JPS6326377A - めつき液再生装置 - Google Patents
めつき液再生装置Info
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- JPS6326377A JPS6326377A JP16913586A JP16913586A JPS6326377A JP S6326377 A JPS6326377 A JP S6326377A JP 16913586 A JP16913586 A JP 16913586A JP 16913586 A JP16913586 A JP 16913586A JP S6326377 A JPS6326377 A JP S6326377A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はめっき液の再生装置に関し、詳しくは化学めっ
き液中の化学めっき反応阻害成分を選択的に除去して、
化学銅めっき液を再生する装置に関するものである。
き液中の化学めっき反応阻害成分を選択的に除去して、
化学銅めっき液を再生する装置に関するものである。
銅イオン、銅イオンの錯化剤、銅イオンの還元剤、ｌ（
調整剤を主成分として含む化学銅めっき液では、長時間
の使用によって、めっき液中に化学めっき反応を阻害す
る成分が蓄積される。すなわち、化学めっき反応によっ
て消費される銅イオンは、その最適濃度を維持するため
に、不足分の銅イオンが補給される。この場合、補給さ
れる銅イオンは、銅化合物の水溶液として補給される。
調整剤を主成分として含む化学銅めっき液では、長時間
の使用によって、めっき液中に化学めっき反応を阻害す
る成分が蓄積される。すなわち、化学めっき反応によっ
て消費される銅イオンは、その最適濃度を維持するため
に、不足分の銅イオンが補給される。この場合、補給さ
れる銅イオンは、銅化合物の水溶液として補給される。
従って、この補給かくり返されると、銅化合物の銅イオ
ンの対陰イオンがめつき液中に蓄積されることになる。
ンの対陰イオンがめつき液中に蓄積されることになる。
この銅化合物としては、主として硫酸銅が用いられるの
で、硫酸イオンが蓄積される。銅イオンの還元剤として
は、ホルムアルデヒドが用いられるが、この酸化反応生
成物イオンは、ギ酸イオンでありめっき液の長時間使用
による銅イオンの還元剤（ホルムアルデヒド）の補給に
伸って蓄積される。これらの蓄積イオンは、めっき液の
イオン強度を増大し、２価銅イオンを捕捉するので、め
っき液の安定性を損ない、めっき液を分解し、めっき皮
膜の機械的性質を低下させる。
で、硫酸イオンが蓄積される。銅イオンの還元剤として
は、ホルムアルデヒドが用いられるが、この酸化反応生
成物イオンは、ギ酸イオンでありめっき液の長時間使用
による銅イオンの還元剤（ホルムアルデヒド）の補給に
伸って蓄積される。これらの蓄積イオンは、めっき液の
イオン強度を増大し、２価銅イオンを捕捉するので、め
っき液の安定性を損ない、めっき液を分解し、めっき皮
膜の機械的性質を低下させる。
めっき液中のこれらの蓄積イオンを除去し、めっき液を
再生する方法及び装置がアメリカ合衆国特許第４，２８
９，５９７号（１９８１年９月１５日）によって提案さ
れている。すなわち同特許によると１つの電解槽を２つ
の陰イオン交換樹脂膜によってアノード室、めっき液再
生室、及びカソード室の３つの部屋に区切り、それぞれ
の部屋には、硫酸水溶液、再生するめっき液、水酸化ナ
トリウム水溶液をそれぞれ入れる。アノード室およびカ
ソード室にそれぞれ電極を浸漬し、この両電極間に直流
電圧を印加するとめっき液再生室のめっき液中に蓄積し
ている硫酸イオン、ギ酸イオンは陰イオン交換樹脂膜を
通過して、アノード室に移動し、めっき液中の硫酸イオ
ン。
