JPS63246032A - Ａｄ変換回路 - Google Patents
Ａｄ変換回路Info
- Publication number
- JPS63246032A JPS63246032A JP8030387A JP8030387A JPS63246032A JP S63246032 A JPS63246032 A JP S63246032A JP 8030387 A JP8030387 A JP 8030387A JP 8030387 A JP8030387 A JP 8030387A JP S63246032 A JPS63246032 A JP S63246032A
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- JP
- Japan
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- voltage
- conversion
- circuit
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- voltage dividing
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 229910005580 NiCd Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば電圧の変化を検出して制御信号を形成
する場合に使用して好適なＡＤ変換回路に関する。
する場合に使用して好適なＡＤ変換回路に関する。
本発明はＡＤ変換回路に関し、入力信号の電圧の上昇に
従って参照用の低電位を上げて行くことにより、特に高
電位近傍での分解能か高められるようにするものである
。
従って参照用の低電位を上げて行くことにより、特に高
電位近傍での分解能か高められるようにするものである
。
例えばＮｉＣｄバッテリーの急速充電を行う場合に、バ
ッテリーが満充電に達した後に充電を続けていると過充
電となって爆発等の危険がある。
ッテリーが満充電に達した後に充電を続けていると過充
電となって爆発等の危険がある。
これに対してＮｉＣｄバッテリーの端子電圧を観察して
いると、第２図に示すように端子電圧は満充電になるま
で（期間Ａ）は上がり続けると共に、満充電後（期間Ｂ
）にさらに充電（を流を流す）を続けると端子電圧は降
下し始める。
いると、第２図に示すように端子電圧は満充電になるま
で（期間Ａ）は上がり続けると共に、満充電後（期間Ｂ
）にさらに充電（を流を流す）を続けると端子電圧は降
下し始める。
そこでＮｉＣｄバッテリーの端子電圧を観測し、この電
圧がピークに達した後に所定電圧Δ■下がったことを検
出し、この検出信号にて充電を停止させることが提案さ
れた。
圧がピークに達した後に所定電圧Δ■下がったことを検
出し、この検出信号にて充電を停止させることが提案さ
れた。
この場合に端子電圧の観測にはいわゆるＡＤ変換回路を
用いてこのピットの信号の変化を検出する方法がマイク
ロコンピュータ等との組合せにおいて有効である。
用いてこのピットの信号の変化を検出する方法がマイク
ロコンピュータ等との組合せにおいて有効である。
ところがこの場合に、例えば２８．５Ｖのピーク電圧を
検出するために８ビツトのＡＤ変換回路を用いるとその
分解能は１００ｍＶ以上になってしまう。一方上述の過
充電の検出を行う降下電圧ΔＶは４０ｍＶ程度か適当で
ある。従ってこのような構成では適切な検出を行うこと
ができなかった。またこれだけのためにさらに多ビット
のＡＤ変換回路を用いることは製造コスト等の面で好ま
しくない。
検出するために８ビツトのＡＤ変換回路を用いるとその
分解能は１００ｍＶ以上になってしまう。一方上述の過
充電の検出を行う降下電圧ΔＶは４０ｍＶ程度か適当で
ある。従ってこのような構成では適切な検出を行うこと
ができなかった。またこれだけのためにさらに多ビット
のＡＤ変換回路を用いることは製造コスト等の面で好ま
しくない。
ところでＡＤ変換回路の分解能を高める方法は種徨提案
されている。例えば第３図においては、入力信号の電圧
の最大値に相当する電圧ｖＢを複数の抵抗器Ｒ１〜Ｒｎ
が直列に接続された分圧回路で分圧し、この各抵抗器の
両端の電圧を連動スイッチＳＷｌ、ＳＷ２を介してそれ
ぞれＡＤ変換回路の参照用の高電位Ｖｃｃ及び低電位Ｖ
ｓｓとしてＩ用いる。これによれば、入力信号のレベル
に応じて連動スイッチＳＷ１． ｓｗ２を順次切換えて
行くことにより、各抵抗器の両端間の電圧を例えば２５
６等分した値の分解能を得ることができる。
されている。例えば第３図においては、入力信号の電圧
の最大値に相当する電圧ｖＢを複数の抵抗器Ｒ１〜Ｒｎ
が直列に接続された分圧回路で分圧し、この各抵抗器の
両端の電圧を連動スイッチＳＷｌ、ＳＷ２を介してそれ
ぞれＡＤ変換回路の参照用の高電位Ｖｃｃ及び低電位Ｖ
ｓｓとしてＩ用いる。これによれば、入力信号のレベル
に応じて連動スイッチＳＷ１． ｓｗ２を順次切換えて
行くことにより、各抵抗器の両端間の電圧を例えば２５
６等分した値の分解能を得ることができる。
ところがこの回路の場合に、任意の抵抗器によるＡＤ変
換値が最大値を越えたときに、例えばＣＰＵの出力によ
って連動スイッチＳＷｌ、ＳＷ２をその上の抵抗器に切
換えるようにされているが、このとき入力信号のピーク
値がこの切換え点の近傍にあると、このピーク値から降
下した電圧の検出が容易に行えない場合が生じる。
換値が最大値を越えたときに、例えばＣＰＵの出力によ
って連動スイッチＳＷｌ、ＳＷ２をその上の抵抗器に切
換えるようにされているが、このとき入力信号のピーク
値がこの切換え点の近傍にあると、このピーク値から降
下した電圧の検出が容易に行えない場合が生じる。
これに対して本願出願人は先に、入力信号のレベルに応
じて分解能の変化される回路を提案している（特公昭５
７−１０．６１２号公報、特公昭５７−５３，６９８号
公報参照）。しかしながらこの回路の場合、実施例から
も明らかなように入力信号のレベルか上がるに従って分
解能は下がる方向に制御されており、上述した本願の目
的に適するものではなかった。
じて分解能の変化される回路を提案している（特公昭５
７−１０．６１２号公報、特公昭５７−５３，６９８号
公報参照）。しかしながらこの回路の場合、実施例から
も明らかなように入力信号のレベルか上がるに従って分
解能は下がる方向に制御されており、上述した本願の目
的に適するものではなかった。
以上述べたよ５に従来の技術では、入力−信号の電圧が
高いときに分解能を高くすると共に、その切換えを円滑
に行うことができないなどの問題点があった。
高いときに分解能を高くすると共に、その切換えを円滑
に行うことができないなどの問題点があった。
本発明は、ＡＤ変換（回路（２））の参照用の高電位ｖ
ＣＣを複数の分圧点を有する分圧回路（３）で分圧し、
この分圧回路゛の各分圧点の出力をスイッチ（４）で選
択して上記ＡＤ変換の参照用の低電位Ｖｓｓとして用い
るようにし、入力信号の電圧の上昇に従って上記スイッ
チを順次高電位の分圧点に切換えて行くことにより、上
記ＡＤ変換の分解能が段階的に上げられるようにしたこ
とを特徴とするＡＤ変換回路である。
ＣＣを複数の分圧点を有する分圧回路（３）で分圧し、
この分圧回路゛の各分圧点の出力をスイッチ（４）で選
択して上記ＡＤ変換の参照用の低電位Ｖｓｓとして用い
るようにし、入力信号の電圧の上昇に従って上記スイッ
チを順次高電位の分圧点に切換えて行くことにより、上
記ＡＤ変換の分解能が段階的に上げられるようにしたこ
とを特徴とするＡＤ変換回路である。
これによれば、入力信号の電圧の上昇に従って分解能が
高められると共に、この切換えが常にオーバーラツプを
持って行われるので、極めて円滑な切換えを行うことが
できる。
高められると共に、この切換えが常にオーバーラツプを
持って行われるので、極めて円滑な切換えを行うことが
できる。
第１図において、ＡＤ変換の参照用の高電位Ｖｃｃの供
給される入力端子１１）がＡＤ変換回路（２）のＶｃｃ
入力に接続されると共に、上述の入力端子（１）が抵抗
器Ｒ１〜Ｒ詐の直列接続からなる分圧回路（３）を通じ
て接地される。この分圧回路（３）の各分圧点及び接地
端がスイッチ（４）の各固定接点に接続され、このスイ
ッチ（４）の可動接点がＡＤ変換回路（２）の参照用の
低電位Ｖｓｓの入力に接続される。
給される入力端子１１）がＡＤ変換回路（２）のＶｃｃ
入力に接続されると共に、上述の入力端子（１）が抵抗
器Ｒ１〜Ｒ詐の直列接続からなる分圧回路（３）を通じ
て接地される。この分圧回路（３）の各分圧点及び接地
端がスイッチ（４）の各固定接点に接続され、このスイ
ッチ（４）の可動接点がＡＤ変換回路（２）の参照用の
低電位Ｖｓｓの入力に接続される。
さらに被測定用の入力信号の供給される入力端子（５）
がＡＤ変換回路（２）のＡＤ変換入力に接続、され、Ａ
Ｄ変換出力が例えばＣＰ Ｕ （６１に接続される。そ
してこのＣＰＵ（６）にてＡＤ変換値に応じ℃充電停止
等の制御信号の形成が行われると共に、例えばＡＤ変換
値が最大値の５０％を越えたときにスイッチ（４）を順
次高電位側の分圧点に切換える制御信号が形成される。
がＡＤ変換回路（２）のＡＤ変換入力に接続、され、Ａ
Ｄ変換出力が例えばＣＰ Ｕ （６１に接続される。そ
してこのＣＰＵ（６）にてＡＤ変換値に応じ℃充電停止
