JPS63250123A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS63250123A JPS63250123A JP8434987A JP8434987A JPS63250123A JP S63250123 A JPS63250123 A JP S63250123A JP 8434987 A JP8434987 A JP 8434987A JP 8434987 A JP8434987 A JP 8434987A JP S63250123 A JPS63250123 A JP S63250123A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- substrate
- barrier
- semiconductor substrate
- scattered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 30
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体基板にフォトレジストを塗布する機構を
備えた半導体製造装置に関するものである。
備えた半導体製造装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、この種の塗布装置は、第２図のようにフォトレジ
スト２を滴下した半導体基板１を高速回転させることに
より均一な塗布を行い余剰フォトレジストは遠心力によ
り飛散させ、飛ばされたフォトレジス１〜が半導体基板
にはね返らないように円錐形障壁４の壁面に付着させ、
一方この期間中円錐形障壁４の上部間口４ｄより空気３
を取り入れ、飛散したフォトレジストを含む空気を円錐
形障壁４の下部４Ｃより排気孔５を通して排気し、飛散
したフォトレジストが基板１に再付着するのを防止して
いた。また障壁４にフォ（ヘレジストが付着することに
より障壁内側での空気の流れが悪くなり飛散したフォト
レジストが舞い上がり半導体基板上に再付着することを
障壁４の頂部に垂架したひさし４ｂ’により防止してい
た。
スト２を滴下した半導体基板１を高速回転させることに
より均一な塗布を行い余剰フォトレジストは遠心力によ
り飛散させ、飛ばされたフォトレジス１〜が半導体基板
にはね返らないように円錐形障壁４の壁面に付着させ、
一方この期間中円錐形障壁４の上部間口４ｄより空気３
を取り入れ、飛散したフォトレジストを含む空気を円錐
形障壁４の下部４Ｃより排気孔５を通して排気し、飛散
したフォトレジストが基板１に再付着するのを防止して
いた。また障壁４にフォ（ヘレジストが付着することに
より障壁内側での空気の流れが悪くなり飛散したフォト
レジストが舞い上がり半導体基板上に再付着することを
障壁４の頂部に垂架したひさし４ｂ’により防止してい
た。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の塗布装置では障壁頂部のびざし４ｂ°の
長さが短いので、第２図のように舞い上がった飛散した
フォトレジスト３ｂを１００％捕捉できない。また第３
図のようにひざし４ｂ”°が半導体基板上平面より３ｍ
以下になると半導体基板上の余剰のフォトレジストを高
速回転による遠心力に除去するときに飛散したフォトレ
ジスト３ｄがひざし４ｂ°′に当りはね返り半導体基板
上に再付着するという欠点がある。
長さが短いので、第２図のように舞い上がった飛散した
フォトレジスト３ｂを１００％捕捉できない。また第３
図のようにひざし４ｂ”°が半導体基板上平面より３ｍ
以下になると半導体基板上の余剰のフォトレジストを高
速回転による遠心力に除去するときに飛散したフォトレ
ジスト３ｄがひざし４ｂ°′に当りはね返り半導体基板
上に再付着するという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体製造装置を
提供することにある。
提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来の塗布装置に対し、本発明は上部カップの
円錐形障壁頂部のひさしの長さを最適化するという独創
的内容を有する。
円錐形障壁頂部のひさしの長さを最適化するという独創
的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は頂部内側にリング状のひさしを垂架した円錐状
の障壁により基板を覆い、フォトレジストが滴下された
基板を該障壁の内側で回転させ、前記障壁の上部開口か
ら取り入れた空気中に基板から飛散したフォトレジスト
を含ませて排気し、かつ障壁の傾斜面に沿って舞い上が
るフォトレジストの基板への再付着を前記ひさしにより
防止しつつ基板上にフォ［・レジストを塗布する装置に
おいて、前記ひさしの下端縁と基板との間に形成される
隙間を３＃〜１０．の範囲に設定したことを特徴とする
半導体製造装置でおる。
の障壁により基板を覆い、フォトレジストが滴下された
基板を該障壁の内側で回転させ、前記障壁の上部開口か
ら取り入れた空気中に基板から飛散したフォトレジスト
を含ませて排気し、かつ障壁の傾斜面に沿って舞い上が
るフォトレジストの基板への再付着を前記ひさしにより
防止しつつ基板上にフォ［・レジストを塗布する装置に
おいて、前記ひさしの下端縁と基板との間に形成される
隙間を３＃〜１０．の範囲に設定したことを特徴とする
半導体製造装置でおる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図であ
る。
る。
第１図（ａ）において、回転するチャック８に保持され
た半導体基板１を円錐状の障壁４をもって覆い、障壁４
の下部４Ｃを排気孔５に接続し、一方障壁４の頂部内側
にリング状のひざし４ｂを垂架する。本発明は前記ひざ
し４ｂの下端縁Ｃと基板１との間に形成される隙間ｔを
３〜１０ｍの範囲、望ましくは４〜６＃の範囲に設定し
たものである。
た半導体基板１を円錐状の障壁４をもって覆い、障壁４
の下部４Ｃを排気孔５に接続し、一方障壁４の頂部内側
にリング状のひざし４ｂを垂架する。本発明は前記ひざ
し４ｂの下端縁Ｃと基板１との間に形成される隙間ｔを
３〜１０ｍの範囲、望ましくは４〜６＃の範囲に設定し
たものである。
実施例において、チャック８に吸着した基板１上にフォ
トレジストを滴下する。頂部内側にリング状のひさし４
ｂを垂架した円錐状の障壁４により基板１を覆い、フォ
トレジストが滴下された基板１をチャック８により該障
