JPS63261558A - 光磁気記録媒体用ピツクアツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気ディスク笠の光磁気記録媒体に記録さ
れている信号を読み取るためのピックアップ、特に詳細
には光導波路を用いたピックアップに関するものである
。

（従来の技術） 近時、画像信号や音声信号等の記録媒体として、光磁気
ディスク等の光磁気記録媒体が広く実用に供されている
。この光磁気記録媒体に磁化の向きの形で記録されてい
る信号は、光学式のピックアップによって読み取られる
。このピックアップは、例えばレーザ光等の直線偏光光
を光磁気記録媒体表面に照射し、該記録媒体において反
射した光の偏光面が磁化の向きに対応して回転する現象
（磁気カー効果）を利用して、記録媒体上の磁化の向き
を検出するようにしたものである。

具体的にこの光磁気記録媒体用ピックアップに・おいて
は、記録媒体からの反射光を検光子を通して光検出器に
より検出し、該反射光の偏光面回転に応じて検出光量が
変化することを利用して上記磁化の向き、すなわら記録
情報を読み取るようにしている。またこのピックアップ
においては、上述のようにして記録情報読取りを行なう
とともに、ドラッギングエラー検出、つまり磁化状態検
出のための光ビームが所定のグループに沿ったトラック
の中心から左右どちら側にずれて照射されているかを検
出するための機能、およびフォーカスエラー検出、つま
り上記光ビームの焦点が光磁気記録媒体の反射面よりも
近くにあるかあるいは遠くにあるかを検出するための機
能を備えることが求められる。すなわらこのトラッキン
グエラー、フォーカスエラーの検出信号は、該信号が打
ち消されるようにトラッキング制御、フォーカス制御を
かけて、光ビームを所定のトラックに正しく照射するた
め、また該光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で正し
く合焦させるために利用される。なお従来より、ドラッ
ギングエラー検出方法としてはプッシュプル法、ヘテロ
ダイン法、時間差検出法等が知られており、一方フオー
カスエラー検出方法としては、非点収差法、臨界角検出
法、フーコー法等が知られている。

信号読取機能に加えて上述のような機能を備えるために
従来の光磁気記録媒体用ピックアップは、光源から発せ
られた光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で集束させ
るための対物レンズや、光磁気記録媒体において反射し
たビームを、該媒体に向けて照射されている光ビームか
ら分離するためのビームスプリッタや、この反射ビーム
をフォ］−ダイオード等の光検出器の近傍で集束させる
ための集束レンズや、前述の検光子や、さらには上記ト
ラ長キングエラー検出方法およびフォーカスエラー検出
方法を実行するためのプリズム等の微小光学素子から構
成されていた。

（発明が解決しようとする問題点） しかし上記のような微小光学素子は精密な加工を要し、
またピックアップ組立てに際しての相互の位置調整も面
倒であるので、このような光学素子を用いるピックアッ
プは必然的に高価なものとなっていた。さらにこのよう
な構成のビックアップは、大型で重いものとなるので、
読取装置の小型軽量化や、アクセスタイム短縮化の点で
不利なものと６っていた。特に、読取信号のＳ／Ｎ向上
のために差動検出を実行する場合には、反射ビームを２
本に分割するためのハーフミラ−等が必要になり、その
上差動検出光学系によっては検光子を２個必要とするこ
ともあるので、ピックアップはより一層？！［雑化し、
大型で重いものとなる。

上記の不具合を解消するため従来より、例えば非球面レ
ンズ等の特殊な光学素子を用いてピックアップの構成を
簡素化する試みも種々なされている。しかしこの種の光
学素子は特に高価であるので、このような素子を用いる
ピックアップは、構成は簡素化されても、コストの点で
は前述のようなピックアップとさほど変わり無いものと
なっている。

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、小型軽量で、しかも極めて安価に形成されうる光磁気
記録媒体用ピックアップを提供することを目的とするも
のである。

（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体用ピックアップは、先に述べた
対物レンズ、ビームスプリッタ、集束レンズ、プリズム
、検光子、さらには差動検出を実行するためのハーフミ
ラ−などが果たす作用を、集光性回折格子を備えた光導
波路素子によって得るようにしたものであり、その第１
のピックアップは、 第１の光導波路と、この第１の光導波路に取り付けられ
、直線偏光した光ビームを該光導波路内に入射させる光
源と、上記第１の光導波路の表面に形成され、該光導波
路内を導波する光ビームを光導波路外に出射させ、光磁
気記録媒体の反射面上で集束させる第１の集光性回折格
子と、光磁気記録媒体で反射した反射ビームを一表面で
受けるような向きに配置された第２の光導波路とを設け
、上記第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置には
、それぞれ上記反射ビームをこの光導波路内に入射させ
る第２．第３．第４の集光性回折格子を並設し、 上記第２．第３の集光性回折格子は、第２の光導波路を
照射する反射ビームの略中心を通りかつ該光導波路の表
面上をトラッキング方向に略直角に延びる軸をはさんで
並び、それぞれがＴＥ％ＴＭいずれか一方の導波モード
を励振し、この第２の光導波路内を互いに等しい導波モ
ードで導波する反射ビームを上記軸をはさんで互いに離
れた位置に各々集束させるように形成し、 −力筒４の集光性回折格子は、第２および第３の集光性
回折格子による導波モードとは異なる導波モード（つま
り例えば第２．第３の集光性回折格子がＴＥ導波モード
を励振する場合はＴＭ導波モード）を励振して上記反射
ビームを第２の光導波路内に入射させ、この第２の光導
波路内を導波する反射ビームを該光導波路内で集束させ
るように形成し、 また上記第２の光導波路の表面あるいは端面に、上記第
２．第３および第４の集光性回折格子により集束された
各反射ビームをそれぞれ検出する第１、第２および第３
の光検出器を取り付け、さらに上記第１および第２の光
検出器の出ノ〕に基づいてトラッキングエラーとフォー
カスエラー検出を行なうエラー検出回路と、 上記第１および／または第２の光検出器の出力と、第３
の光検出器の出力の差とに基づいて記録情報を検出する
差動検出回路とを設けてなるものである。

また本発明による第２の光磁気記録媒体用ピックアップ
は、上記第１のピックアップにおいては第２の光導波路
に第２．第３の集光性回折格子とともに並設されている
第４の集光性回折格子を、別の光導波路に設けたことを
特徴とするものであり、すなわら、前述の第１．第２の
光導波路に加えてさらに第３の光導波路を第２の光導波
路と重なる状態に設け、 この第３の光導波路の表面に上記第４の集光性回折格子
を、第２の光導波路上の第２．第３の集光性回折格子と
互いに重なる状態に形成し、そして前記第１．第２およ
び第３の光検出器を、第２または第３の光導波路の表面
あるいは端面に取り付けてなるものである。

この構成においては、第４（あるいは第２．第３）の集
光性回折格子を通過した反射ビームが、第２．第３（あ
るいは第４）の集光性回折格子により第３の光導波路中
に取り込まれ、集束される。