等の制御信号の形成が行われると共に、例えばＡＤ変換
値が最大値の５０％を越えたときにスイッチ（４）を順
次高電位側の分圧点に切換える制御信号が形成される。
従ってこの回路において、例えば８ビツトのＡＤ変換回
路（２）を用いる場合にＶｃｃを例えば２Ｂ、５Ｖとし
【、ｎ＝１０とすると各抵抗器Ｒ１〜Ｒｎ−１の降下電
圧を例えば２．５６Ｖにすることができろ。なおこの場
合に抵抗器Ｒｎの降下電圧は５．４６Ｖとされ、ここで
この抵抗器Ｒｎを可変抵抗器として各抵抗、器Ｒ１〜Ｒ
ｎ−１の降下電圧か所望の値となるように調整すること
ができる。
路（２）を用いる場合にＶｃｃを例えば２Ｂ、５Ｖとし
【、ｎ＝１０とすると各抵抗器Ｒ１〜Ｒｎ−１の降下電
圧を例えば２．５６Ｖにすることができろ。なおこの場
合に抵抗器Ｒｎの降下電圧は５．４６Ｖとされ、ここで
この抵抗器Ｒｎを可変抵抗器として各抵抗、器Ｒ１〜Ｒ
ｎ−１の降下電圧か所望の値となるように調整すること
ができる。
そしてこの回路において、スイッチ（４）が図面の１番
下の固定接点に接続されているときはＶｃｃ−Ｖｓｓ間
に２８．５Ｖが供給されて分解能は１００ｍＶ以上にな
るが、この状態でＡＤ変換値が最大値の５０％を越えて
次の固定接点に切換えられると、Ｖｃｃ−Ｖｓｓは２．
５６Ｘ９＝２３．０４Ｖとなり、分解能は９０ｍＶにな
る。さらにスイッチ（４）が１１１次上の固定接点に換
えられるに従って分解能は８ ＱｍＶ 、 ７ ＱｍＶ
・・・・・・と変化され、図面１番上の固定接点に接続
されているどきはＶｃｃ−Ｖｓｓ間は２．５６Ｖとなっ
て分解能は１０ｍＶになる。
下の固定接点に接続されているときはＶｃｃ−Ｖｓｓ間
に２８．５Ｖが供給されて分解能は１００ｍＶ以上にな
るが、この状態でＡＤ変換値が最大値の５０％を越えて
次の固定接点に切換えられると、Ｖｃｃ−Ｖｓｓは２．
５６Ｘ９＝２３．０４Ｖとなり、分解能は９０ｍＶにな
る。さらにスイッチ（４）が１１１次上の固定接点に換
えられるに従って分解能は８ ＱｍＶ 、 ７ ＱｍＶ
・・・・・・と変化され、図面１番上の固定接点に接続
されているどきはＶｃｃ−Ｖｓｓ間は２．５６Ｖとなっ
て分解能は１０ｍＶになる。
すなわちこの回路において入力信号の電圧の上昇に従っ
てスイッチ（４ンが順次切換えられて行くことにより、
ＡＤ変換の分解能が段階的に上げられる。
てスイッチ（４ンが順次切換えられて行くことにより、
ＡＤ変換の分解能が段階的に上げられる。
そして例えば上述の条件でスイッチ（４）が１番上の固
定接点に接続されている状態でＡＤ変換値かピーク値か
ら「４」下がったとき、あるいはスイッチ（４）が上か
ら２番目の固定接点に接続されている状態で値が「２」
下がったときに４ ＱｍＶの電圧降下がＣＰＵ（６）で
判別され、充電停止等の制御を行うことができる。
定接点に接続されている状態でＡＤ変換値かピーク値か
ら「４」下がったとき、あるいはスイッチ（４）が上か
ら２番目の固定接点に接続されている状態で値が「２」
下がったときに４ ＱｍＶの電圧降下がＣＰＵ（６）で
判別され、充電停止等の制御を行うことができる。
また上述の回路において、スイッチ（４）の切換えは常
に変換される範囲の略中央で行われ、ＡＤ変換の範囲が
オーバーラツプされているので、切換えが極めて円滑に
行われ、良好なＡＤ変換を行うことができる。
に変換される範囲の略中央で行われ、ＡＤ変換の範囲が
オーバーラツプされているので、切換えが極めて円滑に
行われ、良好なＡＤ変換を行うことができる。
この発明によれば、入力信号の電圧の上昇に従って分解
能が高められると共に、この切換えが常にオーバーラツ
プを持って行われるので、極めて円滑な切換えを行うこ
とができるようになった。
能が高められると共に、この切換えが常にオーバーラツ
プを持って行われるので、極めて円滑な切換えを行うこ
とができるようになった。
第１図は本発明の一例の構成図、第２図、第３図は従来
の技術の説明のための図である。 山（５）は入力端子、（２）はＡＤ変換回路、（３）は
分圧回路、（４）はスイッチ、（６）はＣＰＵである。 イ０１端へ′図 第３図
の技術の説明のための図である。 山（５）は入力端子、（２）はＡＤ変換回路、（３）は
分圧回路、（４）はスイッチ、（６）はＣＰＵである。 イ０１端へ′図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＡＤ変換の参照用の高電位を複数の分圧点を有する分圧
回路で分圧し、 この分圧回路の各分圧点の出力をスイツチで選択して上
記ＡＤ変換の参照用の低電位として用いるようにし、 入力信号の電圧の上昇に従つて上記スイツチを順次高電
位の分圧点に切換えて行くことにより、上記ＡＤ変換の
