JPS63263724A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体素子製造技術に適用して特に有効な技術
に関するもので、例えば半導体ウェハの真空処理技術に
利用して有効な技術に関する。

［従来の技術］ このような真空処理装置としては１例えば、工業調査会
から昭和６０年１１月２０日に発行された電子材料別冊
「超ＬＳＩ製造・試験装置」第１１９頁〜第１２４頁に
記載されているようなドライエツチング装置が知られて
いる。その概要を説明すれば下記のとおりである。

即ち、このドライエツチング装置は真空予備室とドライ
エツチング処理を行なう真空処理室とを含んで構成され
ており、ウェハ搬送装置によって真空予備室を通じて真
空処理室に半導体ウェハが送られ、ここで半導体ウェハ
のドライエツチングがなされるようになっている。なお
、ここで、真空予備室を通じて真空処理室へ半導体ウェ
ハを送るようにしたのは、真空処理室へ半導体ウェハを
ハンドリングする際の真空ブレイク時間の短縮化を図る
ためである。また、このドライエツチング装置において
は、真空予備室および真空処理室のそれぞれに集中吸気
口および集中排気口が設けられ、この集中吸気口および
集中排気口を通じて真空予備室および真空処理室内の真
空排気および大気開放等が適宜行なわれるようになって
いる。

［発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、このようなドライエツチング装置におい
ては、真空予備室および真空処理室内で半導体ウェハに
異物が付着し易く、例えば半導体ウェハ表面に形成され
た酸化膜を加工する際に、その付着した異物による未加
工部分が発生し、その結果、半導体素子の信頼性・歩留
まりの低下を招来する危険性があった。

即ち、上記ドライエツチング装置においては、真空予備
室内全体がそのままウェハ保持空間を構成し、しかも例
えばそのウェハ保持空間の真空排気の際には集中排気口
より直接排気されるため、排気の際のウェハ保持空間内
部における負圧分布が不均一となり、該ウェハ保持空間
内で乱流が形成され易い、その結果、真空予備室内に存
在する塵埃、半導体ウェハにより真空予備室外から持ち
込まれた塵埃、およびウェハ搬送装置から発塵した塵埃
等が気流により巻き込まれ、半導体ウェハ上に異物とし
て付着し易い、また、真空予備室の大気開放の際にも集
中給気口より直接に集中ガス供給が行なわれるので、真
空排気時と同様にウェハ保持空間内に乱流が形成され、
半導体ウェハ上に異物が付着し易い。これと類似の問題
は真空処理室においても生じる。

また、このような事情はドライエツチング装置のみなら
ず他の真空処理装置においても生じる。

本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、防塵効
果が高く、信頼性の高い処理が可能な真空処理装置を提
供することを目的としている。

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては５本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。

［問題点を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。

即ち、真空処理装置において、真空室内のガス給排路中
に、均等かつ層流状態のガス流を形成する整流部材を設
け、被処理物保持空間に対してガスを均等かつ層流状態
で給排させるようにしだものである。

［作用］ 上記した手段によれば、被処理物保持空間に対して給排
されるガスが整流部材によって均等かつ層流状にされる
ので、真空室内の被処理物保持空間で乱流が形成されず
、塵埃が気流に巻き込まれなくなるという作用によって
、防塵効果を高め、処理の信頼性の向上を図るという上
記目的が達成される。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図には本発明の一実施例であるマイクロ波励起プラ
ズマドライエツチング装置（以下、単にドライエツチン
グ装置と称する）が示されている。

このドライエツチング装置は、大きく分けて、ローディ
ング部１、真空予備室２、真空処理室３より構成されて
いる。そして、このドライエツチング装置では、ローデ
ィング部１から真空予備室２を通じて真空処理室３まで
未処理状態の半導体ウェハ４が移送され、ここで、反応
ガスのマイクロ波励起を通じて形成されたプラズマによ
って半導体ウェハ４がドライエツチング加工されるよう
になされている。また、このドライエツチング装置では
、加工後の半導体ウェハ４が真空予備室２を通じてロー
ディング部１まで戻され、ここで半導体ウェハ４がアン
ローディングされるようになっている。

