JPS63234522A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS63234522A JPS63234522A JP62069756A JP6975687A JPS63234522A JP S63234522 A JPS63234522 A JP S63234522A JP 62069756 A JP62069756 A JP 62069756A JP 6975687 A JP6975687 A JP 6975687A JP S63234522 A JPS63234522 A JP S63234522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- condenser lens
- curvature
- pattern
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板に微細パターンを露光する縮小投影
型露光装置に関する。
型露光装置に関する。
この種の縮小投影型露光装置は、光源からの光を集光レ
ンズで集光させこれをレチクルに透過させ、その光像を
縮小投影レンズで縮小して半導体基板に照射し露光を行
うものである。
ンズで集光させこれをレチクルに透過させ、その光像を
縮小投影レンズで縮小して半導体基板に照射し露光を行
うものである。
ところで、前記集光レンズは一般にガラス製であり、レ
ンズの露光領域の照度ムラ補正を行う場合には照度ムラ
が極力小さな集光レンズに交換する必要がある。
ンズの露光領域の照度ムラ補正を行う場合には照度ムラ
が極力小さな集光レンズに交換する必要がある。
上述したように集光レンズの露光領域の照度ムラ補正を
行うには集光レンズを交換する必要があり、そのために
、同一露光領域内の周辺と中央で露光パターンの寸法に
差があっても、これを補正するにはレンズの交換が必要
である。
行うには集光レンズを交換する必要があり、そのために
、同一露光領域内の周辺と中央で露光パターンの寸法に
差があっても、これを補正するにはレンズの交換が必要
である。
本発明の目的は集光レンズを交換することなく、照度ム
ラの補正を行うようにした縮小投影型露光装置を提供す
ることにある。
ラの補正を行うようにした縮小投影型露光装置を提供す
ることにある。
本発明は球状に弯曲させた透明な弾性体からなる露光用
集光レンズを有し、素材の弾性変形により該レンズの曲
率半径を可変としたことを特徴とする縮小投影型露光装
置である。
集光レンズを有し、素材の弾性変形により該レンズの曲
率半径を可変としたことを特徴とする縮小投影型露光装
置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、1は光源からの光をレチクル2に集光
させる集光レンズ、3はレチクル2を透過した光像を縮
小して半導体基板4に照射する縮小投影レンズである。
させる集光レンズ、3はレチクル2を透過した光像を縮
小して半導体基板4に照射する縮小投影レンズである。
本実施例における集光レンズ1は第1図、第2図に示す
ように、弾性変形する透明な素材からなり、この素材を
凸球面状に弯曲させてレンズの曲率半径を変更可能に構
成したものであり、さらに該集光レンズ1の外周縁に、
放射方向に延びる曲率変更アーム5,5・・・を設けで
ある。
ように、弾性変形する透明な素材からなり、この素材を
凸球面状に弯曲させてレンズの曲率半径を変更可能に構
成したものであり、さらに該集光レンズ1の外周縁に、
放射方向に延びる曲率変更アーム5,5・・・を設けで
ある。
集光レンズ1に光が入る時点では、様々なレンズ系によ
り照度ムラはある程度均一になっている。
り照度ムラはある程度均一になっている。
この光でレチクル2の微細パターンを縮小投影レンズ3
を通して半導体基板4に露光した場合に露光領域の周辺
部露光パターンが中央の露光パターンより太くなったと
する。この場合、露光領域の中央部より周辺部の方を多
く露光すれば1周辺部の露光パターンが細くなる。つま
り集光レンズ1の曲率半径を変化させ、露光領域内の照
度傾斜又は弯曲を調整することにより露光領域全体のパ
ターン寸法を均一にすることが可能となる。
を通して半導体基板4に露光した場合に露光領域の周辺
部露光パターンが中央の露光パターンより太くなったと
する。この場合、露光領域の中央部より周辺部の方を多
く露光すれば1周辺部の露光パターンが細くなる。つま
り集光レンズ1の曲率半径を変化させ、露光領域内の照
度傾斜又は弯曲を調整することにより露光領域全体のパ
ターン寸法を均一にすることが可能となる。
そこで、本実施例では弾性変形する集光レンズ1に、曲
率変更アーム5で引張り又は圧縮荷重を加えることによ
り、集光レンズ1の曲率半径を変更し、これにより集光
領域中の露光領域において照度分布を調整することで均
一な露光パターン寸法を得るものである。
率変更アーム5で引張り又は圧縮荷重を加えることによ
り、集光レンズ1の曲率半径を変更し、これにより集光
領域中の露光領域において照度分布を調整することで均
一な露光パターン寸法を得るものである。
なお、本実施例では、集光レンズに引張り、圧縮荷重を
加えるようにしたが、集光レンズを変形させる目的であ
れば、どのような荷重(又は応力)でも良い。また、集
光レンズの形状においても変形可能なレンズであれば、
その形状の如何は問わないものとする。
加えるようにしたが、集光レンズを変形させる目的であ
れば、どのような荷重(又は応力)でも良い。また、集
光レンズの形状においても変形可能なレンズであれば、
その形状の如何は問わないものとする。
以上説明したように本発明は、集光レンズの曲率半径を
変更、調節することにより、露光領域内のパターン寸法
を均一にできる効果がある。
変更、調節することにより、露光領域内のパターン寸法
を均一にできる効果がある。
第1図は本発明の縮小投影型露光装置の縦断面図、第2
図は集光レンズの平面図である。 1・・・集光レンズ 2・・・レチクル3・・
・縮小投影レンズ 4・・・半導体基板5・・・曲
率変更アーム 第1図 第2図
図は集光レンズの平面図である。 1・・・集光レンズ 2・・・レチクル3・・
・縮小投影レンズ 4・・・半導体基板5・・・曲
率変更アーム 第1図 第2図
Claims (1)
- (1)球状に弯曲させた透明な弾性体からなる露光用集
光レンズを有し、素材の弾性変形により該レンズの曲率
