JPS63228652A - 発熱素子用冷却装置 - Google Patents

発熱素子用冷却装置

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Publication number
JPS63228652A
JPS63228652A JP6104587A JP6104587A JPS63228652A JP S63228652 A JPS63228652 A JP S63228652A JP 6104587 A JP6104587 A JP 6104587A JP 6104587 A JP6104587 A JP 6104587A JP S63228652 A JPS63228652 A JP S63228652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
substrate
container
conductive container
heat conductive
Prior art date
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Pending
Application number
JP6104587A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Ishizuka
勝 石塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6104587A priority Critical patent/JPS63228652A/ja
Publication of JPS63228652A publication Critical patent/JPS63228652A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は高発熱素子用パッケージ等に適用する発熱素
子用冷却装置に関する。
(従来の技術) 従来のこの種の発熱素子用冷却装置としては、例えば、
第3図に示すようなものがある。即ち、この従来例はヒ
ートバイブの原理を利用したもので、−面に発熱素子と
してLSIチップ101を描載し、この基板103の他
面をキャップ状の伝熱性容器105で覆い、内部に冷媒
107を封入したものである。従ってLSIチップ10
1からの発熱は基板103を介して冷媒107へ伝えら
れ、冷媒107が蒸発することによって基板103の熱
が奪われる。そして、蒸発した冷媒107は伝熱性容器
105側で冷Wされ、この伝熱性容器105の壁面等を
伝わって落でくる。
しかしながら、LSIチップ101が高速スイッチング
素子等のように発熱間が天吊になると基板103の一面
側からの放熱だけでは充分ではないという問題がある。
(発明が解決しよとする問題点) このように、発熱素子からの発熱が人聞になるとヒート
バイブの原理を利用して基板の一面側から放熱するもの
ではその放熱が充分ではないという問題がある。
そこでこの発明は基板の両面側から放熱できるようにし
て充分な放熱ができるようにし、しかも装置の大型化を
抑制できる発熱素子用冷却装置の提供を目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 上記問題を解決するためにこの発明は、基板の上面に搭
載されモールドされた発熱素子の周囲を第1の伝熱性容
器で覆い、この第1の伝熱性容器内に冷媒を封入し、前
記基板の下面に第2の伝熱性容器を設け、この第2の伝
熱性容器の内部に低融点合金を封入すると共に外面に放
熱フィンを設ける構成とした。
(作用) 発熱素子からの発熱は一方ではモールドを介して冷媒を
沸腫させ、冷尾が蒸発することによって発熱素子の熱を
奪い、蒸発した冷媒は第1の伝熱性容器側で冷却されて
凝縮し、その熱は第1の伝熱性容器を介して外部に放熱
される。凝縮した冷媒は再び第1の伝熱性容器の壁面を
伝わって落ちてくる。また、他方では基板の下面から第
2の伝熱性容器内の低融点合金に伝わり、1ス板が低融
点合金の融点に達すると低融点合金は液体となり、完全
に液体になってからその温度は更に上テアして行く。そ
の間に低融点合金は全体の温度が一定に保持され、その
熱が第2の伝熱性容器を介して放熱フィンから効率良く
放熱される。
(実施例) 以下、この発明の詳細な説明する。
第1図はこの発明の一実施例に係る発熱素子用冷却装置
を備えた高発熱素子用パッケージの断面図である。
発熱素子として、複数のLSIチップ1が基板3の上面
に搭載されている。このLSIデツプ1は例えば高速ス
イッチング素子であり、モールド5が施されている。
前記基板3の上面にはLSIチップ1の周囲を覆う第1
の伝熱性容器7が設けられている。この第1の伝熱性容
器7は例えば金属板で成形されており、下端が基板3に
溶接され、上部7aがフィン状に形成されている。この
第1の伝熱性容器7内には冷媒9が封入されている。
一方前記基板3の下面には第2の伝熱性容器11が設け
られている。この第2の伝熱性容器11は基板3の下面
に金属製のキャップ材13を溶接することによって基板
3との間に形成されてお0す、内部に低融点合金として
インジウム合金15等が封入されている。低融点合金は
ビスマス合金等にすることもできる。キャップ材13の
外側端にはインジウム合金15が液体となった時の膨張
を吸収する空ll5117が形成されている。更にキャ
ップ材13の外面には放熱フィン19が一体形成されて
いる。
次に作用を説明する。
しSIチップ1からの発熱はモールド5を介して冷Is
9を沸騰させ、冷19が蒸発してLSIチップ1の熱を
奪う。そして蒸発した冷媒9は第1の伝熱性容器7のフ
ィン状の上部7a等で冷却され、この第1の伝熱性容器
7を介して外部へ放熱される。冷却された冷媒9の蒸気
は凝縮液化されて第1の伝熱性容器7の壁面等を伝わっ
て再び基板3上に集積される。
一方LSIチップ1から基板3を介し、この基板3の下
