JPS63250902A - ミリ波用終端負荷 - Google Patents
ミリ波用終端負荷Info
- Publication number
- JPS63250902A JPS63250902A JP8482287A JP8482287A JPS63250902A JP S63250902 A JPS63250902 A JP S63250902A JP 8482287 A JP8482287 A JP 8482287A JP 8482287 A JP8482287 A JP 8482287A JP S63250902 A JPS63250902 A JP S63250902A
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- JP
- Japan
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- water
- millimeter wave
- graphite
- silicon carbide
- water cooling
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- Pending
Links
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- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 15
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はジャイロトロン装置などのマイクロ波大電力発
振器で発生され導波管で伝送されてきたミリ波を吸収し
、その電力を測定するz’)波用終端負荷に関する。
振器で発生され導波管で伝送されてきたミリ波を吸収し
、その電力を測定するz’)波用終端負荷に関する。
ジャイロトロン装置かどの出力波電力を測定する為に、
従来のミリ波用終端負荷はi1図に示すように導波管1
に接続されたセラミックス(例えばアルミナ)テーパ管
2とその外側を囲む水冷ジャケット4からなる。導波、
管1より伝送されてきたミリ波5はセラミックステーパ
管2を透過して水3に吸収される。しかし、ミリ波の電
力が高いと、水3が沸脣して測定不能となる為に、沸騰
をさけるため、大流量の水を水冷ジャケット内に流入さ
せねばならなかった。
従来のミリ波用終端負荷はi1図に示すように導波管1
に接続されたセラミックス(例えばアルミナ)テーパ管
2とその外側を囲む水冷ジャケット4からなる。導波、
管1より伝送されてきたミリ波5はセラミックステーパ
管2を透過して水3に吸収される。しかし、ミリ波の電
力が高いと、水3が沸脣して測定不能となる為に、沸騰
をさけるため、大流量の水を水冷ジャケット内に流入さ
せねばならなかった。
(問題を解決する為の手段)
本発明は、上述した問題を解決する為に、前記セラミッ
クス管の代りに内面に炭化ケイ素を化学蒸着させたグラ
ファイト管にして、4波管よシ伝送されて来たミリ波を
水の代りに上記炭化ケイ素層で吸収させるようにした。
クス管の代りに内面に炭化ケイ素を化学蒸着させたグラ
ファイト管にして、4波管よシ伝送されて来たミリ波を
水の代りに上記炭化ケイ素層で吸収させるようにした。
(作 用)
本発明では前記炭化ケイ素層でミリ波電力を吸収させる
ため、水の沸騰が起ζらない為、大電力ミリ波に対して
も前記グラファイト管を冷却する程度の少量の水流量で
ミリ波用終端負荷を用いることができる。
ため、水の沸騰が起ζらない為、大電力ミリ波に対して
も前記グラファイト管を冷却する程度の少量の水流量で
ミリ波用終端負荷を用いることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を第2図を用いて説明する。
第2図に示す本発明の実施例では、終端負荷が導波管l
に接続された炭化ケイ素を化学蒸着によシ内面コーティ
ングしたグラファイトテーパ管6と、その外側を水冷却
するだめの水冷却ジャケット7からなる。導波管lよシ
伝送されてきたミリ波はグラファイトテーパ管内に入り
、内面にコーティングされた炭化ケイ素層で吸収され熱
化する。
に接続された炭化ケイ素を化学蒸着によシ内面コーティ
ングしたグラファイトテーパ管6と、その外側を水冷却
するだめの水冷却ジャケット7からなる。導波管lよシ
伝送されてきたミリ波はグラファイトテーパ管内に入り
、内面にコーティングされた炭化ケイ素層で吸収され熱
化する。
この熱はグラファイト層の熱伝導により、グラファイト
管の外側に設けた水冷ジャケット内を流れる水に吸収さ
れる。ここで水冷却ジャケット7を塩化ビニルなどの低
い熱伝導度を有する素材でつくることによって終端負荷
の外部に熱が逃げないようにしておき、水冷却ジャケッ
トの出口および入口の水温と、水流量を測定することに
よって、ミリ波の入力電力を ことができる。
管の外側に設けた水冷ジャケット内を流れる水に吸収さ
れる。ここで水冷却ジャケット7を塩化ビニルなどの低
い熱伝導度を有する素材でつくることによって終端負荷
の外部に熱が逃げないようにしておき、水冷却ジャケッ
トの出口および入口の水温と、水流量を測定することに
よって、ミリ波の入力電力を ことができる。
第3図のように前記内面を炭化ケイ素でコーティングし
たグラファイト管の代りに外面を炭化ケイ素でコーティ
ングした・グラファイトテーパー管6′を導波管1内に
挿入し、きり波を炭化ケイ素層で吸収させ、グラファイ
トテーパ管6′の内面を水で冷却してもよい。
たグラファイト管の代りに外面を炭化ケイ素でコーティ
ングした・グラファイトテーパー管6′を導波管1内に
挿入し、きり波を炭化ケイ素層で吸収させ、グラファイ
トテーパ管6′の内面を水で冷却してもよい。
以上述べたように、本発明によれば、ミリ波m力を直接
水に吸収させない為、沸騰が起らないので、少量の水流
量でミリ波用終端負荷を用いることができる。
水に吸収させない為、沸騰が起らないので、少量の水流
量でミリ波用終端負荷を用いることができる。
第1図は、従来のミリ波用終端負荷の断面図。
第2図は本発明の一実施例の断面図、第3図は本発明の
他の実施例を示す断面図である。 l・・・導波管、2・・・セラミックス管、3・・・水
。 4・・・水冷ジャケット、5・・・ミリ波。 6.6′・・・炭化ケイ素化学蒸着グラファイト管。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 7 ′
他の実施例を示す断面図である。 l・・・導波管、2・・・セラミックス管、3・・・水
。 4・・・水冷ジャケット、5・・・ミリ波。 6.6′・・・炭化ケイ素化学蒸着グラファイト管。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 7 ′
Claims (1)
- 内面または外面に炭化ケイ素を化学蒸着させたグラファ
イト直管またはテーパ管を用いたことを特徴とするミリ
波用終端負荷。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8482287A JPS63250902A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ミリ波用終端負荷 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8482287A JPS63250902A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ミリ波用終端負荷 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63250902A true JPS63250902A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13841444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8482287A Pending JPS63250902A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ミリ波用終端負荷 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63250902A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2339689A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | BAE Systems PLC | Absorptive microwave load |
WO2011077131A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Bae Systems Plc | Absorptive microwave load |
EP2696435A1 (de) * | 2012-08-08 | 2014-02-12 | Astrium GmbH | Hohlleiterabschlusseinrichtung |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP8482287A patent/JPS63250902A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2339689A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | BAE Systems PLC | Absorptive microwave load |
WO2011077131A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Bae Systems Plc | Absorptive microwave load |
EP2696435A1 (de) * | 2012-08-08 | 2014-02-12 | Astrium GmbH | Hohlleiterabschlusseinrichtung |
US11036022B2 (en) | 2012-08-08 | 2021-06-15 | Airbus Defence and Space GmbH | Hollow waveguide termination device |
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