取りつけられるシリコンサブマウント７に特徴
的な対策が施されている。すなわち、両面がメタライズ
されたシリコンウエノ１を切断して得た所定寸法の矩形
片の切断面を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液でエ
ツチングすることによシ凹凸面１８をしている。このよ
うな加工が施されたシリコンサブマウントでは、戻シ光
に対する反射率が著るしく低下する。
ップ１が取りつけられるシリコンサブマウント７に特徴
的な対策が施されている。すなわち、両面がメタライズ
されたシリコンウエノ１を切断して得た所定寸法の矩形
片の切断面を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液でエ
ツチングすることによシ凹凸面１８をしている。このよ
うな加工が施されたシリコンサブマウントでは、戻シ光
に対する反射率が著るしく低下する。
なお、ＮａＯＨ水溶液によるエツチングの条件は、液温
を６０±２℃、エツチング時間を１０分間とした。この
時間が短かすぎると凹凸加工が不十分となシ、一方、長
すぎるとメタライズ層が庇状に突出する不都合を招く。
を６０±２℃、エツチング時間を１０分間とした。この
時間が短かすぎると凹凸加工が不十分となシ、一方、長
すぎるとメタライズ層が庇状に突出する不都合を招く。
これらを考慮して所定の条件設定がなされればよい。
因に、上記の条件で形成した凹凸面の戻シ光に対する反
射率は約１０％であシ、切断面をそのままの状態とした
場合の戻シ光に対する反射率が約３０憾であることと比
較すると著るしい低下が実現されている。
射率は約１０％であシ、切断面をそのままの状態とした
場合の戻シ光に対する反射率が約３０憾であることと比
較すると著るしい低下が実現されている。
このような凹凸面１８では、図示するように戻り光が入
射しても、この戻シ光は殆んど反射されないことになる
。
射しても、この戻シ光は殆んど反射されないことになる
。
発明の効果
以上のような構造とされた本発明の半導体レーザでは、
シリコンサブマウントの切断面が低反射率の面とされて
いるため、ステムヘッド８への取り付けに際して傾けて
取りつけることが不要であシ、シたがって、レーザチッ
プの取付精度の低下、放熱特性のばらつき等の不都合が
排除される。勿論、シリコンサブマウントの切断面の戻
シ光に対する反射率が低下しているため、トラッキング
ノイズの低減もはかられ、高性能の半導体レーザが実現
される。゛
シリコンサブマウントの切断面が低反射率の面とされて
いるため、ステムヘッド８への取り付けに際して傾けて
取りつけることが不要であシ、シたがって、レーザチッ
プの取付精度の低下、放熱特性のばらつき等の不都合が
排除される。勿論、シリコンサブマウントの切断面の戻
シ光に対する反射率が低下しているため、トラッキング
ノイズの低減もはかられ、高性能の半導体レーザが実現
される。゛
第１図は、本発明の半導体レーザの構造を示す図、第２
図は３ビ一ム方式を説明するための図、第３図は半導体
レーザの構造と出射光および戻シ光の関係を示す図であ
る。 １・・・・・・レーザチップ、２・・・・・・ビームス
プリッタ、３・・・・・・ハーフミラ−１４・・・・・
・ディスク、６・・・・・・集光レンズ、６・・・・・
・フォトダイオ−）’、 ７川−７リコンサプマウント
、８・・・・・・ステムヘッド、９・・・・・・ｐ形Ｇ
ａＡＢ基板、１０・・・・・・電流狭窄層、１１・・・
・・・ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層、１２・
・・・・・活性層、１３・・・・・・ｎ形Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓクラッド層、１４・・・・・・コンタクト層
、１５，１６・・・・・・電極、１７・・・・・・保護
膜、１８・・・・・・凹凸面。 ９−−− ｒｌｒＩｃＢＡｓ、Ｋｇ ｔｏ−＜５ｙｔ４！、Ｉ＊４ ”−’ＭｔＧｔＡｔＡｓ’Ｊ７−ｔ＊４１４−−−ルタ
７ト４ ｆｊ、 Ｉｆ−−−、電極 １−−−レープ°＋ｗｙ・ ４−・ディスク Ｓ−Ｚにレンで 第 ３ｒ！Ａ
図は３ビ一ム方式を説明するための図、第３図は半導体
レーザの構造と出射光および戻シ光の関係を示す図であ
る。 １・・・・・・レーザチップ、２・・・・・・ビームス
プリッタ、３・・・・・・ハーフミラ−１４・・・・・
・ディスク、６・・・・・・集光レンズ、６・・・・・
・フォトダイオ−）’、 ７川−７リコンサプマウント
、８・・・・・・ステムヘッド、９・・・・・・ｐ形Ｇ
ａＡＢ基板、１０・・・・・・電流狭窄層、１１・・・
・・・ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層、１２・
・・・・・活性層、１３・・・・・・ｎ形Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓクラッド層、１４・・・・・・コンタクト層
、１５，１６・・・・・・電極、１７・・・・・・保護
膜、１８・・・・・・凹凸面。 ９−−− ｒｌｒＩｃＢＡｓ、Ｋｇ ｔｏ−＜５ｙｔ４！、Ｉ＊４ ”−’ＭｔＧｔＡｔＡｓ’Ｊ７−ｔ＊４１４−−−ルタ
７ト４ ｆｊ、 Ｉｆ−−−、電極 １−−−レープ°＋ｗｙ・ ４−・ディスク Ｓ−Ｚにレンで 第 ３ｒ！Ａ
Claims (1)
- 半導体レーザ素子基板が取りつけられるシリコンサブマ
ウントの、前記半導体素子基板のレーザビーム出射端面
と同一の面上に位置する面がレーザビーム径以下の粗さ
の面に加工されていることを特徴とする半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100363A JP2578798B2 (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100363A JP2578798B2 (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265483A true JPS63265483A (ja) | 1988-11-01 |
| JP2578798B2 JP2578798B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=14271987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100363A Expired - Fee Related JP2578798B2 (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578798B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161792A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | Sony Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| EP0660467A1 (de) * | 1993-12-22 | 1995-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55153338A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Fujitsu Ltd | Surface treatment of semiconductor substrate |
| JPS61174690A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザ用発光性半導体チツプのダイボンデング位置設定方法 |
| JPS61151362U (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-18 | ||
| JPS6213088A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光半導体装置 |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP62100363A patent/JP2578798B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55153338A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Fujitsu Ltd | Surface treatment of semiconductor substrate |
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| JPS61151362U (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-18 | ||
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| JPH01161792A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | Sony Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2586536B2 (ja) * | 1987-12-17 | 1997-03-05 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| EP0660467A1 (de) * | 1993-12-22 | 1995-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2578798B2 (ja) | 1997-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |