JPS6325282B2 - - Google Patents
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- JPS6325282B2 JPS6325282B2 JP57147054A JP14705482A JPS6325282B2 JP S6325282 B2 JPS6325282 B2 JP S6325282B2 JP 57147054 A JP57147054 A JP 57147054A JP 14705482 A JP14705482 A JP 14705482A JP S6325282 B2 JPS6325282 B2 JP S6325282B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/04—Measuring microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
- G02B26/04—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light by periodically varying the intensity of light, e.g. using choppers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、物体上の線状パターンの位置を検出
する固定スリツト型光電顕微鏡に関する。
する固定スリツト型光電顕微鏡に関する。
従来、線状パターンの位置を光学的に検出する
ものとして各種の光電顕微鏡が提案されている
が、これらの代表的なものを第１図及び第２図に
示す。第１図に示す光電顕微鏡では、検出すべき
目盛線（線状パターン）１を持つスケール２は、
スケール２が透明物体の場合透過照明系３によつ
て照明され、またスケール２が不透明物体の場合
落射照明系４によりハーフミラー５を介して照明
される。そして、スケール２上の目盛線１の像は
対物レンズ６によりハーフミラー７を介して焦点
鏡８に結像されると共に、スリツト板９のスリツ
ト９ａ上に結像される。焦点鏡８に結像された像
は接眼レンズ１０により肉眼でモニタされる。ス
リツト板９は発振器１１からの電流で駆動される
振動子１２に取着され図中矢印Ａ方向に振動せら
れるものであり、スリツト９ａを通過した光束は
光電変換素子１３により電気信号に変換される。
そして、この変換信号がプリアンプ１４を介して
増幅されたのち同期整流回路１５により同期整流
され、この整流出力が前記スケール２上の目盛線
１の変位量として指示メータ１６に表示されるも
のとなつている。
ものとして各種の光電顕微鏡が提案されている
が、これらの代表的なものを第１図及び第２図に
示す。第１図に示す光電顕微鏡では、検出すべき
目盛線（線状パターン）１を持つスケール２は、
スケール２が透明物体の場合透過照明系３によつ
て照明され、またスケール２が不透明物体の場合
落射照明系４によりハーフミラー５を介して照明
される。そして、スケール２上の目盛線１の像は
対物レンズ６によりハーフミラー７を介して焦点
鏡８に結像されると共に、スリツト板９のスリツ
ト９ａ上に結像される。焦点鏡８に結像された像
は接眼レンズ１０により肉眼でモニタされる。ス
リツト板９は発振器１１からの電流で駆動される
振動子１２に取着され図中矢印Ａ方向に振動せら
れるものであり、スリツト９ａを通過した光束は
光電変換素子１３により電気信号に変換される。
そして、この変換信号がプリアンプ１４を介して
増幅されたのち同期整流回路１５により同期整流
され、この整流出力が前記スケール２上の目盛線
１の変位量として指示メータ１６に表示されるも
のとなつている。
また、第２図に示す光電顕微鏡は、前記スリツ
ト板９を振動させる代りに、前記振動子１２によ
り反射鏡１７を図中矢印Ｂ方向に回動せしめるよ
うにしたものである。すなわち、前記スケール２
上の目盛線１の像は対物レンズ６によりハーフミ
ラー５，７及び上記反射鏡１７を介してスリツト
板９のスリツト９ａ上に結像されるものとなつて
いる。
ト板９を振動させる代りに、前記振動子１２によ
り反射鏡１７を図中矢印Ｂ方向に回動せしめるよ
うにしたものである。すなわち、前記スケール２
上の目盛線１の像は対物レンズ６によりハーフミ
ラー５，７及び上記反射鏡１７を介してスリツト
板９のスリツト９ａ上に結像されるものとなつて
いる。
このように第１図及び第２図に示す光電顕微鏡
は、スリツト板９のスリツト９ａを透過し光電変
換素子１３に受光される光束を変調するのに、ス
リツト板９を振動させるか或いは光束を振動させ
るかの違いがあるだけで、その他の構成は同様で
ある。そして、この種の光電顕微鏡では、第３図
に示す如き変位−出力電圧特性が得られる。ま
た、光電変換素子１３に受光される光束が変調さ
れているので、交流増幅器を使用することがで
き、SN比の高い検出出力が得られることも知ら
れている。しかしながら、前記スリツト９ａ或い
は反射鏡１７を機械的に振動させその振動中心を
検出原点に対応させる原理であるため、振動中心
の変動量以上の高い検出精度が得られないと云う
欠点があつた。つまり、スリツト９ａ或いは反射
鏡１７を機械的に振動させているため、その振動
中心を検出原点に正確に一致させることは困難で
あり、振動中心の変動に起因する検出精度の低下
を防ぐことはできなかつた。
は、スリツト板９のスリツト９ａを透過し光電変
