JPS63246728A - 液晶アクテイブマトリクスパネル - Google Patents
液晶アクテイブマトリクスパネルInfo
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- JPS63246728A JPS63246728A JP62080099A JP8009987A JPS63246728A JP S63246728 A JPS63246728 A JP S63246728A JP 62080099 A JP62080099 A JP 62080099A JP 8009987 A JP8009987 A JP 8009987A JP S63246728 A JPS63246728 A JP S63246728A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、各画素のスイッチング素子として非線形素子
を用いる液晶アクティブマトリクスパネルに関するもの
であり、特に、同一基板面上の電極にクロスオーバー部
がないことを特徴とするものである。
を用いる液晶アクティブマトリクスパネルに関するもの
であり、特に、同一基板面上の電極にクロスオーバー部
がないことを特徴とするものである。
（従来技術）
二つの基板を所定の間隙をおいて貼り合わせ、この間隙
内に液晶を封入しかつ封止し、上記二つの基板の一方を
ガラス等の絶縁基板としてこの上に画素電極と画素に接
続する薄膜非線形スイッチング素子を形成し、他方の基
板上に画素列に対応した共通電極を設けてなる液晶表示
素子がある。
内に液晶を封入しかつ封止し、上記二つの基板の一方を
ガラス等の絶縁基板としてこの上に画素電極と画素に接
続する薄膜非線形スイッチング素子を形成し、他方の基
板上に画素列に対応した共通電極を設けてなる液晶表示
素子がある。
従来の液晶表示素子には、例えば、アモルファスシリコ
ン（ａ−５ｔ）又は多結晶シリコン（Ｐ−Ｓｔ）半導体
素子をスイッチング素子として各画素に通用し、通常の
ドントマトリクス型の液晶表示素子の難点を克服して、
１／２００以下の高デユーテイ化、高コントラスト化に
対応したものがある。
ン（ａ−５ｔ）又は多結晶シリコン（Ｐ−Ｓｔ）半導体
素子をスイッチング素子として各画素に通用し、通常の
ドントマトリクス型の液晶表示素子の難点を克服して、
１／２００以下の高デユーテイ化、高コントラスト化に
対応したものがある。
そして、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以
下ｒＴＦＴＪという）を形成し、このＴＦＴを含む基板
の歩留りを向上させるために、１画素に対し複数個のＴ
ＦＴを形成し、無欠陥のＴＦＴを１個だけ残して画素に
接続し、他のＴＦＴの電気的接続をレーザ光などによる
トリミングで切断することなどが提案されている。
下ｒＴＦＴＪという）を形成し、このＴＦＴを含む基板
の歩留りを向上させるために、１画素に対し複数個のＴ
ＦＴを形成し、無欠陥のＴＦＴを１個だけ残して画素に
接続し、他のＴＦＴの電気的接続をレーザ光などによる
トリミングで切断することなどが提案されている。
しかし、従来の構造によれば、ＴＦＴに接続されるゲー
ト線とソース線が基板上で直交し、クロスオーバーと言
われる重ね合わせ部分が形成されるため、クロスオーバ
ー部でのゲート線とソース線の短絡、浮遊容量の存在な
どが問題とされていた。
ト線とソース線が基板上で直交し、クロスオーバーと言
われる重ね合わせ部分が形成されるため、クロスオーバ
ー部でのゲート線とソース線の短絡、浮遊容量の存在な
どが問題とされていた。
また、液晶表示を行うためには、基板の有効表示面に対
しポリイミド等を主成分とする配向膜をスピナあるいは
ロールコータ−等で塗布し、焼成のあとラビング処理を
施すというような仕上げ処理を行う必要があるが、従来
の構造に係る基板によれば、ラビング時の力学的応力に
よってＴＦＴが破壊されるという問題もあった。
しポリイミド等を主成分とする配向膜をスピナあるいは
ロールコータ−等で塗布し、焼成のあとラビング処理を
施すというような仕上げ処理を行う必要があるが、従来
の構造に係る基板によれば、ラビング時の力学的応力に
よってＴＦＴが破壊されるという問題もあった。
（目的）
本発明は、かかる従来の問題点を解消するためになされ
たちのてあっ゛て、ゲート線とソース線を平行に配置す
ることによりクロスオーバー部をなくしてゲート線とソ
ース線の短絡、浮遊容量の存在などの問題を解消した液
晶アクティブマトリクスパネルを提供することを目的と
する。
たちのてあっ゛て、ゲート線とソース線を平行に配置す
ることによりクロスオーバー部をなくしてゲート線とソ
ース線の短絡、浮遊容量の存在などの問題を解消した液
晶アクティブマトリクスパネルを提供することを目的と
する。
（構成）
本発明は、液晶アクティブマトリクスパネルにおいで、
画素に接続する薄膜非線形素子がＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）であり、かつ、ゲート線とソース線が平行に配置
されて電極部のクロスオーバー部分を有しないことを特
徴とする。
画素に接続する薄膜非線形素子がＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）であり、かつ、ゲート線とソース線が平行に配置