再生する方法及び装置がアメリカ合衆国特許第４，２８
９，５９７号（１９８１年９月１５日）によって提案さ
れている。すなわち同特許によると１つの電解槽を２つ
の陰イオン交換樹脂膜によってアノード室、めっき液再
生室、及びカソード室の３つの部屋に区切り、それぞれ
の部屋には、硫酸水溶液、再生するめっき液、水酸化ナ
トリウム水溶液をそれぞれ入れる。アノード室およびカ
ソード室にそれぞれ電極を浸漬し、この両電極間に直流
電圧を印加するとめっき液再生室のめっき液中に蓄積し
ている硫酸イオン、ギ酸イオンは陰イオン交換樹脂膜を
通過して、アノード室に移動し、めっき液中の硫酸イオ
ン。
ギ酸イオンの濃度は減少してめっき液が再生される。な
おめっき液中の銅イオンの錯化剤（例えばエチレンジア
ミン四酢酸塩）は、銅イオンと陰イオンの錯イオンを形
成して存在するが、硫酸イオン、ギ酸イオンの分子量よ
り大きいため、陰イオン交換樹脂膜は通過できず、めっ
き液中からは、硫酸イオン、ギ酸イオンを選択的に除去
できる。
おめっき液中の銅イオンの錯化剤（例えばエチレンジア
ミン四酢酸塩）は、銅イオンと陰イオンの錯イオンを形
成して存在するが、硫酸イオン、ギ酸イオンの分子量よ
り大きいため、陰イオン交換樹脂膜は通過できず、めっ
き液中からは、硫酸イオン、ギ酸イオンを選択的に除去
できる。
しかし、上述の従来技術ではめっき液の再生時に、カソ
ード室とめっき液再生室間に介挿した陰イオン交換樹脂
膜のめっき液の接触面に化学銅めっきが析出されやすく
、めっき液中の硫酸イオン、ギ酸イオンの除去効率が徐
々に減少する欠点があった。
ード室とめっき液再生室間に介挿した陰イオン交換樹脂
膜のめっき液の接触面に化学銅めっきが析出されやすく
、めっき液中の硫酸イオン、ギ酸イオンの除去効率が徐
々に減少する欠点があった。
本発明の目的はかかる従来技術の欠点を除去しためっき
液再生装置を提供することにある。
液再生装置を提供することにある。
本発明のめっき液再生装置は、槽内を２枚の陰イオン交
換樹脂膜によってアノード室、めっき液再生室、カソー
ド室の３つに仕切られた電解槽とカソード室とめっき液
再生室間の陰イオン交換樹脂膜のめっき液再生南面に金
属メツシュを接触配置し、かつアノード室及びカソード
室にそれぞれ配置されたアノード電極とカソード電極間
に直流電圧を印加する電源と、」１記金属メツシュと上
記カソード電極の間に金属メツシュをカソード電極より
貴の電位に保持する直流電源とを備えたことを特徴とし
、さらには、めっき液再生液を一定量自動採取し、めっ
き液中の所望のイオン濃度を検出する機構をも備えたこ
とをも特徴とする。
換樹脂膜によってアノード室、めっき液再生室、カソー
ド室の３つに仕切られた電解槽とカソード室とめっき液
再生室間の陰イオン交換樹脂膜のめっき液再生南面に金
属メツシュを接触配置し、かつアノード室及びカソード
室にそれぞれ配置されたアノード電極とカソード電極間
に直流電圧を印加する電源と、」１記金属メツシュと上
記カソード電極の間に金属メツシュをカソード電極より
貴の電位に保持する直流電源とを備えたことを特徴とし
、さらには、めっき液再生液を一定量自動採取し、めっ
き液中の所望のイオン濃度を検出する機構をも備えたこ
とをも特徴とする。
本発明のめっき液再生装置の電解槽の材質としては、ポ
リプロピレン樹脂、塩化ビニル樹脂等のプラスチックを
用いる。アノード電極としては過酸化鉛電極、白金めっ
きチタン電極等を用いる。カソード電極にはステンレス
電極、白金めっきチタン電極等を用いる。金属メツシュ
の材質として、ステンレス、銅、白金めっきチタンを用
いる。
リプロピレン樹脂、塩化ビニル樹脂等のプラスチックを
用いる。アノード電極としては過酸化鉛電極、白金めっ
きチタン電極等を用いる。カソード電極にはステンレス
