JPS63225544A

JPS63225544A - 光フアイバ−母材の製造方法

Info

Publication number: JPS63225544A
Application number: JP31162586A
Authority: JP
Inventors: Makoto Hori; 誠堀; Satoru Okita; 大北　哲; Minoru Sasaki; 稔佐々木; Takao Kanai; 隆雄金井
Original assignee: Kurosaki Refractories Co Ltd; NGK Spark Plug Co Ltd; Nippon Steel Corp; Nippon Steel Chemical Co Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp; Krosaki Harima Corp; Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd; Niterra Co Ltd
Priority date: 1986-12-27
Filing date: 1986-12-27
Publication date: 1988-09-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光ファイバー母材の製造方法に関するちので
ある。詳しく述べると、安価な光ファイバーを提供する
のに好適な光ファイバー母材の製造方法に関するもので
ある。

（従来の技術）従来、光ファイバー母材の製造方法としては、石英管の
内壁に合成ガラス膜を堆積させる工程と堆積後石英管を
加熱、溶着してプリフォームとする工程とよりなる内付
けＣＶＤ法（ＭＣＶＤ法）、加水分解反応を用いて石英
ガラスを合成し、グラフフィト等の心棒のまわりに外径
方向にガラスを堆積することによる外イ１けＣＶＤ法、
母材の堆積を軸方向（長浜方向）に連続的に行なうＶＡ
Ｄ法、コアとなる石英棒をクラッドとなる石英管の中に
挿入し、加熱溶着してプリフォームとするロッドインデ
ユープ法等がある（光学セラミックスと光ファイバー第
１５１〜１６０頁、技報堂出版株式一方、金属アルコキ
シドから光ファイバー母材を製３λする方法も提案され
ている（特開昭５５−１００．２３１号、特開昭６０−
３６．３４２号等）、、また、火炎分解法で作製した粉
末をゾル−ゲル法で形成したガラス管内に納め、これを
加熱下に一体化し、線引きする尤ファイバーの製造方法
も提案されている。

（発明が解決しようとする問題点）光ファイバーは、シングル゛モードを中心に開発が盛ん
で光ファイバー母材の製造方法としては、前記のように
外付けＣＶＤ法、内付けＣＶＤ法、ＶＡＤ法等のごとき
気相からの析出法による製造方法が行なわれ、これによ
り品質の良好な光ファイバーが得られているが、これら
の方法は全て気相から析出であるために製造に長時間を
要し、ひいては製造コストが高い等の問題がある。

このような問題点を解決するために、金属アルコキシド
を原料とした光ファイバーの研究が盛んに行なわれてい
る。しかしながら、現在のところ、金属アルコキシド法
より屈折率の高いコアとそれより低いクラッドとからな
る一体化したもので、品質がよくかつ安価に製造し得る
方法はない。

したがって、本発明は、光ファイバー母材の製造方法を
提供することにある。本発明の他の目的は、安価な光フ
ァイバーを提供するのに好適な光ファイバー母材の製造
方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）これらの開目的は、シリコンアルコキシドとゲルマニウ
ムアルコキシドとの混合アルコキシド溶液を加水分解し
てゲルを形成してゲル状成形体をコア部として得、該成
形体をより大きな円筒状容器の中心に置き、その周囲に
高純度シリカ粉末とシリコンアルコキシドとを混合した
のちに加水分解して得られたゾルを供給し、そのままあ
るいはグル化したのら、超臨界条件Ｔで超臨界流体によ
り水および溶媒を除去することにより多孔質クラッド層
を有する成形体を１ｑ１該成形成形７００℃以上の温度
で焼成することを特徴とする光ファイバー母材の製造方
法により達成される。

これらの開目的は、シリコンアルコキシドとゲルマニウ
ムアルコキシドとの混合アルコキシド溶液を加水分解し
てゲルを形成してゲル状成形体をコア部として得、該成
形体をより大きな円筒状容器の中心に置き、その周囲を
その内側よりもシリコンアル」キシドに対するゲルマニ
ウムアルコキシドの濃度を低くした混合物を加水分解し
て得られるゲルよりなるクラッド層を少なくとも１層形
成させたのち、その周囲に、高純度シリカ粉末とシリコ
ンアル」キシドとを混合したのち加水分解して得られた
ゾルを供給し、そのままあるいはゲル化したのち、超臨
界条件下で超臨界流体により水および溶媒を除去するこ
とにより多孔質クラッド層を有する成形体を得、該成形
体を７００’Ｃ以上の温度で焼成することを特徴とする
光ファイバ−母材の製造方法によっても達成される。

（作用）本発明による光ファイバー母材の製造方法は、シリコン
′）アルコキシドとゲルマニウムアルコキシドとの混合
溶液を加水分解してゾルを形成し、該ゾルより成形用型
内でゲルを形成し、該ゲルの成形体を焼成して円柱状の
焼結成形体を得るか、あるいはゲル状成形体をコア部と
して１９、該成形体をより大きな円筒状容器の中心に同
軸的に置き、その周囲に高純度シリカ粉末とシリコンア
ルコキシドとの混合物を加水分解してｉｑられたゾルを
供給し、必要によりこれをゲル化させたのち、超臨界条
件−ドで超臨界流体により水および溶媒を除去すること
により多孔質クラッド層を有する成形体を得、該成形体
を７００℃以上の温度で焼成することにより行なわれ、
シングルモー゛ト用光フ？イバー母材が得られる。

シリコンアル」キシドおよびゲルマニウムフル」キシド
としては、例えば一般式■で表わされるアルコキシド、
が挙げられる。

Ｍ　（ＯＲ）　ｎＸ４−ｎ　　　　　　（Ｉ　）（ただ
し、式中、Ｍはケイ素またはゲルマニウム、ｎは１〜４
の整数、Ｘは酸素原子、ハロゲン原子、水酸基または有
機残基であり、またＲはアルキル基である。）で表わさ
れる化合物がある。Ｒは、例えば炭素原子数１〜２０、
好ましくは１〜７、より好ましくは１〜４のアルキル基
または炭素原子数６〜２０．好ましくは６〜８の７リー
ル基、Ｘは酸素原子、ハロゲン原子、好ましくは塩素原
子、水酸基または有機残基、例えば炭素原子数１〜２０
、好ましくは１〜７、より好ましくは１〜４の）フルキ
ル基、炭素原子数６〜２０、好ましく１、ｔ６〜８のア
リール基、より好ましくはフェニル基、炭素原子数３〜
５のアリル基、炭素原子数２のビニル基、炭素原子数２
〜１０のβ−ジケトンや有機カルボン酸等のアルミニウ
ムとキレ−１・を形成する有機化合物の残基等である。