されて電極部のクロスオーバー部分を有しないことを特
徴とする。
以下、図面を参照しながら本発明にかかる液晶アクティ
ブマトリクスパネルの実施例を説明する。
ブマトリクスパネルの実施例を説明する。
第１図は本発明の液晶アクティブマトリクスパネルに通
用される一方の基板であって薄膜非線形素子を有する側
の基板の製造方法の例を示す。第１図（ａ）において、
ガラス（例えばコーニング社７０５９など）基板１０上
にまず５ｉ０２でなる絶縁膜１１を蒸着、スパッタ法な
どにより形成する。絶縁膜１１の膜厚は、後に述べるＴ
ＦＴの物理的高さ程度である０、８〜１．２μｍとする
。次に、フォトエツチングにより絶縁膜１１の一部を除
去してＴＦＴ及びゲート線を配置すべき溝（トレンチ）
１２を形成する。
用される一方の基板であって薄膜非線形素子を有する側
の基板の製造方法の例を示す。第１図（ａ）において、
ガラス（例えばコーニング社７０５９など）基板１０上
にまず５ｉ０２でなる絶縁膜１１を蒸着、スパッタ法な
どにより形成する。絶縁膜１１の膜厚は、後に述べるＴ
ＦＴの物理的高さ程度である０、８〜１．２μｍとする
。次に、フォトエツチングにより絶縁膜１１の一部を除
去してＴＦＴ及びゲート線を配置すべき溝（トレンチ）
１２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示されているように、絶縁膜１１
の上でありかつ溝１２の外側の一例に透明導電膜でなる
画素電極１３をフォトエツチングにより形成する。上記
透明導電膜の材料としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｘｉｄｏ）を用いることができる。さらに、溝１２
の底部には基板１０側からの入射光による漏れ電流を防
止するための絶縁性の遮光膜１４を形成する。そのあと
、遮光膜１４の上に蒸着法やスパッタ法によりＣｒ膜を
１０００〜２０００人の膜厚に形成し、これをフォトエ
ツチングにより所定＠（２５〜４０μｍ程度）に成形し
てゲート電極線１５を形成する。
の上でありかつ溝１２の外側の一例に透明導電膜でなる
画素電極１３をフォトエツチングにより形成する。上記
透明導電膜の材料としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｘｉｄｏ）を用いることができる。さらに、溝１２
の底部には基板１０側からの入射光による漏れ電流を防
止するための絶縁性の遮光膜１４を形成する。そのあと
、遮光膜１４の上に蒸着法やスパッタ法によりＣｒ膜を
１０００〜２０００人の膜厚に形成し、これをフォトエ
ツチングにより所定＠（２５〜４０μｍ程度）に成形し
てゲート電極線１５を形成する。
第１図（ｃ）の工程では、溝１２内においてゲート電極
線１５を覆うように窒化シリコン（ＳｉＮｘ）による絶
縁膜１６をフォトエツチングにより形成し、さらに、プ
ラズマＣＶＤ法等によりＳｉｋガスを用いて絶縁膜１６
を覆うようにａ−Ｓｔ層１７を設け、さらにＳｉＮｘ層
１８をコンタクト部以外にフォトリソ形成し、次に、プ
ラズマＣＶＤ法によりＰＨ３をドープしたＮタイプのａ
−５ｉ層１９、又はａ−Ｓｉｊｉｉにイオン注入法によ
り形成したＰ型のＰ（燐）又はＢ（ボロン）によるドー
プ層を設ける。
線１５を覆うように窒化シリコン（ＳｉＮｘ）による絶
縁膜１６をフォトエツチングにより形成し、さらに、プ
ラズマＣＶＤ法等によりＳｉｋガスを用いて絶縁膜１６
を覆うようにａ−Ｓｔ層１７を設け、さらにＳｉＮｘ層
１８をコンタクト部以外にフォトリソ形成し、次に、プ
ラズマＣＶＤ法によりＰＨ３をドープしたＮタイプのａ
−５ｉ層１９、又はａ−Ｓｉｊｉｉにイオン注入法によ
り形成したＰ型のＰ（燐）又はＢ（ボロン）によるドー
プ層を設ける。
第１図（ｄ）の工程では、ＡＩ、ＣｒｔＮｉ等によるソ
ース線２０をゲート線１５と平行に、かつ、溝１２から
その外側にまたがって形成する。ソース線２０は、蒸着
法又はスパッタ法で１０００〜２０００人の膜厚に成膜
したのち、フットエツチングにより所定の電極パターン
として形成する。このとき、ソース線２０からＴＦＴへ
の接続線２１及びドレイン線としての画素電極への接続
線２４も同時に形成される。また第２図に示されている
ように、ソース線２０からＴＦＴへの接続線として三つ
の接続線２１．２２．２３が並列的に形成され、画素電
極１３への接続線も三つの接続線２４．２５．２６が並
列的に形成されて三つのＴＦＴが形成される。そのあと
、５ｉ０２、ＳｉＮｘ等を前述の適宜の方法でパターン
化して形成し、パンシベーション膜２８とする。
ース線２０をゲート線１５と平行に、かつ、溝１２から
その外側にまたがって形成する。ソース線２０は、蒸着
法又はスパッタ法で１０００〜２０００人の膜厚に成膜
したのち、フットエツチングにより所定の電極パターン
として形成する。このとき、ソース線２０からＴＦＴへ
の接続線２１及びドレイン線としての画素電極への接続
線２４も同時に形成される。また第２図に示されている
ように、ソース線２０からＴＦＴへの接続線として三つ
の接続線２１．２２．２３が並列的に形成され、画素電
極１３への接続線も三つの接続線２４．２５．２６が並
列的に形成されて三つのＴＦＴが形成される。そのあと
、５ｉ０２、ＳｉＮｘ等を前述の適宜の方法でパターン
化して形成し、パンシベーション膜２８とする。
第２図について上述したように、１画素に対し３個のＴ