また、上記において、半導体ウェハ４の移送には磁石５
ａが埋設されたウェハキャリア５が用いられている。そ
して、このウェハキャリア５は、その磁石５ａと、ロー
ディング部１から真空処理室３までに亘って電磁石を直
線状に配列してなるリニヤ電磁石６との相互作用によっ
て、ローディング部１と真空処理室３との間で浮遊搬送
されるようになっている。つまり、このドライエツチン
グ装置では、ウェハキャリア５に埋設された磁石５ａと
リニヤ電磁石６とによってウェハ移送装置が構成された
形となっている。また、ウェハキャリア５は、真空処理
室３内では、その磁石５ごと、電磁石を円状に配設して
なるサーキュラ電磁石７との相互作用によって、浮遊回
転されるようになっている。つまり、このドライエツチ
ング装置では、ウェハキャリア５に埋設された磁石５ａ
とサーキュラ電磁石７とでウェハ回転装置が構成された
形となっており、ウェハキャリヤ５の回転に追従して半
導体ウェハ４がドライエツチング加工の際に回転され、
半導体ウェハ４が均一にエツチング処理されるようにな
っている。

次に、そのドライエツチング装置の構成をさらに具体的
に説明する ローディング部１には、上記ウェハキャリア５との間で
半導体ウェハ４の授受を行なうウェハハンドラ（図示せ
ず）が設けられ、未処理状態の半導体ウェハ４をローデ
ィングしたり、処理済みの半導体ウェハ４をアンローデ
ィングするようになっている。また、ローディング部１
の下側にはガス排気室５１が設けられている。このガス
排気室５１上部の開口部には、多数の通気口が均等に分
散配置されたパンチングメタル８が配置され、このパン
チングメタル８によってローディング部１とガス排気室
５１とが区画されるようになっている。また、ガス排気
室５１内には上記パンチングメタル８直下に上記リニヤ
電磁石６が配設されている。そして、このリニヤ電磁石
６におけるガス排気室５１内に延在する部分には多数の
通気口が均等に分散配置されている。さらに、リニヤ電
磁石６下方には、多数の通気口が均等に分散配置された
パンチングメタル９，１１によってサンドインチ状に挾
持されたフィルタ１０が配設されている。また、ガス排
気室５１の底壁には集中排気口１２ａが設けられており
、この集中排気口１２ａに連通ずる排気管１２ｂには、
流量制御手段が付設されたガス排気袋ｖ１１２が取り付
けられている。

そして、このガス排気装置１２によって上記ローディン
グ部１の排気が行なわれるようになっている。その際、
分散配置された通気口を持っリニヤ電磁石６およびパン
チングメタル８，９．１１は整流部材として機能し、均
等かつ層流状なガス流を形成させるようになっている。

また、フィルタ１０は、大気開放の際、ガス排気装置１
２からローディング１へ向かう塵埃を捕捉するように働
く。

また、上記真空予備室２は、ゲートバルブ１３によりロ
ーディング部１と区画されると共に、他方、ゲートバル
ブ１４により真空処理室３と区画されている。一方、真
空予備室２内は、その上下方向中央に位置するウェハ保
持室（ウェハ保持空間）１５と、該ウェハ保持室１５の
下方に位置するガス排気室１７と、上記ウェハ保持室１
５の上方に位置するガス吸気室１６とによって構成され
ている。即ち、このドライエツチング装置においては、
ウェハ保持室１５は、多数の通気口が均等に分散配置さ
れたパンチングメタル２３によってガス排気室１７と区
画されると共に、上記パンチングメタル２３と同様に構
成された他のパンチングメタル２２によってガス吸気室
１６と区画されている。

ここで、ガス排気室１７内のパンチングメタル２３下方
には上記リニヤ電極６が配設されている。

そして、このリニヤ電磁石６におけるガス排気室１７内
に延在する部分には多数の通気口が均等に分散配置され
ている。さらに、このリニヤ電極６の下方には、多数の
通気口を分散配置してなるパンチングメタル２４．２６
によってサンドイッチ状に挟持された。フィルタ２５が
設けられている。