上記集光性回折格子（ＦＧＣ：　Ｆｏｃｕｓ　ｉ　ｎｇ
　　Ｑｒａ’ｔｔｎｇ　　Ｃｏｕｐｌｅｒ）は、曲りと
チャーブ、または曲りを有する回折格子であり、光導波
路外の空間光波面と光導波路内を進行する導波光の波面
とを直接結合し、また光導波路外に出射する光ビームを
光導波路外の空間において集束させ、あるいは光導波路
内において反射ビームを集束させる。

（作　　用） 上述のように光磁気記録媒体に照射される光ビームは、
第１の光導波路に設けられた第１の集光性回折格子によ
って記録媒体の反射面上で集束される。これにより、前
述の対物レンズが果たす作用が１０られている。一方、
光磁気記録媒体からの反射ビームを上記第２．第３．第
４の集光性回折格子によって第２あるいは第３の光導波
路内に取り込むことにより、該反射ビームは光路を曲げ
て光検出器側に導かれる。これは前述のビームスプリッ
タが果たず作用と同じである。また第２．第３、第４の
集光性回折格子は第２あるいは第３の光導波路内で反射
ビームを集束させるが、これは前述の集束レンズが果た
す作用と同じである。さらに第２および第３の集光性回
折格子が２個前述のような位置に配されているから、光
磁気記録媒体からの反射ビームは互いにトラッキング方
向に分離されて２箇所で集束する。これは前述のプリズ
ムが果たす作用と同じである。

また第２．第３の集光性回折格子はＴＥ　（ＴＭ）導波
モードを励振し、−力筒４の集光性回折格子はＴＭ（Ｔ
Ｅ）導波モードを励振するように形成しておくことによ
り、第１および／または第２の光検出器の出力と第３の
光検出器の出力は、反射ビームの偏光の向きに応じて相
補的に変化するようになるので、上記２組の出力の差を
差動検出回路で検出すれば、反射ビームの偏光の向き、
つまり光磁気記録媒体の記録情報が読み取れることにな
る。これにより、差動検出光学系を設けて差動検出を行
なう場合と同様に、Ｓ／Ｎの高い読取信号を得ることが
できる。すなわち第２および第３の集光性回折格子に加
えて第４の集光性回折格子を設けたことにより、前述の
ハーフミラ−等が果たすご一ム分刷）ヤ用が得られ、そ
して各集光性回折格子による励振導波モードを上記のよ
うに設定することにより、前述の２つの検光子が果たす
作用が１りられる。

また上記構成においては、第１の光導波路と第２の光導
波路とが（第２のピックアップにおいてはさらに第３の
光導波路も）一体化されているから、トラッキング制御
が行なわれても、第１の集光性回折格子に対する第２．
第３．第４の集光性回折格子の相対位置は常に一定に保
たれる。したがって、トラッキングエラーのために前述
の対物レンズを移動させる従来装置におけるように、対
物レンズの傾きによって反射ビーム検出光量が変動して
記録情報読取信号に雑音が生じたり、あるいは対物レン
ズのオフセットによってトラッキングエラーが生じるこ
とが防止される。

なＪ３第１のピックアップにおけるように、第２゜第３
．第４の集光性回折格子をすべて１つの光導波路（第２
の光導波路）に形成する方が構成がより簡素になり、ま
た製造′も容易になる。しかしそうした場合、第２およ
び第３の集光性回折格子によりＴＥ　（ＴＭ）モード導
波光と結合する反射ビームの５（Ｐｌａ光成分が第４の
集光性回折格子によっては光導波路内に入射し１りない
、ということがあるので、この場合は、このような反射
ビームＳ　（Ｐ）偏光成分のうち第４の集光性回折格子
の部分に照射された分は、全く利用され得ないことにな
る。また当然ながら、この反対のことも起こりつる。

そこで本発明の第２のピックアップにおけるように第２
．第３の集光性回折格子と、第４の集光性回折格子とを
、互いに重なる状態に設けておけば、第２．第３〈第４
）の集光性回折格子によって第２（第３）の光導波路内
に入射しなかった反射ビームの偏光成分も、この回折格
子を透過して第４（第２．第３）の集光性回折格子によ
り第３（第２）の光導波路内に入射しうるようになるか
ら、反射ビームの検出効率ひいては光利用効率が上記第
１のピックアップよりも向上する。

（実　施　例） 以下、図面に承り実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

第１図は本発明の第１の光磁気記録媒体用ピックアップ
の第１実施例を示すものであり、第２図はこのピックア
ップの光導波路の平面形状と電気回路を示すものである
。第１図に示されるようにこのピックアップは、紙面に
略垂直な方向に延びるロンド１１．１１に沿って移動自
在とされたブロック１２を有している。このブロック１
２は所定のグループに沿った信号列（トラック）に追随
するために、例えば精密送りネジと光学系送りモータ等
により、上記トラックの方向（ビーム照射位置において
矢印Ｕ方向）に直角な方向、あるいはそれに近い方向に
移動されるようになっている。

上記ブロック１２には、例えばｎタイプの３ｉ基板２３
が保持されている。この基板２３上にはバッファ層２８
を介して第１の光導波路２２が形成されている。この光
導波路２２の１つの端面２２ｂは研磨されて、その上に
は直線偏光した光ビーム（レーザビーム）１５を発する
半導体レーザ１Ｇが固定されている。この半導体レーザ
１６から発せられた光ビーム１５は上記端面２２ｂから
光導波路２２内に入射し、−例としてＴＥ導波モードで
該光導波路２２内を進行する。−力光導波路２２の表面
２２ａには、第１の集光性回折格子（以下、ＦＧＣと称
する）１７が設けられている。このＦＧＣ１７は曲りと
チャープを有する回折格子であり、光導波路２２内を導
波している光ビーム１５を光導波路外に出射させ、そし
て光磁気ディスク１３の反射面１４上で集束させる。基
板２３は後に詳述するトラッキング制御、フォーカス制
御のために、トラッキング方向く矢印Ｕ方向に直角な方
向）およびフォーカス方向く矢印Ｖ方向）に移動可能に
支持され、トラッキングコイル１９、フォーカスコイル
２０によりそれぞれ上記の方向に移動されるようになっ
ている。

光導波路２２は、光ビーム１５が反射面１４において正
反射しないように配置されており、したがって光磁気デ
ィスク１３で反射した反射ビーム１５°は、第１のＦＧ
Ｃ１７とは離れた位置に反射して来る。

この反射ビーム１５′が照射される位置において光導波
路２２の表面２２ａには、第２．第３．第４のＦＧＣ３
１，３２，３３が相隣接して設けられている。これらの
ＦＧＣ３１，３２，３３も曲りとチャーブ、あるいは曲
りを有する回折格子であり、それぞれが反射ビーム１５
′を光導波路２２内に入射させ、そして光導波路２２内
の一点で集束させるように形成されている。第２．第３
のＦ　Ｇ　Ｃ３１，’　３２は、前述のトラッキング方
向に対して直角で反射ビーム１５′のほぼ中心を通る光
導波路２２上の軸（第２図のｙ軸）をはさんで並設され
、−またそれぞれがこのｙ軸をはさんで互いに離れた位
置に反射ビーム１５′を集束させるように形成されてい
る。第４のＦ　Ｇ　Ｃ３３は、第２．第３のＦＧＣ３１
，３２の間においてこれらＦＧＣ３１，３２と並べて設
けられている。また第２、第３のＦＧＣ３１，３２はＴ
Ｅ導波モードを励撮し、−力筒４のＦＧＣ３３は７Ｍ導
波モードを励起するようにそれぞれ格子ピッチが設定さ
れている。