半径を可変としたことを特徴とする縮小投影型露光装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62069756A JPS63234522A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62069756A JPS63234522A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63234522A true JPS63234522A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=13411955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62069756A Pending JPS63234522A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63234522A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0345501U (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-26 | ||
US5973718A (en) * | 1991-10-21 | 1999-10-26 | Xerox Corporation | Method and apparatus to correct for active write length and bow changes in LED print bars |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62069756A patent/JPS63234522A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0345501U (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-26 | ||
US5973718A (en) * | 1991-10-21 | 1999-10-26 | Xerox Corporation | Method and apparatus to correct for active write length and bow changes in LED print bars |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6822728B2 (en) | Illumination system with spatially controllable partial coherence compensation for line width variances in a photolithographic system | |
US6259513B1 (en) | Illumination system with spatially controllable partial coherence | |
JPS60232552A (ja) | 照明光学系 | |
EP3226073A3 (en) | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device | |
SG135931A1 (en) | Device manufacturing method and computer programs | |
EP1336898A3 (en) | Exposure apparatus and method, and device fabricating method using the same | |
JPH01277222A (ja) | 焦点板及び微細構造配列体の形成方法 | |
KR20110015397A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JPH04305601A (ja) | フライアイレンズ装置およびそのフライアイレンズ装置を含む照明装置 | |
JP2000009980A (ja) | レンズ鏡筒及びそれを用いた投影露光装置 | |
US20070103639A1 (en) | Method of manufacturing a mould for producing an optical surface, a method of producing a contact lens and a device for use with these methods | |
JPS63234522A (ja) | 縮小投影型露光装置 | |
JP2005243904A5 (ja) | ||
US6773870B2 (en) | Process of manufacturing a diffusive direct reflector using gray tone exposure | |
JP2000121808A (ja) | ディスプレイ画面の拡大観察用フレネルレンズ | |
US6638698B2 (en) | Method for forming a diffusive-type light reflector | |
US6067145A (en) | Light exposing device for manufacturing semiconductor device which further removes asymmetrical aberration | |
JP2503696B2 (ja) | 投影露光装置 | |
US6025099A (en) | Field curvature correction utilizing smoothly curved chuck for substrate exposure in electronics manufacturing | |
JPH0963943A (ja) | 照明光学装置および該装置を備えた露光装置 | |
KR970022395A (ko) | 조명광학계 | |
JP3131019B2 (ja) | 光学部品の製造法 | |
US20040101785A1 (en) | Process of improved grayscale lithography | |
JP2000232056A (ja) | 露光装置 | |
JPH07191448A (ja) | フォトマスクおよびフォトマスクブランク |