−例を挙げると、例えば、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テト
ライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラントリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン
、トリメトキシｎ−プロピルシラン、トリメトキシイソ
プロピルシラン、トリメトキモロープチルシラン、トリ
メトキシイソブチルシラン、！・リストキシｔ−ブチル
シラン、トリメトキシアリルシラン類、トリメトキシご
ニルシラン、トリメトキシ（アセチルアセトナート）シ
ラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシメチル
シラン、１〜リエトキシｎ−プロピルシラン、トリメト
キシｎ−プロピルシラン、トリエトキシブチルシラン類
、トリエトキシ（アセチルアセトナート）シラン、トリ
ーｎ−プロポキシメチルシラン、トリーｎ−プロポキシ
エチルシラン、トリーｎ−プロポキシ（アセチルアセト
ナート）シラン、１〜リイソブロボキシメチルシラン、
トリイソプロポキシエチルシラン、トリイソプロポキシ
プロピルシラン類、トリイソプロポキシブチルシラン類
、トリイソプロポキシフェニルシラン類、トリイソプロ
ポキシ（アセチルアセトナート）シラン、トリブトキシ
メチルシラン類、トリブトキシエチルシラン類、トリブ
トキシプロピルシラン類、トリブトキシブチルシラン類
、トリブトキシ（エチルアセチル）７セテート）シラン
類、トリス（２−メトキシエトキシ）ビニルシラン、γ
ークロロプロピルトリメトキシシランン、トリメトキシクロロシラン、トリイソプロポキシク
ロロシラン、トリメｌ−キシ（ヒドロキシ）シラン等の
３官能シラン化合物、ジメトキシジメチルシラン、ツメ
１〜キシジエチルシラン、ジメトキシジ−ｎ−プロピル
シラン、ジメトキシジイソプロピルシラン、ジメトキシ
ジ−ｎ−１チルシラン、ジメトキシジイソブチルシラン
、ラメ１−キシジー［−ブチルシラン、ジメトキシジフ
ェニルシラン、ジメトキシン（アセチルアセトナート）
シラン、ジェトキシジメチルシラン、ジェトキシジエチ
ルシラン、ジェトキシジイソプロピルシラン、ジェトキ
シジイソプロピルシラン、ジェトキシジブチルシラン類
、ジェトキシジフェニルシラン類、ジエトキシジ（アセ
チルアセ１−ナート）シラン、ジ−ｎ−プロポキシジメ
チルシラン、ジ−ｎ−プロポキシジエチルシラン、ジ−
ｎ−プロポキシン（アセチルアセトナート）シラン、ジ
インプロポキシジメチルシラン、ジイソプロポキシジエ
チルシラン、ジイソプロポキシジプロピルシラン類、ジ
イソプロポキシジプチルシラン類、シイソプロポキシジ
（アセチルアセトナート）シラン、ジブトキシジメチル
シラン類、ジブトキシジエチルシラン類、ジブトキシジ
プロピルシラン類、ジブトキシジメチルシラン類、ジメ
トキシジクロロシラン、ジェトキシジクロロシラン、ジ
イソプロポキシクロロシラン、ジメトキシ（ジヒドロキ
シ）シラン、ジェトキシ（ジヒドロキシ）シラン等の２
官能シラン化合物等がある。

ゲルマニウムアルコキシドとしては、テトラメトキシゲ
ルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソ
プロポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム
、トリメトキシメチルゲルマニウム、トリメトキシエチ
ルゲルマニウム、トリメトキシイソプロピルゲルマニウ
ム、トリメトヤシブチルゲルマニウム類、トリエトキシ
メチルゲルマニウム、トリメトキシイソプロピルゲルマ
ニウム、トリイソプロポキシメチルゲルマニウム、トリ
イソプロポキシブチルゲルマニウム類、トリイソプロポ
キシフェニルゲルマニウム、ツメ１−キシジメチルゲル
マニウム、ジメトキシジイソプロピルゲルマニウム、ジ
エ１−キシジエチルゲルマニウム、ジエ１−キシジブチ
ルゲルマニウム類等がある。

しかして、コア部におけるシリコンアルコキシドとゲル
マニウムアルコキシドとの原子比はＧｅ／Ｓ　ｉ　＝０
．０３〜０．９１である。また、コア部とクラッド層（
多層クラッドの場合は最外層）の屈折率の差は０．１〜
２％である。

加水分解条件下で重合させる方法としては、水および酸
またはアルカリの存在下で行なわれる。

酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、炭酸、ホウ酸
等の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、醋酸、シュウ
酸、マレイン酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機酸
等水溶性酸が使用できる。また、アルカリとしては、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ア
ンモニア、メチルノ７ミン、エチルアミン、エタノール
アミン等が使用できる。