換素子１３に受光される光束を変調するのに、ス
リツト板９を振動させるか或いは光束を振動させ
るかの違いがあるだけで、その他の構成は同様で
ある。そして、この種の光電顕微鏡では、第３図
に示す如き変位−出力電圧特性が得られる。ま
た、光電変換素子１３に受光される光束が変調さ
れているので、交流増幅器を使用することがで
き、SN比の高い検出出力が得られることも知ら
れている。しかしながら、前記スリツト９ａ或い
は反射鏡１７を機械的に振動させその振動中心を
検出原点に対応させる原理であるため、振動中心
の変動量以上の高い検出精度が得られないと云う
欠点があつた。つまり、スリツト９ａ或いは反射
鏡１７を機械的に振動させているため、その振動
中心を検出原点に正確に一致させることは困難で
あり、振動中心の変動に起因する検出精度の低下
を防ぐことはできなかつた。
一方、上記の欠点を取り除いた装置として、文
献（Proc.of Internatinal Conterence on
Microlithography、Microcircuit
Engineering80、Amsterdam（1980）P181）に記
載されているような、集積回路のマスクパターン
焼き付けのために使用されるアライナのアライメ
ン信号検出装置が提案されている。この装置は、
第４図に示す如くウエーハ２１上の回折格子構造
のアライメントマーク２２が、レチクルマスク２
３上のマルチスリツト２４ａ，２４ｂの中心位置
に対する変位を検出するものである。光源２５か
らの光は音響光学変調器２６により変調かつ偏向
され、ハーフミラー２７及びレンズ２８を介して
ウエーハ２１上のアライメントマーク２２に照射
される。このとき、音響光学変調器２６からの光
はレチクルマスク２３上のマルチスリツト２４
ａ，２４ｂを透過するもので、アライメントマー
ク２２に照射される光束は上記マルチスリツト２
４ａ，２４ｂの形状と相似に整形される。アライ
メントマーク２２で２重回折された光束は、レン
ズ２８を通り再びマルチスリツト２４ａ，２４ｂ
を透過した後、ハーフミラー２７、反射鏡２９及
び焦光レンズ３０を介して光電変換素子１３に受
光される。そして、この光電変換素子１３にて電
気信号に変換された変換信号がプリアンプ１４及
び同期整流回路１５を介して増幅及び同期整流さ
れ、先に説明したのと同様に指示メータ１６にア
ライメントマーク２２の変位量が表示されるもの
となつている。なお、図中３１は前記音響光学変
調器２６及び同期整流回路１５に基準信号を与え
るためのドライバを示している。
献（Proc.of Internatinal Conterence on
Microlithography、Microcircuit
Engineering80、Amsterdam（1980）P181）に記
載されているような、集積回路のマスクパターン
焼き付けのために使用されるアライナのアライメ
ン信号検出装置が提案されている。この装置は、
第４図に示す如くウエーハ２１上の回折格子構造
のアライメントマーク２２が、レチクルマスク２
３上のマルチスリツト２４ａ，２４ｂの中心位置
に対する変位を検出するものである。光源２５か
らの光は音響光学変調器２６により変調かつ偏向
され、ハーフミラー２７及びレンズ２８を介して
ウエーハ２１上のアライメントマーク２２に照射
される。このとき、音響光学変調器２６からの光
はレチクルマスク２３上のマルチスリツト２４
ａ，２４ｂを透過するもので、アライメントマー
ク２２に照射される光束は上記マルチスリツト２
４ａ，２４ｂの形状と相似に整形される。アライ
メントマーク２２で２重回折された光束は、レン
ズ２８を通り再びマルチスリツト２４ａ，２４ｂ
を透過した後、ハーフミラー２７、反射鏡２９及
び焦光レンズ３０を介して光電変換素子１３に受
光される。そして、この光電変換素子１３にて電
気信号に変換された変換信号がプリアンプ１４及
び同期整流回路１５を介して増幅及び同期整流さ
れ、先に説明したのと同様に指示メータ１６にア
ライメントマーク２２の変位量が表示されるもの
となつている。なお、図中３１は前記音響光学変
調器２６及び同期整流回路１５に基準信号を与え
るためのドライバを示している。
この装置では、光電変換素子１３へ入射する光
束の変調に音響光学的変調器２６及び２つの固定
された回折格子構造マルチスリツト２４ａ，２４
ｂを利用しているので、前述したスリツト９ａ及
び反射鏡１７等の振動中心の変位に起因する検出
精度の低下を回避することができる。しかしなが
ら、アライメントマーク２２の検出に２重回折を
利用しているので、マルチスリツト２４ａ，２４
ｂのピツチ間隔を、アライメントマーク２２のピ
ツチ間隔にレンズ２８の倍率を掛けた寸法に厳密
に一致させる必要があり、これがために装置の調
整の煩雑化を招いた。さらに、アライメントマー
ク２２やマルチスリツト２４ａ，２４ｂ等の形成
工程が煩雑化する等の問題もあつた。
束の変調に音響光学的変調器２６及び２つの固定
された回折格子構造マルチスリツト２４ａ，２４
ｂを利用しているので、前述したスリツト９ａ及
び反射鏡１７等の振動中心の変位に起因する検出
精度の低下を回避することができる。しかしなが
ら、アライメントマーク２２の検出に２重回折を
利用しているので、マルチスリツト２４ａ，２４
ｂのピツチ間隔を、アライメントマーク２２のピ
ツチ間隔にレンズ２８の倍率を掛けた寸法に厳密
に一致させる必要があり、これがために装置の調
