JPS63240274A - Ｃｃｄセンサ - Google Patents
ＣｃｄセンサInfo
- Publication number
- JPS63240274A JPS63240274A JP63053866A JP5386688A JPS63240274A JP S63240274 A JPS63240274 A JP S63240274A JP 63053866 A JP63053866 A JP 63053866A JP 5386688 A JP5386688 A JP 5386688A JP S63240274 A JPS63240274 A JP S63240274A
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- JP
- Japan
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- sensor
- ccd sensor
- output
- detectors
- transmission
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Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 238000012952 Resampling Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］ ′
本発明は複数のフォトサイトおよび少なくともいくつか
のセンサフォトサイトが使用中放電するような少なくと
も１つの伝送レジスタを含む改良型ＣＣＤ （電荷結合
装置）に関するものである。
のセンサフォトサイトが使用中放電するような少なくと
も１つの伝送レジスタを含む改良型ＣＣＤ （電荷結合
装置）に関するものである。
特に、本発明は高解像度テレビジョンに適切なＣＣＤセ
ンサに関するものである。
ンサに関するものである。
［従来の技術］
高解像度テレビジョン用に提案された規格は以下の基準
に述べられている。
に述べられている。
ライン基準 １１２５
フィールド速度 ６０Ｈｚ。
インターレース
アスペクト比 ＩＢＸ９ （１，７７： １
）ライン能動数 １０３５ ライン当りの １９２０ 能動サンプル これらの基準から、高解像度テレビジョン画像を生成す
るためのテレシネ装置において用いるのに適切なＣＣＤ
直線配列センサについての明細を得ることが可能である
。
）ライン能動数 １０３５ ライン当りの １９２０ 能動サンプル これらの基準から、高解像度テレビジョン画像を生成す
るためのテレシネ装置において用いるのに適切なＣＣＤ
直線配列センサについての明細を得ることが可能である
。
この明細はまず、ＣＣＤセンサを用いるビデオ信号へ変
換されるフィルムのタイプに依存する。
換されるフィルムのタイプに依存する。
一般に以下の３つのタイプがある。
（１）アスペクト比１．８５：１を有する非アナモフィ
ックである一般にレリーズ、即ちワイドスクリーンプリ
ント； （２）アスペクト比２．３５：１を有するアナモフィッ
ク画像を伴う劇場的なレリーズプリント：（３）アスペ
クト比１．３’７：１を有するアナモフィック画像を伴
うドキュメンタリタイププリント。
ックである一般にレリーズ、即ちワイドスクリーンプリ
ント； （２）アスペクト比２．３５：１を有するアナモフィッ
ク画像を伴う劇場的なレリーズプリント：（３）アスペ
クト比１．３’７：１を有するアナモフィック画像を伴
うドキュメンタリタイププリント。
ここでは、例えば、アスペクト比２．３５：１を有する
劇場的レリーズプリントは高解像なディスプレイフォー
マット上に表示され、フィルム画像の端部で生じる活動
が所望されるなら表示されるように画像の全領域がモニ
タされることを可能にするためのステップがとられる。
劇場的レリーズプリントは高解像なディスプレイフォー
マット上に表示され、フィルム画像の端部で生じる活動
が所望されるなら表示されるように画像の全領域がモニ
タされることを可能にするためのステップがとられる。
図面の第１図は、高解像度ディスプレイ３がアナモフィ
ックフォーマット２の全ての高さを覆うような方法で高
解像度ディスプレイフォーマット３を有する劇場的レリ
ーズアナモフィックフォーマット２を示す。
ックフォーマット２の全ての高さを覆うような方法で高
解像度ディスプレイフォーマット３を有する劇場的レリ
ーズアナモフィックフォーマット２を示す。
フィルム画像の端部で生じる活動をカバーする能力を持
続するため、全てのフィルム画像は走査されなければな
らす、画像の領域を所望されたとき選択される高解像度
フォーマット中に現われさせるための手段が備えられな
ければならない。この技術はエレクトロニックパン（ｐ
ａｎｎｉｎｇ ）として知られている。
続するため、全てのフィルム画像は走査されなければな
らす、画像の領域を所望されたとき選択される高解像度
フォーマット中に現われさせるための手段が備えられな
ければならない。この技術はエレクトロニックパン（ｐ
ａｎｎｉｎｇ ）として知られている。
高解像度テレビジョンのため提案された規格に基づいて
存在する１９２０サンプルの全解像を維持するため、フ
ィルムは以下の式によって与えられる数即ちＮの能動画
素を有する線形センサアレイまたは光検出器を用いて線
毎に走査されなければならない。
存在する１９２０サンプルの全解像を維持するため、フ
ィルムは以下の式によって与えられる数即ちＮの能動画
素を有する線形センサアレイまたは光検出器を用いて線
毎に走査されなければならない。
従って、一般的使用において全ての３つのフィルムフォ
ーマットから高解像度テレビジョン信号を生じるのに用
いるのに適切なＣＣＤセンサへ組込まれることのできる
光検出器の最小数は２５３８である。
ーマットから高解像度テレビジョン信号を生じるのに用
いるのに適切なＣＣＤセンサへ組込まれることのできる
光検出器の最小数は２５３８である。
非アナモフィックワイドスクリーンフィルムプリントに
おいて、隣接するフレームの間に大きな未使用領域があ
る。これは上述のように１．８５：１のアスペクト比の
ためである。典型的に、フレーム間の距離は約１１．２
ｍｍのみ用いる垂直情報を伴った１９ｍｍである。この
フォーマットは、それ故、全ての３つのフィルムフォー
マットに用いることのできるセンサに必要な最も速いク
ロック速度を生じる。
おいて、隣接するフレームの間に大きな未使用領域があ
る。これは上述のように１．８５：１のアスペクト比の
ためである。典型的に、フレーム間の距離は約１１．２
ｍｍのみ用いる垂直情報を伴った１９ｍｍである。この
フォーマットは、それ故、全ての３つのフィルムフォー
マットに用いることのできるセンサに必要な最も速いク
ロック速度を生じる。
毎秒２４フレームのフィルム速度のため、センサによっ
て走査される各フレームの能動部分のため有効な時間Ｔ
は以下の式によって与えられる。
て走査される各フレームの能動部分のため有効な時間Ｔ
は以下の式によって与えられる。
高解像度テレビジョン信号のため提案された規格が１０
３５の能動ラインを必要とするので、各ラインを走査す
るために有効な時間ｔは、しかしながら、このセンサは
またビデオブランキング、クランピング回路およびフォ
トサイト伝送時間を考慮に入れる時間を必要とする。′
これらの必要条件のため総計３秒を許容することが正当
であり、それゆえ各ラインを走査するために有効な最大
時間は２０．７３秒である。結果的に、一般的に使用に
おいて全ての３つのフィルムフォーマットから高解像度
テレビジョン信号を生じることのできるＣＣＤセンサは
２０．５３秒以下において少なくとも２５３８電荷パケ
ツトを送ることが可能でなければならない。従って、お
よそ１２２ＭＨｚのクロック速度が必要とされる。
３５の能動ラインを必要とするので、各ラインを走査す
るために有効な時間ｔは、しかしながら、このセンサは
またビデオブランキング、クランピング回路およびフォ
トサイト伝送時間を考慮に入れる時間を必要とする。′
これらの必要条件のため総計３秒を許容することが正当
