JPS6323983B2 - - Google Patents
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- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 18
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 9
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- GOUHYARYYWKXHS-UHFFFAOYSA-N 4-formylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C=O)C=C1 GOUHYARYYWKXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 2
- 150000001869 cobalt compounds Chemical class 0.000 description 2
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BZRRQSJJPUGBAA-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) bromide Chemical compound Br[Co]Br BZRRQSJJPUGBAA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- RJYMRRJVDRJMJW-UHFFFAOYSA-L dibromomanganese Chemical compound Br[Mn]Br RJYMRRJVDRJMJW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N dimethyl terephthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(C(=O)OC)C=C1 WOZVHXUHUFLZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 2
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 2
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012066 reaction slurry Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000004685 tetrahydrates Chemical class 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000006103 coloring component Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Mn+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012476 oxidizable substance Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明はテレフタル酸の製造方法に関するもの
であり、詳しくは、直接、グリコール成分と反応
させてポリエステルを製造することのできる高純
度テレフタル酸の製造方法に関するものである。 テレフタル酸は通常、パラキシレンを酢酸溶媒
中、重金属及び臭素を含有する触媒の存在下、分
子状酸素と反応させてテレフタル酸を得る所謂、
SD法により製造されているが、このSD法により
得られたテレフタル酸中には４―カルボキシベン
ズアルデヒド（以下、4CBAと言う）で代表され
る副生物が多量に含有されているため、このテレ
フタル酸をそのまま、例えば、繊維用、フイルム
用などのポリエステル原料として使用することが
できなかつた。そのため、従来、SD法により得
たテレフタル酸をジメチルテレフタレートとして
精製するか、又は高温、高圧下で水に溶解し例え
ばパラジウム触媒の存在下精製したのち、ポリエ
ステル原料として使用されていた。 しかしながら、近年、パラキシレンの酸化反応
により、直接、ポリエステルの原料として使用で
きる例えば、4CBA含有量が500ppm以下の高純
度テレフタル酸を製造する方法が提案されてい
る。例えば、パラキシレンを第１の反応器で酢酸
溶媒中で酸化して得た反応混合物を、次いで、第
２の反応器でパラキシレンの供給をせずに、第１
の反応器よりも低温で追酸化する方法が知られて
いる。（例えば、特開昭51−16630号、52−85136