電極、白金めっきチタン電極等を用いる。金属メツシュ
の材質として、ステンレス、銅、白金めっきチタンを用
いる。
本発明のめっき液再生装置の電解槽のアノード室の電解
液には１０〜５０ ｇ／Ｌ濃度の硫酸水溶液または２０
〜５０ ｇ／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム水溶液が適当で
ある。またカソード室の電解液には２０〜５０ｇ／Ｌ濃
度の水酸化ナトリウム水溶液が適当である。アノード電
極とカソード電極間には１０〜２０Ｖの直流電圧を印加
し、またカソード電極と金属メツシュ間には４−５ Ｖ
の直流電圧を印加し、化学銅めっき液を再生することが
できる。カソード電極と金属メツシュ間の印加電圧が４
Ｖより低い場合には、めっき液の再生時にカソード室と
めっき液再生室間に配設した陰イオン交換樹脂膜のめっ
き液接触面側に化学銅めっきを析出することを防止する
効果が減少する。またカソード電極と金属メツシュ間の
印加電圧が５Ｖを超えると金属メツシュ（例えばステン
レス、銅の場合）の溶解及び酸素が発生し、めっき液の
汚染やアノード電極とカソード電極間の必要印加電圧の
増加をもたらす。また、めっき液再生液中の所望のイオ
ンの濃度を検出する機構としζはイオンクロマトグラフ
ィーを使用する。イオンクロマトグラフィーによりめっ
き液再生液中の所望のイオン、例えば硫酸イオン、ギ酸
イオンの濃度が検出され、これらイオン濃度が所望の濃
度以下になると電解槽のアノード電極とカソード電極間
の直流電圧の印加を切り、めっき液の再生を完了する。
液には１０〜５０ ｇ／Ｌ濃度の硫酸水溶液または２０
〜５０ ｇ／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム水溶液が適当で
ある。またカソード室の電解液には２０〜５０ｇ／Ｌ濃
度の水酸化ナトリウム水溶液が適当である。アノード電
極とカソード電極間には１０〜２０Ｖの直流電圧を印加
し、またカソード電極と金属メツシュ間には４−５ Ｖ
の直流電圧を印加し、化学銅めっき液を再生することが
できる。カソード電極と金属メツシュ間の印加電圧が４
Ｖより低い場合には、めっき液の再生時にカソード室と
めっき液再生室間に配設した陰イオン交換樹脂膜のめっ
き液接触面側に化学銅めっきを析出することを防止する
効果が減少する。またカソード電極と金属メツシュ間の
印加電圧が５Ｖを超えると金属メツシュ（例えばステン
レス、銅の場合）の溶解及び酸素が発生し、めっき液の
汚染やアノード電極とカソード電極間の必要印加電圧の
増加をもたらす。また、めっき液再生液中の所望のイオ
ンの濃度を検出する機構としζはイオンクロマトグラフ
ィーを使用する。イオンクロマトグラフィーによりめっ
き液再生液中の所望のイオン、例えば硫酸イオン、ギ酸
イオンの濃度が検出され、これらイオン濃度が所望の濃
度以下になると電解槽のアノード電極とカソード電極間
の直流電圧の印加を切り、めっき液の再生を完了する。
以下本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示すめっき液再生装置の
回路図付きの断面図である。図中、１０はポリプロピレ
ン等の合成樹脂製の電解槽、電解槽１０は陰イオン交換
樹脂ｖ！：４０ａ。
回路図付きの断面図である。図中、１０はポリプロピレ
ン等の合成樹脂製の電解槽、電解槽１０は陰イオン交換
樹脂ｖ！：４０ａ。
４０ｂの仕切り配役により、カソード室５０゜めっき液
再生室６０およびアノード室７００３つの小部屋に分割
される。カソード室５０側に配設された陰イオン交換樹
脂膜４０ａのめっき液の接触面、すなわちめっき液再生
室６０側の面には前述のステンレス等の金属メソシュ３
か電極として接触配置される。Ｅｌは例えばステンレス
