JPS63239887A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
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- JPS63239887A JPS63239887A JP7152187A JP7152187A JPS63239887A JP S63239887 A JPS63239887 A JP S63239887A JP 7152187 A JP7152187 A JP 7152187A JP 7152187 A JP7152187 A JP 7152187A JP S63239887 A JPS63239887 A JP S63239887A
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- JP
- Japan
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- laser
- semiconductor laser
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は波長がある範囲内の任意の一定値に安定化され
た光を発生する半導体レーザー装置に関する０ 〔従来の技術〕 個々の半導体レーザーの発振波長は動作温度および注入
を流【こよって決定され、両者に敏感番こ依存すること
が知られている。したがって、発振波長を一定にするに
は動作温度および注入電流を十分に安定化する必要があ
る。注入電流は電流安定化回路によって安定化すること
ができる。また、動作温度の安定化は、半導体１−−ザ
ーの近くに設けたサーミスター等の温度測定子ζこよっ
て温度を測定し、熱電素子等の発熱量あるいは吸熱量を
調節することによって行われている。また、発振波長を
高度に安定化するためには、原子や分子の吸収スペクト
ルを基準とし、１７−ザーの波長がこれイこ一致するよ
うに動作温度あるいは注入電流にフィードバックを力）
ける方法が用いられる。
た光を発生する半導体レーザー装置に関する０ 〔従来の技術〕 個々の半導体レーザーの発振波長は動作温度および注入
を流【こよって決定され、両者に敏感番こ依存すること
が知られている。したがって、発振波長を一定にするに
は動作温度および注入電流を十分に安定化する必要があ
る。注入電流は電流安定化回路によって安定化すること
ができる。また、動作温度の安定化は、半導体１−−ザ
ーの近くに設けたサーミスター等の温度測定子ζこよっ
て温度を測定し、熱電素子等の発熱量あるいは吸熱量を
調節することによって行われている。また、発振波長を
高度に安定化するためには、原子や分子の吸収スペクト
ルを基準とし、１７−ザーの波長がこれイこ一致するよ
うに動作温度あるいは注入電流にフィードバックを力）
ける方法が用いられる。
し力１しながら、温度測定子と半導体レーザーの位置が
同じでないことや半導体１７一ザー自体も発熱している
こと等のため、従来の技術では半導体レーザーの温度変
化を正確に検知することかできない。そのため、温度制
御が十分に０行われず、したがって発振波長が安定しな
い。また、原子や分子のスペクトルを基準とする方法は
、装置が犬が力）りになるば力）ってなく、吸収スペク
トルの存在する特定の波長だけにしめ）安定化できない
という欠点がある。
同じでないことや半導体１７一ザー自体も発熱している
こと等のため、従来の技術では半導体レーザーの温度変
化を正確に検知することかできない。そのため、温度制
御が十分に０行われず、したがって発振波長が安定しな
い。また、原子や分子のスペクトルを基準とする方法は
、装置が犬が力）りになるば力）ってなく、吸収スペク
トルの存在する特定の波長だけにしめ）安定化できない
という欠点がある。
上記問題点は、以下の本発明によって解決される。即ち
、本発明の半導体１・−ザー装置は、動作温度と注入電
流に応じた波長の１７−ザー光を発生する半導体レーザ
ー、 前記注入電流を一定値に保持する手段、前記半導体レー
ザーの端子電圧を任意の基準電圧と比較し両者の差に比
例する電気帯信号を発生する手段、および 前記電気信号に応じて動作温度を制御する手段から構成
される。
、本発明の半導体１・−ザー装置は、動作温度と注入電
流に応じた波長の１７−ザー光を発生する半導体レーザ
ー、 前記注入電流を一定値に保持する手段、前記半導体レー
ザーの端子電圧を任意の基準電圧と比較し両者の差に比
例する電気帯信号を発生する手段、および 前記電気信号に応じて動作温度を制御する手段から構成
される。
動作温度を保持する手段としては、周知の恒温槽中に半
導体レーザーを放置したり、第１図に示すように、電流
制御された熱電素子に半導体レーザーを設置したりする
手段などが適用できる。熱電素子はニクロムや半導体等
によって構成された周知のものでよい。
導体レーザーを放置したり、第１図に示すように、電流
制御された熱電素子に半導体レーザーを設置したりする
手段などが適用できる。熱電素子はニクロムや半導体等
によって構成された周知のものでよい。
また、第１図において、差動増幅器４の前に、上記端子
電圧の検出に必要な回路が付加されてもよい。
電圧の検出に必要な回路が付加されてもよい。
なお、上記一定値にする程度は、必要とする波長測定や
波長制御の精度の程度によって決められることは云うま
でもない。
波長制御の精度の程度によって決められることは云うま
でもない。
注入電流を一定に保つ手段としては周知の電流安定化回
路を有する定電流電源装置で半導体レーザーを駆動する
ことが最も普通である。
路を有する定電流電源装置で半導体レーザーを駆動する
ことが最も普通である。
さらに、上記一定の値を変更する手段は、上記電源装置
が可変抵抗器、切換スイッチなど周知の方法で電圧およ
び電流の両者もしくは一方を変更調整し得るものとする
ことにより得られる。
が可変抵抗器、切換スイッチなど周知の方法で電圧およ
び電流の両者もしくは一方を変更調整し得るものとする
ことにより得られる。
本発明では、半導体の抵抗値が温度に敏感に依存すると
いう性質を利用して、半導体１ノ一ザー自体に温度測定
子の働きを持たせる。即ち、注入電流を一定値に保持し
ておくと半導体１・−ザーの端子電圧は抵抗値に比例す
るので、端子電圧の変化から抵抗値の変化が検知でき、
したがって１ノ−ザ一の温度変化が検知できる。この方
法ではサーはスター等の温度測定子を用いる従来の方法
と異なり、周囲の状況１こ全く影響を受けずに半導体レ
ーザーの温度変化を忠実に検知できる。その上、注入電
流は一定に保たれているので、発振波長は端子電圧だけ
の関数になる。したがって、端子電圧を設定された基準
電圧と比較し、その差がＯになるように、熱電素子等に
よって半導体レーザーの動作温度を制御すれば一定波長
の１ノ一ザー発振が得られる。基準電圧を変えれば別の
一定波長の１ノ一ザー発振が得られる。
いう性質を利用して、半導体１ノ一ザー自体に温度測定
子の働きを持たせる。即ち、注入電流を一定値に保持し
ておくと半導体１・−ザーの端子電圧は抵抗値に比例す
るので、端子電圧の変化から抵抗値の変化が検知でき、
したがって１ノ−ザ一の温度変化が検知できる。この方
法ではサーはスター等の温度測定子を用いる従来の方法
と異なり、周囲の状況１こ全く影響を受けずに半導体レ
ーザーの温度変化を忠実に検知できる。その上、注入電
流は一定に保たれているので、発振波長は端子電圧だけ
の関数になる。したがって、端子電圧を設定された基準
電圧と比較し、その差がＯになるように、熱電素子等に
よって半導体レーザーの動作温度を制御すれば一定波長
の１ノ一ザー発振が得られる。基準電圧を変えれば別の
一定波長の１ノ一ザー発振が得られる。
本発明によると、半導体レーザーの発振波長の変化を瞬
時にし′ｈ）も正確に検知することおよび発振波長を任
意の一定値に安定化することが可能となった。
時にし′ｈ）も正確に検知することおよび発振波長を任
意の一定値に安定化することが可能となった。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。第１
図は本発明の半導体レーザー装置の一実施例の装置構成
の模式図である。半導体１／−ザー１を流れる注入電流
は電流安定化回路２により一定値に保持される。半導体
レーザー１の動作温度は熱電素子３により変えられる。
図は本発明の半導体レーザー装置の一実施例の装置構成
の模式図である。半導体１／−ザー１を流れる注入電流
は電流安定化回路２により一定値に保持される。半導体
レーザー１の動作温度は熱電素子３により変えられる。
差動増幅器４は半導体１／−ザー１の端子電圧と基準信
号Ｖｏとを比較し、両者の差に比例した誤差信号を生じ
る。
号Ｖｏとを比較し、両者の差に比例した誤差信号を生じ
る。
電流制御回路５は前記誤差信号に応じた電流を熱電素子
３に供給し半導体レーザー１の温度を制御する。以上の
構成は半導体ｉノーザー１の端子電圧がｖＯに等しくな
るように動作温度を制御するフィードパ、クループをな
している。このようにして端子電圧が一定値に制御され
れば、動作温度が一定値になり、半導体レーザーの発振
波長は一定値番こ安定化される。基準電圧Ｖｏを変えれ
ば発振波長は別の一定値に安定化される。また、発振波
長の安定度は端子電圧の安定度から評価できる。
３に供給し半導体レーザー１の温度を制御する。以上の
構成は半導体ｉノーザー１の端子電圧がｖＯに等しくな
るように動作温度を制御するフィードパ、クループをな