上記のような作用を果たすＦＧＣ３１，３２のｍ番目の
格子パターン形状式は、光導波路２２上の位置を第２図
図示のＸ軸（トラッキング方向軸）とｙ軸とによって規
定して第１のＦ　Ｇ　Ｃ１７によるディスク１３の集光
位置を（ｆｘ、ｆｙ、ｆｚ）とし、ＦＧＣ３１，３２に
よるビーム集束位置の座標をそれぞれ（−Ｆｘ、ＦＶ）
、（Ｆｘ　、　Ｆｙ　）とし、そして反射ビーム１５′
の光波長をλ、該ビーム１５′のＦＧＣ３１，３２への
入射角をθ、ＴＥモード光に対する光導波路２２の実効
屈折率をＮＴεとすると、−ｍλ＋ｃｏｎｓｔ。

［復号はＦ　Ｇ　Ｃ３１に関して＋、Ｆ　Ｇ　Ｃ３２に
関して−１で与えられる。

一方ＦＧＣ３３のｍ番目の格子パターン形状式は、Ｆ　
Ｇ　Ｃ３３によるビーム集束位置の座標を（０，Ｆｙ）
、ＴＭモード光に対する光導波路２２の実効屈折率をＮ
ＴＭ、その他は上記と同様に規定すると、＝ｍλ＋ｃｏ
ｎｓｔ。

で与えられる。

そしてＦＧＣ３１，３２，３３は第２図に示すように、
反射ビーム１５°の直線偏光の向き（矢印Ｐ方向）に対
して、Ｘ軸が４５°傾くような向きに配置されている。

なお反射ビーム１５′の直線偏光の向きは、光磁気ディ
スク１３における磁化の向きに対応して回転するので、
本例においては、磁化されていくｆい部分で反射した反
射ビーム１５°の直線偏光の向きを基準とし、この向き
とＸ軸とが４５°の角度をなすようにしている。なおＦ
ＧＣ３１，３２，３３は光導波路２２の表面２２ａとは
反対側の表面（第１図中の下表面）に設けられてもよい
。

上記の光導波路２２は例えばＳｉ基板２３上に３ｉｏ２
からなるバッファ層２８を形成し、その上に＃７０５９
ガラスをスパッタして形成することができるし、−万Ｆ
ＧＣ３１，３２，３３は、光導波路２２上に５ｉ−Ｎを
ＰＣＶＤにて製膜し、電子ビーム直接描画によりレジス
トパターンを形成した後、ＲＩＥで５ｉ−製膜に転写す
る、等の方法によって形成することができる。らなみに
、上記の材料で光導波路２２（厚さ０．７６μｍ＞およ
びＦＧＣ３１゜３２、３３を形成した場合、前述の各形
状式で格子パターンが規定されるＦＧＣ３１，３２（Ｔ
Ｅモード励振とする）の中心周期は０．７８２μｍ１Ｆ
　Ｇ　ＣＣ５３（Ｔモード励振とする）の中心周期は０
．７８６μｍとなる。

一方光導波路２２の表面２２ａには、前述のようにして
集束された反射ビーム１５′をそれぞれ検出するように
、第１の光検出器２４．第２の光検出器２５および第３
の光検出器２６が設けられている。第１の光検出器２４
は一例として前記ｙ軸と平行に延びるギャップで２分割
されたフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２からなり、また
第２の光検出器２５も同様のフォトダイオードＰＤ３．
ＰＤ４からなる。

−力筒３の光検出器２６は１つのフォトダイオードＰＤ
５からなる。これらのフォトダイオードＰＤ１〜５は一
例として第３図に詳しく示すように、ｎタイプのＳ：基
板２３上に、導波している反射ビーム１５′の浸み出し
光（エバネツセント光）が該基板２３内に入射すること
を防ぐバッファ層２８を設け、ｐタイ１８１層２９と電
８ｉ３０を設けて集積化されている。このようにして集
積化されたフォトダイオードＰＤ１〜Ｐ　Ｄ　、５は、
高速応答が可能であるので特に好ましい。

第２図に示すようにフォトダイオードｐｏｉ。

ＰＤ２の出力は加算アンプ３４で加算され、またフォト
ダイオードＰＤ３．ＰＤ４の出力も同様に加算アンプ３
７で加算され、ぞして第１．第２の光検出器２４．２・
５それぞれの外側のフォトダイオードＰＤ１．ＰＤ４の
出力が加算アンプ３５で加算され、内側のフォトダイオ
ードＰＤ２．ＰＤ３の出力が加詐アンプ３６で加算され
る。また上記加算アンプ３４、３７の出力は加算アンプ
３８ｉｊ３よび差動アンプ４０に入力され、そして加算
アンプ３５．３６の出力は差動アンプ３９に入力される
。上記加算アンプ３８の出力とフォトダイオードＰＤ５
の出力は差動アンプ４１に入力される。この差動アンプ
４１の出力Ｓ１、差動アンプ３９の出力Ｓ２、および差
動アンプ４０の出力Ｓ３はそれぞれ、読取回路４２、フ
ォーカスコイル駆動制御回路４３およびトラッキングコ
イル駆動制御回路４４に入力される。

次に、上記構成のピックアップの作動について説明する
。半導体レーザ１６から発せられ発散ビームの状態で光
導波路２２内を導波する光ビーム（し＋　４ｆビーム）
１５は、第１のＦＧＣ１７によって光導波路２２から出
射し、光磁気ディスク１３の反射面１４上で合焦するよ
うに集束される。光磁気ディスク１３は図示しない回転
駆動手段により、上記光ビーム１５の照射位置において
トラックが矢印Ｕ方向に移動するように回転される。周
知の通り上記トラックは、磁化の向き（第１図において
反射面１４の上側に矢印で示す）の形で記録された画像
信号や音声信号等の列であり、光磁気ディスク１３から
の反射ビーム１５°の直線偏光の向きは、磁化されてい
ない部分からの反射ビーム１５°の直線偏光の向きと比
べると、磁化の向きに応じて互いに反対方向に回転する
。つまりある方向に磁化している部分からの反射ビーム
１５′の偏光の向きは、第２図の矢印Ｐで示す偏光方向
から時計方向に回転し、それとは反対方向に磁化してい
る部分からの反射ビーム１５′の偏光の向きは、上記矢
印Ｐで示す偏光方向から反時計方向に回転する。