電極を使用したカソード電極１と過酸化鉛電極等のアノ
ード電極２からそれぞれ導出されたリート線４により接
続された直流電源、またＥ２はカソード電極１と金属メ
ツシュ３間をリート線４で接続された直流電源である。
再生室６０およびアノード室７００３つの小部屋に分割
される。カソード室５０側に配設された陰イオン交換樹
脂膜４０ａのめっき液の接触面、すなわちめっき液再生
室６０側の面には前述のステンレス等の金属メソシュ３
か電極として接触配置される。Ｅｌは例えばステンレス
電極を使用したカソード電極１と過酸化鉛電極等のアノ
ード電極２からそれぞれ導出されたリート線４により接
続された直流電源、またＥ２はカソード電極１と金属メ
ツシュ３間をリート線４で接続された直流電源である。
次に第１図により本発明のめっき液再生装置の使用方法
を説明する。
を説明する。
まずｈソート室５０に４０ ｇ ／ Ｉ−、濃度の水酸
化ナトリウム水溶液１】を入れ、アノード室７０に２０
ｇ／ Ｌ濃度の硫酸水溶液１２を入れる。次いでエチ
レンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌ 、硫酸銅（Ｃｕ ＳＯ
４・５ｌ−１ｚ Ｏ）１０ ｇ／Ｉ７．硫酸ナトリウム
（Ｎ ａ７．３０４ ）２０ ｇ／Ｌ 、 ギ酸ナト
リウム（１−ＩＣＯＯＮ ａ）３０ ｇ／Ｌ１ホルムア
ルデヒド２ ｇ ／ Ｌを含むｐｎ＝１２の化学銅めっ
き液１３をめっき再生室６０に入れ、直流電源Ｅ１によ
りアノード電極２とカソード電極１の間に直流電圧＋７
Ｖを印加する。
化ナトリウム水溶液１】を入れ、アノード室７０に２０
ｇ／ Ｌ濃度の硫酸水溶液１２を入れる。次いでエチ
レンジアミン四酢酸３０ｇ／Ｌ 、硫酸銅（Ｃｕ ＳＯ
４・５ｌ−１ｚ Ｏ）１０ ｇ／Ｉ７．硫酸ナトリウム
（Ｎ ａ７．３０４ ）２０ ｇ／Ｌ 、 ギ酸ナト
リウム（１−ＩＣＯＯＮ ａ）３０ ｇ／Ｌ１ホルムア
ルデヒド２ ｇ ／ Ｌを含むｐｎ＝１２の化学銅めっ
き液１３をめっき再生室６０に入れ、直流電源Ｅ１によ
りアノード電極２とカソード電極１の間に直流電圧＋７
Ｖを印加する。
また直流電源Ｅ２によりカソード電極１と金属メツシュ
３間に金属メツシュ３側かアノード（責な電位）になる
ように直流電圧４．５Ｖを印加して化学銅めっき液１３
を１０時間再生する。なお陰イオン交換樹脂膜４０ａ、
４０ｂには徳山曹達株式会社製の陰イオン交換樹脂膜Ａ
ＣＬＥ−５Ｐを使用し陰イオン交換樹脂膜の化学銅めっ
き液１３の接地面積は６００ｃｊ、陰イオン交換樹脂膜
の電流密度は１０ｍＡ／ｃＪ１化学銅めっき液１３の体
積は６Ｌとした。化学銅めっき液１３を１２時間再生後
の化学銅めっき液１３中の硫酸イオン（ＳＯ４２−）の
濃度減少は１０．８ｇ／Ｌ１ギ酸イオン（Ｔ−Ｉ ＣＯ
Ｏ−）の濃度減少は６．６ｇ／Ｌでありほぼ１００％の
電流効率で化学銅めっき液１３中から硫酸イオン及びギ
酸イオンを除去することができる。また金属メツシュ３
の接触している陰イオン交換樹脂膜４０ａには化学銅め
っきの析出が起こらず、本発明の実用性か立証された。
３間に金属メツシュ３側かアノード（責な電位）になる
ように直流電圧４．５Ｖを印加して化学銅めっき液１３
を１０時間再生する。なお陰イオン交換樹脂膜４０ａ、
４０ｂには徳山曹達株式会社製の陰イオン交換樹脂膜Ａ
ＣＬＥ−５Ｐを使用し陰イオン交換樹脂膜の化学銅めっ
き液１３の接地面積は６００ｃｊ、陰イオン交換樹脂膜
の電流密度は１０ｍＡ／ｃＪ１化学銅めっき液１３の体
積は６Ｌとした。化学銅めっき液１３を１２時間再生後
の化学銅めっき液１３中の硫酸イオン（ＳＯ４２−）の
濃度減少は１０．８ｇ／Ｌ１ギ酸イオン（Ｔ−Ｉ ＣＯ
Ｏ−）の濃度減少は６．６ｇ／Ｌでありほぼ１００％の
電流効率で化学銅めっき液１３中から硫酸イオン及びギ
