JPS63250812A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPS63250812A JPS63250812A JP8602087A JP8602087A JPS63250812A JP S63250812 A JPS63250812 A JP S63250812A JP 8602087 A JP8602087 A JP 8602087A JP 8602087 A JP8602087 A JP 8602087A JP S63250812 A JPS63250812 A JP S63250812A
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- germanium
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Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、シリコンとゲルマニウムとからなる単結晶薄
膜基板の製造方法に関する。
膜基板の製造方法に関する。
従来の技術
シリコンとゲルマニウムとからなる単結晶薄膜は、例え
ば、Ｊ、Ｃ，Ｂｅａｎ ｅｔ ａｌ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｌ、 ＜アプライ フィジック
ス レター）４４（１）、ＩＪａｎｕａｒｙ （１９８
４） １０２に示されているように、単結晶シリコン基
板上に、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）を用いてエピ
タキシャル成長により、作製していた。
ば、Ｊ、Ｃ，Ｂｅａｎ ｅｔ ａｌ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｌ、 ＜アプライ フィジック
ス レター）４４（１）、ＩＪａｎｕａｒｙ （１９８
４） １０２に示されているように、単結晶シリコン基
板上に、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）を用いてエピ
タキシャル成長により、作製していた。
発明が解決しようとする問題点
シリコンとゲルマニウムとからなる単結晶薄膜は、ＭＢ
Ｅ法を用いることにより単結晶シリコン等の単結晶基板
上に形成することができるが、酸化膜等の絶縁膜上には
形成することができない。
Ｅ法を用いることにより単結晶シリコン等の単結晶基板
上に形成することができるが、酸化膜等の絶縁膜上には
形成することができない。
問題点を解決するための手段
本発明は、絶縁膜上にシリコンとゲルマニウムとからな
る単結晶薄膜を得るために、単結晶シリコン基板に、第
１のイオンとしてたとえば酸素原子もしくは窒素原子を
含むイオンを注入して、前記単結晶シリコン基板中に埋
め込み絶縁膜層を形成後、この埋め込み絶縁膜上にある
前記シリコン基板の１部からなるシリコン膜中に、ゲル
マニウムイオンをイオン注入するという方法である。更
に望ましくは、第１のイオンを注入後熱処理する。
る単結晶薄膜を得るために、単結晶シリコン基板に、第
１のイオンとしてたとえば酸素原子もしくは窒素原子を
含むイオンを注入して、前記単結晶シリコン基板中に埋
め込み絶縁膜層を形成後、この埋め込み絶縁膜上にある
前記シリコン基板の１部からなるシリコン膜中に、ゲル
マニウムイオンをイオン注入するという方法である。更
に望ましくは、第１のイオンを注入後熱処理する。
作用
、う？様、な方法により・絶縁膜上（０シ゛Ｊ：″とゲ
ルマニウムとからなる単結晶薄膜基板を得ることができ
る。
ルマニウムとからなる単結晶薄膜基板を得ることができ
る。
実施例
以下に本発明の実施例を第１図を用いて説明する。単結
晶シリコン基板１に、酸素イオンビーム１０を例えば加
速エネルギー１８０ＫｅＶで１×１０ ”’ １ｎｏｓ
／ｃ＋ｄ注入し、好ましくは９００〜１２００℃で処理
しシリコン基板１中に埋め込み酸化膜２を形成する。な
お、注入後に上記熱処理を行ってもよい。このようにし
て酸化膜２上に単結晶シリコン薄膜３を形成することが
できる。この方法は、ＳＩ ＭＯＸ （Ｓｅｐａｒａｔ
ｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ ＯＸｙｇｅｎ）技
術と呼ばれている。酸素イオンの代わりに窒素イオンを
注入してもよい。この場合酸化膜ではな（窒化膜が単結
晶シリコン基板１中に形成される。
晶シリコン基板１に、酸素イオンビーム１０を例えば加
速エネルギー１８０ＫｅＶで１×１０ ”’ １ｎｏｓ
／ｃ＋ｄ注入し、好ましくは９００〜１２００℃で処理
しシリコン基板１中に埋め込み酸化膜２を形成する。な
お、注入後に上記熱処理を行ってもよい。このようにし
て酸化膜２上に単結晶シリコン薄膜３を形成することが
できる。この方法は、ＳＩ ＭＯＸ （Ｓｅｐａｒａｔ
ｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ ＯＸｙｇｅｎ）技
術と呼ばれている。酸素イオンの代わりに窒素イオンを
注入してもよい。この場合酸化膜ではな（窒化膜が単結
晶シリコン基板１中に形成される。
この単結晶シリコン薄膜３中に、ゲルマニウムイオン１
１を注入し、３００〜１２００℃で熱処理することによ
り、シリコンとゲルマニウムからなる単結晶膜４を酸化
膜２上に得ることができる。
１を注入し、３００〜１２００℃で熱処理することによ
り、シリコンとゲルマニウムからなる単結晶膜４を酸化
膜２上に得ることができる。
シリコンとゲルマニウムの組成比は、イオン注入するゲ
ルマニウムの注入量を変えることによって容易に制御す
ることができる。また、単結晶膜４の膜厚は、酸素イオ
ンの加速エネルギー及びゲルマニウムイオンの加速エネ
ルギーを変えることによって制御副長（変えることがで
きる。
ルマニウムの注入量を変えることによって容易に制御す
ることができる。また、単結晶膜４の膜厚は、酸素イオ
ンの加速エネルギー及びゲルマニウムイオンの加速エネ
ルギーを変えることによって制御副長（変えることがで
きる。
なお、ゲルマニウムイオン１１の注入を、基板１を例え
ば５００℃で熱処理した状態で行ってもよ（、この場合
は注入後の熱処理を省略することが可能となる。