加水分解に使用される水の吊は、混合物中のアルコキシ
基のモル数に対して０．５〜２．０倍モルが好ましく、
特に０．５〜１．５倍モルが好ましい。また、酸の量は
、水のモル数に対して０〜０．５倍モルが好ましく、特
にＯ〜０．２（８モルが好ましい。酸の代りにアルカリ
を使用する場合には、その量は、水のモル数に対してＯ
〜１．０倍モルが好ましく、特にＯ〜０．５倍モルが好
ましい。

加水分解条件下での重合は、Ｏ〜１００’Ｃ１好ましく
は２０〜８０℃の温度で撹拌下に行なわれる。反応は、
減圧下、常圧下または加圧下のいずれでも行なうことが
できる。この場合、水は反応混合液中に直接添加しても
よいが、水−不活性ガス（例えば窒素、アルゴン、ヘリ
ウム、メタン、エタン、プロパン等）混合気体として使
用してもよく、これにより加水分解の制御を容易にする
ことができる。酸、）アルカリにおいても例えば塩化水
素、炭酸ガス１．アンモニア等は水溶液にして添加しも
よいが、ガス状で連続的に反応触媒中に吹き込んで使用
してもよく、この場合不活性ガスとして上記不活性ガス
が使用でき、これにより加水分解の制御を容易にするこ
とができる。また、該反応は無溶媒下に行なうこともで
きるが、有機溶媒中で行なうことが望ましい。前記化合
物を溶解し得る有機溶媒としては、例えばメタノール、
エタノール、ｎ−プロパツール、イソプロパツール、ｎ
−ブタノール、イソブタノール、５ｅＣ−ブタノール、
ヘキナノール、オクタツール等のアルコール類、ｎ−ヘ
キサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン等
の脂肪族炭化水素類、シクロヘキナン、シクロへブタン
等の脂環式炭化水素類、酢酸エチル、酢酸イソプロピル
等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
ジエチルエーテル、ジオキψン等のエーテル類、メチル
セロソルプ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等の
セロソルブ類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
属炭化水素類等が必る。

クラッド層の形成に使用されるシリコンアルコキシドに
配合される高純度シリカ粉末は、粒径１０μｍ以五が好
演しく、特に０．１〜１０μｍのものが好ましい。その
シリコンアル」キシドに対する配合量は重層化で０．５
〜５倍、特に１〜３倍が好ましい。

超臨界圧状態とは、物質の気液臨界点く臨界温度、臨界
圧力）を越えた状態であり、ここでは臨界温度とは気体
を液化し得る最高の温度であり、これ以上の温度では圧
力をいくら上げても液化が起らない状態である。本発明
方法において超臨界圧条件の形成に使用される媒体、す
なわち超臨界流体としては、二酸化炭素、アンモニア、
エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、トルエン、フロ
ンメタノール、エタノール、イソプロパツール等がある
。該超臨界処理を行なうためのプロセスとしては種々あ
るが、−例を挙げると、例えば、まず抽出（１こ前記ゾ
ルを注入した成形用型を投入し、超臨界流体を供給する
ことにより、該ゾル中の溶媒および水分の除去を行なう
。ついで、該抽出槽は定温１；に減圧され、溶ｔｓｉＪ
′３よび水分を含む流体は該抽出槽より排出されて分離
槽へ送られ、該流体の密度低Ｆにより溶媒および水分に
対する溶解力を失い、該分離槽において超臨界流体と溶
ｔＪＸ１３よび水分とに分離され、該流体は再度使用さ
れる。