分解能が段階的に上げられるようにしたことを特徴とす
るＡＤ変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030387A JPH07109987B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ａｄ変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030387A JPH07109987B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ａｄ変換回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63246032A true JPS63246032A (ja) | 1988-10-13 |
| JPH07109987B2 JPH07109987B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=13714505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8030387A Expired - Lifetime JPH07109987B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Ａｄ変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109987B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05143222A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Smk Corp | タブレツトの位置検出方法 |
| JPH05143221A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Smk Corp | 抵抗感圧型タブレツト |
| JPH05143223A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Smk Corp | タブレツトの位置検出方法 |
| EP0921627A2 (en) * | 1994-04-01 | 1999-06-09 | National Semiconductor Corporation | High voltage charge pump using low voltage type transistors |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP8030387A patent/JPH07109987B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05143222A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Smk Corp | タブレツトの位置検出方法 |
| JPH05143221A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Smk Corp | 抵抗感圧型タブレツト |
| JPH05143223A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Smk Corp | タブレツトの位置検出方法 |
| EP0921627A2 (en) * | 1994-04-01 | 1999-06-09 | National Semiconductor Corporation | High voltage charge pump using low voltage type transistors |
| EP0921627A3 (en) * | 1994-04-01 | 1999-09-22 | National Semiconductor Corporation | High voltage charge pump using low voltage type transistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109987B2 (ja) | 1995-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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