この反射ビーム、１５°は、ＦＧＣ３１，３２，３３に
よって光導波路２２内に取り込まれる。該光導波路２２
内を導波する反射ビーム１５°は、ＦＧＣ３１，３２゜
３３それぞれのビーム集束作用により、ｙ軸をはさんだ
２点およびｙ軸上の１点で集束するようになる。ここで
、先に述べたように第２．第３のＦＧＣ３１，３２はＴ
Ｅ導波モードを励振するように形成され、第２図の矢印
Ｅで示す方向の電界ベクトルを右する光を光導波路２２
内において゛導波させ、一方策４のＦ　Ｇ　Ｃ３３は７
Ｍ導波モードを励振するように形成され、第２図中紙面
に垂直な方向の電界ベクトルを有する光を光導波路２２
内において導波させる。したがって、反射ビーム１５′
の直線偏光の向きが矢印Ｐで示す方向よりも時計方向に
回転すれば、第４のＦＧＣ３３により光導波路２２内に
取り込まれる反射ビーム１５゛の光量が増大する一方、
第２．第３のＦＧＣ３１，３２により光導波路２２内に
取り込まれる反射ビーム１５′の光量が減少する。

反射ビーム１５′の直線偏光の向きが矢印Ｐ方向よりも
反時計方向に回転でれば、上記の逆となる。

より詳しく説明すれば、反射ビーム１５°の直線偏光の
向きと第２図のＸ軸がなす角度をφとし、ＦＧＣ３１ま
たは３２の開口面積とＦＧＣ３３の開口面積が等しいと
すると、ＦＧＣ３１または３２にＪ：って光導波路２２
内に取り込まれる光ｆＡ　Ｉ　ｒ　と、ＦＧＣ３３によ
って光導波路２２内に取り込まれる光ｆｆｉ　Ｉ　２は
、それぞれ第９図に曲線■、■で示すようにＣ０８２φ
、　ｓｉｎ　２φに比例して変化する。つまり上記角度
φが４５°未満の場合は、ＦＧＣ３１または３２によっ
て光導波路２２内に取り込まれる光ｆｆｔ　Ｉ　１が、
ＦＧＣ３３によって光導波路２２内に取り込まれる光ｆ
ｆｉ　Ｉ　ｔよりも大となり、角度φが４５°を超える
と上記の関係は逆転する。したがって、例えば加算アン
プ３８のゲインを適当に設定すれば、反射ビ′　　　−
ム１５′の直Ｆｉｌ！光の向きが第２図の矢印Ｐで示す
方向より時計方向に回転しているときは差動アンプ４１
の出力を−（マイナス）とし、反対に反時計方向に回転
しているときは差動アンプ４１の出力を＋（プラス）と
することができる。こうして差動アンプ４１の出力Ｓ１
を判別することにより、光磁気ディスク１３上の磁化の
向き、つまり記録情報を読み取ることができる。

第１〜３の光検出１２４．２５．２６が出力する光検出
器りには、例えば半導体レーザ１６の光強度変動による
ノイズ、光磁気ディスク１３の記録磁性膜の反射率の変
動や結晶粒に起因するノイズ等が含まれることが多い。

これらのノイズ成分は第１．２の光検出器２４．２５の
出力と、第３の光検出器２６の出力とにおいて互いに同
相となるので、上述のような信号成分の差動検出を行な
うことにより、これらのノイズ成分が打も消され、Ｓ／
Ｎの高い読取信号Ｓ１を得ることができる。

また前記第９図から明らかなように、角度φの変化幅が
一定ならば、φ−４５°を変化の中心としたときが光１
ｕｌｌ、１２の変化量が最大となり、差動出力Ｓ１も最
大となる。したがって、光磁気ディスク１３上の磁化の
向きの違いによる反射ビーム１５°の直線偏光面回転角
（カー回転角）が、極めて小さいものであっても（一般
に０．３〜０．５゜程麿）、この偏光面の回転を精度良
く検出可能となる。

なお上記例においては、第１および第２の光検出器２４
．２５の出力を加算した信号と、第３の光検出器２６の
出力信号との差を検出するようにしているが、光検出器
２４．２５の一方の出力信号と光検出器２Ｇの出力信号
との差を検出して信号読取りを行なうことも可能である
。しかしその場合は、トラッキングエラーによって光検
出器２４または２５の出力が変動するので、この変動に
よる信号誤検出を防止するためには上記実施例における
ようにするのが好ましい。

ブロック１２は先に述べたように光学系送りモータの駆
動によって矢印Ｕ方向と直角な方向、あるいはそれに近
い方向に送られ、それにより光磁気ディスク１３−ヒの
光ビーム１５の照射位置（ディスク径方向位置）が変え
られて、記録信号が連続的に読み取られる。ここで上記
光ビーム１５は、所定の信号列（トラック）の中心に正
しく照射されなければならない。以下、このように光ビ
ーム１５の照射位置を正しく維持する制御、すなわちト
ラッキング制御について説明する。反射ビーム１５′の
中心がらようどＦＧＣ３１とＦＧＣ３２との間に位置す
るとき、第１の光検出器２４（フォトダイオードＰＤ１
とＰＯ２＞によって検出される光量と、第２の光検出器
２５（フォトダイオードＰＤ２とＰＯ２）によって検出
される光量とは一致する。したがってこの場合は差動ア
ンプ４０の出力Ｓ３はＯ（ゼロ）となる。−刀先ビーム
１５の照射位置が不正になって、反射ビーム１５′の光
強度分布が第２図中上方側に変位すると、第１の光検出
器２４の検出光量が第２の光検出器２５の検出光量を上
回る。したがって差動アンプ４０の出力Ｓ３は＋（プラ
ス）となる。

反対に反射ビーム１５°の光強度分布が第２図中下方側
に変位すると、差動アンプ４０の出力Ｓ３は−（マイナ
ス）となる。つまり差動アンプ４０の出力Ｓ３は、トラ
ッキングエラーの方向（第２図の矢印Ｘ方向）を示す°
ものとなる。この出力Ｓ３はトラッキングエラー信号と
してトラッキングコイル駆動制御回路４４に送られる。

なおこのようにフォトダイオードＰＤ１〜４の出力を処
理してトラッキングエラーを検出する方法は、プッシュ
プル法として従来から確立されているものである。トラ
ッキングコイル駆動制御回路４４は上記トラッキングエ
ラー信号Ｓ３を受け、該信号Ｓ３が示すトラッキングエ
ラーの方向に応じた電流（１をトラッキングコイル１９
に供給し、このトラッキングエラーが解消される方向に
基板２３を移動させる。それにより光ビーム１５は、常
に信号列の中心に正しく照射されるようになる。

次にフォーカスｔＩ１１ｉＩ１１すなわち光ビーム１５
を光磁気ディスク１３の反射面１４上に正しく集束させ
る制御について説明する。光ビーム１５が光磁気ディス
ク１３の反射面１４上で合焦しているとき、ＦＧＣ３１
により集束される反射ビーム１５′はフォトダイオード
ＰＤ１とＰＯ２との中間位置で集束する。