なお、超臨界流体槽の分離方法には、この他にも温度変
化による分離法、吸着剤を用いた分離法等がある。

以上は、シングルモード用光ファイバー母材の製；置方
法に関するものであるが、マルヂモード用光ファイバー
ＥＮＡを！！！造する場合には、コア部に相当するゲル
状または焼結成形体の外側に該コア部く形成しようとす
るクラッド層に対して内側部）よりもシリコンアルコキ
シドに対するゲルマニウムアルコキシドの濃度（Ｇｅ／
Ｓ　ｉ換算濃度）を低くした混合物を加水分解して得ら
れるゲルよりなる中間クラッド層を少なくとも１層形成
させ、該中間クラッド層が複数層である場合には前記Ｇ
ｅ／Ｓ　ｉ比が外側になるほど順次低くし、最外層のＧ
ｃ／Ｓｉ比が最も低くなるように形成させることにより
複数層のクラッド層を有するマルチモード用光ファイバ
ー母材が得られる。この場合、中間クラッド層の乾燥を
各層を形成する都度あるいは中間多重層時に超臨界条件
下でクラッド層全体としで行なってもよい。

シングルモード用あるいはマルチモード用のいずれの光
ファイバー母材の場合も、焼成は乾燥界７００℃以上、
好ましくは１，０００〜１，７００℃の温度で行なわれ
る。

（実施例）つぎに、実施例を挙げて本発明方法ざらに詳細に説明す
る。

実施例１テトラメトキシシラン１重は部、ゲルマニウムテトライ
ソプロポキシド０．１４重量部をイソプロパツール３重
量部に混合したのち、水０．４唄量部および３５％塩酸
０．０４重量部を添加し、６０’Ｃの温度で１０時間反
応を行ない、ついでこれを成形用型に入れてゲル化し、
さらに乾燥したのら、円柱状成形体を得た。この成形体
を、一方のみが開口した円筒状容器の中心に置いた。シ
リカ粉末（平均粒径３μｍ）６０重量部と１トラメトキ
シシラン５０重量部との混合物をメタノール２００重量
部に混合し、さらに水２０重量部と３５％塩１２重刊部
とよりなる水溶液を添加し、６０℃の温度で５時間反応
さした液を前記円柱状成形体の周囲に流し込み、６０℃
の温度で３時間反応を行なってゾル状物とした。ついで
、この容器を超臨界装置の抽出槽に入れ、抽出媒体（超
臨界流体）として二酸化炭素を用い、４５℃の温度およ
び２００　ｋｇ／ｃｍ　２の圧力の超臨界条件下で該ゾ
ル中の溶媒および水分の除去を３時間行なったところ、
均一な細孔径を有する多孔質成形体が得られた。この成
形体を１，２００°Ｃで１０時間焼成して光ファイバー
母材を得た。この母材の中心部と外層との屈折率差は０
．３％であった。

実施例２テトう」ニドキシ９９２５０重屋部みよびゲルマニウム
テトラエトキシド５重量部をエタノール１００重層部に
溶解させ、これにアルコキシド含量に対して４倍モルの
０．０５規定アンモニア水溶液を加え、６０℃の温度で
３時間撹拌した。この溶液を成形型に入れて乾燥したの
ち、円柱状成形体を得た。一方、テトラエトキシシラン
５０重量部およびエタノール１００重量部よりなる混合
液に高純度微粉末状シリカ（純度９９．９％、平均粒径
１μｍ）７０重端部を添加し、充分均一になるまで撹拌
を行なったスラリーに、０．０５規定のアンモニア水溶
液をテトラエトキシシランに対して４倍モル畢添加し、
６０℃の温度で３時間撹拌した。この混合液を、前述の
円柱状成形体を中心部に置いた円筒容器に流し込み、こ
れを容器ごと抽出槽に入れ、抽出媒体として二゛酸化炭
素を用い、５０℃の温度および２００　ｋ＋Ｊ／ｃｍ　
２の圧力の超臨界条件下で該ゾル中の溶媒および水分の
除去を３時間行なったところ、中央部のゲルマニウム含
有円柱状成形体を含む均一な細孔径を有する多孔質成形
体が得られた。この成形体を吃燥後、気下で１，２００
’″Ｃの調度で５時間焼成することにより中央部かゲル
マニウムリッチであるシリカ質光ファイバー円材が得ら
れた。この母材の中心部と外層との屈折率の差は０．８
％であった。

