JPS63244654A - 樹脂封止型集積回路装置 - Google Patents

樹脂封止型集積回路装置

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JPS63244654A
JPS63244654A JP7617687A JP7617687A JPS63244654A JP S63244654 A JPS63244654 A JP S63244654A JP 7617687 A JP7617687 A JP 7617687A JP 7617687 A JP7617687 A JP 7617687A JP S63244654 A JPS63244654 A JP S63244654A
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JP
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integrated circuit
insulating substrates
hybrid
insulating substrate
island
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JP7617687A
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Hiromichi Sawatani
沢谷　博道
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明はリードフレームのアイランド上に固定された
集積回路を樹脂封止して成る樹脂封止型集積回路装置に
関する。
（従来の技術） リードフレームのアイランド上に集積回路を固定して成
る集積回路装置においては、半導体チ、プをじんあいか
ら保護する目的等のために、一般に、上記集積回路を封
止するようになっている。
との封止の方法として、気密封止方法や樹脂封止方法が
ある。
第３図に樹脂封止量の集積回路装置の一例を示す。図に
おいて、１１はリードフレームのアイランドであｐｌ　
１２は同じくリードである。１３は上記アイランド１１
上に固定された集積回路である。１４はアイランド１１
、リード１２の基端部並びに集積回路１３を一体的に封
止する樹脂封止外囲器である。
上記集積回路Ｉ３は例えばノ・イプリ、ド型の集積回路
である。すなわち、この集積回路１３は、アイランド１
１上に接着剤等によシ固定された絶縁基板１３１とこの
絶縁基板１３１上に形成されたハイブリッド単位体とか
ら成る。このノ・イプリ、ド単位体は、絶縁基板１３１
上に接着剤等によシ固定された複数の半導体チップ１３
２と、絶縁基板１３１上に形成された導体配線１３３、
それに、この導体配線１３３、半導体チ、ｆ１３２の′
ｆＩＬ億、リード１２を適宜接続するワイヤ１３４を有
する。
第４図は、樹脂封止型集積回路装置の他の例の構成を示
す断面図である。この樹脂封止型集積回路装置は、絶縁
基板１３１に孔１３５を形成し、一部の半導体チップ１
３２をこの孔１３５を介して接着剤等によシアイランド
１２に直接固定した点を除けば、先の第３図に示す装置
とほぼ同じ構成を有する。したがって、第４図において
、先の第３図とほぼ同一機能を果す部分には同一符号を
付す。
ところで、上述したような樹脂封止型集積回路装置にお
いては、近年、機能の増大に伴なって搭載される半導体
チッ′ｆ１５が増え、絶縁基板１３１が大型化してきて
いる。その結果、次のような問題が生じてきている＠ （１１まず、１つは、絶縁基板１３１の大型化により、
例えば、基板上に形成された複数の回路ブロックの入出
力特性の確認が難しくなシ、その結果、装置の設計が難
しくなってきていることである。
これは、特に、顧客仕様ニーズが多い）・イブリッド屋
の装置においては、短納期、低価格を実現する上で大き
な障害となっている。この問題に対処するなめに、／４
ターンをセル化することが考えられるが、ハイブリッド
型の装置でこれを実現することは非常に難しい。
（２）ｉた、１つは製造装置として大がかりな装置が必
要となってきていることである。すなわち、アイランド
１１と絶縁基板１３１との接合の信頼性を高めるために
は、絶縁基板１３１をアイランド１１に貼シつけ固定す
る際、一定の圧力と温度によって接着剤を硬化させる必
要がある。ここで、必要とする圧力は、基板面積に比例
するので、絶縁基板１３１が大型化すれば、必要とする
圧力も大きくなシ、これを発生するための製造装置も当
然大盤化する。例えば、現在、上記圧力としては１０　
ｋｌｌ／ｃｍ２程度のものが必要である。このような圧
力を得るには、非常に大きな製造装置が必要となる。し
たがって、今後、絶縁基板１３１が大型化していくこと
は、製造装置の設置スペースや設置経費等の面で大きな
問題を生む可能性が極めて高い。
（３）さらに、１つは、完成品の品質が低下する可能性
が高くなるということである。具体例の１つを挙げれば
、例えば、絶縁基板１３１をアイランド１１に固定する
場合、絶縁基板１３１が大きいために、基板全体に圧力
が均一に加わらず、十分な固定状態を得ることができな
い。また、接着剤を硬化後、ゴイトが発生しゃしかった
フ、温度や湿度の変化に対する伸縮量が大きい。このよ
うなことから、樹脂封止後、使用環境によっては、使用
に耐えられないものが生じる可能性が極めて高いわけで
ある。
（発明が解決しようとする問題点） 以上述べたように、樹脂封止型集積回路装置においては
、従来、絶縁基板の大型化に伴ない設計の困難化、製造
装置の大量化、完成品の品質の低下等の問題が生じてい
た。
そこでこの発明は、絶縁基板の大型化に伴なう設計の困
難化、製造装置の大型化、完成品の品質の低下等の問題
の発生を防止することができる樹脂封止型集積回路装置
を提供することを目的とする。
［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するためにこの発明は、複数の絶縁基板
をリードフレームのアイランド上に複数配置するととも
に、各絶縁基板ごとにハイブリ、ド単位体を形成し、こ
れら・・イツリッド単位体を樹脂封止外囲器で一体的に
封止するようにしたものである。