整の煩雑化を招いた。さらに、アライメントマー
ク２２やマルチスリツト２４ａ，２４ｂ等の形成
工程が煩雑化する等の問題もあつた。
本発明の目的は、スリツトや反射鏡等の機械的
振動に起因する検出精度の低下を招くことなく、
被検査物体上の線状パターンの位置を高精度に検
出することができ、かつ調整の容易化をはかり得
る固定スリツト型光電顕微鏡を提供することにあ
る。
振動に起因する検出精度の低下を招くことなく、
被検査物体上の線状パターンの位置を高精度に検
出することができ、かつ調整の容易化をはかり得
る固定スリツト型光電顕微鏡を提供することにあ
る。
本発明の骨子は、光電変換素子に入射する光束
の変調方法として、固定配置された単一のスリツ
ト及び、相互に直交する方向に偏光された一対の
偏光光に対し異なる光路を与える光学偏向素子を
用いることにある。
の変調方法として、固定配置された単一のスリツ
ト及び、相互に直交する方向に偏光された一対の
偏光光に対し異なる光路を与える光学偏向素子を
用いることにある。
すなわち本発明は、被検査物体上の線状パター
ンの位置を検出する光電顕微鏡において、対物レ
ンズに関して上記線状パターンと共役な位置に固
定配置された単一のスリツトと、上記被検査物体
上の線状パターンに相互に直交する方向に偏光さ
れた一対の偏光光を一定周期で交互に照射する光
照射機構と、上記被検査物体とスリツトとの間に
配置され上記各偏光光に対し異なる光路を与え、
上記光照射機構による被検査物体からの反射光或
いは透過光を上記スリツトに入射せしめる光学偏
向素子と、スリツトを介して得られる光を検出す
る光電変換素子と、この光電変換素子の検出信号
を上記光照射機構による一対の偏光光の交互照射
に同期して整流する同期整流回路と、この同期整
流回路の出力信号を表示する表示器とを具備して
なるものである。
ンの位置を検出する光電顕微鏡において、対物レ
ンズに関して上記線状パターンと共役な位置に固
定配置された単一のスリツトと、上記被検査物体
上の線状パターンに相互に直交する方向に偏光さ
れた一対の偏光光を一定周期で交互に照射する光
照射機構と、上記被検査物体とスリツトとの間に
配置され上記各偏光光に対し異なる光路を与え、
上記光照射機構による被検査物体からの反射光或
いは透過光を上記スリツトに入射せしめる光学偏
向素子と、スリツトを介して得られる光を検出す
る光電変換素子と、この光電変換素子の検出信号
を上記光照射機構による一対の偏光光の交互照射
に同期して整流する同期整流回路と、この同期整
流回路の出力信号を表示する表示器とを具備して
なるものである。
本発明によれば、スリツトや反射鏡等を機械的
に振動させることなく、光電変換素子に入射する
光束を変調させることができる。このため、機械
的振動に起因する検出精度の低下を未然に防止す
ることができ、検出精度の大幅な向上をはかり得
る。また、２重回折を利用するものではなく、そ
の調整が容易である等の効果を奏する。
に振動させることなく、光電変換素子に入射する
光束を変調させることができる。このため、機械
的振動に起因する検出精度の低下を未然に防止す
ることができ、検出精度の大幅な向上をはかり得
る。また、２重回折を利用するものではなく、そ
の調整が容易である等の効果を奏する。
第５図は本発明の一実施例を示す概略構成図で
ある。図中４１は透明物体のスケールであり、こ
のスケール４１には目盛線（線状パターン）４２
が形成されている。スケール４１の下方には光源
４３、ハーフミラー４４，４５、反射鏡４６，４
７、偏光板４８，４９及びチヨツパ５０からなる
光照射機構が設けられている。この光照射機構で
は、光源４３からの光がハーフミラー４４を介し
て偏光板４８に照射されると共に、ハーフミラー
４４及び反射鏡４６を介して偏光板４９に照射さ
れる。偏光板４８，４９はそれぞれの偏光方向が
直交するよう配置されており、これらの偏光板４
８，４９により直交する方向に直線偏光された一
対の偏光光はそれぞれチヨツパ５０に照射され
る。チヨツパ５０は、例えば不透明円板体の外周
近傍を一定の間隔で一部切欠して形成されたもの
であり、このチヨツパ５０を図中Ｃ方向に回転せ
しめることにより、第６図に示す如く前記直線偏
光された一対の偏光光Ｐ、Ｑが一定の周期Ｔで交
互にON−OFFされる。チヨツパ５０により選択
された偏光光はハーフミラー４５を介して、或い
は反射鏡４７及びハーフミラー４５を介してスケ
ール４１上の目盛線４２に照射される。つまり、
光照射機構により相互に直交する方向に偏光され
た一対の偏光光が一定の周期で交互に、上記スケ
ール４１上の目盛線４２に照射されるものとなつ
ている。
ある。図中４１は透明物体のスケールであり、こ
のスケール４１には目盛線（線状パターン）４２
が形成されている。スケール４１の下方には光源
４３、ハーフミラー４４，４５、反射鏡４６，４
７、偏光板４８，４９及びチヨツパ５０からなる
光照射機構が設けられている。この光照射機構で
は、光源４３からの光がハーフミラー４４を介し
て偏光板４８に照射されると共に、ハーフミラー
４４及び反射鏡４６を介して偏光板４９に照射さ
れる。偏光板４８，４９はそれぞれの偏光方向が
直交するよう配置されており、これらの偏光板４
８，４９により直交する方向に直線偏光された一
対の偏光光はそれぞれチヨツパ５０に照射され
る。チヨツパ５０は、例えば不透明円板体の外周
近傍を一定の間隔で一部切欠して形成されたもの
であり、このチヨツパ５０を図中Ｃ方向に回転せ
