JPS63225375A - キノリジノン誘導体 - Google Patents
キノリジノン誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は新規キノリジノン誘導体およびその塩類に関
する。さらに詳細には、この発明はトロンボキサンA2
抑制効果を有する新規キノリジノン誘導体およびその塩
類、ならびにそれらの製造法に関する。
する。さらに詳細には、この発明はトロンボキサンA2
抑制効果を有する新規キノリジノン誘導体およびその塩
類、ならびにそれらの製造法に関する。
すなわち、この発明の一つの目的は、抗血栓症薬として
有用な新規キノリジノン誘導体およびその塩類を提供す
ることである。
有用な新規キノリジノン誘導体およびその塩類を提供す
ることである。
この発明のもう一つの目的は、前記キノリジノン誘導体
およびその塩類の製造法を提供することである。
およびその塩類の製造法を提供することである。
この発明の目的化合物は下記式(I)で示すことができ
る。
る。
c式中、R1はカルボキシ基、保護されたカルボキシ基
またはアミド化されたカルボキシ基;R2は水素または
ハロゲン; R3は式: [式中、Aは低級アルキレン基、 R4はアミン基、保護きれたアミン基、ヒドロキシ基、
保護されたヒドロキシ基、アリールチオ基、アリールス
ルフィニル基、式: %式% (式中、R5は式: (式中、Xは水素、ハロゲン、低級アルコキシ基、トリ
フルオロメチル基またはニトロ基、Yは水素またはハロ
ゲンをそれぞれ意味する)で示される基、 ジ(低級)アルキルアミノ基、チェニル基またはキノリ
ル基をそれぞれ意味する)で示される基]または式: %式% (式中、Zは0またはS、 R7はアリール基をそれぞれ意味する)で示される基を
それぞれ意味するコ。
またはアミド化されたカルボキシ基;R2は水素または
ハロゲン; R3は式: [式中、Aは低級アルキレン基、 R4はアミン基、保護きれたアミン基、ヒドロキシ基、
保護されたヒドロキシ基、アリールチオ基、アリールス
ルフィニル基、式: %式% (式中、R5は式: (式中、Xは水素、ハロゲン、低級アルコキシ基、トリ
フルオロメチル基またはニトロ基、Yは水素またはハロ
ゲンをそれぞれ意味する)で示される基、 ジ(低級)アルキルアミノ基、チェニル基またはキノリ
ル基をそれぞれ意味する)で示される基]または式: %式% (式中、Zは0またはS、 R7はアリール基をそれぞれ意味する)で示される基を
それぞれ意味するコ。
この発明の新規キノリジノン誘導体(I)は下記反応式
で示される製造法により製造することができる。
で示される製造法により製造することができる。
(亘) (It
)またはその塩類 またはその塩類1産盟ユ (Im) (Ib)また
はその塩類 またはその塩類1圭亘ユ (Ib) (Ic)またはその塩類
またはその塩類1盟盈ま (V) (Id)または
その塩類 またはその塩類表1益1 (Ie) (R)またはその塩類
またはその塩類製i組旦 (Ig) (Ih)またはその塩類
またはその塩類1産盈ヱ (Vl) (If)またはその塩類
またはその塩類鳳Jl旦 (H) (Ij)またはその塩類
またはその塩類に盗盈1 (Ik) またはその塩類 またはその塩類 1鳳盈旦 基におけるその反 応性誘導体または その塩類 製JIL■ (In) (10)またはその塩
類 またはその塩類(式中、R1、R2、R3
、R5、R7、Aおよび2は前と同じ意味であり、 R1は保護されたカルボキシ基、 Rbはアミド化されたカルボキシ基、 R2はハロゲン、 R4は保護されたアミノ基、 Rbは保護されたヒドロキシ基、 R4はアリールチオ基、 R’ltアリールスルフィニル基、 R8は低級アルコキシ基、 R9は低級アルキル基、 A1は低級アルキレン基、 xlおよびX2はそれぞれ酸残基をそれぞれ意味する)
。
)またはその塩類 またはその塩類1産盟ユ (Im) (Ib)また
はその塩類 またはその塩類1圭亘ユ (Ib) (Ic)またはその塩類
またはその塩類1盟盈ま (V) (Id)または
その塩類 またはその塩類表1益1 (Ie) (R)またはその塩類
またはその塩類製i組旦 (Ig) (Ih)またはその塩類
またはその塩類1産盈ヱ (Vl) (If)またはその塩類
またはその塩類鳳Jl旦 (H) (Ij)またはその塩類
またはその塩類に盗盈1 (Ik) またはその塩類 またはその塩類 1鳳盈旦 基におけるその反 応性誘導体または その塩類 製JIL■ (In) (10)またはその塩
類 またはその塩類(式中、R1、R2、R3
、R5、R7、Aおよび2は前と同じ意味であり、 R1は保護されたカルボキシ基、 Rbはアミド化されたカルボキシ基、 R2はハロゲン、 R4は保護されたアミノ基、 Rbは保護されたヒドロキシ基、 R4はアリールチオ基、 R’ltアリールスルフィニル基、 R8は低級アルコキシ基、 R9は低級アルキル基、 A1は低級アルキレン基、 xlおよびX2はそれぞれ酸残基をそれぞれ意味する)
。
出発化合物(V)の一部は新規であり、下記製造例に記
載の方法もしくは常法に従って製造することができる。
載の方法もしくは常法に従って製造することができる。
目的化合物(I)の好適な塩類は常用の無毒性塩類であ
り、例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属
塩、例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ
土類金属塩のような金属塩、アンモニウム塩、例えば+
リメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’ −
ジベンジルエチレンジアミン塩等の有機塩基塩、例えば
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエンスルホン酸
塩等の有機酸塩、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩
、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアルギニン、アスパラギ
ン酸、グルタミン酸等のアミノ酸との塩等が挙げられる
。
り、例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属
塩、例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ
土類金属塩のような金属塩、アンモニウム塩、例えば+
リメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’ −
ジベンジルエチレンジアミン塩等の有機塩基塩、例えば
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸塩
、ベンゼンスルホン酸塩、ギ酸塩、トルエンスルホン酸
塩等の有機酸塩、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩
、燐酸塩等の無機酸塩、例えばアルギニン、アスパラギ