号及び53−37636号）これらの方法は生成したテ
レフタル酸を分離したのち、更に、後精製する必
要がなく、１つのプラントにて高純度テレフタル
酸が得られるので経済的であるが、酸化反応の途
中において酢酸溶媒の燃焼量が多いと言う問題が
ある。 本出願人は先に、4CBA含有量が100〜500ppm
の高純度テレフタル酸を直接、製造する際に、酢
酸溶媒量の損失が少ないプロセスにつき提案を行
なつた。（特開昭55−55138号）この方法はパラキ
シレンを第１の反応器で酸化して得た混合物を第
２の反応器でパラキシレンを供給することなく、
第１の反応温度よりも低温で追酸化したのち、第
３の反応器で230℃以上の高温で再追酸化する方
法である。この方法によれば、4CBA含有量が
30ppm以下と言う超高純度品も得られるが、
4CBA含有量100〜500ppmの高純度品を製造する
場合、酢酸溶媒の燃焼量を従来法に比し著しく少
なく抑えることができる。しかし、この方法でも
酢酸の燃焼は少いながらも相当にあり、更に、よ
り一層の改善が望まれる。 本発明者等は上記実情に鑑み、酢酸溶媒の損失
を更に抑制することのできるプロセスにつき種々
検討した結果、ある特定のプロセスを採用するこ
とにより、より少ない酢酸溶媒の燃焼量にて高純
度テレフタル酸が得られることを見い出し本発明
を完成した。 すなわち、本発明の要旨は、パラキシレンを酢
酸溶媒中、重金属及び臭素を含有する触媒の存在
下、分子状酸素と反応させてテレフタル酸を製造
する方法において、 180〜230℃に保持した第１反応器にパラキシ
レンと分子状酸素とを供給してパラキシレンの
少なくとも90重量％をテレフタル酸に酸化し、 第１反応器から混合物を第１反応器の温度よ
りも０〜50℃低い温度に保持した第２反応器
で、パラキシレンを供給することなく、分子状
酸素により追酸化し、 第２反応器からの混合物を250℃以上の温度
に保持した第３反応器で、パラキシレンを供給
することなく、５〜60分間、分子状酸素により
再度追酸化し、 第３反応器からの混合物を第３反応器の温度
以下で、しかも、240℃以上に保持された第４
反応器で分子状水素と接触させ、 得られた反応混合物を晶析し、固液分離すること
によりテレフタル酸を得ることを特徴とするテレ
フタル酸の製造法に存する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明で対象となるテレフタル酸の製造法とし
ては、パラキシレンを酢酸溶媒中、重金属及び臭
素を含有する触媒の存在下、分子状酸素と反応さ
せる方法であればどのような方法でもよい。 本発明では、先ず、第１反応器でパラキシレン
の90重量％以上、好ましくは95重量％以上をテレ
フタル酸に酸化するが、通常、その反応温度は
180〜230℃、好ましくは205〜225℃であり、圧力
は１〜100Kg／cm2、好ましくは10〜40Kg／cm2であ
る。反応温度があまり低いとパラキシレンを十分
に酸化することができず、逆に、あまり高いと高
純度のテレフタル酸が得られないばかりか酢酸溶
媒の燃焼損失が増大するので好ましくない。 また、第１反応器の反応時間はパラキシレンの
90重量％以上がテレフタル酸に酸化できる時間が
必要であり、通常、30〜200分、好ましくは40〜
150分程度である。 本発明で使用する触媒は通常、コバルト―マン
ガン―臭素の三元素を含むものであり、例えば、
溶媒に対してコバルト金属として120〜600ppm、
好ましくは200〜400ppmのコバルト化合物、コバ
ルトに対してマンガン金属として0.5〜1.5倍のマ
ンガン化合物及び溶媒に対して臭素として500〜
2000ppm、好ましくは600〜1500ppmの臭素化合
物が使用される。これらの化合物の具体例として
は、酢酸コバルト、ナフテン酸コバルトなどのコ
バルト化合物、酢酸マンガン、ナフテン酸マンガ
ンなどのマンガン化合物及び臭化水素、臭化ナト
リウム、臭化コバルト、臭化マンガンなどの臭素
化合物が挙げられる。なお、臭化マンガン、臭化
コバルトを使用した場合には、二種の触媒成分を
兼ねることもできる。 第１反応器で供給する溶媒の割合は通常、パラ
キシレンに対して２〜５重量倍であり、溶媒があ
まり少ないと反応器内の撹拌が良好にできず、更
に、後述する第３工程での再追酸化処理が良好に
行なわれないので好ましくない。また、酢酸溶媒
中には、例えば、20重量％以下の水を含有してい
てもよい。第１反応器の液相中に供給する分子状
酸素としては、通常、空気でありパラキシレン１
モルに対し３〜100モルの割合で供給される。 上述の第１反応器では、反応器からの凝縮性ガ
スを冷却して得た凝縮液の一部を反応器に還流す
ることなく系外に抜き出すことによつて、酸化反
応器内の水分濃度を例えば、５〜15重量％程度と
低濃度に調節してもよい。 また、第一反応器内の反応母液中の4CBA濃度
を反応温度、圧力、時間及び触媒などを調節する
ことにより、例えば、2000ppm以下、好ましくは
1500ppm以下に保持すると後述する第２〜４工程
の処理が良好に行なわれ、特に高純度のテレフタ
ル酸が得られるので好ましい。 次に、第１反応器で得られたテレフタル酸を含
有するスラリー抜き出し、別の撹拌槽型の第２反
応器中にてパラキシレンを供給することなく第１
反応器の温度より０〜50℃、好ましくは２〜30℃
低い温度で追酸化処理が行なわれる。追酸化の温
度があまり低い場合には、反応スラリー中に含有
される酸化中間体を十分に酸化することができ
ず、一方、第１反応器の反応温度よりも高温の場
合には、製品テレフタル酸の着色成分となる不純
物が生成するので好ましくない。また、追酸化処
理の時間は通常、20〜90分、好ましくは30〜60分
である。 この第２反応器の処理装置は第１反応器と同様
のタイプのものでよい。追酸化にて使用する分子
状酸素は被酸化物が少量であるので、通常、不活
性ガスで希釈した空気又は第１反応器の酸化排ガ
スなどを使用するのが好ましい。酸素としての供
給量は通常、第１反応器への供給量の1/10〜1/10
００程度である。 第２反応器での追酸化に際しては、酸化触媒、
溶媒などを新たに加えなくても十分に酸化を行な
うことができる。 第２反応器で追酸化したスラリーは、更に、第
３反応器において250℃以上、好ましくは260〜
300℃にて再度追酸化を行なう。 この第３反応器での処理では通常、第１及び第
２反応器で析出していたテレフタル酸の結晶の少
なくとも一部が溶解された状態で追酸化処理され
る。第３反応帯域の処理温度があまり低いとテレ
フタル酸を溶媒中に適当に溶解することができな
いため高純度品を得ることができず、また、逆に
高いと操作的に難しく経済的でないばかりか着色
不純物が生成する可能性があるので好ましくな
い。再追酸化の処理時間は通常、５〜60分、好ま
しくは10〜30分である。分子状酸素の供給は通
常、第２工程と同様に希釈空気又は酸化排ガスが
好ましく、酸素としての供給量は第１工程の供給
量の1/10〜1/1000である。 この再度追酸化によりスラリー中の中間体が酸
化されるが、この工程で中間体の酸化に使用され
る酸素量は僅かであり、供給された酸素の殆んど
が酢酸溶媒の燃焼に使用され、供給酸素量に見合
つた酢酸燃焼量となる。そこで、できるだけ供給
酸素量を少なくして所望の純度のテレフタル酸を
得ることができれば好ましいが、本発明者等の知
見によれば、反応混合液当りの供給酸素量を少な
くすると、酸化力が弱まる傾向にある。しかし、
本発明では後述する第４反応器を付加したことに
より、第３反応器での供給酸素量を少なくして
も、最終的には所望の高純度のテレフタル酸が得
られるのである。 第４反応器では第３反応器の温度以下で、しか
も、240℃以上、好ましくは250℃以上の温度で分
子状水素と接触させる。接触温度があまり低いと
テレフタル酸の品質を十分に向上させることがで
きず、また、あまり高くても効果に大差なく、昇
温操作が大変なので経済的でない。この処理は例
えば、第３反応器と固タイプの反応器を用い、反
応混合物に通常、第１反応器に供給したパラキシ
レンに対して0.01〜5.0モル倍の水素ガスは不活
性で希釈した水素ガスを供給することにより行な
われる。また、処理時間は通常、５〜60分、好ま
しくは10〜30分程度である。 この処理を施すことにより、特に、酸化反応で
生成したテレフタル酸粒子中の中間体が低下し、
最終的に得られるテレフタル酸の4CBA含有量及
び透過率が改善されるのである。したがつて、こ
の処理を付加したことにより第３反応器での酸素
供給量を低くしても、高純度のテレフタル酸を得
ることができるので、第３反応器での酢酸溶媒の
燃焼量を減少させることができるのである。 反応を終了した反応混合物は常法に従つて、晶
析、過し、テレフタル酸の結晶を分離し、必要
に応じて、例えば、水などで洗浄したのち、乾燥
して回収される。 以上、本発明によれば、４つの反応器を使用し
た特定のプロセスを採用したことにより、酢酸溶
媒の燃焼をより低減して、4CBA含有量が低く、
しかも、透過率の高い高純度テレフタル酸を得る
ことができるので、経済的に極めて好ましい方法
である。 次に、本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 なお、実施例において、「部」とあるのは「重
量部」を意味するものである。 実施例 還流冷却装置、撹拌装置、加熱装置、原料及び
溶媒送入口、ガス導入口、反応スラリー排出口、
及び還流液抜出口を備えたチタン製の耐圧液相酸
化反応器（第１反応器）にパラキシレン１部、５
％の水を含む酢酸3.0部、酢酸コバルト（４水和
物）0.0042部、酢酸マンガン（４水和物）、
0.0044部、臭化水素酸（47％水溶液）0.0063部を