しめることにより、第６図に示す如く前記直線偏
光された一対の偏光光Ｐ、Ｑが一定の周期Ｔで交
互にON−OFFされる。チヨツパ５０により選択
された偏光光はハーフミラー４５を介して、或い
は反射鏡４７及びハーフミラー４５を介してスケ
ール４１上の目盛線４２に照射される。つまり、
光照射機構により相互に直交する方向に偏光され
た一対の偏光光が一定の周期で交互に、上記スケ
ール４１上の目盛線４２に照射されるものとなつ
ている。
スケール４１の上方には対物レンズ５１が配置
されており、この対物レンズ５１によりスケール
４１上の目盛線４２の像がスリツト板５４のスリ
ツト５４ａ上に結像される。対物レンズ５１とス
リツト板５４との間の対物レンズ５１の光軸上に
は、例えばサバール板からなる光学偏向素子５５
が配置されている。この光学偏向素子５５は第７
図に示す如く被屈折を有する光学結晶を所定方位
に配置したものであり、光学偏向素子５５に固有
な所定方位に平行な方向Ｄに直線偏光された光束
と、該方位に直交する方向Ｅに直線偏光された光
束とは相異なる屈折を受け、相異なる光路５６
ａ，５６ｂを通ることになる。そして、上記偏光
光の各偏光方向は、前記光照射機構によりスケー
ル４１上の目盛線４２に交互照射される光束のそ
れぞれの偏光方向と一致するよう定められてい
る。つまり、前記偏光光Ｐをハーフミラー４５を
介して得られる偏光光P′の偏光方向と上記偏光方
向Ｄとが一致し、前記偏光光Ｑを反射鏡４７を介
して得られる偏光光Q′の偏光方向と上記偏光方
向Ｅとが一致するものとなつている。これによ
り、偏光光P′、Q′は光学偏向素子５５により異な
る光路を通りスリツト板５４のスリツト５４ａに
入射する。つまり、偏光光P′は右側の光路５６ａ
を通りスリツト板５４のスリツト５４ａを透過
し、焦光レンズ５７により焦光され光電変換素子
５８に入射する。同様に偏光光Q′は左側の光路
５６ａを通りスリツト５４ａ及び焦点レンズ５７
を介して光電変換素子５８に入射するものとなつ
ている。
されており、この対物レンズ５１によりスケール
４１上の目盛線４２の像がスリツト板５４のスリ
ツト５４ａ上に結像される。対物レンズ５１とス
リツト板５４との間の対物レンズ５１の光軸上に
は、例えばサバール板からなる光学偏向素子５５
が配置されている。この光学偏向素子５５は第７
図に示す如く被屈折を有する光学結晶を所定方位
に配置したものであり、光学偏向素子５５に固有
な所定方位に平行な方向Ｄに直線偏光された光束
と、該方位に直交する方向Ｅに直線偏光された光
束とは相異なる屈折を受け、相異なる光路５６
ａ，５６ｂを通ることになる。そして、上記偏光
光の各偏光方向は、前記光照射機構によりスケー
ル４１上の目盛線４２に交互照射される光束のそ
れぞれの偏光方向と一致するよう定められてい
る。つまり、前記偏光光Ｐをハーフミラー４５を
介して得られる偏光光P′の偏光方向と上記偏光方
向Ｄとが一致し、前記偏光光Ｑを反射鏡４７を介
して得られる偏光光Q′の偏光方向と上記偏光方
向Ｅとが一致するものとなつている。これによ
り、偏光光P′、Q′は光学偏向素子５５により異な
る光路を通りスリツト板５４のスリツト５４ａに
入射する。つまり、偏光光P′は右側の光路５６ａ
を通りスリツト板５４のスリツト５４ａを透過
し、焦光レンズ５７により焦光され光電変換素子
５８に入射する。同様に偏光光Q′は左側の光路
５６ａを通りスリツト５４ａ及び焦点レンズ５７
を介して光電変換素子５８に入射するものとなつ
ている。
光電変換素子５８にて検出され電気信号に変換
された信号は、プリアンプ５９を介して増幅され
た後同期整流回路６０に供給される。同期整流回
路６０では、上記入力した信号が前記光照射機構
による一対の偏光光の交互照射に同期して整流さ
れる。そして、この同期整流回路６０の出力信号
が、指示メータ（表示器）６１により前記スケー
ル４１上の目盛線４２の変位として表示されるも
のとなつている。なお、図中６２は前記チヨツパ
５０に付設されチヨツパ５０による偏光光Ｐ、Ｑ
の交互照射のタイミングを検出するためのフオト
インタラプタであり、このフオトインタラプタ６
２から前記同期整流回路６０に基準信号が与えら
れるものとなつている。
された信号は、プリアンプ５９を介して増幅され
た後同期整流回路６０に供給される。同期整流回
路６０では、上記入力した信号が前記光照射機構
による一対の偏光光の交互照射に同期して整流さ
れる。そして、この同期整流回路６０の出力信号
が、指示メータ（表示器）６１により前記スケー
ル４１上の目盛線４２の変位として表示されるも
のとなつている。なお、図中６２は前記チヨツパ
５０に付設されチヨツパ５０による偏光光Ｐ、Ｑ
の交互照射のタイミングを検出するためのフオト
インタラプタであり、このフオトインタラプタ６
２から前記同期整流回路６０に基準信号が与えら
れるものとなつている。
このような構成であれば、光照射機構による相
互に直交する方向に直線偏光された一対の偏光光
P′、Q′の交互照射、スリツト板５４のスリツト５
４ａ、及び光学偏向素子５５の作用によつて、ス
ケール４１上の目盛線４２からの光束（位置情
報）が交互に異なる光路５６ａ，５６ｂを通り、
スリツト５４ａ及び焦光レンズ５７を介して光電
変換素子５８に入射することになる。これは、光
電変換素子５８側から見ると、単一のスリツト５
４ａを検出原点に対応させて機械的に振動させた
場合と等価である。したがつて、前記第１図及び
第２図に示した光電顕微鏡と同様にして、スケー