ン酸、グルタミン酸等のアミノ酸との塩等が挙げられる
。
この明細書の以上および以下の記載において、この発明
の範囲内に包含きれる種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
の範囲内に包含きれる種々の定義の好適な例および説明
を以下詳細に述べる。
「低級、とは、特に指示がなければ、炭素原子1〜6個
を意味するものとする。
を意味するものとする。
好適な1低級アルキル基、もしくは「低級アルキル、部
分としては、炭素原子1〜6個を有するもので、メチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、第三
級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の基が挙げられる。
分としては、炭素原子1〜6個を有するもので、メチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、第三
級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の基が挙げられる。
好適な「低級アルキレン基Jとしては、炭素原子1〜6
個を有するもので、メチレン、エチレン、プロピレン、
トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキ
サメチレン等の基が挙げられる。
個を有するもので、メチレン、エチレン、プロピレン、
トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキ
サメチレン等の基が挙げられる。
好適な「低級アルコキシ基」としては、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、第三級ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキジ等の基が挙げられる。
キシ、プロポキシ、ブトキシ、第三級ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキジ等の基が挙げられる。
好適な1ハロゲン」としては、塩素、臭素、フッ素およ
び沃素が挙げられる。
び沃素が挙げられる。
好適な「酸残基、とじては、例えばフッ素、塩素、臭素
、沃素のようなハロゲン、例えばアセトキシ、トシルオ
キシ、メシルオキシ等のアシルオキシ基等が挙げられる
。
、沃素のようなハロゲン、例えばアセトキシ、トシルオ
キシ、メシルオキシ等のアシルオキシ基等が挙げられる
。
好適な1保護されたカルボキシ基」としては、後述のよ
うな1エステル化されたカルボキシ基。
うな1エステル化されたカルボキシ基。
が挙げられる。
エステル化きれたカルボキシ基のエステル部分の好適な
例としては、例えばメチルエステル、エチルエステル、
プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエス
テル、イソブチルエステル、第三級ブチルエステル、ペ
ンチルエステル、ヘキシルエステル、1−シクロプロピ
ルエチルエステル等の、適尚な置換基を少なくとも1個
有していてもよい低級アルキルエステル、その例として
、例えばアセトキシメチルエステJu、プロピ才ニルオ
キシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、
バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシメチ
ルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、1(
または2)−アセトキシエチルエステル、1(または2
または3)−アセトキシプロピルエステル、1(または
2または3または4)−アセトキシブチルエステル、1
(または2)−プロピオニルオキシニブルエステル、1
(または2または3)−プロピオニルオキシプロピルエ
ステル、1(または2)−ブチリルオキシエチルエステ
ル、1(または2)−インブチリルオキシエチルエステ
ル、1(または2)−ピバロイルオキシエチルエステル
、1(または2)ヘキサノイルオキシエチルエステル、
インブチリルオキシメチルエステル、2−エチルブチリ
ルオキシメチルエステル、3.3−ジメチルブチリルオ
キシメチルエステル、1(または2)−ペンタノイルオ
キシエチルエステル等の低級アルカノイルオキシ(低級
)アルキルエステル、例えば2−メシルエチルエステル
等の低級アルカンスルホニル(低級)アルキルエステル
、例えば2−ヨードエチルエステル、2.2.2−トリ
クロロエチルエステル等のモノ(またはジまたはトリ)
−ハロ(低級)アルキルエステル、例えばメトキシ力J
レボニルオキシメチルエステル ボニルオキシメチルエステル、2−メトキシカルボニル
オキシエチルエステル、1−エトキシカルボニルオキシ
エチルエステル、1−イソプロポキシカルボニルオキシ
エチルエステル等の低級アルコキシカルボニルオキシ(
低級)アルキルエステル、フタリジリデン(低級)アル
キルエステル、または例えば(5−メチル−2−才キソ
ー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)メチルエステル、
(5−エチル−2−才キソー1.3−ジオキソ−ルー4
−イル)メチルエステル、(5−プロピル−2−才キソ
ー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)エチルエステル等
の(5−低級アルキルー2−才キソー1.3−ジオキソ
−ルー4−イル)(低級)アルキルエステル;例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルケニルエス
テル;例エバエチニルエステ&,プロピニルエステル等
の低級アルキニルエステル; 例えばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステ
ル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキシフェニル)メチルニスフル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3.5−ジ−第
三級ブチルベンジルエステル等の、少なくとも1個の適
当な置換基を有していてもよいアル(低級)アルキルエ
ステル;例えばフェニルエステル、4−クロロフェニル
エステル、トリルエステル、第三級ブチルフェニルエス
テル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメニル
エステル等の、少なくとも1個の適当な置換基を有して
いてもよいアリールエステル; フタリジルエステル等のようなものが挙げられる。
例としては、例えばメチルエステル、エチルエステル、
プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエス
テル、イソブチルエステル、第三級ブチルエステル、ペ
ンチルエステル、ヘキシルエステル、1−シクロプロピ