このとき同様にＦＧＣ３２により集束される反射ビーム
１５′は、フォトダイオードＰＤ３とＰＯ２との中間位
置で集束する。したがって加算アンプ３５の出力と加算
アンプ３６の出力は等しくなり、差動アンプ３９の出力
Ｓ２はＯ（ゼロ）となる。−力先ピーム１５が上記反射
面１４よりも近い位置で集束しているときは、ＦＧＣ３
１，３２に入射する反射ビーム１５゛は収束ビームとな
り、光検出＠２４．２５の各々における反射ビーム１５
′の照射位置はそれぞれ内側（フォトダイオードＰＤ２
側およびフォトダイオードＰＤ３側）に変位する。した
がってこの場合は加算アンプ３５の出力が加算アンプ３
Ｂの出力を下回り、差動アンプ３９の出力Ｓ２は−（マ
イナス）となる。反対に光ビーム１５が反射面１４より
も遠い位置で集束しているときは、ＦＧＣ３１，３２に
入射する反射ビーム１５′は発散ビームとなり、光検出
器２４．２５の各々における反射ビーム１５′の照射位
置はそれぞれ外側（フォトダイオ−）’ＰＤＩ側および
フォトダイオードＰＤＪ側）に変位する。

したがってこの場合は加算アンプ３５の出力が加算アン
プ３６の出力を上回り、差動アンプ３９の出力Ｓ２は＋
（プラス）となる。このように差動アンプ３９の出力Ｓ
２は、フォーカスエラーの方向を示すものとなる。この
出力Ｓ２は、フォーカスエラー信号としてフォーカスコ
イル駆動Ｉｌｌ　Ｈ回路４３に送られる。なおこのよう
にフォトダイオードＰＤ１〜４の出力を処理してフォー
カスエラーを検出する方法は、従来より、フーコープリ
ズムを用いるフーコー法において実行されているもので
ある。

フォーカスコイル駆動制御回路４３は上記フォーカスエ
ラー信号Ｓ２を受け、該信号Ｓ２が示すフォーカスエラ
ーの方向に応じたｆｌｌｌｆをフォーカスエラー２０に
供給し、このフォーカスエラーが解消される方向に基板
２３を移動させる。それにより光ビーム１５は、常に光
磁気ディスク１３の反射面１４上で正しく集束するよう
になる。

この実施例において光ビーム１５は、反射面１４におい
て正反射しないようになっているから、反射ビーム１５
′が第１のＦＧＣ１７から光導波路２２内に入射して半
導体レーザ１６に戻ることがない。したがって、半導体
レーザ１６が戻り光のためにモードホッピングを起こし
て、出力変動等の不具合を生じることが防止される。

なおこの実施例において３つのＦＧＣ３１，３２゜３３
は、それぞれの格子が連続して互いに密接した状態に形
成されているが、これらのＦＧＣ３１，３２゜３３は少
しの距離をおいて互いに独立に形成されてもよい。これ
は以下に説明する実施例においても同様である。

またＦＧＣ３１，３２によってそれぞれ集束される反射
ビーム１５′を互いに交差させる、つまり第２図で説明
すればＦＧＣ３１によるビーム東京位置がｙ軸の下側に
、ＦＧＣ３２によるビーム東京位置がｙ軸の上側に位置
するようにＦＧＣ３１，３２を形成しても構わない。

さらに上記実施例では第２．第３のＦＧＣ３１゜３２が
ＴＥ導波モードを、第４のＦＧＣ３３がＴＭ導波モード
を励振するようにしであるが、これとは反対に第２．ｊ
ｆｆ３のＦＧＣ３１，３２がＴＭ導波モードを、第４の
ＦＧＣ３３がＴＥ導波モードを励振するようにしてもよ
い。また、ＦＧＣ３１，３２を互いに密接あるいは近接
するように配置し、これらＦＧＣ３１，３２の一方ある
いは双方の外側に第４０ＦＧＣ３３を配置するようにし
ても構わない。

次に第４図を参照して本発明の第１の光磁気記録媒体用
ピックアップの第２実施例について説明する。なおこの
第４図において第１図中の要素と同等の要素には同番号
を付し、それらについては必要の無い限り説明を省く（
以下、同様）。第１実施例においては、第１の光導波路
と第２の光導波路とが共通のものとされていたが、この
第２実施例のピックアップにおいては、それらが別個に
形成されている。すなわち第４図図示のように、基板２
３上にはバッファ層２８を介して第２の光導波路５２が
形成され、その上に透明バッファ層５０を介して第１の
光導波路５１が形成されている。そして第１の光導波路
５１の表面５１ａには第１のＦＧＣ１７が形成され、第
２の光導波路５２の表面５２ａには第２、第３および第
４のＦＧＣ３１，３２，３３が形成されている。この第
１０ＦＧＣ１７と、第２．第３および第４のＦＧＣ３１
，３２，３３は、互いに重なる位置に設けられているが
、第５．６図に示されるように、格子並び方向は互いに
４５°の角度をなすように形成されている。そして光導
波路５１．５２は、第１のＦＧＣ１７から出射した光ビ
ーム１５が、光磁気ディスク１３の反射面１４で正反射
する向きに配置されている。

なおこの場合、第１の光導波路５１内を導波する光ビー
ム１５の一部は、第１のＦ　Ｇ　Ｃ１７により基板２３
側に回折し、その光ビーム１５はバッファ層５０と第２
の光導波路５２との界面、さらにはバッファ層２８と基
板２３との界面で反射して上方（光磁気ディスク１３側
）に進行する。この方向に回折した後反射した光ビーム
１５も有効に利用し、またＦＧＣ１７から光磁気ディス
ク１３側に回折した光ビーム１５が弱められることがな
いように、これらの反射光と、ＦＧＣ１７で光磁気ディ
スク１３側に回折した光とが干渉で強め合うようにバッ
ファ層２８．５０の厚さを選択するのが好ましい。

この実施例装置においては、光磁気ディスク１３からの
反射ビーム１５′は第１０Ｆ　Ｇ　Ｃ１７，第１の光導
波路５１およびバッファ！！１５０を通過して、第２゜
第３．第４のＦＧＣ３１，３２，３３上に入射し、これ
らのＦＧＣ３１，３２，３３によって第２の光導波路５
２内に取り込まれる。この場合も、光導波路５２内にお
いて集束する３系統の反射ビーム１５′を、第２図図示
のような第１．第２．第３の光検出器２４゜２５、２６
で検出し、それらの検出信号を前述のように処理すれば
、記録信号、トラッキングエラー、フォーカスエラーを
検出できる。

次に第７図および第８図を参照して本発明の第１の光磁
気記録媒体用ピックアップの第３実施例について説明す
る。この実施例においては、第２実施例におけるのと同
様に、第１．第２の光導波路５１．５２は別個に形成さ
れ、しかもそれらは別々の基板５３．２３上に形成され
ている。基板５３は透明基板とされ、第２の光導波路５
２の上に重ねて固定されている。