また、ガス排気室１７の底壁には集中排気口２７ａが設
けられており、この排気口２７ａに連通ずる排気管２７
ｂには、流量制御手段が付設されたガス排気装置２７が
取り付けられている。そうして、このガス排気装置２７
によって上記ウェハ保持室１５の排気が行なわれるよう
になっている。

その際、分散配置された通気口を持っリニヤ電磁石６お
よびパンチングメタル２３，２４，２６．は整流部材と
して機能し、均等かつ層流状のガス流を形成させるよう
になっている。また、フィルタ２５は、大気開放の際、
ガス排気装置２７からウェハ保持室１５へ向かう塵埃を
捕捉するように働く。

また、ガス吸気室１６内の上記パンチングメタル２２上
方にはフィルタ２１が配され、さらにフィルタ２１の上
方には上記パンチングメタル２２と同様に構成された他
のパンチングメタル２０が配されている。また、ガス吸
気室１６の土壁には集中吸気口１８ａが設けられており
、この集中吸気口１８ａに連通ずる吸気管１８ｂには、
流量制御手段が付設されたガス供給装置１８が取り付け
られている。そして、このガス供給装置１８によって上
記ウェハ保持室１５へのパージガス１９の供給が行なわ
れるようになっている。その際、分散配置された通気口
を持つパンチングメタル２０゜２２は整流部材として機
能し、均等かつ層流状にガス流を形成させるようになっ
ている。また、フィルタ２１はパージガスに含まれる塵
埃を除去するように働く。

他方、上記真空処理室２内は、その上下方向中央に位置
する処理室即ちウェハ保持室（ウェハ保持空間）２８と
、該ウェハ保持室２８の下方に位置するガス排気室３０
と、上記ウェハ保持室２８の上方に位置するガス吸気室
２９とによって構成されている。即ち、ウェハ保持室２
８は、多数の通気口が均等に分散配置されたパンチング
メタル３７によってガス排気室３０と区画されると共に
、多数の通気口およびマイクロ波照射口（通気口として
も機能する）°４４が均等に分散配置されたマイクロ波
導波管３６によってガス吸気室２９と区画されている。

このマイクロ波導波管３６においては、マイクロ波照射
口４４の形成部分（ラダー）とその上方に配された略台
形状のリッジ３６ａとによって遅波回路を構成している
。そして、このドライエツチング装置では、マイクロ波
導波管３６にマイクロ波発信機４２が接続されており、
マイクロ波照射口４４よりマイクロ波を分散照射させる
ことができるようになっている。さらに、このドライエ
ツチング装置には、ウェハ保持室２８内の上記マイクロ
波照射口近傍に、リング状の電磁石４５が配設され、マ
イクロ波照射領域に強磁界を作用させ、反応ガス３３を
マイクロ波励起作用によりプラズマ化させるようになっ
ている。なお、第１図において符号４６はこれによって
形成されたガスプラズマ領域を示している。また、ウェ
ハ保持室２８の側壁には半導体ウェハ４のエツチング状
態を自動判定するプラズマ強度モニタ４７が設けられ、
半導体ウェハ４のエツチング状態をモニタリングして、
所定寸法に精度良くエツチングすることができるように
なっている。

ここで、ガス排気室３０内のパンチングメタル３７下方
には上記リニヤ電磁石６およびサーキュラ電磁石７が配
設されている。さらに、このりニヤ電磁石６およびサー
キュラ電磁石７の下方には、多数の通気口を分散配置し
てなるパンチングメタル３８．４０によってサンドイッ
チ状に挟持されたフィルタ３９が設けられている。また
、ガス排気室３０の底壁には集中排気口４１ａが設けら
れており、この集中排気口４１ａに連通ずる排気管４１
ｂには、流量制御手段が付設されたガス排気装置４１が
取り付けられている。そして、このガス排気装置４１に
よって上記ウェハ保持室２８の排気が行なわれるように
なっている。その際、分散配置された通気口を持つリニ
ヤ電極６、サーキュラ電磁石７およびパンチングメタル
３８．４０は整流部材として機能し、均等かつ層流状に
ガス流を形成させるようになっている。また、フィルタ
３９は、ガス排気装置４１からウェハ保持室２８へ向か
う塵埃を捕捉するように働く。