実施例３デＩ・ラストキシシラン１重量部およびゲルマニウムテ
トライソプロポキシド０．９５重間部をイソプロパツー
ル３小伝部に混合したのち、水０゜４唄♀部および２８
％アンモニア水０．０４重量部を添／ｌ［ｌ　Ｌ／、６
０’Ｃの温度で１０時間撹拌してゾルＡＪＦｒ：得た。

テトラメトキシシラ２５重四部およびゲルマニウムテト
ライソプロポキシド４重坦部をイソプロパツール１０重
量部に混合したのち、水２単量部および２８％アンモニ
ア水０．１重間部を添ｂｏｂ、６０’Ｃの温度で５時間
撹拌してゾルＢ８得た。テトラメトキシシラン１５重量
部およびゲルマニウムテトライソプロポキシド９組量部
をイソプロパツール２０重量部に混合したのち、水４重
量部および２８％アンモニア水０．２重量部を添加し、
６０℃の温度で５時間撹拌してゾルＣを得た。テトラメ
トキシシラン３０重通部およびゲルマニウムテトライソ
プロポキシド１２重量部をインプロパツール４０重層部
に混合したのち、水１０重１部および２８％アンモニア
水０．５重番部を添加し、６０℃の温度で５時間撹拌し
てゾルＤを得た。テトラエトキシシラン５０重量部およ
びメタノール１００重選部に高純度微粉末状シリカ（純
度９９．９％、平均粒径１μｍ）５０重層部を混合し、
充分撹拌して得られるスラリーに０．０５ＡＪ！定アン
モニア水をテトラメトキシシランに対して４倍モル添加
し、６０’Ｃの温度で１０時間撹拌してゾルＥを得た。

上記ゾルＡを円筒状容器に流し込み、５０℃、２００　
ｋｇ／ｃｍ　２の二酸化炭素で３時間乾燥し、成形体を
得た。この成形体を円筒容器の中央にセットし、その周
囲にゾルＢを流し込み、５０℃、２００局／ｃｍ　２の
二酸化炭素で３時間乾燥し、成形体を得た。さらに成形
体を円柱状容器の中央に置き、その周囲にゾルＣを流し
込み、同様な乾燥を経て同心円状に３一層となった円柱
状成形体を得た。

この円柱状成形体をさらに円筒容器の中央に置き、その
周囲にゾルＤを流し込み、これを容器ごと５０℃の温度
で２００気圧の超臨界状態にした炭酸ガス気流中で３時
間乾燥を行なったところ、同心円状に４層となった円柱
状に一体化した成形体を得た。さらにこの成形体を円筒
容器の中心に置き、その周囲にゾルＥを流し込み、同様
に上記超臨界条件下で脱水、ＵＲ溶媒を行い、これを乾
燥したのち、１，２００℃の温度で１０時間焼成したと
ころ、中央部が最もゲルマニウムリッチで外側に向っ−
（角のゲルマニウム濃度勾配を有し、屈折率もこれに伴
なった勾配を有するＧＲＩＮ型光ファイバー母材を得た
。この母材の中心部と最外層の屈折率差は１．５％であ
った。

比較例実施例２および４の方法において、最終的なゲルの乾燥
を、超臨界流体である二酸化炭素を用いずにピンホール
あけたアルミニウム箔で容器に蓋をして、室温で徐々に
乾燥を行なったところ、最外周のゲル層に亀裂が生じた
。