この場合も光導波路５１．５２は、ＦＧＣ１７から出射
した光ビーム１５が光磁気ディスク１３において正反射
するように配置され、第１のＦ　Ｇ　Ｃ１７と、第２、
第３．第４のＦＧＣ３１，３２，３３は第２実施例にお
けるのと同様の位置関係で設置されており、それらの作
用、効果は第２実施例におけるのと同様である。

なお以上）ホベた第２実施例および第３実施例において
は、第１の光導波路５１が光磁気ディスク１３に近い側
に、そして第２の光導波路５２が光磁気ディスク１３か
ら遠い側に配置されているが、これとは反対の位置関係
に画光導波路５１．５２を配置してもよい。

以上説明した３つの実施例においては、第１゜第２．第
３の光検出器２４．２５．２６が光導波路２２あるいは
光導波路５２の表面２２ａ、５２ａに集積化されている
が、これらの光検出器２４．２５．２６はその他の形態
で光導波路２２あるいは５２に取り付けることも可能で
ある。すなわち１つの光導波路を用いる場合を例にとれ
ば、例えば第１０図に示すように、光導波路°２２の表
面２２ａに近接させて光検出器２４゜２５、２６を配置
することもできる。またこのように光導波路２２の表面
２２ａに光検出器２４．２５．２６を近接させて配置す
る場合、第１１図図示のように、光導波路２２の表面２
２ａに反射ビーム１５′（導波光）を光導波路２２外に
出射させる回折格子８０を設けて、光検出器２４．２５
．２６の受光効率を高めることも可能である。さらに第
１２図図示のように、光導波路２２の端面２２ｃを研磨
した上で該端面２２ｃに光検出器２４．２５．２６をＩ
！固定することもできる。さらに第１３図図示のように
、光導波路２２上に下部透明電極２７ａ１薄膜状光導電
性材料２７ｂ１および上部電極２７ｃをこの順に装荷し
てフオトダイオードＰＤ１〜５を形成することもできる
。この場合、上記下部透明電極２７ａと上部電極２７ｃ
との間には、電源２７ｄから所定の７Ｒ界が印加される
。この構成のフォトダイオードＰＤ１〜５においては、
光導電性材料２７ｂが光照射を受けるとその光量に応じ
た光電流が流れる。したがって、端子２７ｅにおける電
位変化を検出すれば、光導電性材料２７ｂの受光光量を
検出することができる。なお、薄膜状光導電性材料２７
ｂハ、例えば■族のＳｉ、Ｇｅ、ＩＶ族のｓｅｌｍ−ｖ
ｉのＧａＡｓ１１ｆ−Ｖｌ族ノ、ＺｎＯ１Ｃｄ　Ｓ　Ｓ
ＩＶ　−Ｖｌ族１７）ＰｂＳＷ（Ｆ）エヒタキシｉｙル
膜、多結晶体膜、非晶質膜等から形成可能であり、また
非晶質カルコゲン膜（ａ−８ｅ、ａ−３ｅ−Ａｓ−Ｔｅ
など）、非晶質３ｉを主体とし水素および／またはフッ
素を含む１Ｉ（ａ−８ｉ：＠。

ａ−３ｉＧｅ：Ｈｌａ−８ｉＣ：Ｈなど）に■族、Ｖ族
の原子（Ｂ、Ｐなど）を添加することによりｐｎ接合、
ｐ−１−ｎ接合を得てフォトダイオードを形成する膜、
前記非晶質３ｉを主体とし水素および／またはフッ素を
含む膜とショットキー接合を構成する電極を用いてフォ
トダイオードを形成する膜等から形成することもできる
。

またＦＧＣ３１，３２，３３は、先に述べた製造方法に
限らず、公知のフォトリソ法、ホログラフィック転写法
等によりすべてブレーナ技術で形成可能であり、容易に
大量複製可能である。

次に本発明の第２の光磁気記録媒体用ピックアップの実
施例について説明する・先に説明した第１の光磁気記録
媒体用ピックアップにおいては、第２．３および４の集
光性回折格子がすべて共通の光導波路上に形成されてい
るが、この第２の光磁気記録媒体用ピックアップにおい
ては、第２゜第３の集光性回折格子と、第４の集光性回
折格子とがそれぞれ別の光導波路上に形成され、それら
は互いに重なるように配置される。

第１４図に示す本発明の第２の光磁気記録媒体用ピック
アップの第１実施例装置においては、第１の光導波路２
２が、透明バッファ層５０を介して第２の光導波路５２
上に重ねて設けられている。第１の光導波路２２の表面
２２ａには、光ビーム出射用の第１のＦＧＣ１７と、反
射ビーム入射用の第４のＦＧＣ３３が形成されている。

つまり本実施例では、第４のＦＧＣ３３が設けられる第
３の光導波路として、第１の光導波路２２が共用されて
いる。一方策２の光導波路５２の表面５２ａには、反射
ビーム入射用の第２．第３のＦＧＣ３１，３２が形成さ
れている。第１５図と第１６図はそれぞれ上記第１の光
導波路２２と第２の光導波路５２の平面形状を示すもの
であるが、これらの図に示されるように第４のＦＧＣ３
３は、第２および第３のＦＧＣ３１，３２とほぼ等しい
開口面積を有し、これらのＦＧＣ３１，３２と互いに重
なる位置に股、けられている。また第２の光導波路５２
に取り付けられた第１．第２の光検出器２４．２５、お
よび第１の光導波路２２に取り付けられた第３の光検出
器２６は、−例として前記第１３図に示したタイプのも
のである。

この実施例装置は、以上説明した点以外は、第１．２図
に示した装置と同様に構成されている。

このピックアップにおいて、反射ビーム１５′はＦＧＣ
３３によって光導波路２２内に取り込まれる。、また、
この光導波路２２を透過した反射ビーム１５′は、ＦＧ
Ｃ３１，３２によって第２の光導波路５２内に取り込ま
れる。ＦＧＣ３１，３２により第２の光導波路５２内で
集束される２系統の反射ビーム１５″は、それぞれ第１
．第２の光検出器２４．２５によって検出され、一方Ｆ
ＧＣ３３により第１の光導波路２２内で集束される反射
ビーム１５°は、第３の光検出器２６によって検出され
る。それにより、先に説明したのと同様にして、記録信
号、トラッキングエラー、フォーカスエラーが検出され
うる。

なお上記実施例においては、第１の光導波路２２が第３
の光導波路を兼ねるように構成されているが、この第１
の光導波路２２（すなわち第１のＦＧＣ１７が設けられ
るもの）が第２の光導波路（第２゜第３のＦＧＣ３１，
３２が設けられるもの）を兼ねるようにし、これとは別
の第３の光導波路（第４のＦ　Ｇ　Ｃ３３が設けられる
もの）をこの光導波路２２と重ねて配置するようにして
もよい。