また、ガス吸気室２９内の上記マイクロ波導波管３６上
方にはフィルタ３５が配され、さらにフィルタ３５の上
方には、多数の通気口を分散配置してなるパンチングメ
タル３４が配されている。

また、ガス吸気室２９の土壁には集中吸気口３１ａが設
けられており、この集中吸気口３１ａに連通ずる吸気管
３１ｂには、流量制御手段が付設されたガス供給装置３
１が取り付けられている。そして、このガス供給装置３
１によって流量制御されたパージガス３２もしくは反応
ガス３３がシーケンス的に制御され真空処理室２８内に
供給されるようになっている。その際、均等に分散配列
された通気口もしくはマイクロ波照射口４４を持つパン
チングメタル３４およびマイクロ波導波管３６は整流部
材として機能し、均等かつ層流状のガス流を形成させる
ようになっている。また、フィルタ３５はパージガスお
よび反応ガスに含まれる塵埃を除去するように働く。

また、このドライエツチング装置には、全体制御部４８
が設けられており、諸処理条件情報４９に基づき、リニ
ア電磁石６、サーキュラ電磁石７、グー１−バルブ１３
．１４の動作制御を行ない、ウェハキャリア５の搬送を
制御して半導体ウェハ４をハンドリングするようになっ
ている。また、同時に、ガス排気装置１２，２７，４１
、ガス供給装置１．８．３１を制御し、ローディング部
１、真空予備室２および真空処理室３の気流状態および
真空状態を制御するようになっている。さらに、マイク
ロ波発信機４２、ガス供給装置３１およびサーキュラ電
磁石７を制御し、半導体ウェハ４を回転させると共に、
プラズマ強度モニタ４７によりエツチング量をモニタリ
ングしながら、高精度にエツチングするようになってい
る。

なお、上記パンチングメタル、リニヤ電磁石６゜サーキ
ュラ電磁石７およびマイクロ波導波管３６に設けられた
通気口は特に制限はされないが内径が数μｍオーダの通
気口とされている。

次に、半導体ウェハ４をエツチングする場合の本装置の
動作を説明する。但し、本装置はクリーンルー１１内へ
設置されているものとする。

エツチング諸処理条件情報４９を全体制御部４８に設定
し始動すると、リニア電磁石６により。

ウェハキャリア５がローディング部１に搬送される。ロ
ーディング部１ではガス排気装置１２により速度制御さ
れたクリーンな気流が均等かつ層流状に作用されている
。なお、その場合、このドライエツチング装置がクリー
ンルーム内に設置されているので、ローディング部１に
おけるウェハキャリア５の搬送エリアにはクリーンな層
流状エアが供給される。

ウェハキャリア５がローディング部１にセットされると
、真空処理室３のゲートバルブ１４が閉じられ、ガス供
給装置３１よりクリーンなパージガス３２が所定速度で
真空処理室３内に供給され、それと同時にガス排気装置
ｉ￥４１により真空処理室２８内がクリーン排気される
。これにより、クリーンなパージガス３２および排気さ
れるガスが真空処理室２８内で均等かつ層流状のガス流
をそれぞれ形成する。そうして、所定時間経過の後に、
ガス供給装置３１からのパージガス３２の流量が絞られ
、ガス排気装置４１により真空処理室２８が所定真空度
に真空排気される。そして、真空処理室２８内が所定真
空度に達すると、ローディング部１ではウェハハンドラ
により未処理状態の半導体ウェハ４がウェハキャリア５
にセットされる。

次いで、真空予備室１５のゲートバルブ１３が開かれ、
ウェハキャリヤ５に埋設された磁石５ａとリニア電磁石
６との相互作用によりウェハキャリア５が真空予備室１
５内まで浮遊搬送され、該真空予備室１５内の所定位置
に半導体ウェハ４がセットされ、その後、ゲートバルブ
１３が閉じられる。なお、このとき真空予備室２内には
ガス供給装置１８よりクリーンなパージガス１９が所定
速度で均等かつ層流状に供給され、同時に、ガス排気装
置２７により真空予備室２が真空排気されている。そし
て、所定時間経過の後、ガス供給装置１８からのパージ
ガス１９の流量が絞られ、ガス排気装ｈ！１２７により
真空予備室１５が所定真空度に真空排気される。この場
合の真空予備室２の真空度は上記真空処理室３の真空度
よりも小さい。

