JPS63261845A - イオン注入量の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造に際して、半導体基板に打
ち込まれたイオン注入量を測定する方法に関する。

従来の技術 半導体基板に反対導電型付与のイオンを打ち込み、その
基板をアニール（熱処理）した後、周知の四探針法によ
り層抵抗を測定することによりイオン注入量が求められ
る。

発明が解決しようとする問題点 四探針法ではイオン注入量が１０１３／。ｍ−２以下に
なると、接触抵抗値が高くなり、測定誤差が大きくなる
。

しかも、針圧により接合が破壊されやす（、現実には、
ＩＱＩＩ／（、ｌ−２オーダーのイオン注入量を正確に
測定することは不可能である。

この発明は１０日／。、ｌ−２オーダーのイオン注入量
をも高精度で測定する方法を提供するものである。

問題点を解決するための手段 この発明は、半導体基板に反対導電型付与のイオンを打
ち込み、ついでその基板上にイオン注入マスク物質を付
して再度前記イオンを高濃度に注入して複数の分離領域
を形成し、前記分離領域の相互間に流れる電流によって
注入量を測定するものである。

作用 本発明によると、複数の分離領域間にイオン注大量に見
合った電流が流れるので、これをモニターとして使うと
、低濃度のイオン注入量に対しても、その注入量を精度
よく測定することができる。

実施例 注入イオンがＮ型付与の不純物であるリンの場合の例を
示す。第１図ａ’−Ｃの工程順断面図により、詳しく説
明する。

まず、第１図ａのように、Ｐ型半導体基板１に低、遭度
（１０１１／。２オーダー）のリンイオンを注入し、表
面にリン注入層２を形成する。

次に第１図すのようにこの半導体基板１の中央に粘着テ
ープ（幅の一定なもの）３を同半導体基板１の一端から
他端に横切って、二分するように貼りつける。そして、
この状態で、前記半導体基板１に高濃度（１０１５／。

、−２オーダー）の砒素イオンを打ちこんで、高濃度層
４を形成したのち、前記粘着テープを取り除き半導体基
板を洗浄する。　この後アニール〈熱処理）することに
より、第１図Ｃのように、この半導体基板１は二つの高
濃度領域５をもつ大きなデプレッション型トランジスタ
となる。

このデプレッション型トランジスタの両高濃度領域間に
−・定の電圧を印加すると、第２図の特性図のように、
半導体基板１上のリンイオン注入量に見合った電流が流
れるので、この電流を測定することにより注入イオン量
を測定できる。

発明の効果 この発明による注入イオン量の測定方法は、半導体素子
の原理を利用しているので精度よくイオン注入量を測定
できる。また、イオン注入装置（半導体製造装置）の装
置管理として利用できるので、装置に起因する異常ロッ
トの発生を防ぐことができ、安定生産が可能になり半導
体製造工程の管理をスムーズに行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ−ｃは本発明で実施した工程の工程順断面図、
第２図は実施例特性図である。 １・・・・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・リン注
入層、３・・・・・・粘着テープ、４・・・・・・高濃
度層、５・・・・・・高濃度領域。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板に、反対導電型の被測定注入イオンを注入し
   た後、その半導体基板上にイオン注入マスク物質を付し
   て、前記イオン又は、同電導型のイオンを高濃度に注入
   して複数の分離領域を作り、前記分離領域の相互間に流
   れる電流から前記被測定注入イオンのイオン注入量を測
   定することを特徴とするイオン注入量の測定方法。