面からインジウム合金15に熱が伝えられる。そして基
板3がインジウム合金15の融点(約80℃)に達する
とインジウム合金は液体となる。このインジウム合金の
相変化の途中では第2図に示すように略一定の温度に保
たれ、インジウム合金が完全に液体となるとその温度は
更に上昇する。その間にインジウム合金15はその温度
が平面的に全体で一定に保持され、放熱フィン19全体
を効率良く利用して放熱を効率良く行なわせることがで
きる。従ってfi51図のようにt−8lチツプ1に対
して第2の伝熱性容器11を基板3の下面に沿って平坦
なものにしてもインジウム合金15により横方向の伝熱
を効率良く行なわせることができるから、基板3の下面
に更に冷却装置を設けたものであっても、パッケージ全
体の薄型化、小型化が可能となっている。
インジウム合金15が液体となる時は膨張するが、この
膨張は空間17によって吸収される。
インジウム合金15は液体となって基板3の下面に接す
るから基板3の下面が歪んでいても、全体的に直接接す
ることができ、基板3との間の熱抵抗が極めて小さく、
効率良い伝熱を行なわせることができる。
そしてこの様に基板3の上下において冷却を行なうから
LSIチップ1の発熱が大量になっても充分に対応する
ことができる。
LSIチップ1が高速スイッチング素子のような場合に
熱は非定常的に出てくるが一端熱はインジウム合金15
に蓄えられるので、急激な温度上昇は避けられ、定常的
な放熱が期待できる。つまり、−瞬の温度上界は冷媒9
の沸騰熱伝達で抑え、定常的な放熱は基板3の下面から
インジ・クム合金15を介して行ない、LSIデツプ1
の作動によって冷却が左右されることがない。
なお、上記一実施例では、第2の伝熱性容器11の一部
を基板3の下面で兼用したが、基板3とは別体に第2の
伝熱性容器を区画形成し、この第2の伝熱性容器を基板
3の下面に接合するような構造にすることもできる。更
にこの場合箱2の伝熱性容器が基板3と接する部分でL
SIチップ1に対応して第2の伝熱性容器に貫通穴を設
け、インジウム合金15がLSIチップ1と対応して基
板3の下面に直接接するようにすることもできる。
[発明の効果] IX上より明らかなようにこの発明の構成よれば、基板
の上面では冷媒の沸騰熱伝達によって、又基板の下面で
はインジウム合金の相変化を介して放熱フィンから放熱
でき、発熱素子の発熱が人5になったとしても充分に対
応することができる。又、発熱素子がスイッチング素子
のような場合に一瞬の温度上昇は冷媒による沸騰熱伝達
で抑え、定常的な放熱は低融点合金の相変化を介して放
熱フィンから効率良く行なうことができる。更に低融点
合金は全体が液体となる間に温度が一定に保たれるから
、基板の下面に平面的に配置されたような場合でも効率
良い放熱が可能となり、装置の薄型化、小型化を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を適用した高発熱素子用パ
ッケージの断面図、第2図はインジウム合金の相変化説
明図、第3図は従来例に係る高発熱素子用パッケージの
断面図である。 1・・・LSIチップ(発熱素子)  3・・・基板−
5・・・七−ルド   7・・・第1の伝熱性容器9・
・・冷媒    11・・・第2の伝熱性容器15・・
・インジウム合金(低融点合金)19・・・放熱フィン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板の上面に搭載されモールドされた発熱素子の周囲を
    第1の伝熱性容器で覆い、この第1の伝熱性容器内に冷
    媒を封入し、前記基板の下面に第2の伝熱性容器を設け
    、この第2の伝熱性容器の内部に低融点合金を封入する
    と共に外面に放熱フィンを設けたことを特徴とする発熱
    素子用冷却装置。
JP6104587A 1987-03-18 1987-03-18 発熱素子用冷却装置 Pending JPS63228652A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6104587A JPS63228652A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 発熱素子用冷却装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6104587A JPS63228652A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 発熱素子用冷却装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63228652A true JPS63228652A (ja) 1988-09-22

Family

ID=13159870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6104587A Pending JPS63228652A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 発熱素子用冷却装置

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JP (1) JPS63228652A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5402004A (en) * 1990-08-14 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Heat transfer module for ultra high density and silicon on silicon packaging applications

Cited By (1)

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