ル４１上の目盛線４２の変位を検出できることに
なる。
互に直交する方向に直線偏光された一対の偏光光
P′、Q′の交互照射、スリツト板５４のスリツト５
４ａ、及び光学偏向素子５５の作用によつて、ス
ケール４１上の目盛線４２からの光束（位置情
報）が交互に異なる光路５６ａ，５６ｂを通り、
スリツト５４ａ及び焦光レンズ５７を介して光電
変換素子５８に入射することになる。これは、光
電変換素子５８側から見ると、単一のスリツト５
４ａを検出原点に対応させて機械的に振動させた
場合と等価である。したがつて、前記第１図及び
第２図に示した光電顕微鏡と同様にして、スケー
ル４１上の目盛線４２の変位を検出できることに
なる。
そしてこの場合、光電変換素子５８に入射する
光束を変調するのに機械的振動子を用いる必要が
なく、機械的振動による振動中心の変動を完全に
取り除くことができる。このため、スケール４１
上の目盛線４２の位置検出を極めて高い精度で行
うことができる。本発明者等の実験によれば、
0.01〔μｍ〕と云う極めて高い位置検出精度が得
られることが確認された。また、煩雑さはない。
さらに、２重回折を利用するものに比して、その
調整が極めて容易である等の利点もある。
光束を変調するのに機械的振動子を用いる必要が
なく、機械的振動による振動中心の変動を完全に
取り除くことができる。このため、スケール４１
上の目盛線４２の位置検出を極めて高い精度で行
うことができる。本発明者等の実験によれば、
0.01〔μｍ〕と云う極めて高い位置検出精度が得
られることが確認された。また、煩雑さはない。
さらに、２重回折を利用するものに比して、その
調整が極めて容易である等の利点もある。
第８図は他の実施例を示す概略構成図である。
なお、第５図と同一部分には同一符号を付して、
その詳しい詳細な省略する。この実施例が先に説
明した実施例と異なる点は、前記光照射機構とし
て電気光学変調器６３を用いたことにある。
KDP（燐酸２水素ナトリウム）等の結晶からなる
電気光学変調器は、結晶の特性によつて決まる一
定の電圧を印加している状態と印加していない状
態とでは、透過した光の偏光状態が異なる。そし
て、両者の偏光方向が互いに直交している偏光光
を取り出すことが可能である。このような電気光
学変調器６３に第９図に示す如きデユーテイ比50
〔％〕の矩形波状の交流電圧を印加することによ
つて、互いに直交する偏光方向に偏光された偏光
光が一定周期Ｔで交互に取り出される。そして、
これらの偏光光は反射鏡６４を介して前記スケー
ル４１上の目盛線４２に照射されるものとなつて
いる。なお、反射鏡６４を介してスケール４１に
照射される一対の偏光光は前記偏光光P′、Q′の各
偏光方向Ｄ、Ｅにそれぞれ対応するものとなつて
いる。また、図中６５は前記デユーテイ比50〔％〕
の矩形状波の交流電圧を電気光学変調器６３に印
加するためのドライバを示し、さらにこのドライ
バ６５の出力電圧は基準信号として前記同期整流
回路６０に与えられるものとなつている。
なお、第５図と同一部分には同一符号を付して、
その詳しい詳細な省略する。この実施例が先に説
明した実施例と異なる点は、前記光照射機構とし
て電気光学変調器６３を用いたことにある。
KDP（燐酸２水素ナトリウム）等の結晶からなる
電気光学変調器は、結晶の特性によつて決まる一
定の電圧を印加している状態と印加していない状
態とでは、透過した光の偏光状態が異なる。そし
て、両者の偏光方向が互いに直交している偏光光
を取り出すことが可能である。このような電気光
学変調器６３に第９図に示す如きデユーテイ比50
〔％〕の矩形波状の交流電圧を印加することによ
つて、互いに直交する偏光方向に偏光された偏光
光が一定周期Ｔで交互に取り出される。そして、
これらの偏光光は反射鏡６４を介して前記スケー
ル４１上の目盛線４２に照射されるものとなつて
いる。なお、反射鏡６４を介してスケール４１に
照射される一対の偏光光は前記偏光光P′、Q′の各
偏光方向Ｄ、Ｅにそれぞれ対応するものとなつて
いる。また、図中６５は前記デユーテイ比50〔％〕
の矩形状波の交流電圧を電気光学変調器６３に印
加するためのドライバを示し、さらにこのドライ
バ６５の出力電圧は基準信号として前記同期整流
回路６０に与えられるものとなつている。
このような構成であれば、光源４３、電気光学
変調器６３及び反射鏡６４からなる光照射機構に
より、先の実施例と同様に相互に直交する方向に
偏光された一対の偏光光を、一定周期で交互にス
ケール４１上の目盛線４２に照射することができ
る。したがつて、先の実施例と同様な効果を奏す
る。また、前記チヨツパ５０等の機械的に回転さ
せる部品が不要となり、その構成の簡略化をはか
り得る等の利点もある。
変調器６３及び反射鏡６４からなる光照射機構に
より、先の実施例と同様に相互に直交する方向に
偏光された一対の偏光光を、一定周期で交互にス
ケール４１上の目盛線４２に照射することができ
る。したがつて、先の実施例と同様な効果を奏す
る。また、前記チヨツパ５０等の機械的に回転さ
せる部品が不要となり、その構成の簡略化をはか
り得る等の利点もある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記光照射機構は被検査
物体の下方側に配置されると限るものではなく、
被検査物体の上方側に配置し光照射機構を反射照
明系として用いることが可能である。また、光照
射機構として、磁界の印加により偏光方向を変え
