JPS6323321A - 光電子像転写方法 - Google Patents
光電子像転写方法Info
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- JPS6323321A JPS6323321A JP61167091A JP16709186A JPS6323321A JP S6323321 A JPS6323321 A JP S6323321A JP 61167091 A JP61167091 A JP 61167091A JP 16709186 A JP16709186 A JP 16709186A JP S6323321 A JPS6323321 A JP S6323321A
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光電面の表面がセシウム（Ｃｓ）薄膜からなる光電子転
写用マスクを用いた光電子像転写において、光電面の接
する雰囲気にＣｓガスを供給することにより、 マスクの使用寿命を延伸させたものである。
写用マスクを用いた光電子像転写において、光電面の接
する雰囲気にＣｓガスを供給することにより、 マスクの使用寿命を延伸させたものである。
本発明は、光電面の表面がＣｓ薄膜からなる光電子転写
用マスクを用いた光電子像転写の方法に関す。
用マスクを用いた光電子像転写の方法に関す。
半導体集積回路例えば超ＬＳＩなどを製造する微細加工
技術の一つとして、ウェーハに微細パターンを露光する
技術がある。
技術の一つとして、ウェーハに微細パターンを露光する
技術がある。
この露光技術におけるパターン微細化に対応する新しい
ものの一つである光電子像転写法は、光の照射により光
電子を放出する上記に類する光電子転写用マスクを使用
し、そのマスクのパターンをウェーハに転写するもので
、従来の紫外線露光法に比して解像度が高く、従来の電
子ビーム露光法や新しいイオンビームπ光性に比してス
ルーブツトが大きく、またＳＯＲ光（シンクロトロン放
射光）を光源にする新しいＸ線露光法に比して設備費が
小さい特徴を有するものとして実用化が期待されており
、性能の一層の改善が望まれている。
ものの一つである光電子像転写法は、光の照射により光
電子を放出する上記に類する光電子転写用マスクを使用
し、そのマスクのパターンをウェーハに転写するもので
、従来の紫外線露光法に比して解像度が高く、従来の電
子ビーム露光法や新しいイオンビームπ光性に比してス
ルーブツトが大きく、またＳＯＲ光（シンクロトロン放
射光）を光源にする新しいＸ線露光法に比して設備費が
小さい特徴を有するものとして実用化が期待されており
、性能の一層の改善が望まれている。
光電子像転写の従来方法は、第５図の側面図に示すが如
くである。
くである。
即ち、真空（１０”−’〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ）にした露
光室１内において、光電子転写用マスク２の光電面側を
露光対象のウェーハ３に対向させて、マスク２とウェー
ハ３との間に電界と磁界とを印加しておく。
光室１内において、光電子転写用マスク２の光電面側を
露光対象のウェーハ３に対向させて、マスク２とウェー
ハ３との間に電界と磁界とを印加しておく。
そして光源４でマスク２を照射して光電面から光電子５
を放出させる。放出された光電子５は、上記電界および
磁界の作用によりウェーハ３の面を照射して、光電面の
パターンをウェーハ３に転写露光する。
を放出させる。放出された光電子５は、上記電界および
磁界の作用によりウェーハ３の面を照射して、光電面の
パターンをウェーハ３に転写露光する。
光電面を照射する方式には、光−ｔＡ４からの照射光を
反射鏡６で反射させる反射式と、マスク２の裏面から透
過させる透過式とがある。
反射鏡６で反射させる反射式と、マスク２の裏面から透
過させる透過式とがある。
光電子転写用マスク２は、例えば第６図の側面図に示す
如く、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体基板１１
上に、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐ
ｔ）などの金属からなり厚さが１０００人程度０金属
膜パターン１２を形成し、更に前記露光室１に繋がって
いる別の真空室において蒸着によりＧａＡｓの表出面に
数原子層の厚さのＣ３′ｆｔ膜１３を被着したものであ
り、大気中に出すことな（露光に使用される。
如く、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体基板１１
上に、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐ
ｔ）などの金属からなり厚さが１０００人程度０金属
膜パターン１２を形成し、更に前記露光室１に繋がって
いる別の真空室において蒸着によりＧａＡｓの表出面に
数原子層の厚さのＣ３′ｆｔ膜１３を被着したものであ
り、大気中に出すことな（露光に使用される。
このマスク２は、半導体のＣｓ薄膜１３に接する部分が
Ｃｓ薄膜１３に送る光電子の発生領域となり、Ｃｓ薄膜
１３が光電子５放出の作用をする。従って、金属膜パタ
ーン１２によって占められない領域がバクーン化された
光電面１４となる。
Ｃｓ薄膜１３に送る光電子の発生領域となり、Ｃｓ薄膜
１３が光電子５放出の作用をする。従って、金属膜パタ
ーン１２によって占められない領域がバクーン化された
光電面１４となる。
なお上記のように基板１１そのものをＧａＡｓにしたマ
スク２は、ＧａＡｓの光透過性が良くないため反射式に
は適するものの透過式には不向きである。それで透過式
の場合には、石英またはサファイヤなどの透光板にＧａ
Ａｓ層を被着したものを基板１１とする。
スク２は、ＧａＡｓの光透過性が良くないため反射式に
は適するものの透過式には不向きである。それで透過式
の場合には、石英またはサファイヤなどの透光板にＧａ
Ａｓ層を被着したものを基板１１とする。
しかしながら上記従来方法では、第２図の特性図（横軸
は光電子５放出の禎算時間）に破線で示す如く、比較的
短時間の間に光電子５０強度が低下して確実な転写が得
られなくなるのを経験する。
は光電子５放出の禎算時間）に破線で示す如く、比較的
短時間の間に光電子５０強度が低下して確実な転写が得
られなくなるのを経験する。
これは、マスク２の使用寿命の短いことを意味し実用上
極めて不便である。
極めて不便である。
この現象は、光電子５がウェーハ３に衝突した際に発生
するイオンが電界によりマスク２１Ｊ［ＩＪに加速され
てＣｓ薄膜１３にｉｆ突したり、高真空中で光照射を受
けて蒸発したりして、Ｃｓ薄膜１３が次第に減少するこ
とに起因すると考えられる。
するイオンが電界によりマスク２１Ｊ［ＩＪに加速され
てＣｓ薄膜１３にｉｆ突したり、高真空中で光照射を受
けて蒸発したりして、Ｃｓ薄膜１３が次第に減少するこ
とに起因すると考えられる。
上記問題点は、Ｃｓ薄膜１３の減少を抑えることによっ
て解決される。
て解決される。
それは、表面がＣｓ薄膜からなる光電面に接する雰囲気
にＣｓガスを供給する本発明によって達成される。
にＣｓガスを供給する本発明によって達成される。
表面がＣｓ薄膜からなる光電面と光電面が接する雰囲気
との間には、Ｃｓの平衡状態が存在する。従ってその雰
囲気におけるＣｓガスの分圧を平衡状態の分圧より高く
すれば、Ｃｓの蒸発を抑え更にイオンの衝突による目減
りを？！瞑することが可能になる。
との間には、Ｃｓの平衡状態が存在する。従ってその雰
囲気におけるＣｓガスの分圧を平衡状態の分圧より高く
すれば、Ｃｓの蒸発を抑え更にイオンの衝突による目減
りを？！瞑することが可能になる。
そして上記Ｃｓガスの供給は、その状態を実現させる。
かくして、Ｃｓ薄ＢＩＪ！１３の減少を抑えることが出
来て、マスク２の使用寿命が延伸し、光電子像転写を実
用上極めて便利にさせる。
来て、マスク２の使用寿命が延伸し、光電子像転写を実
用上極めて便利にさせる。
以下、本発明方法の実施例について第１図〜第４図を用
い説明する。
い説明する。
第１図は第一の実施例を説明する側面図、第２図はその
実施例と従来方法の光電子強度低下例を示す特性図、第
３図および第４図はそれぞれ第二および第三の実施例を
説明する側面図である。企図を通じ同一符号は同一対象
物を示す。
実施例と従来方法の光電子強度低下例を示す特性図、第
３図および第４図はそれぞれ第二および第三の実施例を
説明する側面図である。企図を通じ同一符号は同一対象
物を示す。
第１図に示す第一の実施例は、第５図図示の従来方法に
対し、露光室１内にＣｓガスビーム発生装置２１を追加
配置し、マスク２の光電面側に向けてＣｓガスを放射し
て光電面近傍のＣｓガス分圧を高めるようにしたもので
ある。その他は従来方法と変わらない。Ｃｓガスの放射
は、少な（とも露光の間を継続するようにする。
対し、露光室１内にＣｓガスビーム発生装置２１を追加
配置し、マスク２の光電面側に向けてＣｓガスを放射し
て光電面近傍のＣｓガス分圧を高めるようにしたもので
ある。その他は従来方法と変わらない。Ｃｓガスの放射
は、少な（とも露光の間を継続するようにする。
Ｃｓガスビーム発生装置２１は、例えば、Ｃ５の加熱蒸
発またはクロム酸セシウム （ＣｓＣｒ４０３ ）の還
元などによりＣｓガスを発生させ、管状体の誘導により
ビーム化する構成にすれば良い。
発またはクロム酸セシウム （ＣｓＣｒ４０３ ）の還
元などによりＣｓガスを発生させ、管状体の誘導により
ビーム化する構成にすれば良い。
この実施例では、露光室１の真空度を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
にした場合の光電子強度低下特性が例えば第２図の実線
の如（になり、マスク２の使用寿命が従来方法の場合に
比して１０倍以上に延伸される。
にした場合の光電子強度低下特性が例えば第２図の実線
の如（になり、マスク２の使用寿命が従来方法の場合に
比して１０倍以上に延伸される。
第３図に示す第二の実施例は、第５図図示の従来方法に
対し、露光室１にＣｓガスを供給するＣｓガス発生装置
３１を追加配置し、露光室１内のＣｓガス分圧を高める
ようにしたものである。その他は従来方法と変わらない
。
対し、露光室１にＣｓガスを供給するＣｓガス発生装置
３１を追加配置し、露光室１内のＣｓガス分圧を高める
ようにしたものである。その他は従来方法と変わらない
。
第４図に示す第三の実施例は、第５図図示の従来方法に
対し、露光室１の内面にＣｓガスの原料４１を付着させ
、露光室１の外側からの加熱によりＣｓガスを発生させ
て、露光室１内のＣｓガス分圧を高めるようにしたもの
である。その他は従来方法と変わらない。原料４１にＣ
ｓ単体を用いれば、Ｃｓの融点が２８６５°Ｃであるこ