次に第１７図を参照して、本発明の第２の光磁気記録媒
体用ピックアップの第２実施例について説明する。この
実施例においては、第２の光導波路５２上に透明バッフ
ァ層５５を介して第３の光導波路５６が設けられ、その
上に透明バッファ層５０を介して第１の光導波路５１が
設けられている。第２の光導波路５２の表面５２ａに形
成されたＦＧＣ３１，３２と、第３の光導波路５６の表
面５６ａに形成されたＦＧＣ３３との配置関係は、第１
５．１６図に示した第２実施例におけるものと同様であ
る。またこのように互いに重なるＦ　Ｇ　Ｃ３１，３２
とＦＧＣ３３は、第１のＦＧＣ１７とも重なるように配
置されている。

そして本実施例においては特に、第３の光導波路５６の
バッファ層５５側の表面に、この光導波路５６内を集束
しつつ導波している反射ビーム１５′を該光導波路５６
外に出射させる線状回折格子（１−ｉｎｅａｒ　　Ｇｒ
ａｔｉｎｇ　　Ｃｏｕｐｌｅｒ：以下しＧＯと称する）
５７が設けられ、一方策２の光導波路５２のバッファ１
２８側の表面にも、上記ＬＧＣ５７に対向する位置にお
いてＬＧ０５８が設けられている。Ｌ　Ｇ　Ｃ５７によ
って第３の光導波、路５６から出射した反射ビーム１５
″は、上記ＬＧ０５８によって第２の光導波路５２内に
取り込まれる。第３の光検出器２６は、第１．第２の光
検出器２４．２５とともに、第２の光導波路５２の表面
５２ａに取り付けられており、上述のようにして第３の
光導波路５６からこの第２の光導波路５２内に入射した
反射ビーム１５′を検出する。なお、これらの光検出器
２４．２５．２６は、−例として前記第１３図に示され
るタイプのものである。この実施例装置は、以上説明し
た点以外は、第４図に示した装置と同様に構成されてい
る。

なお勿論ながら、第３の光検出器２Ｇを第３の光導波路
５６の表面あるいは端面に取り付け、ＬＧＣ５７、５８
は特に設（プないようにしてもよい。

またこのように第１．第２．第３の光導波路５１゜５２
、５６をそれぞれ別個に設ける場合においても、互いに
重なるＦＧＣ３１，３２とＦＧＣ３３を、第１のＦ　Ｇ
　Ｃ１７とは重ならないように配置しても構わない。さ
らに第１．第２．第３の光導波路５１．５２゜５６は、
それぞれ別個の基板上に形成してから、■ね合わせるよ
うにしても構わない。これは、前記第１４図に示すよう
に第３の光導波路あるいは第２の光導波路を、第１の光
導波路と共用する場合においても同様である。また、第
１．第２．第３の光導波路５１．５２．５６は、互いに
どのような順序で重ねられてもよい。

さらに本発明の第２の光磁気記録媒体用ピックアップに
おいても、前述の第３図あるいは第１１〜１２図に示し
たような各種の光検出器が利用されうる。

以上述べたように、第２．第３のＦＧＣ３１，３２が第
４のＦ　Ｇ　Ｃ３３と重なるように配置しておけば、Ｆ
ＧＣ３３（３１，３２）によって光導波路５６（５２）
内に入射しなかった反射ビーム１５′の偏光成分も、Ｆ
　Ｇ　Ｃ３１，３２（３３）により光導波路５２　（５
６）内に入射するようになるので、光利用効率が高くな
る。

（発明の効果） 以上詳細に説明した通り水元…の光磁気記録媒体用ピッ
クアップにおいては、従来のピックアップにおいて対物
レンズ、ビームスプリッタ、集束レンズ、プリズム、ハ
ーフミラ−および検光子等の光学素子が果たしていた作
用が光導波路上に形成した集光性回折格子によって得ら
れるようになっている。したがって本発明のピックアッ
プは、部品点数が極めて少なく小形軽量に形成されるの
で、従来装置に比べて大幅なコストダウンが可能となり
、またアクセスタイムの短縮も可能となる。

そして本発明のピックアップは、その主要部分がプレー
ナ技術により容易に犬山生産されうるので、この点から
も大幅なコストダウンを実現できるものとなる。

さらに本発明のピックアップにおいては、上記のような
光学素子の位ｅｉ調整は勿論不要であり、また光導波路
に光検出器を結合したことにより光学素子と光検出器と
の位置調整も不要であり、この点でもコストダウンが達
成される。

その上本発明のピックアップにおいては、トラッキング
制御およびフォーカス制御を実行するに当たり、一体化
された第１．第２の光導波路を移動させているから、こ
れらの制御が行なわれても光ビーム出射用の第１の集光
性回折格子と、反射ビーム受光用の第２および第３の集
光性回折格子の相対位置関係が変動することがない。し
たがって、これらの制御のために前述の対物レンズを移
動させる従来装置におけるように、対物レンズの傾きに
よって反射ビーム検出光量が変動して記録情報読取信号
に雑音が生じたり、あるいは対物レンズのオフセットに
よってトラッキングエラーが生じることがない。そして
このように光源側と反射ビーム受光側とを一体的に移動
させても、それらは上記の通りともに軽量の光導波路素
子から構成されているから、制御応答性は良好に保たれ
る。

さらに特に本発明の第２のピックアップにおいては、第
２．第３の集光性回折格子と第４の集光性回折格子を互
いに重なるように配置しているので、光利用効率が高め
られ、よって消費電力を低く抑える効果も１ｑられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１のピックアップの第１実施例を示
す側面図、 第２図は上記第１実施例装置の光導波路の平面形状と電
気回路を示す概略図、 第３図は上記第１実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第４図は本発明の第１のピックアップの第２実施例を示
す側面図、 第５および６図はそれぞれ、上記第２実施例装置の第１
の光導波路と第２の光導波路を示す平面図、 第７および８図はそれぞれ、本発明の第１のピックアッ
プの第３実滴例を示す側面図と平面図、第９図は本発明
に係る反射ビーム直線偏光面角度と、集光性回折格子に
より光導波路内に取り込まれる売品との関係を示すグラ
フ、 第１０．１１．１２および１３図はそれぞれ、本発明装
置に用いられる光検出器の他の例を示す側面図、第１４
図は本発明の第２のピックアップの第１実施例を示す側
面図、 第１５および１６図はそれぞれ、上記第１実施例装置の
第１の光導波路と第２の光導波路を示す平面図、 第１７図は本発明の第２のピックアップの第２実施例を
示す側面図である。 １３・・・光磁気ディスク　　１４・・・ディスクの反
射面１５・・・光ビーム　　　　　１５″・・・反射ビ
ーム１６・・・半導体レーザ　　　１７・・・第１のＦ
ＧＣ１９・・・トラッキングコイル　２０・・・フォー
カスコイル２２・・・第１の光導波路 ２２ａ・・・第１の光導波路の表面 ２２ｂ・・・第１の光導波路の端面 ２３．５３・・・基　　板　　　２４・・・第１の光検
出器２５・：・第２の光検出器２６・・・第３の光検出
器２８、５０．５５・・・バッファ一層　３１・・・第
２のＦＯＣ３２・・・第３のＦＧＣ３３・・・第４のＦ
ＧＣ３４、３５，３６，３７，３８・・・加算アンプ３
９、４０．４１・・・差動アンプ　　４２・・・読取回
路４３・・・フォーカスコイル駆動１．ｌＪ　ｔ１１回
路　　−４４・・・トラッキングコイル駆動制御回路５
１・・・第１の光導波路 ５１ａ・・・第１の光導波路の表面 ５２・・・第２の光導波路 ５２ａ・・・第２の光導波路の表面 ５６・・・第３の光導波路 ５６ａ・・・第３の光導波路の表面　５７．５８・・・
ＬＧＣＰＤ１〜５・・・フォトダイオード 第１図 第４図 第７図 第８図 第１０図 どｊ 第１１図 どｊ 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１７図