る磁気光学変調器を用いることが可能である。さ
らに、前記一対の偏光光を選択する手段として
は、前記チヨツパ、電気光学変調器及び磁界光学
変調器等に限定されるものではなく、一対の偏光
光に対応する２つの光源（半導体発光素子）を用
い、これらの光源を交互に点灯するようにしても
よい。また、前記偏光器としては偏光板の代りに
偏光プリズム、その他自然光を直線偏光に変える
素子であれば用いてもよい。また、前記光学偏向
素子はサバール板に限るものではなく、前述した
偏向機能を有するものであればよい。さらに、光
学偏向素子の配置位置は対物レンズとスリツトと
の間に限るものではなく、対物レンズと被検査物
との間であつてもよい。要するに本発明は、その
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことができる。
ものではない。例えば、前記光照射機構は被検査
物体の下方側に配置されると限るものではなく、
被検査物体の上方側に配置し光照射機構を反射照
明系として用いることが可能である。また、光照
射機構として、磁界の印加により偏光方向を変え
る磁気光学変調器を用いることが可能である。さ
らに、前記一対の偏光光を選択する手段として
は、前記チヨツパ、電気光学変調器及び磁界光学
変調器等に限定されるものではなく、一対の偏光
光に対応する２つの光源（半導体発光素子）を用
い、これらの光源を交互に点灯するようにしても
よい。また、前記偏光器としては偏光板の代りに
偏光プリズム、その他自然光を直線偏光に変える
素子であれば用いてもよい。また、前記光学偏向
素子はサバール板に限るものではなく、前述した
偏向機能を有するものであればよい。さらに、光
学偏向素子の配置位置は対物レンズとスリツトと
の間に限るものではなく、対物レンズと被検査物
との間であつてもよい。要するに本発明は、その
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことができる。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の光電顕微鏡
を示す概略構成図、第３図は上記光電顕微鏡にお
ける変位−出力電圧特性を示す模式図、第４図は
従来のアライメント信号検出装置を示す概略構成
図、第５図は本発明の一実施例に係わる固定スリ
ツト型光電顕微鏡を示す概略構成図、第６図は上
記実施例における照明用偏光光の時間的変化を示
す信号波形図、第７図は上記実施例に使用した光
学偏向素子の作用を説明するための模式図、第８
図は他の実施例を示す概略構成図、第９図は上記
他の実施例に使用した電気光学変調器へ印加する
電圧信号を示す信号波形図である。 ４１……スケール（被検査物体）、４２……目
盛線（線状パターン）、４３……光源、４４，４
６……ハーフミラー、４５，４７，６４……反射
鏡、４８，４９……偏光板、５０……チヨツパ、
５１……対物レンズ、５４……スリツト板、５４
ａ……スリツト、５５……光学偏向素子、５７…
…焦光レンズ、５８……光電変換素子、６０……
同期整流回路、６１……指示メータ（表示器）、
６２……フオトインタラプタ、６３……電気光学
変調器、６５……ドライバ。
を示す概略構成図、第３図は上記光電顕微鏡にお
ける変位−出力電圧特性を示す模式図、第４図は
従来のアライメント信号検出装置を示す概略構成
図、第５図は本発明の一実施例に係わる固定スリ
ツト型光電顕微鏡を示す概略構成図、第６図は上
記実施例における照明用偏光光の時間的変化を示
す信号波形図、第７図は上記実施例に使用した光
学偏向素子の作用を説明するための模式図、第８
図は他の実施例を示す概略構成図、第９図は上記
他の実施例に使用した電気光学変調器へ印加する
電圧信号を示す信号波形図である。 ４１……スケール（被検査物体）、４２……目
盛線（線状パターン）、４３……光源、４４，４
６……ハーフミラー、４５，４７，６４……反射
鏡、４８，４９……偏光板、５０……チヨツパ、
５１……対物レンズ、５４……スリツト板、５４
ａ……スリツト、５５……光学偏向素子、５７…
…焦光レンズ、５８……光電変換素子、６０……
同期整流回路、６１……指示メータ（表示器）、
６２……フオトインタラプタ、６３……電気光学
変調器、６５……ドライバ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対物レンズに関して被検査物体上の線状パタ
ーンと共役な位置に固定配置された単一のスリツ
トと、上記被検査物体上の線状パターンに相互に
直交する偏光方向を有する一対の偏光光を一定周
期で交互に照射する光照射機構と、前記被検査物
体とスリツトとの間に配置され上記各偏光光に対
し異なる光路を与え上記光照射機構による前記被
検査物体からの反射光或いは透過光を上記スリツ
トに入射せしめる光学偏光素子と、前記スリツト
を介して得られる光を検出する光電変換素子と、
この光電変換素子の検出信号を前記光照射機構に
よる一対の偏光光の交互照射に同期して整流する
同期整流回路と、この同期整流回路の出力信号を
表示する表示器とを具備してなることを特徴とす
る固定スリツト型光電顕微鏡。 ２ 前記光照射機構は、光源からの光を相互に直
交する方向に偏光する一対の偏光器、これらの偏
光器を介して得られる偏光光をチヨツピングする
チヨツパ及びこのチヨツパにより選択された偏光
光を前記被検査物体の線状パターンに照射する光