ば５００℃で熱処理した状態で行ってもよ（、この場合
は注入後の熱処理を省略することが可能となる。
発明の効果
以上の方法を用いることにより、絶縁膜上にシリコンと
ゲルマニウムからなる単結晶薄膜基板を作製することが
可能であり、この単結晶薄膜基板の移動度は、シリコン
単結晶よりも大きいため超高速のトランジスタや、赤外
線検知器等の半導体装置の基板として用いることができ
る。
ゲルマニウムからなる単結晶薄膜基板を作製することが
可能であり、この単結晶薄膜基板の移動度は、シリコン
単結晶よりも大きいため超高速のトランジスタや、赤外
線検知器等の半導体装置の基板として用いることができ
る。
第１図、第２図は本発明の実施例におけるシリコンとゲ
ルマニウムとからなる単結晶基板を作製する方法を示す
工程断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、２・・・埋め込み酸化膜
、３・・・単結晶シリコン薄膜、４・・・シリコンとゲ
ルマ、ニウムとからなる単結晶薄膜、１０・・・酸素イ
オンビーム、１１・・・ゲルマニウムイオン。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名第１図 第２図
ルマニウムとからなる単結晶基板を作製する方法を示す
工程断面図である。 １・・・単結晶シリコン基板、２・・・埋め込み酸化膜
、３・・・単結晶シリコン薄膜、４・・・シリコンとゲ
ルマ、ニウムとからなる単結晶薄膜、１０・・・酸素イ
オンビーム、１１・・・ゲルマニウムイオン。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名第１図 第２図
Claims (2)
- （１）単結晶シリコン基板に、第１のイオンを注入して
、前記単結晶シリコン基板中に埋め込み絶縁膜層を形成
後、この埋め込み絶縁膜上にある前記基板の１部からな
るシリコン膜中に、第２のイオンとしてゲルマニウムイ
オンを注入することを特徴とする半導体基板の製造方法
。 - （２）第１のイオンとして、酸素原子を含むイオンもし
くは窒素原子を含むイオンを用いることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8602087A JPS63250812A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8602087A JPS63250812A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250812A true JPS63250812A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13874981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8602087A Pending JPS63250812A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250812A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360749A (en) * | 1993-12-10 | 1994-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making semiconductor structure with germanium implant for reducing short channel effects and subthreshold current near the substrate surface |
| US7042052B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Transistor constructions and electronic devices |
| KR100738459B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-07-11 | 주식회사 실트론 | Ｓｏｉ 기판을 이용한 게르마늄-온-절연체 기판의 제조방법 |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP8602087A patent/JPS63250812A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360749A (en) * | 1993-12-10 | 1994-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making semiconductor structure with germanium implant for reducing short channel effects and subthreshold current near the substrate surface |
| US7042052B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Transistor constructions and electronic devices |
| US7115948B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Transistor constructions and electronic devices |
| US7291519B2 (en) | 2003-02-10 | 2007-11-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming transistor constructions |
| KR100738459B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-07-11 | 주식회사 실트론 | Ｓｏｉ 기판을 이용한 게르마늄-온-절연체 기판의 제조방법 |
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