連続的に供給し、反応器内滞留時間50分、温度
210℃、圧力25Kg／cm2Ｇ、酸化ガスとしては空気
を用い反応器排ガス中の酸素濃度が4vol％となる
ように供給しパラキシレンの液相酸化反応を行な
つた。 この液相酸化反応で得られたテレフタル酸スラ
リーを第１反応器と同様の装備を持つ第２反応器
に連続的に供給し温度200℃、圧力20Kg／cm2Ｇ、
滞留時間30分、酸化ガスとしては酸素濃度10vol
％のガスを用い反応器廃ガス中の酸素濃度が4vol
％となるよう供給し追酸化反応を行なつた。 上記で得られたテレフタル酸スラリーをポンプ
及び加熱用熱交換器を通して昇温、昇圧し、第１
反応器と同様の装備を持つ第３反応器に連続的に
供給し、温度270℃、圧力50Kg／cm2Ｇ、滞留時間
15分にて空気を用いて再追酸化を行なつた。 次いで、この反応混合物を第１反応器と同様の
装備を持つ第４反応器に連続的に供給し、温度
260℃、圧力40Kg／cm2Ｇ、滞留時間15分の条件で
水素ガスを第１反応器で供給したパラキシレンに
対して0.2モルの割合で供給した。 このような第１〜第４工程までの反応を行なつ
たのちの反応混合物を冷却晶析し約100℃にて固
液分離し、テレフタル酸の結晶を酢酸にて洗浄し
乾燥した。このようにして得られたテレフタル酸
につき、4CBA含有量及び透過率（T340）を測
定し、また、第３反応器での酢酸溶媒の燃焼損失
量を測定し、第１表に示す結果を得た。 比較例 １ 実施例において、第４反応器での水素ガスとの
接触処理を行なうことなく、実施例と同様にして
反応を行なつた。 比較例 ２ 実施例において、第４反応器での水素ガスとの
接触処理を行なうことなく、第３反応器での滞留
時間を30分に延長して同様の反応を行なつた。
（この際の単位時間当りの酸素供給量は実施例と
同じ割合である。）
であり、詳しくは、直接、グリコール成分と反応
させてポリエステルを製造することのできる高純
度テレフタル酸の製造方法に関するものである。 テレフタル酸は通常、パラキシレンを酢酸溶媒
中、重金属及び臭素を含有する触媒の存在下、分
子状酸素と反応させてテレフタル酸を得る所謂、
SD法により製造されているが、このSD法により
得られたテレフタル酸中には４―カルボキシベン
ズアルデヒド（以下、4CBAと言う）で代表され
る副生物が多量に含有されているため、このテレ
フタル酸をそのまま、例えば、繊維用、フイルム
用などのポリエステル原料として使用することが
できなかつた。そのため、従来、SD法により得
たテレフタル酸をジメチルテレフタレートとして
精製するか、又は高温、高圧下で水に溶解し例え
ばパラジウム触媒の存在下精製したのち、ポリエ
ステル原料として使用されていた。 しかしながら、近年、パラキシレンの酸化反応
により、直接、ポリエステルの原料として使用で
きる例えば、4CBA含有量が500ppm以下の高純
度テレフタル酸を製造する方法が提案されてい
る。例えば、パラキシレンを第１の反応器で酢酸
溶媒中で酸化して得た反応混合物を、次いで、第
２の反応器でパラキシレンの供給をせずに、第１
の反応器よりも低温で追酸化する方法が知られて
いる。（例えば、特開昭51−16630号、52−85136
号及び53−37636号）これらの方法は生成したテ
レフタル酸を分離したのち、更に、後精製する必
要がなく、１つのプラントにて高純度テレフタル
酸が得られるので経済的であるが、酸化反応の途
中において酢酸溶媒の燃焼量が多いと言う問題が
ある。 本出願人は先に、4CBA含有量が100〜500ppm
の高純度テレフタル酸を直接、製造する際に、酢
酸溶媒量の損失が少ないプロセスにつき提案を行
なつた。（特開昭55−55138号）この方法はパラキ
シレンを第１の反応器で酸化して得た混合物を第
２の反応器でパラキシレンを供給することなく、
第１の反応温度よりも低温で追酸化したのち、第
３の反応器で230℃以上の高温で再追酸化する方
法である。この方法によれば、4CBA含有量が
30ppm以下と言う超高純度品も得られるが、
4CBA含有量100〜500ppmの高純度品を製造する
場合、酢酸溶媒の燃焼量を従来法に比し著しく少
なく抑えることができる。しかし、この方法でも
酢酸の燃焼は少いながらも相当にあり、更に、よ
り一層の改善が望まれる。 本発明者等は上記実情に鑑み、酢酸溶媒の損失
を更に抑制することのできるプロセスにつき種々
検討した結果、ある特定のプロセスを採用するこ
とにより、より少ない酢酸溶媒の燃焼量にて高純
度テレフタル酸が得られることを見い出し本発明
を完成した。 すなわち、本発明の要旨は、パラキシレンを酢
酸溶媒中、重金属及び臭素を含有する触媒の存在
下、分子状酸素と反応させてテレフタル酸を製造
する方法において、 180〜230℃に保持した第１反応器にパラキシ
レンと分子状酸素とを供給してパラキシレンの
