JPS63226927A - 光電子転写用マスクとその製造方法 - Google Patents
光電子転写用マスクとその製造方法Info
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- JPS63226927A JPS63226927A JP62060436A JP6043687A JPS63226927A JP S63226927 A JPS63226927 A JP S63226927A JP 62060436 A JP62060436 A JP 62060436A JP 6043687 A JP6043687 A JP 6043687A JP S63226927 A JPS63226927 A JP S63226927A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明の光電子転写用マスクは、Ｓｂを半導体基板に予
めドープしておき、次にアルカリ金ｍ！ｇ又はアルカリ
土類金属膜を被着することにより。
めドープしておき、次にアルカリ金ｍ！ｇ又はアルカリ
土類金属膜を被着することにより。
Ｓｂ−アルカリ金属又はＳｂ−アルカリ土類金属からな
る光電膜が形成されることを特徴としている。
る光電膜が形成されることを特徴としている。
本発明によれば、Ｓｂのドーズ量を調整することにより
光電膜の性質を制御できるので、再現性の良い所定の性
能を備える光電子転写用マスクを得ることが可能となる
。
光電膜の性質を制御できるので、再現性の良い所定の性
能を備える光電子転写用マスクを得ることが可能となる
。
本発明は光電子転写用マスクに関するものであり、更に
Ｊ１シ＜言えば新規な光電子転写用マスクの構造及びそ
の製造方法に関するものである。
Ｊ１シ＜言えば新規な光電子転写用マスクの構造及びそ
の製造方法に関するものである。
光電子転写用マスクは、半導体装置を製造する際のパタ
ーン焼き付は用に用いられ、透過式と反射式の２つがあ
る。
ーン焼き付は用に用いられ、透過式と反射式の２つがあ
る。
透過式はマスク背面から光を照射し、マスク表面から射
出する光電子を利用するものであり１反射式はマスク表
面から光を照射し、マスク表面から射出する光電子を利
用するものである。
出する光電子を利用するものであり１反射式はマスク表
面から光を照射し、マスク表面から射出する光電子を利
用するものである。
ところで従来の透過式光電子転写用マスクは。
例えば透明基板（石英）上に金属［（非光電Ｉ１ｇ）を
形成した後、該金属膜をパターニングし、更にその上に
Ｃｓｌ （光電Ｎ）を被着することにより形成してい
る。
形成した後、該金属膜をパターニングし、更にその上に
Ｃｓｌ （光電Ｎ）を被着することにより形成してい
る。
また従来の反射式光電子転写用マスクは１例えばＳｉ
、 ＧａＡｓＪｆｓ板（光電材料）の上にＷ、Ｗ−９ｉ
又はＴａ＄の金ｍ膜（非光電膜）を形成した後に、該金
属膜をパターニングすることにより形成している。
、 ＧａＡｓＪｆｓ板（光電材料）の上にＷ、Ｗ−９ｉ
又はＴａ＄の金ｍ膜（非光電膜）を形成した後に、該金
属膜をパターニングすることにより形成している。
しかし、従来の透過式電子転写用マスクによれば、透明
基板の厚みや透過率等によって光の透過量が変わり、光
電性１蔚も変動するので、再現性の良い高性能のマスク
の製造が困難である。
基板の厚みや透過率等によって光の透過量が変わり、光
電性１蔚も変動するので、再現性の良い高性能のマスク
の製造が困難である。
また従来の反射式電子転写用マスクによれば。
Ｓｉ又はＧａＡｘ基板自体の性質によって光電性能が決
定されるので予め所定のＳｉ又はＧａＡｇ基板を選択し
なければならず、不便である。
定されるので予め所定のＳｉ又はＧａＡｇ基板を選択し
なければならず、不便である。
いずれにしても従来の光電子転写用マスクの構造によれ
ば、その光電性能が基板自体の性質に大きく依存するた
め、使用目的に応じて適宜光電性七を、３Ｉ整すること
が困難であった。
ば、その光電性能が基板自体の性質に大きく依存するた
め、使用目的に応じて適宜光電性七を、３Ｉ整すること
が困難であった。
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、新規な光電子転写用マスクの構造と該光電子転写
用マスクの製造方法の提供を目的とする。
あり、新規な光電子転写用マスクの構造と該光電子転写
用マスクの製造方法の提供を目的とする。
第１図は本発明の原理構成を示す図である。同図（ａ）
は部分的にＳｂがドープされた領域２を備える半導体基