ルエチルエステル等の、適尚な置換基を少なくとも1個
有していてもよい低級アルキルエステル、その例として
、例えばアセトキシメチルエステJu、プロピ才ニルオ
キシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、
バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシメチ
ルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、1(
または2)−アセトキシエチルエステル、1(または2
または3)−アセトキシプロピルエステル、1(または
2または3または4)−アセトキシブチルエステル、1
(または2)−プロピオニルオキシニブルエステル、1
(または2または3)−プロピオニルオキシプロピルエ
ステル、1(または2)−ブチリルオキシエチルエステ
ル、1(または2)−インブチリルオキシエチルエステ
ル、1(または2)−ピバロイルオキシエチルエステル
、1(または2)ヘキサノイルオキシエチルエステル、
インブチリルオキシメチルエステル、2−エチルブチリ
ルオキシメチルエステル、3.3−ジメチルブチリルオ
キシメチルエステル、1(または2)−ペンタノイルオ
キシエチルエステル等の低級アルカノイルオキシ(低級
)アルキルエステル、例えば2−メシルエチルエステル
等の低級アルカンスルホニル(低級)アルキルエステル
、例えば2−ヨードエチルエステル、2.2.2−トリ
クロロエチルエステル等のモノ(またはジまたはトリ)
−ハロ(低級)アルキルエステル、例えばメトキシ力J
レボニルオキシメチルエステル ボニルオキシメチルエステル、2−メトキシカルボニル
オキシエチルエステル、1−エトキシカルボニルオキシ
エチルエステル、1−イソプロポキシカルボニルオキシ
エチルエステル等の低級アルコキシカルボニルオキシ(
低級)アルキルエステル、フタリジリデン(低級)アル
キルエステル、または例えば(5−メチル−2−才キソ
ー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)メチルエステル、
(5−エチル−2−才キソー1.3−ジオキソ−ルー4
−イル)メチルエステル、(5−プロピル−2−才キソ
ー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)エチルエステル等
の(5−低級アルキルー2−才キソー1.3−ジオキソ
−ルー4−イル)(低級)アルキルエステル;例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルケニルエス
テル;例エバエチニルエステ&,プロピニルエステル等
の低級アルキニルエステル; 例えばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステ
ル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル
、トリチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(
メトキシフェニル)メチルニスフル、3.4−ジメトキ
シベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3.5−ジ−第
三級ブチルベンジルエステル等の、少なくとも1個の適
当な置換基を有していてもよいアル(低級)アルキルエ
ステル;例えばフェニルエステル、4−クロロフェニル
エステル、トリルエステル、第三級ブチルフェニルエス
テル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメニル
エステル等の、少なくとも1個の適当な置換基を有して
いてもよいアリールエステル; フタリジルエステル等のようなものが挙げられる。
前述のエステル化されたカルボキシ基の好ましい例とし
ては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル
、プロポキシカルボニル、インプロポキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、インブトキシカルボニル、第三級
ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、第三
級ヘンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニ
ル、1−シクロプロピルエトキシカルボニル等の低級ア
ルコキシカルボニル基が挙げられる。
ては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル
、プロポキシカルボニル、インプロポキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、インブトキシカルボニル、第三級
ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、第三
級ヘンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニ
ル、1−シクロプロピルエトキシカルボニル等の低級ア
ルコキシカルボニル基が挙げられる。
好適なrアミド化されたカルボキシ基」としては、窒素
原子に適当な置換基を有していてもよいアミド(−CO
NH2)が挙げられ、適当な置換基としては後述のよう
な適当な置換基を有していてもよい複素環基、適当な置
換基を有していてもよいアリール基等が挙げられる。
原子に適当な置換基を有していてもよいアミド(−CO
NH2)が挙げられ、適当な置換基としては後述のよう
な適当な置換基を有していてもよい複素環基、適当な置
換基を有していてもよいアリール基等が挙げられる。
前記′複素環基,とはきらに詳しくは、酸素原子、イオ
ウ原子、窒素原子等のようなヘテロ原子を少なくとも1
個含む飽和または不飽和、複素単環基または複素多環基
を意味する.とりわけ好ましい複素環基としては、窒素
原子1〜4個を含む不飽和3〜8員、さらに好ましくは
5または6員複素車環基、その例として、ピロリル、ピ
ロリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジルおよび
そのN−オキシト、ジヒドロピリジル、ピリミジル、ピ
ラジニル、ピリダジニル、例えば4H−1,2,4−ト
リアゾリル、IH−1,2,3−トリアゾリル、2H−
1,2,3−1リアゾリル等のトリアゾリル、例えばI
H−テトラゾリル、2H−テトラゾリル等のテトラゾリ
ル、例えば1.2.3−トリアジニル、1,2.4−
トリアジニル、1゜3.5−トリアジニル等のトリアジ
ニル等;窒素原子1〜4個を含む飽和3〜8員、さらに
好ましくは5または6員複素単環基、例えばピロリジニ
ル、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等; 窒素原子1〜4個を含む不飽和縮合複素環基、例えばイ
ンドリル、イソインドリル、イントリジニル、ベンズイ
ミダゾリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、
