JPS63250138A - 半導体組立装置 - Google Patents

半導体組立装置

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Publication number
JPS63250138A
JPS63250138A JP62085105A JP8510587A JPS63250138A JP S63250138 A JPS63250138 A JP S63250138A JP 62085105 A JP62085105 A JP 62085105A JP 8510587 A JP8510587 A JP 8510587A JP S63250138 A JPS63250138 A JP S63250138A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
chip
semiconductor chip
semiconductor
shot multivibrator
Prior art date
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Pending
Application number
JP62085105A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirofumi Sagawa
浩文 佐川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63250138A publication Critical patent/JPS63250138A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体チップをダイボンドする半導体組立装
置に関するものである。
(従来の技術) 第2図はダイボンドの中の半導体チップを搬送する部分
の概略構成を示す図である。図において(1)はプリア
ライメントテーブルと呼ばれ、基板に搭載しようとする
半導体チップをあらかじめ位置合わせして用意するため
に用いられる。(2)はこのテーブル(1)上にブリア
ラインされた半導体チップを整列させるためのアライメ
ント爪であっチ、このアライメント爪(2)によりテー
ブル(1)上におかれた半導体チップを所定の位置に整
列させる。(3)はファイバーセンサであって、半導体
チップがテーブル(1)からセラミック基板(7)へ移
送されていく経路を監視する位置に配置されており、半
導体チップの存在を検出するために用いられる。(4)
は半導体チップであり、この半導体チップ(4)はコレ
ット(5)により真空吸着されてテーブル(1)−から
セラミック基板(7)上へと移送される。コレット(5
)は、ボンディングヘッド(6)に装着されており、ボ
ンディングヘッド(6)は、上下左右に移動することに
より半導体チップ(4)を吸着して移送し、一定の場所
に載置する。
(7)はセラミック基板であって、ボンディングステー
ジ(8)上に固定されており、移送された半導体チップ
(4)が載置されダイボンドが行なわれる。
第3図は従来の半導体チップの検出手段の一例を示すブ
ロック図である。ファイバーセンサ(3)にはセンサー
アンプ(9)が接続されており、ファイバーセンサ(3
)により検出した光信号をセンサーアンプ(9)により
増幅し、その増幅信号から半導体チップの有無を検出す
るように構成されていた。
次に第2図および第3図に示す装置の動作について説明
する。プリアライメントテーブル(1)上におかれた半
導体チップ(4)は、アライメント爪(2)により所定
の位置と方向に整列され、ボンディングヘッド(6)に
装着されているコレット(5)に吸着されて移送される
吸着にさいしては、ボンディングヘッド(6)を上下左
右に動かし、コレット(5)を半導体チップ(4)の真
上に位置するように移動して、コレット(5)を真空に
して半導体チップ(4)を吸着させる。その後図中に矢
印で示すようにファイバーセンサ(3)の上方を通過し
て基板(7)の上へ移動させる。半導体チップ(4)が
基板(7)の上にわ送された後は、コレット(5)を大
気圧に戻し、半導体チップ(4)を搭載する。
このように半導体チップ(4)が基板(7)上に搭載さ
れるに際しては、半導体チップ(4)がファイバーセン
サ(3)の上方を通過することになる。そこでファイバ
ーセンサ(3)で半導体チップ(4)に光を当て、その
反射光信号を検出して半導体チップ(4)の有無を検出
する。ファイバーセンサ(3)により検出された光信号
は第3図に示すセンサーアンプ(9)により増幅され、
図示しない検出装置により半導体チップが検出される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体組立装置は以上のように構成されていたた
め、半導体チップの移動中にそのチップの存在の有無を
ファイバーセンサによって検出する。しかしファイバー
センサによる光信号の検出は半導体チップに光が当って
いる時間しか行なわれない。したがって、半導体チップ
が非常に小さかったり、チップの移送が高速になったり
すると、その分だけ光の当たる時間が短くなり、検出が
困難となるという問題があった。したがって従来の半導
体組立装置においてはチップが小型であったり、移送が
高速化した場合にはチップ検出が困難となりチップ検出
に基づいて行なわれる制御に影響を与えるという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、小チップの検出が可能なばかりでなく、チッ
プの移送が高速で行なわれた場合にも十分にチップの検
出を行なうことのできる半導体組立装置を提供すること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体組立装置は、半導体チップを第1