少なくとも90重量％をテレフタル酸に酸化し、 第１反応器から混合物を第１反応器の温度よ
りも０〜50℃低い温度に保持した第２反応器
で、パラキシレンを供給することなく、分子状
酸素により追酸化し、 第２反応器からの混合物を250℃以上の温度
に保持した第３反応器で、パラキシレンを供給
することなく、５〜60分間、分子状酸素により
再度追酸化し、 第３反応器からの混合物を第３反応器の温度
以下で、しかも、240℃以上に保持された第４
反応器で分子状水素と接触させ、 得られた反応混合物を晶析し、固液分離すること
によりテレフタル酸を得ることを特徴とするテレ
フタル酸の製造法に存する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明で対象となるテレフタル酸の製造法とし
ては、パラキシレンを酢酸溶媒中、重金属及び臭
素を含有する触媒の存在下、分子状酸素と反応さ
せる方法であればどのような方法でもよい。 本発明では、先ず、第１反応器でパラキシレン
の90重量％以上、好ましくは95重量％以上をテレ
フタル酸に酸化するが、通常、その反応温度は
180〜230℃、好ましくは205〜225℃であり、圧力
は１〜100Kg／cm2、好ましくは10〜40Kg／cm2であ
る。反応温度があまり低いとパラキシレンを十分
に酸化することができず、逆に、あまり高いと高
純度のテレフタル酸が得られないばかりか酢酸溶
媒の燃焼損失が増大するので好ましくない。 また、第１反応器の反応時間はパラキシレンの
90重量％以上がテレフタル酸に酸化できる時間が
必要であり、通常、30〜200分、好ましくは40〜
150分程度である。 本発明で使用する触媒は通常、コバルト―マン
ガン―臭素の三元素を含むものであり、例えば、
溶媒に対してコバルト金属として120〜600ppm、
好ましくは200〜400ppmのコバルト化合物、コバ
ルトに対してマンガン金属として0.5〜1.5倍のマ
ンガン化合物及び溶媒に対して臭素として500〜
2000ppm、好ましくは600〜1500ppmの臭素化合
物が使用される。これらの化合物の具体例として
は、酢酸コバルト、ナフテン酸コバルトなどのコ
バルト化合物、酢酸マンガン、ナフテン酸マンガ
ンなどのマンガン化合物及び臭化水素、臭化ナト
リウム、臭化コバルト、臭化マンガンなどの臭素
化合物が挙げられる。なお、臭化マンガン、臭化
コバルトを使用した場合には、二種の触媒成分を
兼ねることもできる。 第１反応器で供給する溶媒の割合は通常、パラ
キシレンに対して２〜５重量倍であり、溶媒があ
まり少ないと反応器内の撹拌が良好にできず、更
に、後述する第３工程での再追酸化処理が良好に
行なわれないので好ましくない。また、酢酸溶媒
中には、例えば、20重量％以下の水を含有してい
てもよい。第１反応器の液相中に供給する分子状
酸素としては、通常、空気でありパラキシレン１
モルに対し３〜100モルの割合で供給される。 上述の第１反応器では、反応器からの凝縮性ガ
スを冷却して得た凝縮液の一部を反応器に還流す
ることなく系外に抜き出すことによつて、酸化反
応器内の水分濃度を例えば、５〜15重量％程度と
低濃度に調節してもよい。 また、第一反応器内の反応母液中の4CBA濃度
を反応温度、圧力、時間及び触媒などを調節する
ことにより、例えば、2000ppm以下、好ましくは
1500ppm以下に保持すると後述する第２〜４工程
の処理が良好に行なわれ、特に高純度のテレフタ
ル酸が得られるので好ましい。 次に、第１反応器で得られたテレフタル酸を含
有するスラリー抜き出し、別の撹拌槽型の第２反
応器中にてパラキシレンを供給することなく第１
反応器の温度より０〜50℃、好ましくは２〜30℃
低い温度で追酸化処理が行なわれる。追酸化の温
度があまり低い場合には、反応スラリー中に含有
される酸化中間体を十分に酸化することができ
ず、一方、第１反応器の反応温度よりも高温の場
合には、製品テレフタル酸の着色成分となる不純
物が生成するので好ましくない。また、追酸化処
理の時間は通常、20〜90分、好ましくは30〜60分
である。 この第２反応器の処理装置は第１反応器と同様
のタイプのものでよい。追酸化にて使用する分子
状酸素は被酸化物が少量であるので、通常、不活
性ガスで希釈した空気又は第１反応器の酸化排ガ
スなどを使用するのが好ましい。酸素としての供
給量は通常、第１反応器への供給量の1/10〜1/10
００程度である。 第２反応器での追酸化に際しては、酸化触媒、
溶媒などを新たに加えなくても十分に酸化を行な
うことができる。 第２反応器で追酸化したスラリーは、更に、第
３反応器において250℃以上、好ましくは260〜
300℃にて再度追酸化を行なう。 この第３反応器での処理では通常、第１及び第
２反応器で析出していたテレフタル酸の結晶の少
なくとも一部が溶解された状態で追酸化処理され