ベンゾトリアゾリル等;酸素原子1〜2個および窒素原
子1〜3個を含む不飽和3〜8員、きらに好ましくは5
または6員複素単環基、その例として、オキサシリル、
イソオキサシリル、例えば1,2.4−オキサジアゾリ
ル、1.3.4−オキサジアゾリル、1.2.5−オキ
サジアゾリル等のオキサジアゾリル等:rII素原子1
〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8員、さ
らに好ましくは5または6員複素単環基、例えばモルホ
リニノ呟シトノニル等;酸素原子1〜2個および窒素原
子1〜3個を含む不飽和縮合複素環基、例えばベンズオ
キサシリル、ベンズオキサジアゾリル等: イ才つ原子1〜2個および窒′I!:原子1〜3個を含
む不飽和3〜8員、さらに好ましくは5または6員複素
単環基、その例として、チアゾリル、インチアシリ/L
−,例えば1,2.3−チアジアゾリル、1.2.4−
チアジアゾリル、1.3.4−チアジアゾリル、1.2
.5−デアジアゾリル等のチアジアゾリル、ジヒドロチ
アジニル等; イ才つ原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和
3〜8負、さらに好ましくは5または6員複素単環基、
例えばデアゾリジニル等;イオウ原子1〜2個を含む不
飽和3〜8員、さらに好ましくは、5または6員複素単
環基、例えばデエニル、ジヒドロチアニル、ジヒドロジ
ブプロル等: イ才つ原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽
和縮合複素環基、例えばベンゾチアゾリル、ベンゾチア
ジアゾリル等; 酸素原子1個を含む不飽和3〜8員、さらに好ましくは
5〜6員複素単環基、例えばフリル等;酸素原子1個お
よびイ才つ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員、ξらに
好ましくは5または6員複素単環基、例えばジヒドロオ
キサチイニル等:イオつ原子1〜2個を含む不飽和縮合
複素環基、例えばベンゾチェニル、ペンゾジチイニル等
;酸素原子1個およびイ才つ原子1〜2個を含む不飽和
縮合複素環基、例えばベンズオキサゾイニル等のような
複素環基が挙げられ、これらの「複素環基」はハロゲン
例えば塩素、臭素、沃素またはフッ素、例えばメチル、
エチル、プロピル等の前記低級アルキル基等のような適
当な1個以上の置換基を有していてもよい。
ウ原子、窒素原子等のようなヘテロ原子を少なくとも1
個含む飽和または不飽和、複素単環基または複素多環基
を意味する.とりわけ好ましい複素環基としては、窒素
原子1〜4個を含む不飽和3〜8員、さらに好ましくは
5または6員複素車環基、その例として、ピロリル、ピ
ロリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジルおよび
そのN−オキシト、ジヒドロピリジル、ピリミジル、ピ
ラジニル、ピリダジニル、例えば4H−1,2,4−ト
リアゾリル、IH−1,2,3−トリアゾリル、2H−
1,2,3−1リアゾリル等のトリアゾリル、例えばI
H−テトラゾリル、2H−テトラゾリル等のテトラゾリ
ル、例えば1.2.3−トリアジニル、1,2.4−
トリアジニル、1゜3.5−トリアジニル等のトリアジ
ニル等;窒素原子1〜4個を含む飽和3〜8員、さらに
好ましくは5または6員複素単環基、例えばピロリジニ
ル、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等; 窒素原子1〜4個を含む不飽和縮合複素環基、例えばイ
ンドリル、イソインドリル、イントリジニル、ベンズイ
ミダゾリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、
ベンゾトリアゾリル等;酸素原子1〜2個および窒素原
子1〜3個を含む不飽和3〜8員、きらに好ましくは5
または6員複素単環基、その例として、オキサシリル、
イソオキサシリル、例えば1,2.4−オキサジアゾリ
ル、1.3.4−オキサジアゾリル、1.2.5−オキ
サジアゾリル等のオキサジアゾリル等:rII素原子1
〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和3〜8員、さ
らに好ましくは5または6員複素単環基、例えばモルホ
リニノ呟シトノニル等;酸素原子1〜2個および窒素原
子1〜3個を含む不飽和縮合複素環基、例えばベンズオ
キサシリル、ベンズオキサジアゾリル等: イ才つ原子1〜2個および窒′I!:原子1〜3個を含
む不飽和3〜8員、さらに好ましくは5または6員複素
単環基、その例として、チアゾリル、インチアシリ/L
−,例えば1,2.3−チアジアゾリル、1.2.4−
チアジアゾリル、1.3.4−チアジアゾリル、1.2
.5−デアジアゾリル等のチアジアゾリル、ジヒドロチ
アジニル等; イ才つ原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む飽和
3〜8負、さらに好ましくは5または6員複素単環基、
例えばデアゾリジニル等;イオウ原子1〜2個を含む不
飽和3〜8員、さらに好ましくは、5または6員複素単
環基、例えばデエニル、ジヒドロチアニル、ジヒドロジ
ブプロル等: イ才つ原子1〜2個および窒素原子1〜3個を含む不飽
和縮合複素環基、例えばベンゾチアゾリル、ベンゾチア
ジアゾリル等; 酸素原子1個を含む不飽和3〜8員、さらに好ましくは
5〜6員複素単環基、例えばフリル等;酸素原子1個お
よびイ才つ原子1〜2個を含む不飽和3〜8員、ξらに
好ましくは5または6員複素単環基、例えばジヒドロオ
キサチイニル等:イオつ原子1〜2個を含む不飽和縮合
複素環基、例えばベンゾチェニル、ペンゾジチイニル等
;酸素原子1個およびイ才つ原子1〜2個を含む不飽和
縮合複素環基、例えばベンズオキサゾイニル等のような
複素環基が挙げられ、これらの「複素環基」はハロゲン
例えば塩素、臭素、沃素またはフッ素、例えばメチル、
エチル、プロピル等の前記低級アルキル基等のような適
当な1個以上の置換基を有していてもよい。
好適な1保護きれたヒドロキシ基」としては、慣用のヒ
ドロキシ保護基、その例として、例えばメチル、エチル
、プロピル、第三級ブチル等の低級アルキル基、例えば
ビニル、アリル等の低級アルケニル基、例えばベンジル
、ペンズヒドリノ呟トリチル等のモノ−またはジーまた
はトリフェニル(低級)アルキル基等のようなアル(低
級)アルキル基、例えばトリメチルシリル、トリエチル
シリル、イソブロピルジメチルシリノ呟第三級ブチルジ
メチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル等のトリ(
低級)アルキルシリル基、例えば)・リフェニルシリル
等のトリアリールシリル基、例えばトリベンジルシリル
等のトリアル(低級)アルキルシリル基等のようなトリ
置換シリル基、テトラヒドロピラニル基等によって保護
されたヒドロキシ基が挙げられる。
ドロキシ保護基、その例として、例えばメチル、エチル
、プロピル、第三級ブチル等の低級アルキル基、例えば