（発明の効果）以上述べたように、本発明による光ファイバー母材の製
造方法は、シリコンアルコキシドとゲルマニウムアルコ
キシドとの混合アルコキシド溶液を加水分解してゲルを
形成して、ゲル状成形体を」７部として得、該成形体を
より大きな円筒状容器の中心に６き、その周囲に高純度
シワ力粉末とシリコンフル」キシドとを混合したのちに
加水分解して得られたゾルを供給し、そのままあるいは
ゲル化したのら、超臨界条件下で超臨界流体により水お
よび溶媒を除去することにより多孔質クラッド層を有す
る成形体を得、該成形体を７００℃以上の温度で焼成す
ることにより行なわれるものであるから、屈折率の高い
コア部とそれより屈折率の低いクラッド層が極めて短時
間で一体的に形成でき、きわめて安価（光フフイバー母
材がシングルモード用として製造できる。また、超臨界
圧流体による脱溶媒、脱水の結果、乾燥ゲルには開気孔
が形成され、その後の加熱工程により光）？イム−１，
：とって有害な水酸基を充分に除去することかできるた
め、性能の向上が著しい。

また、この場合、コア部の周囲をその内側よりｂシリコ
ンアルコキシドに対するゲルマニウムアルコキシドの濃
度を低くした混合物を加水分解してｌ？られるゲルより
なるクラッド層を少なくとも１層形成さ廿たのら、その
周囲に高純度シリカ粉末とシリコンアル」キシドとを混
合したのち（加水分解して得られたゾルを供給し、その
ままあるい１」グル化したのち、超臨界条件Ｔで超臨界
流体により水および溶媒を除去することにより多孔質ク
ラッド層を有する成形体を得、該成形体を７００℃以上
の温度でゆつ（り焼成することにより、複ｉ層のクラッ
ド層を有するマルチモード用の光ノアイハー母材が短時
間で極めて安価に製造できる。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）シリコンアルコキシドとゲルマニウムアルコキシ
ドとの混合アルコキシド溶液を加水分解してゲル形成し
てゲル状成形体をコア部として得、該成形体をより大き
な円筒状容器の中心に置き、その周囲に高純度シリカ粉
末とシリコンアルコキシドとを混合したのちに加水分解
して得られたゾルを供給し、そのままあるいはゲル化し
たのち、超臨界条件下で超臨界流体により水および溶媒
を除去することにより多孔質クラッド層を有する成形体
を得、該成形体を７００℃以上の温度で焼成することを
特徴とする光ファイバー母材の製造方法。
（２）コア部のゲルマニウム／ケイ素の原子比が０．０
３〜０．９１であり、かつ該コア部と該クラッド層の屈
折率の差が０．１〜２％である特許請求の範囲第１項に
記載の製造方法。
（３）高純度シリカ粉末の平均粒径は１０μｍ以下であ
り、かつシリコンアルコキシドに対する比はそのケイ素
重量比で０．５〜５倍である特許請求の範囲第１項また
は第２項に記載の製造方法。
（４）シリコンアルコキシドとゲルマニウムアルコキシ
ドとの混合アルコキシド溶液を加水分解してゲルを形成
してゲル状成形体をコア部として得、該成形体をより大
きな円筒状容器の中心に置き、その周囲にその内側より
もシリコンアルコキシドに対するゲルマニウムアルコキ
シドの濃度を低くした混合物を加水分解して得られるゲ
ルよりなるクラッド層を少なくとも１層形成させたのち
、その周囲に高純度シリカ粉末とシリコンアルコキシド
とを混合したのちに加水分解して得られたゾルを供給し
、そのままあるいはゲル化したのち、超臨界条件下で超
臨界流体により水および溶媒を除去することにより多孔
質クラッド層を有する成形体を得、該成形体を７００℃
以上温度で焼成することを特徴とする光ファイバー母材
の製造方法。
（５）コア部のゲルマニウム／ケイ素の原子比が０．０
３〜０．９１であり、かつ該コア部と該クラッド層の最
外層の屈折率の差が０．１〜２％である特許請求の範囲
第４項に記載の製造方法。
（６）高純度シリカ粉末の平均粒径は１０μｍ以下であ
り、かつシリコンアルコキシドに対する比はそのケイ素
重量比で０．５〜５倍である特許請求の範囲第４項また
は第５項に記載の製造方法。