の位置から第2の位置に移動させる間に、前記半導体チ
ップの通過経路を監視し、光信号の変化から前記半導体
チップの存在の有無を検出するチップ検出手段を備えた
半導体組立装置において、前記光信号が変化した際この
変化後の信号を所定の時間だけ保持して出力する信号保
持回路を設けたものである。
〔作用〕
この発明における信号保持回路は、半導体チップがセン
サの上空を通過した時に検出される検出信号を、チップ
の検出が可能な程度の所定の時間だけ保持し出力する働
きを持っている。
このため検出信号が短時間存在する場合であっても十分
な検出を保証することができる。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例を図に基づいて説明する。第1
図はこの発明で用いられるチップ検出手段の一例を示す
ブロック図である。前記説明した従来の装置において用
いられる光検出手段がファイバーセンナ(3)とこれに
接続されるセン乎−アンプ(9)とだけであったが、こ
の発明ではこのセンサーアンプ(9)にワンショットマ
ルチバイブレータ(10)のごとき信号保持回路を接続
することを特徴としている。
半導体チップがファイバーセンサ(3)の上方にきた時
、光信号が変化し検出信号が出力される。
この検出信号はセンサーアンプ(9)により増幅され、
ワンショットマルチバイブレータ(10)に出力される
。ワンショットマルチバイブレータ(10)は、その出
力信号を約50 m5ecの間保持し出力する。
センサーアンプ(9)からの検出信号は半導体チップが
ファイバーセンサ(3)の上方を通り過ぎるとオフとな
ってしまい、チップが小さかったり、移送速度が高速で
あったりすると検出信号が表われている時間が非常に短
くなる。しかしワンショットマルチバイブレータ(lO
)は検出信号が存在した場合に動作し所定の時間だけこ
れを保持して出力するため、チップ検出信号を実際の時
間よりも延長して出力できる。
このため図示しない後続の検出装置によって半導体チッ
プの存在を容易に検出することができる。
なお第1図に示す例では信号保持回路としてワンショッ
トマルチバイブレータを用いたが、所定の時間だけ信号
を保持することのできる回路であればワンショットマル
チバイブレータに限定する必要はない。
〔発明の効果] 以上説明したようにこの発明では信号保持回路を用いて
チップの検出信号を所定の時間だけ保持して出力するよ
うにしているため、チップが小さい場合であってもある
いは高速でチップの8送が行なわれた場合であってもチ
ップの検出が容易にできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に用いられるチップ検出手段の一例を
示す回路ブロック図、第2図は半導体組立装置のチップ
移送機構を示す概略構成図、第3図は従来のチップ検出
手段の一例を示す回路ブロック図である。 (3)はファイバーセンサ、 (4)は半導体チップ、(7)は基板、(9)はセンサ
ーアンプ、 (10)はワンショットマルチバイブレータ。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体チップを第1の位置から第2の位置に移動
    させる間に、前記半導体チップの通過経路を監視し、光
    信号の変化から前記半導体チップの存在の有無を検出す
    るチップ検出手段を備えた半導体組立装置において、前
    記光信号が変化した際この変化後の信号を所定の時間だ
    け保持して出力する信号保持回路を設けたことを特徴と
    する半導体組立装置。(2)前記信号保持回路はワンシ
    ョットマルチバイブレータを用いたことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体組立装置。
JP62085105A 1987-04-07 1987-04-07 半導体組立装置 Pending JPS63250138A (ja)

Priority Applications (1)

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JP62085105A JPS63250138A (ja) 1987-04-07 1987-04-07 半導体組立装置

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JP62085105A JPS63250138A (ja) 1987-04-07 1987-04-07 半導体組立装置

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JPS63250138A true JPS63250138A (ja) 1988-10-18

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ID=13849334

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JP62085105A Pending JPS63250138A (ja) 1987-04-07 1987-04-07 半導体組立装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4925563U (ja) * 1972-06-05 1974-03-05
JPS6223446B2 (ja) * 1984-08-17 1987-05-22 Marukon Denshi Kk

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4925563U (ja) * 1972-06-05 1974-03-05
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