している。このようにして端子電圧が一定値に制御され
れば、動作温度が一定値になり、半導体レーザーの発振
波長は一定値番こ安定化される。基準電圧Ｖｏを変えれ
ば発振波長は別の一定値に安定化される。また、発振波
長の安定度は端子電圧の安定度から評価できる。
以上の方法により、１．３μｍ付近で発振する半導体Ｉ
・−ザーの波長安定化を行った結果、第２図に示すよう
に、周囲温度が変化しても、発振波長は±０．００２ｎ
ｍの精度で一定値に安定化されることが確認された。
・−ザーの波長安定化を行った結果、第２図に示すよう
に、周囲温度が変化しても、発振波長は±０．００２ｎ
ｍの精度で一定値に安定化されることが確認された。
第１図は本発明の半導体レーザー装置の一実施例の装置
１を構成の模式図。 第２図は本発明の一実施例の動作結果を示す図である。 １・・・・・・半導体レーザー、２・・・・・・電流安
定化回路３・・・・・・熱電素子、４・・・・・・差動
増幅器、５・・・・・・電流制御回路。
１を構成の模式図。 第２図は本発明の一実施例の動作結果を示す図である。 １・・・・・・半導体レーザー、２・・・・・・電流安
定化回路３・・・・・・熱電素子、４・・・・・・差動
増幅器、５・・・・・・電流制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 動作温度と注入電流に応じた波長のレーザー光を発生す
る半導体レーザー、 前記注入電流を一定値に保持する手段、 前記半導体レーザーの端子電圧を任意の基準電圧と比較
し両者の差に比例する電気信号を発生する手段、および 前記電気信号に応じて前記動作温度を制御する手段から
構成される半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152187A JPS63239887A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7152187A JPS63239887A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 半導体レ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239887A true JPS63239887A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13463110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7152187A Pending JPS63239887A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239887A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019014A1 (en) * | 1991-04-15 | 1992-10-29 | Honeywell Inc. | Semiconductor light source temperature control |
| JP2006114774A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 波長安定化半導体レーザ装置 |
| CN115275772A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-01 | 南京旭奥科技有限公司 | 一种基于tdlas技术的特定时刻激光波长控制方法及装置 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7152187A patent/JPS63239887A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992019014A1 (en) * | 1991-04-15 | 1992-10-29 | Honeywell Inc. | Semiconductor light source temperature control |
| JP2006114774A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 波長安定化半導体レーザ装置 |
| CN115275772A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-01 | 南京旭奥科技有限公司 | 一种基于tdlas技术的特定时刻激光波长控制方法及装置 |
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