板ｌの表面にＣｓ３を被着して形成する場合の図である
０図においてＳｂ ドープ領域２とＣｓ膜３が接触する
部分で光電膜（Ｓｂ −Ｃｓ ）が形成される。
は部分的にＳｂがドープされた領域２を備える半導体基
板ｌの表面にＣｓ３を被着して形成する場合の図である
０図においてＳｂ ドープ領域２とＣｓ膜３が接触する
部分で光電膜（Ｓｂ −Ｃｓ ）が形成される。
同図（ｂ）は全面にＳｂがドープされた領域４を備える
半導体基板ｌの表面に部分的にＣｓ膜を被着する場合の
図である０図においてＳｂ ドープ領域４とＣｓ膜５が
接触する部分で光電膜（Ｓｂ −Ｃｓ ）が形成される
。
半導体基板ｌの表面に部分的にＣｓ膜を被着する場合の
図である０図においてＳｂ ドープ領域４とＣｓ膜５が
接触する部分で光電膜（Ｓｂ −Ｃｓ ）が形成される
。
なおＣｓ膜５の他に、他のアルカリ金属膜（Ｎａ膜やＫ
ａ膜）、あるいはアルカリ土類金属膜（Ｃａ、Ｂａ又は
Ｓｒ）であってもよい。
ａ膜）、あるいはアルカリ土類金属膜（Ｃａ、Ｂａ又は
Ｓｒ）であってもよい。
本発明によれば、半導体基板にドープするＳｂの量を制
御することに１種々の光電特性を示す光電子転写用マス
クを適宜作成することができる。
御することに１種々の光電特性を示す光電子転写用マス
クを適宜作成することができる。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。第２図は本発明の実施例に係る光電子転写用マスクの
製造方法を説明する図である。
。第２図は本発明の実施例に係る光電子転写用マスクの
製造方法を説明する図である。
（１）まず型Ｓｉ基板６の上にレジスト膜７を形成する
６次いで該レジストＩｇｉ７をマスクとして加速電圧２
０〜１００ＫＶテ１０１４〜１０１１７ｃｍ２ （７）
Ｓｂ （アンチモン）イオンを注入する（同図（ａ）
）、なお基板はＳｉ基板の他に１例えばＧａＡｓ基板等
の化合物半導体を用いてもよい、またマスクとしては、
レジスト膜の他にＷ膜。
６次いで該レジストＩｇｉ７をマスクとして加速電圧２
０〜１００ＫＶテ１０１４〜１０１１７ｃｍ２ （７）
Ｓｂ （アンチモン）イオンを注入する（同図（ａ）
）、なお基板はＳｉ基板の他に１例えばＧａＡｓ基板等
の化合物半導体を用いてもよい、またマスクとしては、
レジスト膜の他にＷ膜。
Ｗ−ＳｉｌＩｇあるいはＴａｒｓ等を用いてもよい。
（２）次にレジスト膜７を除去し、更に熱処理を施す（
同図（ｂ））、この時の熱処理はｔｏｏｏ℃前後で、５
分〜１時間行う、これにより５ｉ７ＩＳＩ板６中にドー
プされたＳｂが再分布してＳｂ ドープ領域９が形成さ
れ、特に５ｉ−５ｉＯ２膜界面付近に高濃度のＳｂ
（ｌ Ｏ２０”１０”７ｃｍ２）が析出する（ＳＯＬＴ
［ｌ−８ＴＡＴＥ−ＳＣ１，ａｎｄ ＴＥＣＨ，Ｄｅｃ
ｉ＋ｂｅｒ １９８５ 、Ｐ４Ｏ１０）。
同図（ｂ））、この時の熱処理はｔｏｏｏ℃前後で、５
分〜１時間行う、これにより５ｉ７ＩＳＩ板６中にドー
プされたＳｂが再分布してＳｂ ドープ領域９が形成さ
れ、特に５ｉ−５ｉＯ２膜界面付近に高濃度のＳｂ
（ｌ Ｏ２０”１０”７ｃｍ２）が析出する（ＳＯＬＴ
［ｌ−８ＴＡＴＥ−ＳＣ１，ａｎｄ ＴＥＣＨ，Ｄｅｃ
ｉ＋ｂｅｒ １９８５ 、Ｐ４Ｏ１０）。
なお熱酸化によりＳ ｉ０２膜を形成してもよい、この
場合には必然的に加熱されるので特別の熱処理は不要と
なる。またＳ ｉ０１０２ｌの他に５ｉ３ｅ４膜を用い
ても同様の結果を得ることが可能である。更に熱処理が
低温の場合には、レジス）！１１７を除去しないでその
まま熱処理してもよい。
場合には必然的に加熱されるので特別の熱処理は不要と
なる。またＳ ｉ０１０２ｌの他に５ｉ３ｅ４膜を用い
ても同様の結果を得ることが可能である。更に熱処理が
低温の場合には、レジス）！１１７を除去しないでその
まま熱処理してもよい。
（３） ５１０２膜８の除去の後、蒸着又はスパッタ法
によりＣａ１９１０を形成する。このと、４Ｓｂドープ
領域９と接触する部分では、５ｂ−Ｃｓからなる光電部
分１１が形成される（同図（Ｃ））。
によりＣａ１９１０を形成する。このと、４Ｓｂドープ
領域９と接触する部分では、５ｂ−Ｃｓからなる光電部
分１１が形成される（同図（Ｃ））。
なおＣｓ９１Ｊの他に、他のアルカリ金属やアルカリ土
類金属を用いてもよい。
類金属を用いてもよい。
このようにして本発明の光電子転写用マスクが形成され
るが、本発明によればＳｂの濃度制御によって種々の光
電性能のものを得ることが可ｔｅとなる。
るが、本発明によればＳｂの濃度制御によって種々の光
電性能のものを得ることが可ｔｅとなる。