であり、それゆえ各ラインを走査するために有効な最大
時間は２０．７３秒である。結果的に、一般的に使用に
おいて全ての３つのフィルムフォーマットから高解像度
テレビジョン信号を生じることのできるＣＣＤセンサは
２０．５３秒以下において少なくとも２５３８電荷パケ
ツトを送ることが可能でなければならない。従って、お
よそ１２２ＭＨｚのクロック速度が必要とされる。
テレシネ装置に用いられるタイプの現行のＣＣＤセンサ
技術は第２図に概略的に示されている。センサ１０は２
つの伝送レジスタ１４と１６へ放電する複数のフォトサ
イト１２を含む。フォトサイト１２の別のものは２つの
伝送レジスタ１４とＩＢの各々へ放電する。このレジス
タは出力検出と増幅器段階によって課された制限のため
およそ１５ＭＨｚで動作する。
技術は第２図に概略的に示されている。センサ１０は２
つの伝送レジスタ１４と１６へ放電する複数のフォトサ
イト１２を含む。フォトサイト１２の別のものは２つの
伝送レジスタ１４とＩＢの各々へ放電する。このレジス
タは出力検出と増幅器段階によって課された制限のため
およそ１５ＭＨｚで動作する。
明らかに、このようなセンサは上述された高解像度セン
サの必要条件を満たすことができな（１゜この問題を解
決するための１つの提案が第３図に示されている。この
装置において、２つの伝送レジスタの各々が２つの分離
したレジスタ１４ａと１４ｂおよび１８ａと１８ｂへ分
割される。各々の対のレジスタは並列であるが反対方向
にクロ・ツクされ、従って伝送レジスタからデータを抽
出するため必要とされる時間を半減する。所望される１
２２ＭＨｚクロック速度を得るため、４つのレジスタ１
４ａ 、 １４ｂ 、 ｌｅａおよびＬ８ｂの各々は３
０．５ＭＨｚでクロックされる必要がある。このクロ・
ツク速度はまだ高く、この装置は、）く−スされ、伝送
レジスタからのビデオ信号の半分が反転され最終出力信
号を供給するため更に操作を必要とする付加的欠点を有
する。
サの必要条件を満たすことができな（１゜この問題を解
決するための１つの提案が第３図に示されている。この
装置において、２つの伝送レジスタの各々が２つの分離
したレジスタ１４ａと１４ｂおよび１８ａと１８ｂへ分
割される。各々の対のレジスタは並列であるが反対方向
にクロ・ツクされ、従って伝送レジスタからデータを抽
出するため必要とされる時間を半減する。所望される１
２２ＭＨｚクロック速度を得るため、４つのレジスタ１
４ａ 、 １４ｂ 、 ｌｅａおよびＬ８ｂの各々は３
０．５ＭＨｚでクロックされる必要がある。このクロ・
ツク速度はまだ高く、この装置は、）く−スされ、伝送
レジスタからのビデオ信号の半分が反転され最終出力信
号を供給するため更に操作を必要とする付加的欠点を有
する。
［発明の解決すべき課題］
本発明は上記のような欠点のない高い動作速度のＣＣＤ
センサを提供することを目的とする。
センサを提供することを目的とする。
［課題解決のための手段］
本発明のＣＣＤセンサは、伝送レジスタからの連続した
電荷パケットが順次複数の検出器の各々の１つへ選択的
に通されるように複数の検出器が伝送レジスタへ結合さ
れることを特徴とする。
電荷パケットが順次複数の検出器の各々の１つへ選択的
に通されるように複数の検出器が伝送レジスタへ結合さ
れることを特徴とする。
［実施例］
本発明に従ったＣＣＤセンサを、例示のみではあるが、
添付図面を参照して詳細に説明する。
添付図面を参照して詳細に説明する。
本発明のＣＣＤセンサは第２図のそれと広く似ており、
フォトサイトの線形アレイの交互の１つが移送ゲートを
経て放電する２つのレジスタが存在する。伝送レジスタ
それ自身の速度制限は理論上用いられたシリコン材料中
の電子移動度によってのみ制限される。現在の埋設チャ
ンネル技術を用いる装置において、非常に高い伝送周波
数が可能である。実際、１ギガヘルツまでの周波数はい
くつかの装置のために要求された。
フォトサイトの線形アレイの交互の１つが移送ゲートを
経て放電する２つのレジスタが存在する。伝送レジスタ