学系からなるものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の固定スリツト型光電顕微
鏡。 ３ 前記光照射機構は、電界印加により光源から
の光を交互に直交する方向に偏光する電気光学変
調素子、及びこの電気光学変調素子を介して得ら
れる偏光光を前記被検査物体上の線状パターンに
照射する光学系からなるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の固定スリツト型
光電顕微鏡。 ４ 前記光照射機構は、磁界印加により光源から
の光を交互に直交する方向に偏光する磁気光学変
調素子、及びこの磁気光学変調素子を介して得ら
れる偏光光を前記被検査物体上の線状パターンに
照射する光学系からなるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の固定スリツト型
光電顕微鏡。 ５ 前記光照射機構は、交互に点灯される一対の
半導体発光素子、これらの半導体発光素子からの
光をそれぞれ相互に直交する方向に偏光する一対
の偏光器及びこれらの偏光器を介して得られる偏
光光を前記被検査物体上の線状パターンに照射す
る光学系からなるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の固定スリツト型光電顕
微鏡。 ６ 前記光学偏向素子は、サバール板からなるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の固定スリツト型光電顕微鏡。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147054A JPS5936220A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 固定スリット型光電顕微鏡 |
| EP83304052A EP0102714B1 (en) | 1982-08-25 | 1983-07-12 | Fixed slit type photoelectric microscope |
| DE8383304052T DE3377011D1 (en) | 1982-08-25 | 1983-07-12 | Fixed slit type photoelectric microscope |
| US06/513,452 US4560278A (en) | 1982-08-25 | 1983-07-13 | Fixed-slit type photoelectric microscope |
| DD83253413A DD210130A5 (de) | 1982-08-25 | 1983-07-26 | Lichtelektronisches festspaltmikroskop |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147054A JPS5936220A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 固定スリット型光電顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936220A JPS5936220A (ja) | 1984-02-28 |
| JPS6325282B2 true JPS6325282B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=15421454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147054A Granted JPS5936220A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 固定スリット型光電顕微鏡 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4560278A (ja) |
| EP (1) | EP0102714B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5936220A (ja) |
| DD (1) | DD210130A5 (ja) |
| DE (1) | DE3377011D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247319A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 光学活性を示す物質の像形成方法及び装置 |
| US5841577A (en) * | 1996-02-16 | 1998-11-24 | Carnegie Mellon University | Light microscope having acousto-optic tunable filters |
| JP5189301B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2013-04-24 | オリンパス株式会社 | レーザー走査型顕微鏡 |