る。第３反応帯域の処理温度があまり低いとテレ
フタル酸を溶媒中に適当に溶解することができな
いため高純度品を得ることができず、また、逆に
高いと操作的に難しく経済的でないばかりか着色
不純物が生成する可能性があるので好ましくな
い。再追酸化の処理時間は通常、５〜60分、好ま
しくは10〜30分である。分子状酸素の供給は通
常、第２工程と同様に希釈空気又は酸化排ガスが
好ましく、酸素としての供給量は第１工程の供給
量の1/10〜1/1000である。 この再度追酸化によりスラリー中の中間体が酸
化されるが、この工程で中間体の酸化に使用され
る酸素量は僅かであり、供給された酸素の殆んど
が酢酸溶媒の燃焼に使用され、供給酸素量に見合
つた酢酸燃焼量となる。そこで、できるだけ供給
酸素量を少なくして所望の純度のテレフタル酸を
得ることができれば好ましいが、本発明者等の知
見によれば、反応混合液当りの供給酸素量を少な
くすると、酸化力が弱まる傾向にある。しかし、
本発明では後述する第４反応器を付加したことに
より、第３反応器での供給酸素量を少なくして
も、最終的には所望の高純度のテレフタル酸が得
られるのである。 第４反応器では第３反応器の温度以下で、しか
も、240℃以上、好ましくは250℃以上の温度で分
子状水素と接触させる。接触温度があまり低いと
テレフタル酸の品質を十分に向上させることがで
きず、また、あまり高くても効果に大差なく、昇
温操作が大変なので経済的でない。この処理は例
えば、第３反応器と固タイプの反応器を用い、反
応混合物に通常、第１反応器に供給したパラキシ
レンに対して0.01〜5.0モル倍の水素ガスは不活
性で希釈した水素ガスを供給することにより行な
われる。また、処理時間は通常、５〜60分、好ま
しくは10〜30分程度である。 この処理を施すことにより、特に、酸化反応で
生成したテレフタル酸粒子中の中間体が低下し、
最終的に得られるテレフタル酸の4CBA含有量及
び透過率が改善されるのである。したがつて、こ
の処理を付加したことにより第３反応器での酸素
供給量を低くしても、高純度のテレフタル酸を得
ることができるので、第３反応器での酢酸溶媒の
燃焼量を減少させることができるのである。 反応を終了した反応混合物は常法に従つて、晶
析、過し、テレフタル酸の結晶を分離し、必要
に応じて、例えば、水などで洗浄したのち、乾燥
して回収される。 以上、本発明によれば、４つの反応器を使用し
た特定のプロセスを採用したことにより、酢酸溶
媒の燃焼をより低減して、4CBA含有量が低く、
しかも、透過率の高い高純度テレフタル酸を得る
ことができるので、経済的に極めて好ましい方法
である。 次に、本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 なお、実施例において、「部」とあるのは「重
量部」を意味するものである。 実施例 還流冷却装置、撹拌装置、加熱装置、原料及び
溶媒送入口、ガス導入口、反応スラリー排出口、
及び還流液抜出口を備えたチタン製の耐圧液相酸
化反応器（第１反応器）にパラキシレン１部、５
％の水を含む酢酸3.0部、酢酸コバルト（４水和
物）0.0042部、酢酸マンガン（４水和物）、
0.0044部、臭化水素酸（47％水溶液）0.0063部を
連続的に供給し、反応器内滞留時間50分、温度
210℃、圧力25Kg／cm2Ｇ、酸化ガスとしては空気
を用い反応器排ガス中の酸素濃度が4vol％となる
ように供給しパラキシレンの液相酸化反応を行な
つた。 この液相酸化反応で得られたテレフタル酸スラ
リーを第１反応器と同様の装備を持つ第２反応器
に連続的に供給し温度200℃、圧力20Kg／cm2Ｇ、
滞留時間30分、酸化ガスとしては酸素濃度10vol
％のガスを用い反応器廃ガス中の酸素濃度が4vol
％となるよう供給し追酸化反応を行なつた。 上記で得られたテレフタル酸スラリーをポンプ
及び加熱用熱交換器を通して昇温、昇圧し、第１
反応器と同様の装備を持つ第３反応器に連続的に
供給し、温度270℃、圧力50Kg／cm2Ｇ、滞留時間
15分にて空気を用いて再追酸化を行なつた。 次いで、この反応混合物を第１反応器と同様の
装備を持つ第４反応器に連続的に供給し、温度
260℃、圧力40Kg／cm2Ｇ、滞留時間15分の条件で
水素ガスを第１反応器で供給したパラキシレンに
対して0.2モルの割合で供給した。 このような第１〜第４工程までの反応を行なつ
たのちの反応混合物を冷却晶析し約100℃にて固
液分離し、テレフタル酸の結晶を酢酸にて洗浄し
乾燥した。このようにして得られたテレフタル酸
につき、4CBA含有量及び透過率（T340）を測
定し、また、第３反応器での酢酸溶媒の燃焼損失
量を測定し、第１表に示す結果を得た。 比較例 １ 実施例において、第４反応器での水素ガスとの
接触処理を行なうことなく、実施例と同様にして