ビニル、アリル等の低級アルケニル基、例えばベンジル
、ペンズヒドリノ呟トリチル等のモノ−またはジーまた
はトリフェニル(低級)アルキル基等のようなアル(低
級)アルキル基、例えばトリメチルシリル、トリエチル
シリル、イソブロピルジメチルシリノ呟第三級ブチルジ
メチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル等のトリ(
低級)アルキルシリル基、例えば)・リフェニルシリル
等のトリアリールシリル基、例えばトリベンジルシリル
等のトリアル(低級)アルキルシリル基等のようなトリ
置換シリル基、テトラヒドロピラニル基等によって保護
されたヒドロキシ基が挙げられる。
好適な「アリール基」としては、フェニル、トリル、キ
シリノ呟 クメニル、ナフチノ呟 ビフェニリル等が挙
げられ、これらはアミン、ニトロ、例えばフッ素、塩素
、臭素、沃素等のハロゲン、前記低級アルコキシ、カル
ボキシ、前記保護されたカルボキシ、ヒドロキシ等の基
のような適当な置換基1個以上を有していてもよい。
シリノ呟 クメニル、ナフチノ呟 ビフェニリル等が挙
げられ、これらはアミン、ニトロ、例えばフッ素、塩素
、臭素、沃素等のハロゲン、前記低級アルコキシ、カル
ボキシ、前記保護されたカルボキシ、ヒドロキシ等の基
のような適当な置換基1個以上を有していてもよい。
1アリールチオ基」および「アリールスルフィニル基」
の好適な「アリール基」としては、前に例示したような
ものが挙げられる。
の好適な「アリール基」としては、前に例示したような
ものが挙げられる。
好適な「アリールチオ基」としては、フェニルチオ、ナ
フチルチオ等が挙げられる。
フチルチオ等が挙げられる。
好適な「アリールスルフィニル基」としては、フェニル
スルフィニル、ナフチルスルフィニル等が挙げられる。
スルフィニル、ナフチルスルフィニル等が挙げられる。
好適な「保護されたアミノ基」としては、「アシル」部
分が常用のものであるアシルアミノ、ベンジルアミノ、
フェネチルアミノ、トリチルアミノのようなアル(低級
)アルキルアミノ、スクシンイミド、フタルイミドのよ
うなイミド等が挙げられる。
分が常用のものであるアシルアミノ、ベンジルアミノ、
フェネチルアミノ、トリチルアミノのようなアル(低級
)アルキルアミノ、スクシンイミド、フタルイミドのよ
うなイミド等が挙げられる。
σA千鼻b)
この発明の目的化合物(I)の製造法を以下詳細に説明
する。
する。
製im
化合物(Ia)またはその塩類は、化合物(T1)また
はその塩類を化合物(III)と反応させることにより
製造することができる。
はその塩類を化合物(III)と反応させることにより
製造することができる。
化合物(If)および(Ia)の好適な塩類としては、
化合物(1)について例示した塩類を挙げることができ
る。
化合物(1)について例示した塩類を挙げることができ
る。
この反応は、アルキルリチウム例えばn−ブチルリチウ
ム、S・C−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピル
アミド、例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
キシド等のアルカリ金属アルフキシト等の存在下に行な
うのが好ましい。
ム、S・C−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピル
アミド、例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
キシド等のアルカリ金属アルフキシト等の存在下に行な
うのが好ましい。
この反応は通常、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、ジメデルホルムアミド、ベンゼン、ヘキサン、クロ
ロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチルのような溶媒中で行なわれるが、反
応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他のいかな
る溶媒中でも反応を行なうことができる。
ル、ジメデルホルムアミド、ベンゼン、ヘキサン、クロ
ロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチルのような溶媒中で行なわれるが、反
応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他のいかな
る溶媒中でも反応を行なうことができる。
反応温度は特に限定されず、通常は冷却下、常温または
加熱下に反応が行なわれる。
加熱下に反応が行なわれる。
1盗羞1
化合物(Ib)またはその塩類は、化合物(Ia)また
はその塩類をフタロイル基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
はその塩類をフタロイル基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。
この脱離反応においては、例えば加水分解、アンモニア
またはその誘導体を使用する脱離等の、フタロイル基の
脱離に常用されるすべての方法が適用可能である。
またはその誘導体を使用する脱離等の、フタロイル基の
脱離に常用されるすべての方法が適用可能である。
加水分解は塩基または酸の存在下に行うのが好ましい。
好適な塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸
化物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、
例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等のアルカリ金属
酢酸塩、例えば燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等の
アルカリ土類金属燐酸塩、例えば燐酸水素二ナトリウム
、燐酸水素二カリウム等のアルカリ金属燐酸水素塩等の
ような無機塩基、および例えばトリメチルアミン、トリ
エチルアミン等のトリアルキルアミン、ピッリン、N−
メチルピロリジン、N−メチルモルホリン、1.5−ジ
アザビシクロ[4,3,0]]ノンー5−オン1.4−
ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1.5−ジア
ザビシクロ[5,4,O]]ウンデセンー5のような・
有機塩基がその例として挙げられる。
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸
化物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、
例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等のアルカリ金属
酢酸塩、例えば燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等の