ＦＴが並列に形成され、これによりＴＦＴアレイ領域３
０を形成しているが、実際には１画素に対して１個のＴ
ＦＴが設けられていれば充分である。そこで、欠陥のな
い１個のＴＦＴを残し、第３図に示されているように他
の２個のＴＦＴのソース線及びドレイン線をレーザ光等
を用いて切断する所謂トリミングを施す。
ＦＴが並列に形成され、これによりＴＦＴアレイ領域３
０を形成しているが、実際には１画素に対して１個のＴ
ＦＴが設けられていれば充分である。そこで、欠陥のな
い１個のＴＦＴを残し、第３図に示されているように他
の２個のＴＦＴのソース線及びドレイン線をレーザ光等
を用いて切断する所謂トリミングを施す。
第４図は、以上のような工程を経て形成された基板の様
子を示したものであり、ゲート線１５とソース＃Ｍ２０
は平行に形成されてクロスオーバー部分がなく、また、
表面の凹凸が少なく略平坦な基板が得られる。
子を示したものであり、ゲート線１５とソース＃Ｍ２０
は平行に形成されてクロスオーバー部分がなく、また、
表面の凹凸が少なく略平坦な基板が得られる。
上記のようにして形成された基板は、第５図に示されて
いるように下側の基板とされ、この下側の基板に対し上
側の基板３７を所定の間隙をおいて貼り合わせ、この間
隙内に液晶３９を封入しかつ封止する。上側基板３７の
下面側には画素列に対応した共通電極３８が形成されて
いる。こうして液晶アクティブマトリクスパネルが完成
する。上記基板３７はガラス又は高分子フィルムで構成
することができ、高分子フィルムとしては１軸延伸性ポ
リエチレンテレフタレートフイルムを用いることができ
る。
いるように下側の基板とされ、この下側の基板に対し上
側の基板３７を所定の間隙をおいて貼り合わせ、この間
隙内に液晶３９を封入しかつ封止する。上側基板３７の
下面側には画素列に対応した共通電極３８が形成されて
いる。こうして液晶アクティブマトリクスパネルが完成
する。上記基板３７はガラス又は高分子フィルムで構成
することができ、高分子フィルムとしては１軸延伸性ポ
リエチレンテレフタレートフイルムを用いることができ
る。
上記実施例によれば、画素に接続する非線形素子として
ＴＦＴを形成し、このＴＦＴのゲート線とソース線を平
行に配置してクロスオーバー部分を設けないようにした
ので、ゲート線とソース線の短絡や浮遊容量の存在等の
問題が解消される。
ＴＦＴを形成し、このＴＦＴのゲート線とソース線を平
行に配置してクロスオーバー部分を設けないようにした
ので、ゲート線とソース線の短絡や浮遊容量の存在等の
問題が解消される。
また、基板の絶縁膜に溝を形成し、この溝内にＴＦＴを
形成したので、基板面が略平坦となり、ラビング等によ
る基板の仕上げ時の力学的応力に対する強度を高めるこ
とができる。さらに、複数個のＴＦＴから無欠陥のＴＦ
Ｔを１個だけ選択して画素に接続する所謂冗長性構造を
採ったので、基板の歩留りを向上させることができる。
形成したので、基板面が略平坦となり、ラビング等によ
る基板の仕上げ時の力学的応力に対する強度を高めるこ
とができる。さらに、複数個のＴＦＴから無欠陥のＴＦ
Ｔを１個だけ選択して画素に接続する所謂冗長性構造を
採ったので、基板の歩留りを向上させることができる。
（効果）
本発明によれば、画素に接続する非線形素子としてＴＦ
Ｔを形成し、このＴＦＴのゲート線とソース線を平行に
配置してクロスオーバー部分を設けないようにしたので
、ゲート線とソース線の短絡や浮遊容量の存在等の問題
が解消される。
Ｔを形成し、このＴＦＴのゲート線とソース線を平行に
配置してクロスオーバー部分を設けないようにしたので
、ゲート線とソース線の短絡や浮遊容量の存在等の問題
が解消される。
第１図は本発明に通用可能な一方の基板の製造方法の例
を工程順に示す拡大断面図、第２図は上記基板の製造工
程の途中を示す平面図、第３図は別の製造工程の平面図
、第４図は上記基板のより広い範囲を示す平面図、第５
図は上記基板を用いた本発明に係る液晶アクティブマト
リクスパネルの実施例を示す断面図である。 １０．３７ ・・基板、 １１・・絶縁膜、 １２・
・溝、１３・・画素電極、 １５・・ゲート線、 ２０
・・ソース線、 ３８・・共通電極、 ３９・・液晶。 う、＝１０ パ 弗４日 弗δ 口 形り幻
を工程順に示す拡大断面図、第２図は上記基板の製造工
程の途中を示す平面図、第３図は別の製造工程の平面図
、第４図は上記基板のより広い範囲を示す平面図、第５
図は上記基板を用いた本発明に係る液晶アクティブマト
リクスパネルの実施例を示す断面図である。 １０．３７ ・・基板、 １１・・絶縁膜、 １２・
・溝、１３・・画素電極、 １５・・ゲート線、 ２０
・・ソース線、 ３８・・共通電極、 ３９・・液晶。 う、＝１０ パ 弗４日 弗δ 口 形り幻
Claims (1)
- １、二つの基板を所定の間隙をおいて貼り合わせ、この
間隙内に液晶を封入し封止した液晶表示素子の上記二つ
の基板の一方をガラス等の絶縁基板としてその上に画素
電極と画素に接続する薄膜非線形素子を形成し、下方の
基板上に画素列に対応した共通電極を設けてなる液晶ア
クティブマトリクスパネルにおいて、上記薄膜非線形素
子はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）であり、かつ、ゲート
線とソース線が平行に配置されて電極部のクロスオーバ
ー部分を有しないことを特徴とする液晶アクティブマト
リクスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080099A JPS63246728A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 液晶アクテイブマトリクスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62080099A JPS63246728A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 液晶アクテイブマトリクスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63246728A true JPS63246728A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13708738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62080099A Pending JPS63246728A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 液晶アクテイブマトリクスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63246728A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0608090A1 (en) * | 1993-01-18 | 1994-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device which can be applied to liquid crystal display apparatus and method of manufacturing such a semiconductor device |
| JPH11218781A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US6611301B2 (en) | 1997-12-19 | 2003-08-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same |
| JP2003262881A (ja) * | 2003-01-16 | 2003-09-19 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| WO2020065962A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62080099A patent/JPS63246728A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0608090A1 (en) * | 1993-01-18 | 1994-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device which can be applied to liquid crystal display apparatus and method of manufacturing such a semiconductor device |
| US5783842A (en) * | 1993-01-18 | 1998-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having an insulating layer having a concave section formed by oxidizing a semiconductor layer |
| US6611301B2 (en) | 1997-12-19 | 2003-08-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same |
| US6897932B2 (en) | 1997-12-19 | 2005-05-24 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device having a concave recess formed above a substrate in correspondence with a plurality of wirings and an electro-optical apparatus having same |
| JPH11218781A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2003262881A (ja) * | 2003-01-16 | 2003-09-19 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| WO2020065962A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
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