それ自身の速度制限は理論上用いられたシリコン材料中
の電子移動度によってのみ制限される。現在の埋設チャ
ンネル技術を用いる装置において、非常に高い伝送周波
数が可能である。実際、１ギガヘルツまでの周波数はい
くつかの装置のために要求された。
本発明者は、動作の速度における実際の制限が伝送レジ
スタによる出力における電荷パケットの検出において生
じることを認識した。これらの制限を克服するために、
伝送レジスタからの電荷パケットが複数の検出器の１つ
へ送られるセンサを提供することを提案する。
スタによる出力における電荷パケットの検出において生
じることを認識した。これらの制限を克服するために、
伝送レジスタからの電荷パケットが複数の検出器の１つ
へ送られるセンサを提供することを提案する。
第４図は第２図に示された一般型のＣＣＤセンサ、即ち
フォトサイトの交互のものが２個の伝送レジスタの１つ
へ放電するセンサの伝送レジスタ４０の１つを示す。電
荷パケットはラベルＢ、ＣおよびＤによって識別される
３個の検出器４２の１つへ連続して導かれる。各検出器
は出力回路４４を備えている。
フォトサイトの交互のものが２個の伝送レジスタの１つ
へ放電するセンサの伝送レジスタ４０の１つを示す。電
荷パケットはラベルＢ、ＣおよびＤによって識別される
３個の検出器４２の１つへ連続して導かれる。各検出器
は出力回路４４を備えている。
第４図に示されるように、各伝送レジスタ４０は３個の
余分な伝送ウェルＢ、ＣおよびＤと関連する。電荷パケ
ットは３個のウェルＢ、ＣおよびＤへ順次導かれそれか
ら出力検出ダイオードｎ＋へゲートされる。２個の伝送
レジスタを有するセンサはそれ故合計６個の検出器を有
する。結果的に、所望されるクロック速度１２２ＭＨｚ
を達成するため、各検出器は１２２ ／ ６ Ｍ Ｈｚ
、即ちおおよそ２０ Ｍ Ｈｚで動作しなければなら
ない。
余分な伝送ウェルＢ、ＣおよびＤと関連する。電荷パケ
ットは３個のウェルＢ、ＣおよびＤへ順次導かれそれか
ら出力検出ダイオードｎ＋へゲートされる。２個の伝送
レジスタを有するセンサはそれ故合計６個の検出器を有
する。結果的に、所望されるクロック速度１２２ＭＨｚ
を達成するため、各検出器は１２２ ／ ６ Ｍ Ｈｚ
、即ちおおよそ２０ Ｍ Ｈｚで動作しなければなら
ない。
３２ＭＨｚまでで検出可能なセンサが既に存在しており
、それ故２０ＭＨｚクロック速度はその能力範囲である
。
、それ故２０ＭＨｚクロック速度はその能力範囲である
。
第４図の装置の動作は以下の通りである。クロック信号
φ１およびφ２は補足的な方法でその出力端部Ａへ伝送
レジスタ４０に沿って電荷のパケットを伝送するためス
イッチされる。電荷パケットがＡに到達しφ２がその低
い状態であるとき、電荷パケットは伝送レジスタ４０の
他の部分のそれらと同様の電位ウェルＢ、ＣおよびＤに
よって検出器ｎ＋（４２Ｂ、 ４２Ｃまたは４２Ｄ）の
任意の１つへ送られることができる。制御クロックφ。
φ１およびφ２は補足的な方法でその出力端部Ａへ伝送
レジスタ４０に沿って電荷のパケットを伝送するためス
イッチされる。電荷パケットがＡに到達しφ２がその低
い状態であるとき、電荷パケットは伝送レジスタ４０の
他の部分のそれらと同様の電位ウェルＢ、ＣおよびＤに
よって検出器ｎ＋（４２Ｂ、 ４２Ｃまたは４２Ｄ）の
任意の１つへ送られることができる。制御クロックφ。
ｏｌ、φｏ。□およびφ。。、は、各クロック信号φＢ
、φＣおよびφＤを供給することによって３つの検出器
４２Ｂ、 ４２Ｃおよび４２Ｄの間の電荷パケットのス
イッチングを制御するため与えられる。これらは、クロ
ック信号φ２が低いとき、クロック信号φ８．φＣおよ
びφ。が高いように第５図に示さ− １〇 − れるようなシーケンスで配列される。φ２が高いときＡ
は高く、φＢは低く、一方φＣおよびφＢは高いままで
ある。このサイクルは順次低くなるφＣおよびφＢによ
って更に２回繰返す。
、φＣおよびφＤを供給することによって３つの検出器
４２Ｂ、 ４２Ｃおよび４２Ｄの間の電荷パケットのス