アルカリ土類金属燐酸塩、例えば燐酸水素二ナトリウム
、燐酸水素二カリウム等のアルカリ金属燐酸水素塩等の
ような無機塩基、および例えばトリメチルアミン、トリ
エチルアミン等のトリアルキルアミン、ピッリン、N−
メチルピロリジン、N−メチルモルホリン、1.5−ジ
アザビシクロ[4,3,0]]ノンー5−オン1.4−
ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1.5−ジア
ザビシクロ[5,4,O]]ウンデセンー5のような・
有機塩基がその例として挙げられる。
好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸等
の有機酸、および例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無
機酸が挙げられる。
の有機酸、および例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無
機酸が挙げられる。
この加水分解は通常、有機溶媒、水またはそれらの混合
物中で行われる。
物中で行われる。
この加水分解の反応温度は特に限定されないが、通常は
冷却下、常温または加温下に反応が行われる。
冷却下、常温または加温下に反応が行われる。
アンモニアまたはその誘導体を使用する脱離反応の好適
なアンモニア誘導体としては、例えばメチルアミン、エ
チルアミン、プロピルアミン等の低級アルキルアミン、
ヒドラジン、ヒドラジン・水化物、フェニルヒドラジン
、N、N−ジメチルアミノプロピルアミン等が挙げられ
る。
なアンモニア誘導体としては、例えばメチルアミン、エ
チルアミン、プロピルアミン等の低級アルキルアミン、
ヒドラジン、ヒドラジン・水化物、フェニルヒドラジン
、N、N−ジメチルアミノプロピルアミン等が挙げられ
る。
この反応は通常、メタノール、エタノール、プロパノ−
4,テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルム
アミド、クロロホルムのような溶媒中で行われるが、反
応に悪影響を及ぼ妨ないものであれば、その他のいかな
る溶媒中でも反応を行うことができる。
4,テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルム
アミド、クロロホルムのような溶媒中で行われるが、反
応に悪影響を及ぼ妨ないものであれば、その他のいかな
る溶媒中でも反応を行うことができる。
反応温度は特に限定されないが、通常は加温下または加
熱下に反応が行われる。
熱下に反応が行われる。
11盟1
化合#(Ic)またはその塩類は、化合物(Ib)また
はその塩類を化合物(]V)またはその塩類と反応させ
ることにより製造することができる。
はその塩類を化合物(]V)またはその塩類と反応させ
ることにより製造することができる。
化合物(Ic)および(IV)の好適な塩類としては、
化合物(1)について例示したものが挙げられる。
化合物(1)について例示したものが挙げられる。
この反応は常用の塩基の存在下に行うのが好ましい。
好適な塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸
化物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、
例えば燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等のアルカリ
土類金属燐酸塩、例えば燐酸水素二ナトリウム、燐酸水
素二カリウム等のアルカリ金属燐酸水素塩等のような無
機塩基、ならびに例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム
等のアルカリ金属酢酸塩、例えばナトリウムメトキシド
、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド等の
アルカリ金属アルコキシド、例えばトリメチルアミン、
トリエチルアミン等のトリアルキルアミン等のような有
機塩基がその例として挙げられる。
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸
化物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、
例えば燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等のアルカリ
土類金属燐酸塩、例えば燐酸水素二ナトリウム、燐酸水
素二カリウム等のアルカリ金属燐酸水素塩等のような無
機塩基、ならびに例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム
等のアルカリ金属酢酸塩、例えばナトリウムメトキシド
、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド等の
アルカリ金属アルコキシド、例えばトリメチルアミン、
トリエチルアミン等のトリアルキルアミン等のような有
機塩基がその例として挙げられる。
反応は通常、アセトン、ジオキサン、アセトニトリル、
クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒ
ドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルムアミ
ドのような常用の溶媒中で行われるが、反応に悪影響を
及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中でも反
応を行うことができる。
クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒ
ドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルムアミ
ドのような常用の溶媒中で行われるが、反応に悪影響を
及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中でも反
応を行うことができる。
反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。
温下に反応が行われる。
1盗羞1
化合物(Id)またはその塩類は、化合物(V)または
その塩類を閉環反応に付すことにより製造することがで
きる。
その塩類を閉環反応に付すことにより製造することがで
きる。
化合物(V)の好適な塩類としては、化合物(1)につ
いて例示した塩類を挙げることができる。
いて例示した塩類を挙げることができる。
この反応は、加熱媒体として使用されるジフェニルとジ
フェニルエーテルとのflL&4L 1.s−ジアザ
ビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7等のような適当
な試薬の存在下に行なうのが好ましい。
フェニルエーテルとのflL&4L 1.s−ジアザ
ビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7等のような適当