なお実施例ではドープしたＳｂをＳｉ基板６の表面に高
濃度に析出するから、Ｓ １Ｏ２ＷＪ ８を形成した後
に熱処理を施したが、ドープした状態のＳｂ濃度で充分
な場合にはかかる工程は不要である。
濃度に析出するから、Ｓ １Ｏ２ＷＪ ８を形成した後
に熱処理を施したが、ドープした状態のＳｂ濃度で充分
な場合にはかかる工程は不要である。
第３図は本発明の別の実施例に係る光電子転写用マスク
の製造方法を説明する図である。
の製造方法を説明する図である。
（１）まずＳｉ基板１２の全面にＳｂを注入する（同図
（ａ））。
（ａ））。
（２） 次イテ５ｉＯｚｌｌ！Ｊ １３をｃｖｎ法ニヨ
り形成した後に熱処理を施してＳｂを再分布させ、Ｓｂ
ドープ領域１４を形成する（同図（ｂ））。
り形成した後に熱処理を施してＳｂを再分布させ、Ｓｂ
ドープ領域１４を形成する（同図（ｂ））。
（３）次にＳ ｉｏ＋膜１３を所定の回路パターンに従
ってパターニングを行った後に、Ｃａ１９１０を全面に
形成する。これによりＳｂ ドープ領域１４に接触する
部分にのみ５ｂ−Ｃｓからなる光電部分１６が形成され
る（同図（ｃ））。
ってパターニングを行った後に、Ｃａ１９１０を全面に
形成する。これによりＳｂ ドープ領域１４に接触する
部分にのみ５ｂ−Ｃｓからなる光電部分１６が形成され
る（同図（ｃ））。
このようにしても本発明の光電子転写用マスクが形成さ
れる。
れる。
第４図は第３図の実施例における５ｉ０２膜１３の代わ
りにＷ膜１８を用いる場合の製造工程を示す図である。
りにＷ膜１８を用いる場合の製造工程を示す図である。
すなわちＳｉ基板１７にＳｂを注入してＳｂ ドープ領
域１９を形成した後、Ｗ膜１８を形成してパターニング
する（同図（＆） ） 、次いでＣ５ｇ２０を全面に被
着すると、５ｂ−Ｃｓからなる光電部分２１を有する本
発明の光電子転写用マスクが完成する（同ｒ！４（ｂ）
） 。
域１９を形成した後、Ｗ膜１８を形成してパターニング
する（同図（＆） ） 、次いでＣ５ｇ２０を全面に被
着すると、５ｂ−Ｃｓからなる光電部分２１を有する本
発明の光電子転写用マスクが完成する（同ｒ！４（ｂ）
） 。
以上説明したように１本発明によれば、半導体基板中に
ドープしたＳｂと該基板表面にアルカリ金属膜又はアル
カリ土類金属膜を被着してなる新規な光電子転写用マス
クを得ることができる。特に本発明によれば半導体基板
にドープするＳｂの騒を調整することにより、所定の光
電特性を有する光電子転写用マスクを適宜、製造するこ
とができるので便利である。
ドープしたＳｂと該基板表面にアルカリ金属膜又はアル
カリ土類金属膜を被着してなる新規な光電子転写用マス
クを得ることができる。特に本発明によれば半導体基板
にドープするＳｂの騒を調整することにより、所定の光
電特性を有する光電子転写用マスクを適宜、製造するこ
とができるので便利である。
４、図面ノ１１ｉ ｔｎ すａ 明
第１図は本発明の光電子転写用マスクの原理構虞を説明
する図、 第２図は本発明の実施例に係る光電子転写用マスクとそ
の製造工程とを説明する図、 第３図は本発明の別の実施例に係る光電子転写用マスク
とその製造工程を説明する図。
する図、 第２図は本発明の実施例に係る光電子転写用マスクとそ
の製造工程とを説明する図、 第３図は本発明の別の実施例に係る光電子転写用マスク
とその製造工程を説明する図。
第４図は本発明の更に別の実施例に係る光電子転写用マ
スクとその製造工程を説明する図である。
スクとその製造工程を説明する図である。
（符号の説明）
ｌ・・・半導体基板。
２．４，９，１４．１９・・−Ｓｂ ドープ領域、３．
５，１０，１５．２０−・−Ｃｓ膜、６．１２．１７・
・・Ｓｉ基板、 ７・・・レジスト膜、 ８．１３・・−９１０２１ｇ！。
５，１０，１５．２０−・−Ｃｓ膜、６．１２．１７・
・・Ｓｉ基板、 ７・・・レジスト膜、 ８．１３・・−９１０２１ｇ！。
１１．１６．２１・・・光電部分、
１８・・・Ｗ膜。
（ｆ２）
／Ｉ−、発明、ｎＪ、ｄす鶴板囚
第１図
（ｂ）
Ｉｃ）
」（イー朗ｖ実方！イ苓り配色日月−〇第２図
（α］
（ｂ）
（Ｃ）
４≦ｆ：Ｉ１月の月Ｎ１ハ突オ叱イ列言乞Ｂ巧ロコ第３
図
図
Claims (9)
- （１）Ｓｂを含有する半導体基板とその表面に部分的に
被着されたアルカリ金属膜又はアルカリ土類金属膜とを
有することを特徴とする光電子転写用マスク。 - （２）前記アルカリ金属膜はＣｓ、Ｋ又はＮａであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光電子転