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１の光導波路と、 この第１の光導波路に取り付けられ、直線偏光した光ビ
   ームを該光導波路内に入射させる光源と、この第１の光
   導波路の表面に形成され、該光導波路内を導波する前記
   光ビームを光導波路外に出射させ、光磁気記録媒体の反
   射面上で集束させる第１の集光性回折格子と、 前記第１の光導波路と一体化され、前記光磁気記録媒体
   で反射した反射ビームを一表面で受ける向きに配置され
   た第２の光導波路と、 この第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置におい
   て、該ビームの略中心を通りかつ該表面上をトラッキン
   グ方向に略直角に延びる軸をはさんで並設され、それぞ
   れがＴＥ、ＴＭいずれか一方の導波モードを励振して前
   記反射ビームを該光導波路内に入射させるとともに、こ
   の第２の光導波路内を互いに等しい導波モードで導波す
   る反射ビームを前記軸をはさんで互いに離れた位置に各
   々集束させる第２および第３の集光性回折格子と、前記
   第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置において前
   記第２および第３の集光性回折格子と並べて設けられ、
   これら回折格子による導波モードとは異なる導波モード
   を励振して前記反射ビームを該第２の光導波路内に入射
   させ、この光導波路内で集束させる第４の集光性回折格
   子と、前記第２の光導波路の表面あるいは端面に取り付
   けられ、前記第２、第３および第４の集光性回折格子に
   より集束された各反射ビームを検出する第１、第２およ
   び第３の光検出器と、 前記第１および第２の光検出器の出力に基づいてトラッ
   キングエラーとフォーカスエラー検出を行なうエラー検
   出回路と、 前記第１および／または第２の光検出器の出力と、前記
   第３の光検出器の出力との差に基づいて、前記記録媒体
   に記録された情報を検出する差動検出回路とからなる光
   磁気記録媒体用ピックアップ。
2. （２）前記第１と第２の光導波路が互いに共通のものと
   され、 この光導波路が、前記第１の集光性回折格子から出射し
   た光ビームが前記反射面において正反射しない向きに配
   置され、 前記第１の集光性回折格子と、第２、第３および第４の
   集光性回折格子とが、互いに重ならない位置に設けられ
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
   磁気記録媒体用ピックアップ。
3. （３）前記第１と第２の光導波路が別個に形成され、互
   いに重ね合わせて一体化され、 これらの光導波路が、前記第１の集光性回折格子から出
   射した光ビームが前記反射面において正反射する向きに
   配置され、 前記第１の集光性回折格子と、第２、第３および第４の
   集光性回折格子とが、互いに重なる位置に設けられてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気
   記録媒体用ピックアップ。
4. （４）前記第１、第２の光導波路が、互いに透明バッフ
   ァ層を介して共通の基板上に形成されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第３項記載の光磁気記録媒体用ピ
   ックアップ。
5. （５）前記第１、第２の光導波路がそれぞれ別個の基板
   上に形成され、両光導波路の間に位置する基板が透明基
   板とされていることを特徴とする特許請求の範囲第３項
   記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。
6. （６）前記光源が前記第１の光導波路の端面に直接固定
   されて、該端面からこの第１の光導波路内に光ビームを
   入射させるように形成されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項から第５項いずれか１項記載の光磁気
   記録媒体用ピックアップ。
7. （７）前記軸と反射ビームの中心軸とを含む面と、反射
   ビームの偏光方向が略４５°傾くように、前記第２の光
   導波路が配置されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項から第６項いずれか１項記載の光磁気記録媒体
   用ピックアップ。
8. （８）前記第４の集光性回折格子が、第２の集光性回折
   格子と第３の集光性回折格子との間に配置されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項から第７項いずれ
   か１項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。
9. （９）前記第１、第２の光検出器がそれぞれ、トラッキ
   ングエラー検出、フォーカスエラー検出をそれぞれプッ
   シュプル法、フーコー法で行なえるように、前記軸と略
   平行に延びるギャップで分割された２分割光検出器から
   なることを特徴とする特許請求の範囲１項から第８項い
   ずれか１項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。
10. （１０）第１の光導波路と、 この第１の光導波路に取り付けられ、直線偏光した光ビ
    ームを該光導波路内に入射させる光源と、この第１の光
    導波路の表面に形成され、該光導波路内を導波する前記
    光ビームを光導波路外に出射させ、光磁気記録媒体の反
    射面上で集束させる第１の集光性回折格子と、 前記第１の光導波路と一体化され、前記光磁気記録媒体
    で反射した反射ビームを一表面で受ける向きに配置され
    た第２の光導波路と、 この第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置におい
    て、該ビームの略中心を通りかつ該表面上をトラッキン
    グ方向に略直角に延びる軸をはさんで並設され、それぞ
    れがＴＥ、ＴＭいずれか一方の導波モードを励振して前
    記反射ビームを該光導波路内に入射させるとともに、こ
    の第２の光導波路内を互いに等しい導波モードで導波す
    る反射ビームを前記軸をはさんで互いに離れた位置に各
    々集束させる第２および第３の集光性回折格子と、前記
    第２の光導波路と重ねて一体化された第３の光導波路と
    、 この第３の光導波路の表面の反射ビーム照射位置におい
    て前記第２および第３の集光性回折格子と重なる状態に
    設けられ、これらの回折格子による導波モードとは異な
    る導波モードを励振して前記反射ビームを該第３の光導
    波路内に入射させ、この光導波路内で集束させる第４の
    集光性回折格子と、 前記第２または第３の光導波路の表面あるいは端面に取
    り付けられ、前記第２、第３および第４の集光性回折格
    子により集束された各反射ビームを検出する第１、第２
    および第３の光検出器と、前記第１および第２の光検出
    器の出力に基づいてトラッキングエラーとフォーカスエ
    ラー検出を行なうエラー検出回路と、 前記第１および／または第２の光検出器の出力と、前記
    第３の光検出器の出力との差に基づいて、前記記録媒体
    に記録された情報を検出する差動検出回路とからなる光
    磁気記録媒体用ピックアップ。
11. （１１）前記第２、第３の光導波路が、互いに透明バッ
    ファ層を介して共通の基板上に形成されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第１０項記載の光磁気記録媒体
    用ピックアップ。
12. （１２）前記第２、第３の光導波路がそれぞれ別個の基
    板上に形成され、両光導波路の間に位置する基板が透明
    基板とされていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    ０項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。