な試薬の存在下に行なうのが好ましい。
反応温度は特に限定されないが、通常は加熱下に反応が
行なわれる。
行なわれる。
k1迭1
目的化合物(If>またはその塩類は、化合物(Ie)
またはその塩類をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すこ
とにより製造することができる。
またはその塩類をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すこ
とにより製造することができる。
化合物(Ia)および(If)の好適な塩類としては化
合物(I)について例示した塩類を挙げることができる
。
合物(I)について例示した塩類を挙げることができる
。
この脱離反応においては、ヒドロキシ保護基ノ脱離反応
で使用される常法、例えば加水分解、還元、リューイス
酸を使用する脱離等のすべてが適用されうる。加水分解
は塩基または酸の存在下に行なうのが好ましい。
で使用される常法、例えば加水分解、還元、リューイス
酸を使用する脱離等のすべてが適用されうる。加水分解
は塩基または酸の存在下に行なうのが好ましい。
好適な塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水際
化物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、
例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等のアルカリ金属
酢酸塩、例えば燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等の
アルカリ土類金属燐酸塩、例えば燐酸水素二ナトリウム
、燐酸水素二カリウム等のアルカリ金属燐酸水素塩等の
無機塩基、および例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミン等のトリアルキルアミン、ピッリン、N−メチル
ピロリジン、N−メチルモルホリン、1.5−ジアザビ
シクロ[4,3,0]]ノンー5−オン1.4−ジアザ
ビシクロ[: 2.2.21オクタン、1.5−ジアザ
ビシクロ[5,4,0]]ウンデセンー5のような有機
塩基がその例として挙げられる。塩基を用いる加水分解
はしばしば水中または親水性有機溶媒中またはそれらの
混合溶媒中で行なわれる。
カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグ
ネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水際
化物、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウ
ム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、
例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等のアルカリ金属
酢酸塩、例えば燐酸マグネシウム、燐酸カルシウム等の
アルカリ土類金属燐酸塩、例えば燐酸水素二ナトリウム
、燐酸水素二カリウム等のアルカリ金属燐酸水素塩等の
無機塩基、および例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミン等のトリアルキルアミン、ピッリン、N−メチル
ピロリジン、N−メチルモルホリン、1.5−ジアザビ
シクロ[4,3,0]]ノンー5−オン1.4−ジアザ
ビシクロ[: 2.2.21オクタン、1.5−ジアザ
ビシクロ[5,4,0]]ウンデセンー5のような有機
塩基がその例として挙げられる。塩基を用いる加水分解
はしばしば水中または親水性有機溶媒中またはそれらの
混合溶媒中で行なわれる。
好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸等
の有機酸および例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機
酸が挙げられる。
の有機酸および例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機
酸が挙げられる。
この加水分解は通常有機溶媒、水またはそれらの混合溶
媒中で行なわれる。
媒中で行なわれる。
反応温度は特に限定されず、ヒドロキシ保護基の種類お
よび脱離法の種類によって適宜選択すればよい。
よび脱離法の種類によって適宜選択すればよい。
リューイス酸を用いる脱離は置換もしくは非置換アル(
低級)アルキルエステルの脱離に適用するのが好ましく
、化合物(Ia)またはその塩を、例えば三塩化ホウ素
、三フッ化ホウ素等の三ハロゲン化ホウ素、例えば四塩
化チタン、四臭化チタン等の四ハロゲン化チタン、例え
ば四塩化スズ、四臭化スズ等の四ハロゲン化スズ、例え
ば塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化
アルミニウム、例えばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢
酸等のトリハロ酢酸等のようなりューイス酸と反応させ
ることにより行なわれる。この脱離反応は例えばアニソ
ール、フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行なう
のが好ましく、通常は例えばニトロメタン、ニトロエタ
ン等のニトロアルカン、例えば塩化メチレン、塩化エチ
レン等のハロゲン化アルキレン、ジエチルエーテル、二
硫化炭素のような溶媒中で行なわれるが、反応に悪影響
を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中でも
行なうことができる。
低級)アルキルエステルの脱離に適用するのが好ましく
、化合物(Ia)またはその塩を、例えば三塩化ホウ素
、三フッ化ホウ素等の三ハロゲン化ホウ素、例えば四塩
化チタン、四臭化チタン等の四ハロゲン化チタン、例え
ば四塩化スズ、四臭化スズ等の四ハロゲン化スズ、例え
ば塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化
アルミニウム、例えばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢
酸等のトリハロ酢酸等のようなりューイス酸と反応させ
ることにより行なわれる。この脱離反応は例えばアニソ
ール、フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行なう
のが好ましく、通常は例えばニトロメタン、ニトロエタ
ン等のニトロアルカン、例えば塩化メチレン、塩化エチ
レン等のハロゲン化アルキレン、ジエチルエーテル、二
硫化炭素のような溶媒中で行なわれるが、反応に悪影響
を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中でも
行なうことができる。
これらの溶媒はそれらの混合物として用いてもよい。
還元脱離法は、例えば2−ヨードエチルエステル、2.