酸イオンを除去することができる。また金属メツシュ３
の接触している陰イオン交換樹脂膜４０ａには化学銅め
っきの析出が起こらず、本発明の実用性か立証された。
第２図は本発明の第２実施例を示すめっき液再生装置の
回路図付断面図である。図中１０はポリプロピレン等の
合成樹脂製の電解槽、２０はめっき液槽、３０は純水槽
である。電解槽１０は陰イオン交換樹脂膜４０ａ、４０
ｂの仕切り配設によりカソード室５０、めっき液再生ダ
６０およびアノード室７０の３つの小部屋に分割される
。カソード室５０側に配設された陰イオン交換樹脂膜４
０ａのめっき液の接触面、すなわちめっき液再生室６０
側の面には前述のステンレス等の金属メツシュ３か電極
として接触配置される。Ｅｌは例えばステンレス電極を
使用したカソード電極１と過酸化鉛電極等のアノード電
極２からそれぞれ導出されたり一ト線４により接続され
た直流電源、またＥ２はカソード電極１と金属メツシュ
３間をリート線４て接続された直流電源である。電解槽
１０とめっき液槽２０は配管５によりポンプｒ’ｌ、Ｐ
２に連結され、また、Ｂはイオンクロマトグラフで純水
槽３０及びめっき液槽２０にそれぞれポンプＰ３、Ｐｉ
を介して配管５に連結される。Ｃは制御装置でありイオ
ンクロマトグラフＢ及びポンプＰ３．Ｐ４に接続される
。
回路図付断面図である。図中１０はポリプロピレン等の
合成樹脂製の電解槽、２０はめっき液槽、３０は純水槽
である。電解槽１０は陰イオン交換樹脂膜４０ａ、４０
ｂの仕切り配設によりカソード室５０、めっき液再生ダ
６０およびアノード室７０の３つの小部屋に分割される
。カソード室５０側に配設された陰イオン交換樹脂膜４
０ａのめっき液の接触面、すなわちめっき液再生室６０
側の面には前述のステンレス等の金属メツシュ３か電極
として接触配置される。Ｅｌは例えばステンレス電極を
使用したカソード電極１と過酸化鉛電極等のアノード電
極２からそれぞれ導出されたり一ト線４により接続され
た直流電源、またＥ２はカソード電極１と金属メツシュ
３間をリート線４て接続された直流電源である。電解槽
１０とめっき液槽２０は配管５によりポンプｒ’ｌ、Ｐ
２に連結され、また、Ｂはイオンクロマトグラフで純水
槽３０及びめっき液槽２０にそれぞれポンプＰ３、Ｐｉ
を介して配管５に連結される。Ｃは制御装置でありイオ
ンクロマトグラフＢ及びポンプＰ３．Ｐ４に接続される
。
次に第２図により本発明のめっき液再生装置の使用方法
を説明する。
を説明する。
まずカソード室５０に４０ ｇ／Ｌ濃度の水酸化ナトリ
ウム水溶液１１を入れ、アノード室７０に２０ ｇ ／
Ｌ濃度の硫酸水溶液１２を入れる。次いでエチレンジ
アミン四酢酸３０ｇ／Ｌ、硫酸銅（Ｃｕ Ｓ ０４ ・
５１−１ｐ Ｏ＞１０ ｇ／Ｌ、硫酸ナトリウム（Ｎａ
＊ ＳＯ４）２０ ｇ／Ｌ、ギ酸ナトリウム（ＨＣＯＯ
Ｎａ）３０ ｇ／Ｌ１ホルムアルデヒド２ ｇ ／ Ｌ
を含むｐ Ｈ＝ １２の化学銅めっき液２１をめっき液
槽２０に入れ、ポンプＰ２によりめっき液再生室６０に
送り、直流電源Ｅ１によりアノード電極２とカソード電
極１０間に直流電圧１７Ｖを印加する。
ウム水溶液１１を入れ、アノード室７０に２０ ｇ ／
Ｌ濃度の硫酸水溶液１２を入れる。次いでエチレンジ
アミン四酢酸３０ｇ／Ｌ、硫酸銅（Ｃｕ Ｓ ０４ ・
５１−１ｐ Ｏ＞１０ ｇ／Ｌ、硫酸ナトリウム（Ｎａ
＊ ＳＯ４）２０ ｇ／Ｌ、ギ酸ナトリウム（ＨＣＯＯ
Ｎａ）３０ ｇ／Ｌ１ホルムアルデヒド２ ｇ ／ Ｌ
を含むｐ Ｈ＝ １２の化学銅めっき液２１をめっき液
槽２０に入れ、ポンプＰ２によりめっき液再生室６０に
送り、直流電源Ｅ１によりアノード電極２とカソード電
極１０間に直流電圧１７Ｖを印加する。
また直流電源Ｅ２によりカソード電極１と金属メツシュ
３間に金属メツシュ８側がアノード（責な電位）になる