イッチングを制御するため与えられる。これらは、クロ
ック信号φ２が低いとき、クロック信号φ８．φＣおよ
びφ。が高いように第５図に示さ− １〇 − れるようなシーケンスで配列される。φ２が高いときＡ
は高く、φＢは低く、一方φＣおよびφＢは高いままで
ある。このサイクルは順次低くなるφＣおよびφＢによ
って更に２回繰返す。
第５図かられかるように、クロック信号φＢ。
φＣおよびφＢの間の時間Ｔは、電荷パケットが各検出
器４２Ｂ、 ４２Ｃおよび４２Ｄの出力ダイオードＮ＋
で検出されることができるかなり延長された転送時間を
与える。Ｂでの電荷は出力ダイオードＮ＋へφ。ｏｌを
経てゲートされ、このダイオードＮ十は出力回路４４Ｂ
によって供給された信号φＲ１によってリセットされる
。出力ゲートは時間間隔Ｔの開信号をパスするが期間Ｔ
ｏの間オープンまたはオフされる。出力装置Ｎ＋は期間
Ｔ。
器４２Ｂ、 ４２Ｃおよび４２Ｄの出力ダイオードＮ＋
で検出されることができるかなり延長された転送時間を
与える。Ｂでの電荷は出力ダイオードＮ＋へφ。ｏｌを
経てゲートされ、このダイオードＮ十は出力回路４４Ｂ
によって供給された信号φＲ１によってリセットされる
。出力ゲートは時間間隔Ｔの開信号をパスするが期間Ｔ
ｏの間オープンまたはオフされる。出力装置Ｎ＋は期間
Ｔ。
の間リセットされる。検出器４２Ｃおよび４２Ｄおよび
それらの関連する出力回路４４Ｃおよび４４Ｄの動作は
同様である。
それらの関連する出力回路４４Ｃおよび４４Ｄの動作は
同様である。
各伝送レジスタから電荷パケットを受取る３個の出力回
路４４からのビデオ出力信号の位相が再サンプルされる
ことなく一緒に加えられることができないこと、または
周波数特性が減少されることが明らかとなる。また、′
オン チップ−増幅器の速度が電力消費の必要条件から
生じる設計上の制限により遅いため、速い外部増幅器に
よって再びサンプリングされることが必要である。
路４４からのビデオ出力信号の位相が再サンプルされる
ことなく一緒に加えられることができないこと、または
周波数特性が減少されることが明らかとなる。また、′
オン チップ−増幅器の速度が電力消費の必要条件から
生じる設計上の制限により遅いため、速い外部増幅器に
よって再びサンプリングされることが必要である。
第６図は６個の検出器４２の出力および可能なサンプリ
ング位置Ｓを示す。サンプリングパルスの幅はクロック
信号φ２サイクルの間隔の半分を超えてはならない。
ング位置Ｓを示す。サンプリングパルスの幅はクロック
信号φ２サイクルの間隔の半分を超えてはならない。
第７図はＣＣＤセンサの６個の検出器４２がらの出力を
結合するのに適切な出力回路７ｏのブロック図である。
結合するのに適切な出力回路７ｏのブロック図である。
６個の出力信号は各々６個のサンプリンク回路Ｓ、−Ｓ
６の各々へ供給される。このサンプリング回路５ｌ−８
６は第６図で示されるように順次オンにされる。出力は
最終出力段によってバッファされる前に保持キャパシタ
７２によって積分される。
６の各々へ供給される。このサンプリング回路５ｌ−８
６は第６図で示されるように順次オンにされる。出力は
最終出力段によってバッファされる前に保持キャパシタ
７２によって積分される。
従って、本発明は通常用いる様々なフィルムフォーマッ
トから高解像度テレビジョンのためのビデオ信号を供給
するのに用いるのに適切なＣＣＤセンサを提供する。
トから高解像度テレビジョンのためのビデオ信号を供給
するのに用いるのに適切なＣＣＤセンサを提供する。
第１図は劇場的レリーズアナモフィックフォーマットを
示す。 第２図はテレシネ装置に用いられるタイプの現行のＣＣ
Ｄセンサ技術を示す。 第３図は第２図の技術の問題点を解決した別のＣＣＤセ
ンサ技術を示す。 第４図は本発明に従ったＣＣＤセンサの断片的な概略図
である。 第５図は第４図のセンサの出力段へ供給されるクロック
信号のタイミングを示す。 第６図は出力段からの出力および可能なサンプリング位
置を示す。 第７図は第４図のセンサのため結合された出力回路のブ