（作用） 上記構成によれば、搭載する半導体チップの数が増えて
も、内蔵する絶縁基板の数を適宜設定することによ少、
１つ１つの絶縁基板の小型化を図ることができ、かつ各
回路ブロックを各絶縁基板に分散することができるので
、上述した問題を解決することができる。
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細に説明す
る。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図である
。
第１図において、３１はリードフレームのアイランドで
ある。３２は同じくリードである。３３゜３４はアイラ
ンド３１上に構成されたハイブリッド型集積回路である
。３５はアイランド３１、ハイブリッド型集積回路３３
．３４並びにリード３２の一部を一体的に封止する樹脂
封止外囲器でちる。
上記ハイブリッド型集積回路３３は絶縁基板３３ノと、
この絶縁基板３３１に形成されたノ・イブリット単位体
を有する。絶縁基板３３ノは例えば接着剤によシアイラ
ンド３１に固定されている。
ハイブリット単位体は、絶縁基板３３１の上に形成され
た導体配線３３２、複数の半導体チップ３３３並びにワ
イヤ３３５を有する。上記半導体チ、グ３３３の一部は
例えば接着剤によシ絶縁基板３３１上に固定されている
。また、一部は絶縁基板３３１に形成された孔３３４を
介してアイランド３１上に例えば接着剤によｐ固定され
ている。
また、半導体チップ３３３の′ｇｌ他、導体配線３３２
、リード３２は上記ワイヤ３３５によって適宜接続され
ている。
なお、ハイブリッド型集積回路３４も同様に、絶縁基板
３４１と、導体配線３４２、半導体テップ３４３並びに
ワイヤ３４５から成るハイプリ。
ド単位体を有する。また、半導体チップ３４３の一部は
、絶縁基板３４１に形成された孔３４５を介してアイラ
ンド３１に固定されている。そして、絶縁基板３４１は
、ハイブリッド鳳集積回路３３の絶縁基板３３１とは別
個に形成されている。また、各絶縁基板３３１，３４１
に形成され九ノ・イ！す、ド単位体は、異なる回路機能
をもつように設定されている。
以上述べたよりにこの実施例は、別々の絶縁基板３３１
．３４１に形成されたハイブリッド単位体を一体的に樹
脂封止するようにしたものである。
このような構成によれば、次のような効果を得ることが
できる。
ｆｉ＋　　絶縁基板の複数化により、各回路プロ、りを
各絶縁基板３３１，３４１に分散することができるので
、各回路プロ、りごとの入出力特性の確認等が容易とな
り、装置の設計が容易となる。また、絶縁基板の複数化
によシ、予めセル等の分類された２イブ２すを持ってお
くことができるため、これらを適宜組み合わせることに
よｐ、容易にシステムを作シ上げることができる。以上
のような理由から、低価格を実現する上で設計の占める
ウェイトが大きい顧客仕様の場合、短納期、低価格を実
現することができる。
（２）　　絶縁基板の数を適宜設定することにより、１
つ１つの絶縁基板３３１，３４１を小型化することがで
きる。その結果、その貼付は固定に必要な圧力を発生す
る装置の小型化を図ることができる。
これにより、この装置の設置スペースの縮小や設置経費
の低減を図ることができる。また、製造ラインの必要な
箇所に容易に据え付けることができるため、既存の製造
ラインを使った自動化が可能である。
（３）絶縁基板３３１．３４１の小屋化が可能なので、
アイランド３１への貼付は固定時、１つの基板全体に均
等に圧力をかけることができ、信頼性の高い接合を得る
ことができる。
なお、信頼性に関しては、この他にも次のようなものが
挙げられる。
（４）　　温度変化に対して各絶縁基板３３１，３４１
の伸縮量が小さいため、配線切れ、基板割れ、ストレス
の付加による半導体チップの特性の変化を防ぐことがで
きる。
（５）導体配線３４２を短くすることができるので、イ
ンピーダンスの増加による電力損失の増加、動作速度の
遅延を防ぐことができる。
以上この発明の一実施例を詳細に説明したが、この発明
はこのような実施例に限定されるものではない。
例えば、絶縁基板の数は２つ以上であればいくつでもよ
い。第２図は４つの絶縁基板４１〜４４を設ける場合を
示す。
また、この発明は、導体配線を少なくともワイヤ接続用
の電億取シ出し部を残して絶縁被膜で被覆した装置や集
積回路を絶縁物でなる収納部に収納した状態で樹脂封止
した装置にも適用可能なことは勿論である。
この他にも発明の要旨を逸脱しなｈ範囲で種々様々変形
実施可能なことは勿論である。
［発明の効果コ 以上述べたようにこの発明によれば、搭載する半導体チ
ップの増加に伴なう設計の困難化、製造装置の大塵化、
品質の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第２
図はこの発明の他の実施例の構成を示す斜視図、第３図
及び第４図はそれぞれ従来の樹脂封止製集積回路装置の
異なる構成を示す断面図である。 ３１・・・アイランド、３２・・・リード、３３．３４
・・・集積回路、３５・・・樹脂封止外囲器、３３１゜
３４１．４１〜４４・・・絶縁基板、３３２，３４２・
・・導体配線、３３３，３４３・・・半導体チップ、３
３４．３４４・・・孔、３３５，３４５・・・ワイヤ。 出麩代私　弁塊土鈴江武彦

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）リードフレームのアイランド上に配置された複数
    の絶縁基板と、 これらの各絶縁基板ごとに形成された複数のハイブリッ
    ド単位体と、 これらのハイブリッド単位体を一体的に封止する樹脂封
    止外囲器と、 を備えてなることを特徴とする樹脂封止型集積回路装置
    。
  2. （２）前記複数のハイブリッド単位体は、互いに異なる
    回路機能を有する単位体で組み合わされていることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型集積回
    路装置。
JP7617687A 1987-03-31 1987-03-31 樹脂封止型集積回路装置 Pending JPS63244654A (ja)

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