JPS63260093A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63260093A JPS63260093A JP9376287A JP9376287A JPS63260093A JP S63260093 A JPS63260093 A JP S63260093A JP 9376287 A JP9376287 A JP 9376287A JP 9376287 A JP9376287 A JP 9376287A JP S63260093 A JPS63260093 A JP S63260093A
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- Japan
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- resonator
- face
- layer
- semiconductor laser
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置に関するものである。
（従来の技術）
第５図は共振器後端面での反射率が前端面での反射率よ
り小さい場合における半導体レーザ媒質内部の光密度分
布の一例を示す。図において、ｘ＝０は前端面を、ｘ＝
Ｌは後端面を示す。
り小さい場合における半導体レーザ媒質内部の光密度分
布の一例を示す。図において、ｘ＝０は前端面を、ｘ＝
Ｌは後端面を示す。
図かられかるように、前端面において、光密度は最大に
なるから、レーザ光の出力を増加させて行くと、前端面
の光密度が増大して行き、ついには前端面が破壊される
ことになる。
なるから、レーザ光の出力を増加させて行くと、前端面
の光密度が増大して行き、ついには前端面が破壊される
ことになる。
そこで、半導体レーザ装置は、共振器端面での破壊を防
止するため、共振器端面での光密度を低下させるか、あ
るいは共ＦＡ器端面近傍での光の吸収を低減させるよう
にしである。
止するため、共振器端面での光密度を低下させるか、あ
るいは共ＦＡ器端面近傍での光の吸収を低減させるよう
にしである。
共振器端面での光密度を低下させる従来の方法としては
、次の■〜■の方法が提案されている。
、次の■〜■の方法が提案されている。
■共振器端面付近での活性層を薄くする方法。
■光スポット径を大きくする方法。
■共振器後端面を非対称コーティングする方法。
また、共振器端面近傍での光の吸収を低減させる従来の
方法としては、■共振器端面付近での材料組成等を変え
てバンドギャップを大きくするものが提案されている。
方法としては、■共振器端面付近での材料組成等を変え
てバンドギャップを大きくするものが提案されている。
従来の半導体レーザ装置は、上記■の方法により、共振
ＰＪ端面付近での活性層厚を０．０５μｍ以下にすると
、しきい値電流が急激に増大するとともに、これに反比
例して最大光出力が減少する。
ＰＪ端面付近での活性層厚を０．０５μｍ以下にすると
、しきい値電流が急激に増大するとともに、これに反比
例して最大光出力が減少する。
従って、活性層厚は０．０５μｍが限度で、これ以下に
することができず、また、層の厚さを薄くするほど層形
成が困難になるという問題点があった。
することができず、また、層の厚さを薄くするほど層形
成が困難になるという問題点があった。
また、従来の半導体レーザ装置は、上記■の方法により
、光スポツト径を大きくする場合、実用面から自と限度
があった。
、光スポツト径を大きくする場合、実用面から自と限度
があった。
さらに、従来の半導体レーザ装置は、上記■の方法によ
り共振器端面に非対象コーティングを施すと、戻り光が
入射し易くなり、この戻り光によりノイズが発生すると
いう問題点があった。
り共振器端面に非対象コーティングを施すと、戻り光が
入射し易くなり、この戻り光によりノイズが発生すると
いう問題点があった。
また、従来の半導体レーザ装置は、上記■の方法により
、いわゆる窓構造を形成すると、非点収差が大きくなり
易く、この非点収差に起因してレーザビームにサイドロ
ーブが生じるという問題点があった。
、いわゆる窓構造を形成すると、非点収差が大きくなり
易く、この非点収差に起因してレーザビームにサイドロ
ーブが生じるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、共振ＰＪ端面の破壊に対する耐性を向トさ
せた半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
れたもので、共振ＰＪ端面の破壊に対する耐性を向トさ
せた半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、共振器端面に金属
薄膜を設けたものである。
薄膜を設けたものである。
この発明における半導体レーザ装置は、共振器端面と金
属薄１１ｆｉとの接触によりショットキー接合を形成さ
せて、ショットキー接合近傍に空乏層を形成し、キャリ
アの再結合を減少させる。
属薄１１ｆｉとの接触によりショットキー接合を形成さ
せて、ショットキー接合近傍に空乏層を形成し、キャリ
アの再結合を減少させる。
第１図はこの発明の一実施例を示す。図において、１は
活性層、２．３はそれそわこの活性層１を挾むように形
成したｎ形りラット層、ｐ形りラッド層、４は前記ｎ形
りラッド層２に形成したｎ形コンタクト層、５は面記Ｐ
形りラッド層３に形成したｐ形コンタクト層、６．７は
そわぞれ前記ｎ形、Ｐ形コンタクト層４．５に形成した
コンタクト電極、８は共Ｓ落前端面Ｆｅに金属を蒸着し
て形成した金属蒸着ｎｑ、９は共振器後端面Ｆ、、に形
成した誘電体物質よりなる屈折率反射膜である。
活性層、２．３はそれそわこの活性層１を挾むように形
成したｎ形りラット層、ｐ形りラッド層、４は前記ｎ形
りラッド層２に形成したｎ形コンタクト層、５は面記Ｐ
形りラッド層３に形成したｐ形コンタクト層、６．７は
そわぞれ前記ｎ形、Ｐ形コンタクト層４．５に形成した
コンタクト電極、８は共Ｓ落前端面Ｆｅに金属を蒸着し
て形成した金属蒸着ｎｑ、９は共振器後端面Ｆ、、に形
成した誘電体物質よりなる屈折率反射膜である。
この実施例の半導体レーザ装置は、共振器前端面Ｆｒに
金属薄膜を形成したから、共振器前端面Ｆ、と金属薄膜
との接触は、ショットキー接合になる。
金属薄膜を形成したから、共振器前端面Ｆ、と金属薄膜
との接触は、ショットキー接合になる。
第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれｎ形、Ｐ形りラッド層
のショットキー接合付近でのエネルギーバンド構造を示
す。図かられかるように、ショットキー接合により共振
器前端面Ｆ、近傍に空乏層が形成されるから、コンタク
ト電極６．７からそれぞれ注入されたｎ形キャリア、ｐ
形キャリアは、前記空乏層には集まらない。その結果、
前記空乏層ではキャリアの再結合はほとんど生じない。
のショットキー接合付近でのエネルギーバンド構造を示
す。図かられかるように、ショットキー接合により共振
器前端面Ｆ、近傍に空乏層が形成されるから、コンタク
ト電極６．７からそれぞれ注入されたｎ形キャリア、ｐ
形キャリアは、前記空乏層には集まらない。その結果、
前記空乏層ではキャリアの再結合はほとんど生じない。
第３図は共振器前端面Ｆｆに形成した金属薄膜８の膜厚
と反射率との関係を、第４図は前記金属薄膜８の膜厚と
透過率との関係を示す。両図かられかるように、金属薄
膜の膜厚をλ／４（λ：レーザ光の波長）より小さくす
ることにより、膜厚に応じて可及的にレーザ光の出力を
高くすることができる。
と反射率との関係を、第４図は前記金属薄膜８の膜厚と
透過率との関係を示す。両図かられかるように、金属薄
膜の膜厚をλ／４（λ：レーザ光の波長）より小さくす
ることにより、膜厚に応じて可及的にレーザ光の出力を
高くすることができる。
なお、共振器前端面Ｆｆに形成した金属膜８に、電圧を
印加し、印加した電圧を制御することにより、空乏層の
拡がりをＩＩＩ御することができ、従って、キャリア再
結合を１ｌＩＩ御することができる。
印加し、印加した電圧を制御することにより、空乏層の
拡がりをＩＩＩ御することができ、従って、キャリア再
結合を１ｌＩＩ御することができる。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明によれば、共振器端面に
金属薄膜を形成して、ショットキー接合近傍に空乏層を
形成する構成にしたから、この空乏層におけるキャリア
の再結合が減少して共振器端面での光密度が減少し、共
振器端面の破壊に対する耐性が向上するという効果があ
る。
金属薄膜を形成して、ショットキー接合近傍に空乏層を
形成する構成にしたから、この空乏層におけるキャリア
の再結合が減少して共振器端面での光密度が減少し、共
振器端面の破壊に対する耐性が向上するという効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。第２
図はクラッド層のエネルギーバンド構造を示す図で、第
２図（ａ）はｎ形りラッド層の、第２図（ｂ）はｐ形り
ラッド層のエネルギーバンド構造を示す図である。第３
図は共振Ｐ％航端端面ｔに形成した金属薄Ｗ２８の膜厚
と反射率との関係を示す図、 第４図は前記金属薄膜８
の膜厚と透過率との関係を示す図、第５図は共振器後端
面での反射率が＠端面での反射率より小さい場合の半導
体レーザ媒質内部における光密度分布の一例を示す図で
ある。 図において４８は金属薄膜、Ｆｒは共振器航端面である
。
図はクラッド層のエネルギーバンド構造を示す図で、第
２図（ａ）はｎ形りラッド層の、第２図（ｂ）はｐ形り
ラッド層のエネルギーバンド構造を示す図である。第３
図は共振Ｐ％航端端面ｔに形成した金属薄Ｗ２８の膜厚
と反射率との関係を示す図、 第４図は前記金属薄膜８
の膜厚と透過率との関係を示す図、第５図は共振器後端
面での反射率が＠端面での反射率より小さい場合の半導
体レーザ媒質内部における光密度分布の一例を示す図で
ある。 図において４８は金属薄膜、Ｆｒは共振器航端面である
。
Claims (1)
- 共振器端面に金属薄膜を設けたことを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9376287A JPS63260093A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9376287A JPS63260093A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260093A true JPS63260093A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14091445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9376287A Pending JPS63260093A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63260093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589727A2 (en) * | 1992-09-25 | 1994-03-30 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP9376287A patent/JPS63260093A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589727A2 (en) * | 1992-09-25 | 1994-03-30 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| EP0589727A3 (en) * | 1992-09-25 | 1994-08-10 | Furukawa Electric Co Ltd | Semiconductor laser device |
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