壁４の内側で回転させ、前記障壁４の上部開口４ａから
取り入れた空気３中に基板から飛散したフォトレジスト
を含ませて排気し、かつ障壁４の傾斜面に沿って舞い上
がるフォトレジストの基板への再付着を前記ひさし４ｂ
により防止しつつ基板１上にフォトレジスト２を塗布す
る。
トレジストを滴下する。頂部内側にリング状のひさし４
ｂを垂架した円錐状の障壁４により基板１を覆い、フォ
トレジストが滴下された基板１をチャック８により該障
壁４の内側で回転させ、前記障壁４の上部開口４ａから
取り入れた空気３中に基板から飛散したフォトレジスト
を含ませて排気し、かつ障壁４の傾斜面に沿って舞い上
がるフォトレジストの基板への再付着を前記ひさし４ｂ
により防止しつつ基板１上にフォトレジスト２を塗布す
る。
ひざし４ｂと半導体基板平面との隙間ｔを４ｍ〜６Ｍ以
内に設定することにより、半導体基板１上にフォトレジ
ストを塗ＩＴｆｒするときに高速回転による遠心力で余
剰のフォトレジストが飛散し、それが障壁４の上部開口
４ａより流れ込んだ空気３中に含まれて排気孔５から排
出されるが、障壁４にあたって舞い上がったフォトレジ
スト３ａはひざし４ｂにより受は止め、半導体基板１へ
の再付着を防止する。半導体基板上へのはね返り数は第
４図に示すように、第２図のような従来法ではわずかに
見られるが、本発明ではＯでおる。
内に設定することにより、半導体基板１上にフォトレジ
ストを塗ＩＴｆｒするときに高速回転による遠心力で余
剰のフォトレジストが飛散し、それが障壁４の上部開口
４ａより流れ込んだ空気３中に含まれて排気孔５から排
出されるが、障壁４にあたって舞い上がったフォトレジ
スト３ａはひざし４ｂにより受は止め、半導体基板１へ
の再付着を防止する。半導体基板上へのはね返り数は第
４図に示すように、第２図のような従来法ではわずかに
見られるが、本発明ではＯでおる。
（実施例２）
第１図（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す縦断面図で
おる。
おる。
本実施例は半導体基板上へフォトレジストを塗布すると
きに半導体基板１の周辺部の裏面に周辺除去用ケトンノ
ズル６よりケトン７を吹き出し、周辺部のレジストを除
去する。このときケトン７の流れが基板１の裏面にあた
り飛散した一部ヶトンが基板周辺で舞い上がる。ひざし
４ｂと半導体基板平面の隙間ｔを４〜６ｆＭ１以内にす
ることにより、第１図（ｂ）のように飛散したケトン３
ａ’がひさし４ｂで受は止められ、半導体基板１上に付
着するのを防いでいる。半導体基板１上へのケトン７の
付着数は第２図のような従来法ではわずかに見られるが
、本発明ではＯである。
きに半導体基板１の周辺部の裏面に周辺除去用ケトンノ
ズル６よりケトン７を吹き出し、周辺部のレジストを除
去する。このときケトン７の流れが基板１の裏面にあた
り飛散した一部ヶトンが基板周辺で舞い上がる。ひざし
４ｂと半導体基板平面の隙間ｔを４〜６ｆＭ１以内にす
ることにより、第１図（ｂ）のように飛散したケトン３
ａ’がひさし４ｂで受は止められ、半導体基板１上に付
着するのを防いでいる。半導体基板１上へのケトン７の
付着数は第２図のような従来法ではわずかに見られるが
、本発明ではＯである。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は上８トカツプの円錐形障壁
頂部のひさしと、半導体基板平面との隙間を３〜１０Ｍ
の範囲に設定することにより飛散したフォトレジストが
半導体基板上に再付着することを防止できる効果がある
。
頂部のひさしと、半導体基板平面との隙間を３〜１０Ｍ
の範囲に設定することにより飛散したフォトレジストが
半導体基板上に再付着することを防止できる効果がある
。
第１図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の実施例を示す縦断
面図、第２図、第３図は従来例を示す縦断面図、第４図
はフォトレジストの回付＠数と、ひさしと半導体基板平
面との間隔との関係を示す図である。
面図、第２図、第３図は従来例を示す縦断面図、第４図
はフォトレジストの回付＠数と、ひさしと半導体基板平
面との間隔との関係を示す図である。
Claims (1)
- （１）頂部内側にリング状のひさしを垂架した円錐状の
障壁により基板を覆い、フォトレジストが滴下された基
板を該障壁の内側で回転させ、前記障壁の上部開口から
取り入れた空気中に基板から飛散したフォトレジストを
含ませて排気し、かつ障壁の傾斜面に沿って舞い上がる
フォトレジストの基板への再付着を前記ひさしにより防
止しつつ基板上にフォトレジストを塗布する装置におい
て、前記ひさしの下端縁と基板との間に形成される隙間
を３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲に設定したことを特徴とする
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8434987A JPS63250123A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8434987A JPS63250123A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250123A true JPS63250123A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13828039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8434987A Pending JPS63250123A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1133469A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | スピンコート装置 |
-
1987
- 1987-04-06 JP JP8434987A patent/JPS63250123A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1133469A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | スピンコート装置 |
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