写用マスク。 - （３）前アルカリ土類金属膜はＣａ、Ｂａ又はＳｒであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光電
子転写用マスク。 - （４）半導体基板の上に保護膜を形成する工程と、前記
保護膜のパターニング後、該保護膜をマスクとして半導
体基板のＳｂをドープする工程と、全面にアルカリ金属
膜又はアルカリ土類金属膜を被着することにより、部分
的にＳｂ−アルカリ金属又はＳｂ−アルカリ土類金属か
らなる光電膜を形成する工程とを有することを特徴とす
る光電子転写用マスクの製造方法。 - （５）前記半導体基板にＳｂをドープした工程の後、熱
酸化するか、又は酸化膜を被着した後に熱処理を施すこ
とにより、該Ｓｂを析出させて半導体基板の表面のＳｂ
濃度を高くしておく工程を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第４項に記載の光電子転写用マスクの製造方法
。 - （６）前記保護膜はレジスト膜又は金属膜であることを
特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の光電子転写用
マスクの製造方法。 - （７）半導体基板の表面の全体にＳｂをドープする工程
と、 前記半導体基板の上に非光電膜としての保護膜を形成す
る工程と、 前記保護膜をパターニングして開口部を設けた後、全面
にアルカリ金属膜又はアルカリ土類金属膜を被着するこ
とにより、部分的にＳｂ−アルカリ金属又はＳｂ−アル
カリ土類金属からなる光電膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする光電子転写用マスクの製造方法。 - （８）前記半導体基板にＳｂをドープした工程の後、熱
酸化するか、又は熱酸化膜を被着した後に熱処理を施す
ことにより、該Ｓｂを析出させて半導体表面のＳｂ濃度
を高くしておく工程を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第７項に記載の光電子転写用マスクの製造方法。 - （９）前記保護膜は金属膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第７項に記載の光電子転写用マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62060436A JPS63226927A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 光電子転写用マスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62060436A JPS63226927A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 光電子転写用マスクとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226927A true JPS63226927A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13142210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62060436A Pending JPS63226927A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 光電子転写用マスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020208A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Kyoto University | 動径多極子型配置レンズ及びそれを用いた荷電粒子光学系装置 |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP62060436A patent/JPS63226927A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009020208A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Kyoto University | 動径多極子型配置レンズ及びそれを用いた荷電粒子光学系装置 |
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