ように直流電圧４．５■を印加して、化学銅めっき液１
３．２１を再生しながらポンプＰＩ、Ｐ２によりめっき
液槽２０との間を循環させた。化学銅めっき液２１は制
御装置ＣによりポンプＰ４で一定量自動採取されポンプ
Ｐ３で純水３１により５００倍に希釈されイオンクロマ
トグラフＢに入り硫酸イオン濃度とギ酸イオン濃度が自
動測定される。なお陰イオン交換樹脂膜４０ａ、４０ｂ
には徳山曹達株式会社製の陰イオン交換樹脂膜ＡＣＬＥ
−５Ｐを使用し陰イオン交換樹脂膜の電流密度は１０ｍ
Ａ ／ ｃＪ、化学銅めっき液１３．２１の体積は６Ｌ
とした。イオンクロマトグラフＢでの化学銅めっき液２
１申の硫酸イオン及びギ酸イオン濃度の分析値（めっき
液中の濃度換算）がそれぞれ４．８５ｇ／Ｌ、及び１１
．９ｇ／Ｌになった時点（再生時間１２時間）でアノー
ド電極２とカソード電極１間の直流電圧を切り、化学銅
めっき液１３．２１の再生を終了した。
３間に金属メツシュ８側がアノード（責な電位）になる
ように直流電圧４．５■を印加して、化学銅めっき液１
３．２１を再生しながらポンプＰＩ、Ｐ２によりめっき
液槽２０との間を循環させた。化学銅めっき液２１は制
御装置ＣによりポンプＰ４で一定量自動採取されポンプ
Ｐ３で純水３１により５００倍に希釈されイオンクロマ
トグラフＢに入り硫酸イオン濃度とギ酸イオン濃度が自
動測定される。なお陰イオン交換樹脂膜４０ａ、４０ｂ
には徳山曹達株式会社製の陰イオン交換樹脂膜ＡＣＬＥ
−５Ｐを使用し陰イオン交換樹脂膜の電流密度は１０ｍ
Ａ ／ ｃＪ、化学銅めっき液１３．２１の体積は６Ｌ
とした。イオンクロマトグラフＢでの化学銅めっき液２
１申の硫酸イオン及びギ酸イオン濃度の分析値（めっき
液中の濃度換算）がそれぞれ４．８５ｇ／Ｌ、及び１１
．９ｇ／Ｌになった時点（再生時間１２時間）でアノー
ド電極２とカソード電極１間の直流電圧を切り、化学銅
めっき液１３．２１の再生を終了した。
化学銅めっき液１．３．２１の再生効率はほぼ１００％
でありまた金属メツシュ３の接触している陰イオン交換
樹脂膜４０ａには化学銅めっきの析出が起こらず、本発
明の実用性が立証された。
でありまた金属メツシュ３の接触している陰イオン交換
樹脂膜４０ａには化学銅めっきの析出が起こらず、本発
明の実用性が立証された。
以上本発明により、化学銅めっき液中の蓄積イオ７ （
Ｓ Ｏ４”−、）（ＣＯＯ−）が長時間効率良く除去す
ることができる効果がある。
Ｓ Ｏ４”−、）（ＣＯＯ−）が長時間効率良く除去す
ることができる効果がある。
第１図および第２図は、本発明のめっき液再生装置の第
１および第２実施例及びその使用方法を示す断面図であ
る。 １・・・カソード電極、２・・・アノード電極。 ３・・・金属メツシュ、４川リード線、５・・・配管。 １０・・・電解槽、１１・・・水酸化ナトリウム水溶液
。 １２・・・硫酸水溶液、１３・・・化学銅めっき液。 ２０・・・めっき液槽、２１・・・化学銅めっき液。 ３０・・・純水槽、３１・・・純水。 ４０ａ、４０ｂ・・・陰イオン交換樹脂膜。 ５０・・・カソード室、６０・・・めっき液再生室。 ７０・・・アノード室、Ｅｌ、Ｅ２・・・直流電源。 Ｐｉ、Ｐ２．Ｐ３．Ｐｉ・・・ポンプ。 Ｂ・・・イオンクロマトグラフ、Ｃ・・・制御装置。
１および第２実施例及びその使用方法を示す断面図であ
る。 １・・・カソード電極、２・・・アノード電極。 ３・・・金属メツシュ、４川リード線、５・・・配管。 １０・・・電解槽、１１・・・水酸化ナトリウム水溶液
。 １２・・・硫酸水溶液、１３・・・化学銅めっき液。 ２０・・・めっき液槽、２１・・・化学銅めっき液。 ３０・・・純水槽、３１・・・純水。 ４０ａ、４０ｂ・・・陰イオン交換樹脂膜。 ５０・・・カソード室、６０・・・めっき液再生室。 ７０・・・アノード室、Ｅｌ、Ｅ２・・・直流電源。 Ｐｉ、Ｐ２．Ｐ３．Ｐｉ・・・ポンプ。 Ｂ・・・イオンクロマトグラフ、Ｃ・・・制御装置。