これは後述のように真空予備室２から真空処理室３に半
導体ウェハ４を搬送する際に真空処理室３から真空予備
室２に塵埃が持ち込まれないようにするためである。

そうして、真空予備室１５内が所定真空度に達すると、
ゲートバルブ１４が開かれ、リニア電磁石６によりウェ
ハキャリア５が真空処理室３内まで非接触状態で浮遊搬
送され、真空処理室３内のサーキュラ電磁石７上に半導
体ウェハ４がセラ１〜される。この状態でゲートバルブ
１４が閉じられ、ガス排気装置４１により、真空室２８
が真空排気される。そして、真空処理室３が所定真空度
に達するとウェハキャリア５がサーキュラ電磁石７によ
り所要回転数で回転される。なお、真空排気の初期には
、真空処理室２８内にはガス供給装置３１からパージガ
ス３２が供給される。

そして、真空処理室３内が所定真空度に達したならば、
マイクロ発振機４２よりマイクロ波４３が照射され、同
時にガス供給装置３１より所定量の反応ガス３３が供給
される。その結果、マイクロ波と磁界の作用により反応
ガス３３がプラズマ化され半導体ウェハ４を囲むガスプ
ラズマ領域４６が形成され、このガスプラズマにより、
半導体ウェハ４がエツチングされる。そのとき、半導体
ウェハ４のエツチング状態がプラズマ強度モニタ４７に
よりモニタリングされ、所定寸法に精度良くエツチング
される。そして、半導体ウェハ４が所定寸法にエツチン
グされると、ガス供給袋［３１からの反応ガス３３の供
給が遮断され、マイクロ波発信機４２からのマイクロ波
４３も遮断される。なお、プラズマエツチング中も、ガ
ス供給装置３１とガス排気装置１１４１が制御され、真
空処理室２８内のガス流は均等かつ層流状に保たれてい
る。

而して、ドライエツチング処理が終了したならば、真空
処理室２８内のガスバージが行なわれ、その後゛、ゲー
トバルブ１４が開かれ、リニア電磁石６によりウェハキ
ャリア５が真空予備室１５内の所定位置に搬送され、ゲ
ートバルブ１４が閉じられる。また、真空予備室２では
、ガス供給装置１８よりクリーンなパージガス１９が指
定速度で均等かつ層流状に供給され、ガス排気部２７が
大気開放される。そして、真空予備室１５が大気状態に
なると、ゲートバルブ１３が開かれ、ウェハキャリア５
がそれに埋設された磁石５ａとリニア電磁石６との相互
作用によりローディング部１まで搬送され、半導体ウェ
ハ４がローディング部１の所定位置にセットされる。所
定位置にウェハキャリア５がセットされると、開示して
いないウェハハンドラにより処理済み半導体ウェハ４が
ウェハキャリア５から取り出される。

以上のように構成されたドライエツチング装置によれば
次のような効果を得ることができる。

（１）即ち、実施例のドライエツチング装置によれば、
真空室２，３をウェハ保持室１５．２８とガス吸気室１
６．２９およびガス排気室１７，３Ｏとに分離し、その
ガス吸気室１６．２９およびガス排気室１７．３０にガ
スを均等かつ層流状になす整流部材を設けているので、
真空室２，３におけるウェハ保持室１５．２８を真空排
気、大気開放および半導体ウェハ４の処理を行なう際に
、真空室２，３内に乱流が形成されず、したがって塵埃
が気流によって巻き込まれなくなり、半導体ウェハ４に
付着する異物の量が低減するという作用によって、防塵
効果を高め、ひいては半導体素子の信頼性・歩留まりの
向上を図ることができる。

（２）また、実施例のドライエツチング装置によれば、
ウェハ保持室１５，２８を独立３に仕切り。

この仕切られたウェハ保持室１５．２８には半導体ウェ
ハ４を搬送する搬送機構等の発塵源を設置しないので、
ウェハ保持室１５，２８内で生じる塵埃の量が低減され
るという作用によって、半導体ウェハ４を取り巻く雰囲
気をクリーンかつ高純度な状態に保つことができる。