ロック図である。 ２・・・アナモフィックフォーマット、３・・・高解像
度ディスプレイ、１０・・・センサ、１２・・・フォト
サイト、１４、１８．４０・・・伝送レジスタ、４４・
・・出力回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｆｔａ、５ Ｆｔｃｙ、６ Ｆｔａ、７
示す。 第２図はテレシネ装置に用いられるタイプの現行のＣＣ
Ｄセンサ技術を示す。 第３図は第２図の技術の問題点を解決した別のＣＣＤセ
ンサ技術を示す。 第４図は本発明に従ったＣＣＤセンサの断片的な概略図
である。 第５図は第４図のセンサの出力段へ供給されるクロック
信号のタイミングを示す。 第６図は出力段からの出力および可能なサンプリング位
置を示す。 第７図は第４図のセンサのため結合された出力回路のブ
ロック図である。 ２・・・アナモフィックフォーマット、３・・・高解像
度ディスプレイ、１０・・・センサ、１２・・・フォト
サイト、１４、１８．４０・・・伝送レジスタ、４４・
・・出力回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｆｔａ、５ Ｆｔｃｙ、６ Ｆｔａ、７
Claims (2)
- （１）複数のフォトサイトと、少なくともいくつかのセ
ンサフォトサイトが使用中に放電する少なくとも１つの
伝送レジスタを含むＣＣＤセンサにおいて、 複数の検出器が、前記レジスタからの連続した電荷パケ
ットが順次複数の検出器の各々へ選択的に送られるよう
に伝送レジスタへ結合されることを特徴とするＣＣＤセ
ンサ。 - （２）出力信号を供給するためサンプルを結合する前に
複数の検出器の出力信号を再びサンプリングするための
手段が設けられることを特徴とする請求項１記載のセン
サ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8705614 | 1987-03-10 | ||
| GB8705614A GB2203916B (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | Improved ccd sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63240274A true JPS63240274A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=10613666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63053866A Pending JPS63240274A (ja) | 1987-03-10 | 1988-03-09 | Ｃｃｄセンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4949182A (ja) |
| EP (1) | EP0282150A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63240274A (ja) |
| GB (1) | GB2203916B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2949861B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | Ｃｃｄリニアイメージセンサ |
| JPH04256292A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| US5680172A (en) | 1992-01-21 | 1997-10-21 | Video Post & Transfer, Inc. | Consecutive frame scanning of cinematographic film |
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