反応を行なつた。 比較例 ２ 実施例において、第４反応器での水素ガスとの
接触処理を行なうことなく、第３反応器での滞留
時間を30分に延長して同様の反応を行なつた。
（この際の単位時間当りの酸素供給量は実施例と
同じ割合である。）
【表】
注） 酢酸燃焼量
第３工程からの酸化排ガス中のCO及
びCO２量を分析し、この量より燃焼
した酢酸溶媒量を算出し、実施例を基
準として相対値で示した。
第３工程からの酸化排ガス中のCO及
びCO２量を分析し、この量より燃焼
した酢酸溶媒量を算出し、実施例を基
準として相対値で示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パラキシレンを酢酸溶媒中、重金属及び臭素
を含有する触媒の存在下、分子状酸素と反応させ
てテレフタル酸を製造する方法において、 180〜230℃に保持した第１反応器にパラキシ
レンと分子状酸素とを供給してパラキシレンの
少なくとも90重量％をテレフタル酸に酸化し、 第１反応器から混合物を第１反応器の温度よ
りも０〜50℃低い温度に保持した第２反応器
で、パラキシレンを供給することなく、分子状
酸素により追酸化し、 第２反応器からの混合物を250℃以上の温度
に保持した第３反応器で、パラキシレンを供給
することなく、５〜60分間、分子状酸素により
再度追酸化し、 第３反応器からの混合物を第３反応器の温度
以下で、しかも、240℃以上に保持された第４
反応器で分子状水素と接触させ、 得られた反応混合物を晶析し、固液分離するこ
とによりテレフタル酸を得ることを特徴とするテ
レフタル酸の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129680A JPS5735544A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Preparation of terephthalic acid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129680A JPS5735544A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Preparation of terephthalic acid |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735544A JPS5735544A (en) | 1982-02-26 |
| JPS6323983B2 true JPS6323983B2 (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=14557617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11129680A Granted JPS5735544A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Preparation of terephthalic acid |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5735544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511653A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 芳香族ジカルボン酸の最適化製造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59106435A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 高純度テレフタル酸の製法 |
| WO2015093849A1 (ko) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 한화케미칼 주식회사 | 프탈레이트 화합물의 수소화 방법 |
-
1980
- 1980-08-13 JP JP11129680A patent/JPS5735544A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511653A (ja) * | 2004-09-02 | 2008-04-17 | イーストマン ケミカル カンパニー | 芳香族ジカルボン酸の最適化製造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735544A (en) | 1982-02-26 |
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