Claims (2)
- （１）槽内を陰イオン交換樹脂膜によって仕切られたア
ノード室、めっき液再生室、カソード室からなる電解槽
と前記カソード室とめっき液再生室間に介挿された陰イ
オン交換樹脂膜のめっき液再生室面側に接触配置した金
属メッシュと前記アノード室及びカソード室にそれぞれ
アノード電極とカソード電極を配置し、かつ前記両電極
間に直流電圧を印加する直流電源と、前記金属メッシュ
と前記カソード電極の間に金属メッシュをカソード電極
より貴の電位に保持する直流電源とを備えたことを特徴
とするめっき液再生装置。 - （２）前記めっき液再生装置において、めっき液再生液
を一定自動採取し、めっき液中の所望のイオン濃度を検
出する機構をさらに追加したことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のめっき液再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16913586A JPH0781190B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | めつき液再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16913586A JPH0781190B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | めつき液再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326377A true JPS6326377A (ja) | 1988-02-03 |
| JPH0781190B2 JPH0781190B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=15880931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16913586A Expired - Lifetime JPH0781190B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | めつき液再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781190B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05306471A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-19 | Hitachi Kasei Techno Plant Kk | 無電解銅めっき液の生成方法及び生成装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16913586A patent/JPH0781190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05306471A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-19 | Hitachi Kasei Techno Plant Kk | 無電解銅めっき液の生成方法及び生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0781190B2 (ja) | 1995-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |