JPS63253720A - Ｉｇｂｔの駆動回路 - Google Patents
Ｉｇｂｔの駆動回路Info
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- JPS63253720A JPS63253720A JP62088168A JP8816887A JPS63253720A JP S63253720 A JPS63253720 A JP S63253720A JP 62088168 A JP62088168 A JP 62088168A JP 8816887 A JP8816887 A JP 8816887A JP S63253720 A JPS63253720 A JP S63253720A
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- Japan
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- igbt
- power supply
- drive circuit
- circuit
- gate drive
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004182 Tylosin Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スイッチング用半導体素子の一種であるＩ
Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉ ｎ５ｕｌａｔｅｄ Ｇ ａｔｅ
Ｂ １ｐｏｌａｒＴ ｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）素子を用
いたハーフプリフジ回路の駆動回路に関する。
Ｇ Ｂ Ｔ （Ｉ ｎ５ｕｌａｔｅｄ Ｇ ａｔｅ
Ｂ １ｐｏｌａｒＴ ｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）素子を用
いたハーフプリフジ回路の駆動回路に関する。
Ｃ従来の技術〕
Ｉ ＧＢＴ素子は、バイポーラトランジスタの有する高
耐圧、大容量化が容易であるという長所と、パワーＭＯ
Ｓ Ｆ ＥＴの有する高速なスイッチングが可能で、ド
ライブも容易であるという長所とをあわせもった新しい
デバイスとして注目されている。
耐圧、大容量化が容易であるという長所と、パワーＭＯ
Ｓ Ｆ ＥＴの有する高速なスイッチングが可能で、ド
ライブも容易であるという長所とをあわせもった新しい
デバイスとして注目されている。
第２図にＮチャネルＩ ＧＢＴの等価回路を示すと、Ｎ
チャネルＭＯ３ＦＥＴＩ、ＮＰＮ）ランジスタ２、ＰＮ
Ｐ）ランジスタ３、及びトランジスタ２のベースエミツ
タ面短絡用抵抗４からなり、ＭＯＳＦＥＴＩのドレーン
、ソース間とトランジスタ２のエミッタ、コレクタ間を
並列接続し、トランジスタ２．３はダーリントン接続し
てサイリスタ回路を形成するものとして表すことができ
る。
チャネルＭＯ３ＦＥＴＩ、ＮＰＮ）ランジスタ２、ＰＮ
Ｐ）ランジスタ３、及びトランジスタ２のベースエミツ
タ面短絡用抵抗４からなり、ＭＯＳＦＥＴＩのドレーン
、ソース間とトランジスタ２のエミッタ、コレクタ間を
並列接続し、トランジスタ２．３はダーリントン接続し
てサイリスタ回路を形成するものとして表すことができ
る。
前記ＮチャネルのＩ ＧＢＴをオンさせる時は、ゲート
、エミッタ間に順バイアス電圧をかける。
、エミッタ間に順バイアス電圧をかける。
その結果、ＭＯＳＦＥＴＩにチャネルが形成され、該Ｍ
Ｏ３ＦＥＴＩが導通状態になり、ＰＮＰ ）ランジスタ
３のエミッタ、ベース間が順バイアスされることにより
導通が開始する。
Ｏ３ＦＥＴＩが導通状態になり、ＰＮＰ ）ランジスタ
３のエミッタ、ベース間が順バイアスされることにより
導通が開始する。
逆に、本素子をＯＦＦさせる時はゲート、エミツタ間に
逆バイアス電圧をかける。この結果、ＭＯ３ＦＥ、ＴＩ
はオフになり、ＰＮＰ ）ランジスタ３のベース電流が
流れなくなり、該トランジスタがオフし、その結果Ｉ
ＧＢＴがオフする。
逆バイアス電圧をかける。この結果、ＭＯ３ＦＥ、ＴＩ
はオフになり、ＰＮＰ ）ランジスタ３のベース電流が
流れなくなり、該トランジスタがオフし、その結果Ｉ
ＧＢＴがオフする。
ところで、第３図はこのようなＩＧＢＴを２制置列接続
したハーフブリッジ回路の従来の駆動回路を示すもので
ある。
したハーフブリッジ回路の従来の駆動回路を示すもので
ある。
図中９ａ、９ｂはともにＮチャネルＩＧＢＴで、各々ダ
イオード１０ａ 、 １０ｂを逆並列に接続し、高圧電
源８ｅに対し相互にハーフブリッジ接続となフている。
イオード１０ａ 、 １０ｂを逆並列に接続し、高圧電
源８ｅに対し相互にハーフブリッジ接続となフている。
このようなＩ ＧＢＴ ９ ａ、 ９ ｂに対し、各
々上アーム素子ゲート駆動回路６ａと下アーム素子ゲー
ト駆動回路６ｂが接続され、これらの駆動回路６ａ、６
ｂは各々フォトカプラ５ａ、５ｂにより絶縁状態で制御
回路７に接続される。図中８ａ。
々上アーム素子ゲート駆動回路６ａと下アーム素子ゲー
ト駆動回路６ｂが接続され、これらの駆動回路６ａ、６
ｂは各々フォトカプラ５ａ、５ｂにより絶縁状態で制御
回路７に接続される。図中８ａ。
８ｂは上アーム素子ゲート駆動回路６ａの順バイアス電
源と逆バイアス電源、８ｃ、８ｄは下アーム素子ゲート
駆動回路６ｂの順バイアス電源と逆バイアス電源である
。
源と逆バイアス電源、８ｃ、８ｄは下アーム素子ゲート
駆動回路６ｂの順バイアス電源と逆バイアス電源である
。
制御回路７からの上アーム制御信号はフォトカプラ５ａ
を介してゲート駆動回路６ａに送られ、オン時には電源
８ａが、ＩＧＢＴ９ａの順バイアス電源となり、オフ時
には電源８ｂがＩＧＢＴ９ａの逆バイアス電源となる。
を介してゲート駆動回路６ａに送られ、オン時には電源
８ａが、ＩＧＢＴ９ａの順バイアス電源となり、オフ時
には電源８ｂがＩＧＢＴ９ａの逆バイアス電源となる。
一方、下アーム制御信号はフォトカプラ５ｂを介して駆
動回路６ｂに送られ、オン時には電源８Ｃが、ＩＧＢＴ
９ｂの順バイアス電源となり、オフ時には電源８ｄがＩ
ＧＢＴ９ ｂの逆バイアス電源となる。
動回路６ｂに送られ、オン時には電源８Ｃが、ＩＧＢＴ
９ｂの順バイアス電源となり、オフ時には電源８ｄがＩ
ＧＢＴ９ ｂの逆バイアス電源となる。
しかし、このような第３図に示した従来の駆動回路では
、ゲート駆動回路が２点、ゲート駆動用電源が４点、信
号絶縁器が２点必要であり、回路構成が複雑となり装置
が大型化し、またコスト高になってしまっている。
、ゲート駆動回路が２点、ゲート駆動用電源が４点、信
号絶縁器が２点必要であり、回路構成が複雑となり装置
が大型化し、またコスト高になってしまっている。
本発明の目的は前記従来例の不都合を解消し、ゲート駆
動回路の電源数を２点に減らし、しかも１回の制御信号
絶縁で機能できるＩＧＢＴの駆動回路を提供することに
ある。
動回路の電源数を２点に減らし、しかも１回の制御信号
絶縁で機能できるＩＧＢＴの駆動回路を提供することに
ある。
本発明は前記目的を達成するため、上アームにＮチャネ
ル、下アームにＰチャネルのＩ ＧＢＴをエミッタ共通
に接続したコンプリメンタリハーフブリッジ回路を形成
し、これら上アーム、下アームのＩＧＢＴのベースに、
順バイアス電源、逆バイアス電源を１対有し、フォ・ト
カプラにより絶縁された制御信号を受ける１個の共通な
ゲート駆動回路を接続したことを要旨とするものである
。
ル、下アームにＰチャネルのＩ ＧＢＴをエミッタ共通
に接続したコンプリメンタリハーフブリッジ回路を形成
し、これら上アーム、下アームのＩＧＢＴのベースに、
順バイアス電源、逆バイアス電源を１対有し、フォ・ト
カプラにより絶縁された制御信号を受ける１個の共通な
ゲート駆動回路を接続したことを要旨とするものである
。
本発明によれば、駆動信号はフォトカプラにより絶縁さ
れて送られ、ゲート駆動回路の順、逆バイアス電源のう
ち、一方の電源が上アームＩＧＢＴＯ順バイアス電源と
下アームＩＧＥＴの逆バイアス電源になり、もう一方の
電源が上アームＩＧＢＴの逆バイアス電源と下アームＩ
ＧＢＴＯ順バイアス電源の役割を果たすので、計２個の
ゲート駆動電源でスイッチングすることが可能となる。
れて送られ、ゲート駆動回路の順、逆バイアス電源のう
ち、一方の電源が上アームＩＧＢＴＯ順バイアス電源と
下アームＩＧＥＴの逆バイアス電源になり、もう一方の
電源が上アームＩＧＢＴの逆バイアス電源と下アームＩ
ＧＢＴＯ順バイアス電源の役割を果たすので、計２個の
ゲート駆動電源でスイッチングすることが可能となる。
以下、図面について本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の複合形スイッチ素子の駆動回路の１実
施例を示す回路図で、前記従来例を示す第３図と同一構
成要素には同一参照番号を付したものである。
施例を示す回路図で、前記従来例を示す第３図と同一構
成要素には同一参照番号を付したものである。
上アームにＮチャネルのＩＧＢＴ９ａを、下アームにＰ
チャネルのＩＧＢＴ１７を使用し、そのエミッタを共通
にしてコンプリメンタリなハーフブリッジ接続回路が形
成される。
チャネルのＩＧＢＴ１７を使用し、そのエミッタを共通
にしてコンプリメンタリなハーフブリッジ接続回路が形
成される。
図中６ｃはゲート駆動回路で、ベース及びエミッタを共
通に接続されたコンプリメンタリＮＰＮトランジスタ１
５とＰＮＰ ）ランジスタ１６のうち、ＮＰＮ ）ラン
ジスタ１５のエミッタに一対のゲート駆動電源８ａ、８
ｂの直列回路の正極が接続され、ＰＮＰ ）ランジスタ
１６のエミッタには該直列回路の負極が接続される。
通に接続されたコンプリメンタリＮＰＮトランジスタ１
５とＰＮＰ ）ランジスタ１６のうち、ＮＰＮ ）ラン
ジスタ１５のエミッタに一対のゲート駆動電源８ａ、８
ｂの直列回路の正極が接続され、ＰＮＰ ）ランジスタ
１６のエミッタには該直列回路の負極が接続される。
トランジスタ１５と１６のベース同士の接続点はＭＯ３
ＦＥＴ１３のドレンと、及び抵抗１１ｃを介してトラン
ジスタ１５のコレクタとに接続され、該ＭＯ３ＦＥＴ１
３のソースはトランジスタ１６のコレクタと駆動電源８
ｂの接続点に、またフォトカプラ５ａのフォトトランジ
スタのエミッタに接続される。
ＦＥＴ１３のドレンと、及び抵抗１１ｃを介してトラン
ジスタ１５のコレクタとに接続され、該ＭＯ３ＦＥＴ１
３のソースはトランジスタ１６のコレクタと駆動電源８
ｂの接続点に、またフォトカプラ５ａのフォトトランジ
スタのエミッタに接続される。
ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートは抵抗１１ｂを介してフォト
トランジスタ５ｔのコレクタに接続され、ＭＯＳＦＥＴ
１３のゲート、ソースとフォトトランジスタ５ｔのコレ
クタ、エミッタの接続点間にコンデンサ１４が接続され
る。前記抵抗１１ｂにはダイオード１２が並列接続され
る。
トランジスタ５ｔのコレクタに接続され、ＭＯＳＦＥＴ
１３のゲート、ソースとフォトトランジスタ５ｔのコレ
クタ、エミッタの接続点間にコンデンサ１４が接続され
る。前記抵抗１１ｂにはダイオード１２が並列接続され
る。
フォトトランジスタ５ｔのベースはフォトダイオード５
ｄを介して抵抗１１ｃとトランジスタ１５のコレクタの
接続点に接続され、その接続点と前記フォトダイオード
５ｄとの接続中点は抵抗１１ａを介してフォトトランジ
スタ５ｔのコレクタと抵抗１１ｂとの接続中点に接続さ
れる。
ｄを介して抵抗１１ｃとトランジスタ１５のコレクタの
接続点に接続され、その接続点と前記フォトダイオード
５ｄとの接続中点は抵抗１１ａを介してフォトトランジ
スタ５ｔのコレクタと抵抗１１ｂとの接続中点に接続さ
れる。
このゲート駆動回路６Ｃのトランジスタ１５．１６のエ
ミッタ同士の接続点を抵抗ｌｉｄを介してＩＧＢ７９ａ
、１７のベース同士の接続点に接続し、ゲート駆動電源
８ａ、８ｂの接続点をＩ ＧＢＴ９ ａ。
ミッタ同士の接続点を抵抗ｌｉｄを介してＩＧＢ７９ａ
、１７のベース同士の接続点に接続し、ゲート駆動電源
８ａ、８ｂの接続点をＩ ＧＢＴ９ ａ。
１７のエミッタ同士の接続点に接続することで、前記ゲ
ート駆動回路１６を共通のものとしてＩＧＢＴ９ａ、１
７に接続する。
ート駆動回路１６を共通のものとしてＩＧＢＴ９ａ、１
７に接続する。
次に、動作について説明すると、Ｉ ＧＢＴ駆動信号は
フォトカプラ５ａにより絶縁されて送られる。いまフォ
トカプラ５ａの一次側に電流を流すと二次側に電流が流
れ、ＦＥＴ１３はオフとなる。
フォトカプラ５ａにより絶縁されて送られる。いまフォ
トカプラ５ａの一次側に電流を流すと二次側に電流が流
れ、ＦＥＴ１３はオフとなる。
そのため、トランジスタ１５がＯＮになりＩ ＧＢＴ９
ａのゲートエミッタ間には、順バイアス電圧として電源
８ａの電圧が、トランジスタ１５、抵抗ｌｉｄを介して
加わる。またこのとき、ＩＧＢＴ１７にはゲートエミッ
タ間に逆バイアス電圧が同様に加わる。すなわち、上ア
ームＩＧＢＴ９ａはオンし、下アームＩＧＢＴ１７はオ
フする。次にフォトカプラ５ａの１次側電流をオフさせ
ると二次側電流がオフし、ＦＥＴ１３のゲートソース間
に電圧が加わりＦ Ｅ ７１３はオンとなる。そのため
、ＰＮＰ ）ランジスタ１６のエミッタ、ベース間は順
バイアスとなり該トランジスタがオンしＩＧＢＴ９ａＯ
ＧＥ間には逆バイアス電圧として電源８ｂの電圧が抵抗
ｌｉｄ、）ランジスタ１６を介して加わる。また、この
ときＩＧＢＴ１７の０２間には順バイアス電圧がかかる
。すなわち、上アームＩＧＢＴ９ａはオフし、下アーム
ＩＧＢＴ１７はオンする。
ａのゲートエミッタ間には、順バイアス電圧として電源
８ａの電圧が、トランジスタ１５、抵抗ｌｉｄを介して
加わる。またこのとき、ＩＧＢＴ１７にはゲートエミッ
タ間に逆バイアス電圧が同様に加わる。すなわち、上ア
ームＩＧＢＴ９ａはオンし、下アームＩＧＢＴ１７はオ
フする。次にフォトカプラ５ａの１次側電流をオフさせ
ると二次側電流がオフし、ＦＥＴ１３のゲートソース間
に電圧が加わりＦ Ｅ ７１３はオンとなる。そのため
、ＰＮＰ ）ランジスタ１６のエミッタ、ベース間は順
バイアスとなり該トランジスタがオンしＩＧＢＴ９ａＯ
ＧＥ間には逆バイアス電圧として電源８ｂの電圧が抵抗
ｌｉｄ、）ランジスタ１６を介して加わる。また、この
ときＩＧＢＴ１７の０２間には順バイアス電圧がかかる
。すなわち、上アームＩＧＢＴ９ａはオフし、下アーム
ＩＧＢＴ１７はオンする。
以上述べたように本発明のＩＧＢＴの駆動回路は、１個
の駆動回路でハーフブリッジ接続された２個のＩＧＢＴ
をオン、オフ制御できるものであり、従来に比べてゲー
ト駆動回路の電源数を２点に減らし、制御信号絶縁器が
１となるのを始め全体の回路部品数の低減により回路構
成が簡素化されるものである。
の駆動回路でハーフブリッジ接続された２個のＩＧＢＴ
をオン、オフ制御できるものであり、従来に比べてゲー
ト駆動回路の電源数を２点に減らし、制御信号絶縁器が
１となるのを始め全体の回路部品数の低減により回路構
成が簡素化されるものである。
第１図は本発明のＩＧＢＴの駆動回路の駆動回路の１実
施例を示す回路図、第２図はＩ ＧＢＴの等価回路、第
３図は従来のＩＣ，ＢＴ駆動装置の回路図である。 １・・・ＭＯＳＦＥＴ ２・・・ＮＰＮトランジスタ
３・・・ＰＮＰ ）ランジスタ ４・・・抵抗 ５ａ、５ｂ・・・フォトカプラ ５ｄ・・・フォトダイオード ５ｔ・・・フォトトランジスタ ６ａ、６ｂ、６ｃ・・・ゲート駆動回路７・・・制御回
路 ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ・−ゲート駆動電源８ｅ・・・
高圧電源 ９ａ、９ｂ−・−ＮチャネルＩ ＧＢＴＩＱａ 、 １
０ｂ・・・ダイオード １１ａ 、 ｌｌｂ 、 ｌｌｃ 、 ｌｉｄ ・−・
抵抗１２・・・ダイオード １３−ＭＯＳＦＥＴ １４・・・コンデンサ １５・・・ＮＰＮ）ランジスタ １６・・・ＰＮＰ ）ランジスタ １７・・・ＰチャネルＩＧＢＴ 出願人 富士°電機株式会社 第２図 Ｃ 第３図 手続補正書 １．事件の表示 昭和６２年 特許願 第８８１６８号 ２発明の名称 ＩＧＢＴの駆動回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号４、代理人
〒１７１ ６、補正により増加する発明の数 な し特願昭６
２−８８１６８ 補 正 書 本件出願の明細書を下記の通り訂正する。 （１）明細書中、第２頁第９行目「ペースエミツタ面短
絡用抵抗４」とあるを、「ベースエミ、。 り間短絡用抵抗４」と訂正する。 （２）同書第２貝第１０行目「ドレーン、ソース間」と
あるを、「ドレイン、ソース間」と訂正する。 （３）同書第２頁第１２行目「ダーリントン接続して」
を削除する。 （４）同書第６頁第２行目「複合形スイッチ素子」とあ
るを、ｒｌＧＢＴ、と訂正する。 （５）同書第６頁第１３行目及び第１５行目「エミッタ
」とあるを、「コレクタ」と訂正する。 （６）同書第６頁第１８行目「ドレン」とあるを、「ド
レイン」と訂正する。 （７）同書第７頁第２０行目「ゲート駆動回路１６Ｊと
あるを、「ゲート駆動退路６ＣＪと訂正する。 手続補正書 昭和６３年 ２月 ５日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６２年特 許 願 第８８１６８号２、発明の名称 ＩＧＢＴの駆動回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号名 称 （
５２３）富士電機株式会社代表者 中 尾 武 ４、代理人〒１７１ ６、補正の対象 明細書中、特許請求の範囲 ７、補正の内容 特許請求の範囲を別紙記載の通り補正する。 特許請求の範囲 上アームにＮチャネル、下アームにＰチャネルのＩ Ｇ
ＢＴをエミッタ共通に接続したコンプリメンタリハーフ
ブリッジ回路を形成し、これら上アーム、下アームのＩ
ＧＢＴのベースに、順バイアス電源、逆バイアス電源を
１対有し、フォトカプラにより絶縁された制御信号を受
ける１個の共通なゲート駆動回路を接続したことを特徴
とする上ＧＢＴの駆動回路。
施例を示す回路図、第２図はＩ ＧＢＴの等価回路、第
３図は従来のＩＣ，ＢＴ駆動装置の回路図である。 １・・・ＭＯＳＦＥＴ ２・・・ＮＰＮトランジスタ
３・・・ＰＮＰ ）ランジスタ ４・・・抵抗 ５ａ、５ｂ・・・フォトカプラ ５ｄ・・・フォトダイオード ５ｔ・・・フォトトランジスタ ６ａ、６ｂ、６ｃ・・・ゲート駆動回路７・・・制御回
路 ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ・−ゲート駆動電源８ｅ・・・
高圧電源 ９ａ、９ｂ−・−ＮチャネルＩ ＧＢＴＩＱａ 、 １
０ｂ・・・ダイオード １１ａ 、 ｌｌｂ 、 ｌｌｃ 、 ｌｉｄ ・−・
抵抗１２・・・ダイオード １３−ＭＯＳＦＥＴ １４・・・コンデンサ １５・・・ＮＰＮ）ランジスタ １６・・・ＰＮＰ ）ランジスタ １７・・・ＰチャネルＩＧＢＴ 出願人 富士°電機株式会社 第２図 Ｃ 第３図 手続補正書 １．事件の表示 昭和６２年 特許願 第８８１６８号 ２発明の名称 ＩＧＢＴの駆動回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号４、代理人
〒１７１ ６、補正により増加する発明の数 な し特願昭６
２−８８１６８ 補 正 書 本件出願の明細書を下記の通り訂正する。 （１）明細書中、第２頁第９行目「ペースエミツタ面短
絡用抵抗４」とあるを、「ベースエミ、。 り間短絡用抵抗４」と訂正する。 （２）同書第２貝第１０行目「ドレーン、ソース間」と
あるを、「ドレイン、ソース間」と訂正する。 （３）同書第２頁第１２行目「ダーリントン接続して」
を削除する。 （４）同書第６頁第２行目「複合形スイッチ素子」とあ
るを、ｒｌＧＢＴ、と訂正する。 （５）同書第６頁第１３行目及び第１５行目「エミッタ
」とあるを、「コレクタ」と訂正する。 （６）同書第６頁第１８行目「ドレン」とあるを、「ド
レイン」と訂正する。 （７）同書第７頁第２０行目「ゲート駆動回路１６Ｊと
あるを、「ゲート駆動退路６ＣＪと訂正する。 手続補正書 昭和６３年 ２月 ５日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６２年特 許 願 第８８１６８号２、発明の名称 ＩＧＢＴの駆動回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 川崎市川崎区田辺新田１番１号名 称 （
５２３）富士電機株式会社代表者 中 尾 武 ４、代理人〒１７１ ６、補正の対象 明細書中、特許請求の範囲 ７、補正の内容 特許請求の範囲を別紙記載の通り補正する。 特許請求の範囲 上アームにＮチャネル、下アームにＰチャネルのＩ Ｇ
ＢＴをエミッタ共通に接続したコンプリメンタリハーフ
ブリッジ回路を形成し、これら上アーム、下アームのＩ
ＧＢＴのベースに、順バイアス電源、逆バイアス電源を
１対有し、フォトカプラにより絶縁された制御信号を受
ける１個の共通なゲート駆動回路を接続したことを特徴
とする上ＧＢＴの駆動回路。
Claims (1)
- 上アームにＮチャネル、下アームにＰチャネルのＩＧＢ
Ｔをエミッタ共通に接続したコンプリメンタリハーフブ
リッジ回路を形成し、これら上アーム、下アームのＩＧ
ＢＴのベースに、順バイアス電源、逆バイアス電源を１
対有し、フォトカプラにより絶縁された制御信号を受け
る１個の共通なゲート駆動回路を接続したことを特徴と
する複合形スイッチ素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088168A JPS63253720A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Ｉｇｂｔの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088168A JPS63253720A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Ｉｇｂｔの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253720A true JPS63253720A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13935387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088168A Pending JPS63253720A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Ｉｇｂｔの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63253720A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209756A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-09-12 | Internatl Rectifier Corp | 電力モジュール |
| EP1241775A2 (de) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Semikron Elektronik GmbH | Schaltender Spannungsumformer |
| US6674659B2 (en) | 2001-03-13 | 2004-01-06 | Semikron Elektronik Gmbh | Switching voltage converter |
| EP1241777A3 (de) * | 2001-03-13 | 2004-01-21 | Semikron Elektronik GmbH | Schaltender Spannungsumformer |
| US8198676B2 (en) | 2009-03-04 | 2012-06-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | P-channel silicon carbide MOSFET |
| US8564028B2 (en) | 2008-04-17 | 2013-10-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP62088168A patent/JPS63253720A/ja active Pending
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