| JP7195525B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2022-12-26 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 光切替器および観察装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154369A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-22 | Philips Nv | Method of positioning mask pattern and apparatus therefor |
| JPS5311385A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Brother Ind Ltd | Process for cutting paper |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE378834C (de) * | 1922-04-05 | 1923-08-03 | Heinrich Hanemann | Metallmikroskop |
| DE1296396B (de) * | 1965-07-24 | 1969-05-29 | Leitz Ernst Gmbh | Optisches Mehrzweckmessgeraet |
| FR1532660A (fr) * | 1967-06-09 | 1968-07-12 | Genevoise Instr Physique | Microscope photoélectrique |
| DE1915680B2 (de) * | 1969-03-27 | 1973-03-08 | Ernst Leitz Gmbh, 6330 Wetzlar | Fotometer fuer beobachtungsinstrumente, insbesondere mikroskope |
| JPS503355A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-14 | ||
| US3943359A (en) * | 1973-06-15 | 1976-03-09 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for relatively positioning a plurality of objects by the use of a scanning optoelectric microscope |
| US3990798A (en) * | 1975-03-07 | 1976-11-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method and apparatus for aligning mask and wafer |
| DD139902A1 (de) * | 1978-12-19 | 1980-01-23 | Hermann Beyer | Doppelbrechendes bauelement fuer polarisierende interferenzapparate |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP57147054A patent/JPS5936220A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-12 DE DE8383304052T patent/DE3377011D1/de not_active Expired
- 1983-07-12 EP EP83304052A patent/EP0102714B1/en not_active Expired
- 1983-07-13 US US06/513,452 patent/US4560278A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-26 DD DD83253413A patent/DD210130A5/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154369A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-22 | Philips Nv | Method of positioning mask pattern and apparatus therefor |
| JPS5311385A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Brother Ind Ltd | Process for cutting paper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4560278A (en) | 1985-12-24 |
| EP0102714A2 (en) | 1984-03-14 |
| EP0102714A3 (en) | 1986-02-19 |
| DD210130A5 (de) | 1984-05-30 |
| DE3377011D1 (en) | 1988-07-14 |
| EP0102714B1 (en) | 1988-06-08 |
| JPS5936220A (ja) | 1984-02-28 |
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