（３）さらに、実施例のドライエツチング装置によれば
、処理待機中であるか処理中であるかにかかわらずガス
を均等かつ層流状に供給するようにしているので、ウェ
ハ保持室１５．２８で発生した塵埃が瞬時にウェハ保持
室１５，２８外に放出されることから、ウェハ保持室１
５．２８内の浮遊塵埃がウェハ保持室１５．２８内壁に
付着することが回避されるという作用によって、内壁付
着物数の蓄積を低減し、ウェハ保持室１５．２８内壁か
らの落下異物による半導体ウェハ４への付着異物の大幅
な低減ができる。

（４）またさらに、実施例のドライエツチング装置によ
れば、磁石５ａを内蔵したウェハキャリヤ５上に半導体
ウェハ４を載せ、非接触状態で搬送したり、また、処理
中には非接触状態でウェハキャリヤ５を回転させながら
プラズマ処理を行なうようにしているので、反応を伴う
プロセス発塵以外は皆無となるという作用によって、さ
らに防塵効果が高まる。

（５）さらに、実施例のドライエツチング装置によれば
、マイクロ波と磁界を利用した無電極プラズマ処理を採
用しているので、電極等のスバッタリング作用が回避さ
れるという作用によって、プロセス発塵の低減が図れる
。

（６）上記（１）〜（４）項より、本実施例のドライエ
ツチング装置によれば、汚染の少ない高純度な状態で安
定した真空処理が行なえ、その結果、品質が優れ、かつ
信頼性の高い真空処理が行なえることとなる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、真空排気の際に
、ガス供給装置とガス排気装置とを同時に作動させずに
、ガス排気装置のみ作動させるようにしても良い、また
、大気開放のときにガス供給装置のみを作動させるよう
にしても良い。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるドライエツチング装
置に適用した例について説明したがそれに限定されるも
のではない。例えば、半導体ウェハ４上に半導体素子保
護膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に適用し、混入物の
少ない良質の半導体素子保護膜を精度良く形成させるこ
とも可能である。さらに、半導体ウェハ４上の電気的配
線膜を形成するスパッタ装置に適用し、異物による断線
不良を生じさせることなく良質かつ高精度な配線膜を形
成させることも可能である。また、例えば１分子線エピ
タキシャル装置、イオンミーリング装置、電子ビームア
ニール装置、電子ビーム描画装置、不純物イオン打込装
置等の真空処理を伴う装置に適用することもできる。さ
らに、例えば、異物混入が少ない高純度な物質を製造す
るプラズマ重合処理装置をはじめ液晶を製造するための
導電膜、絶縁膜を形成するスパッタ装置、特殊な電気基
板の導電膜を形成するイオンブレーティング装置等１種
々の真空処理装置に適用することもできる。要するに１
本発明は、少なくとも、真空処理技術を利用したすべて
の真空装置および真空処理装置に適用できる。

［発明の効果コ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。

即ち、真空室内のガス給徘路中に設けた整流部材によっ
て給排ガスが均等かつ層流状態に形成され、その結果、
真空室内の塵埃がガス給排時に気流に巻き込まれなくな
る。従って、防塵効果が高まり、半導体素子の信頼性・
歩留まりの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるマイク波励起プラズマ
ドライエツチング装置の縦断面図である。 ２・・・・真空予備室、３・・・・真空処理室、１５゜
２８・・・・ウェハ保持室、２０，２２，２３，２４．
２６，３４，３７，３８，４０・・・・パンチングメタ
ル。 、−λ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被処理物保持空間を有する真空室と、上記被処理物
   保持空間に対してガスを給排するガス給排装置とを備え
   る真空処理装置において、上記真空室内のガス給排路中
   に、均等かつ層流状態のガス流を形成する整流部材を設
   け、上記被処理物保持空間に対してガスを均等かつ層流
   状態で給排させるようにしたことを特徴とする真空処理
   装置。 ２、上記ガス給排装置にはガスの給排量を制御する流量
   制御手段が付設されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の真空処理装置。