とがらＣｓガスの発生は容易である。
対し、露光室１の内面にＣｓガスの原料４１を付着させ
、露光室１の外側からの加熱によりＣｓガスを発生させ
て、露光室１内のＣｓガス分圧を高めるようにしたもの
である。その他は従来方法と変わらない。原料４１にＣ
ｓ単体を用いれば、Ｃｓの融点が２８６５°Ｃであるこ
とがらＣｓガスの発生は容易である。
上記第二および第三の実施例の場合にも、第一の実施例
の場合と同様に、マスク２の使用寿命を従来方法の場合
に比して１０倍以上にすることが出来る。
の場合と同様に、マスク２の使用寿命を従来方法の場合
に比して１０倍以上にすることが出来る。
以上説明したように本発明の構成によれば、光電面の表
面がＣｓ薄膜からなる光電子転写用マスクを用いた光電
子像転写において、光電子転写用マスクの使用寿命を延
伸させることが出来て、光電子像転写を実用上極めて便
利にさせる効果がある。
面がＣｓ薄膜からなる光電子転写用マスクを用いた光電
子像転写において、光電子転写用マスクの使用寿命を延
伸させることが出来て、光電子像転写を実用上極めて便
利にさせる効果がある。
第１図は本発明方法第一の実施例を説明する側面図、
第２図は実施例と従来方法の光電子強度低下例を示す特
性図、 第３図は本発明方法第二の実施例を説明する側面図、 第４図は本発明方法第三の実施例を説明する側面図、 第５図は従来方法を説明する側面図、 第６図は光電子転写用マスクを説明する側面図、である
。 図において、 １は露光室、 ２は光電子転写用マスク、 ３はウェーハ、 ５は光電子、 １３はＣｓンＷ膜、 １４は光電面、 ２１はＣｓガスビーム発生装置、 ３１はＣｓガス発生装置、 ＝１１はＣｓガスの原ｌ−１、 である。 、−ム：：；、 、、。 本発明方法第一の覚方ビ列を護明亨るイＩ’Ｊ７ｊｒ図
第 １ 図 突方辷イアｊとイ走ゑ方元の光電テ強度イ氏下イ列をホ
テ特叫１田第 ２ 図 本発明方迭姉ニの定於脅ｊ庖説明するｉ・１餌毘酪３図 第 ４ 図 第す図 」Ｌ 第６図
性図、 第３図は本発明方法第二の実施例を説明する側面図、 第４図は本発明方法第三の実施例を説明する側面図、 第５図は従来方法を説明する側面図、 第６図は光電子転写用マスクを説明する側面図、である
。 図において、 １は露光室、 ２は光電子転写用マスク、 ３はウェーハ、 ５は光電子、 １３はＣｓンＷ膜、 １４は光電面、 ２１はＣｓガスビーム発生装置、 ３１はＣｓガス発生装置、 ＝１１はＣｓガスの原ｌ−１、 である。 、−ム：：；、 、、。 本発明方法第一の覚方ビ列を護明亨るイＩ’Ｊ７ｊｒ図
第 １ 図 突方辷イアｊとイ走ゑ方元の光電テ強度イ氏下イ列をホ
テ特叫１田第 ２ 図 本発明方迭姉ニの定於脅ｊ庖説明するｉ・１餌毘酪３図 第 ４ 図 第す図 」Ｌ 第６図
Claims (1)
- 光電面の表面がセシウム薄膜からなる光電子転写用マス
クに光を照射して該光電面から光電子を放出させ、該光
電子を用いて該マスクに形成されたパターンをウェーハ
に転写するに際して、該光電面の接する雰囲気にセシウ
ムガスを供給することを特徴とする光電子像転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167091A JPS6323321A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光電子像転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167091A JPS6323321A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光電子像転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323321A true JPS6323321A (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=15843254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167091A Pending JPS6323321A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光電子像転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323321A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH041301A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-06 | Tokyu Constr Co Ltd | 道床の防振装置 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61167091A patent/JPS6323321A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH041301A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-06 | Tokyu Constr Co Ltd | 道床の防振装置 |
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