2 + 2− トリクロロエチルエステル等のハロ(低
級)アルキルエステル、例えばベンジルエステル等のア
ル(低級)アルキルエステル等のような保護基の脱離に
適用するのが好ましい、この脱離反応に適用されうる還
元法としては、例えば亜鉛、亜鉛アマルガム等の金属ま
たは例えば塩化第一クローム、j[[−クローム等のク
ローム化合物塩と、例えば酢酸、プロピオン酸、塩酸等
の有機酸または無機酸との組合わせ:および例えばパラ
ジウム−炭素、ラネーニッケル等の慣用の金属触媒の存
在下における接触還元常法がその例として挙げられる。
2 + 2− トリクロロエチルエステル等のハロ(低
級)アルキルエステル、例えばベンジルエステル等のア
ル(低級)アルキルエステル等のような保護基の脱離に
適用するのが好ましい、この脱離反応に適用されうる還
元法としては、例えば亜鉛、亜鉛アマルガム等の金属ま
たは例えば塩化第一クローム、j[[−クローム等のク
ローム化合物塩と、例えば酢酸、プロピオン酸、塩酸等
の有機酸または無機酸との組合わせ:および例えばパラ
ジウム−炭素、ラネーニッケル等の慣用の金属触媒の存
在下における接触還元常法がその例として挙げられる。
反応温度は特に限定されず、通常は冷却下、常温または
加温下に反応が行なわれる。
加温下に反応が行なわれる。
1産盈1
化合物(Ih)またはその塩類は、化合物(Ig)また
はその塩類をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことに
より製造することができる。
はその塩類をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことに
より製造することができる。
化合物(Ig)および(Ih)の好適な塩類としては、
化合物(I)について例示した塩類を挙げることができ
る。
化合物(I)について例示した塩類を挙げることができ
る。
この反応は前記製造法5と同様にして行なうことができ
る。
る。
鳳JcJLヱ
化合物(Ii)またはその塩類は、化合物(Vl)また
はその塩類をアリールチオ基の導入反応に付すことによ
り製造することができる。
はその塩類をアリールチオ基の導入反応に付すことによ
り製造することができる。
化合物(■)および(■1)の好適な塩類としては、化
合物(りについて例示した塩類を挙げることができる。
合物(りについて例示した塩類を挙げることができる。
この反応は、アルキルリチウム例えばn−ブチルリチウ
ム、5ee−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピル
アミド、例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
キシド等のアルカリ金属アルフキシト等の存在下に行な
うのが好ましい。
ム、5ee−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピル
アミド、例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
キシド等のアルカリ金属アルフキシト等の存在下に行な
うのが好ましい。
この反応は通常、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ヘキサン、クロ
ロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチルのような溶媒中で行なわれるが、反
応に悪影響を及ぼきない溶媒であれば、その他のいかな
る溶媒中でも反応を行なうことができる。
ル、ジメチルホルムアミド、ベンゼン、ヘキサン、クロ
ロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチルのような溶媒中で行なわれるが、反
応に悪影響を及ぼきない溶媒であれば、その他のいかな
る溶媒中でも反応を行なうことができる。
反応温度は特に限定されず、通常は冷却下、常温または
加熱下に反応が行なわれる。
加熱下に反応が行なわれる。
1産益1
化合物(Ij)またはその塩類は、化合物(!1)また
はその塩類を酸化することにより製造することができる
。
はその塩類を酸化することにより製造することができる
。
化合物(Ij)の好適な塩類としては、化合物(I)に
ついて例示した塩類を挙げることができる。
ついて例示した塩類を挙げることができる。
↑
この酸化反応は−S−の−8−への変換に適用される常
法、例えば、m−クロロ過安息香酸、過安息香酸、過酢
酸、オゾン、過酸化水素、過沃素酸等のような酸化剤を
使用する方法によって行うことができる。
法、例えば、m−クロロ過安息香酸、過安息香酸、過酢
酸、オゾン、過酸化水素、過沃素酸等のような酸化剤を
使用する方法によって行うことができる。
この反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニ
トリル呟 クロロホルム、塩化メチレン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチルのような溶媒中で行われるが、反応
に悪影響を及ぼきない溶媒であればその他のいかなる溶
媒中でも反応を行うことができる。
トリル呟 クロロホルム、塩化メチレン、テトラヒドロ
フラン、酢酸エチルのような溶媒中で行われるが、反応
に悪影響を及ぼきない溶媒であればその他のいかなる溶
媒中でも反応を行うことができる。
反応温度は特に限定されないが、冷却下または常温で反
応を行うのが好ましい。
応を行うのが好ましい。
1盟羞ユ
化合物(!2)またはその塩類は、化合物(Ik)また
はその塩類を化合物(■)と反応させることにより製造
することができる。
はその塩類を化合物(■)と反応させることにより製造
することができる。
化合物(Ik)および化合物(■2)の好適な塩類とし
ては、化合物(りについて例示した塩類を挙げることが
できる。
ては、化合物(りについて例示した塩類を挙げることが
できる。
この反応は無水トリフルオロ酢酸のような酸の存在下に
行なうのが好ましい。
行なうのが好ましい。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルム
アミド、ピリジンのような慣用の溶媒中で行なわれるが
、反応に悪影響を及ぼきない溶媒であればその他のいか
なる溶媒中でも反応を行なうことができる。
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメチルホルム
アミド、ピリジンのような慣用の溶媒中で行なわれるが
、反応に悪影響を及ぼきない溶媒であればその他のいか
なる溶媒中でも反応を行なうことができる。
反応温度は特に限定されず、通常は冷却下、常温または
加温下に反応が行なわれる。
加温下に反応が行なわれる。
11跋旦
目的化合物(1m)またはその塩類は、化合物(工h)
またはカルボキシ基におけるその反応性誘導体またはそ
の塩類をアミド化反応に付すことにより製造することが
できる。
またはカルボキシ基におけるその反応性誘導体またはそ
の塩類をアミド化反応に付すことにより製造することが
できる。
化合物He)の好適な塩類としては、化合物(1)につ
いて例示した塩類を挙げることができる。
いて例示した塩類を挙げることができる。
このアミド化反応で使用されるアミド化剤としては、適
当な置換基を有していてもよい複素環基または適当な置
換基を有していてもよいアリール基のような適当な置換
基を窒素原子に有するアミンが挙げられる。
当な置換基を有していてもよい複素環基または適当な置
換基を有していてもよいアリール基のような適当な置換
基を窒素原子に有するアミンが挙げられる。
化合物(Ih)のカルボキシ基における好適な反応性誘
導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化エス
テル等が挙げられる。その好適な例を挙げると、酸塩化
物;酸アジド;例えばジアルキル燐酸、フェニル燐酸、
ジフェニル燐酸、ジベンジル燐酸、ハロゲン化燐酸等の
置換された燐酸、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸
、硫酸、アルキル炭酸、例えばピバリン酸、ペンタン酸
、イソペンタン酸、2−エチル酪厳またはトリクロロ酢
酸等の脂肪族カルボン酸または例えば安息香酸等の芳香
族カルボン酸のような酸との混合酸無水物;対称酸無水
物;または例えばシアノメチルエステル、メトキシメチ
ルエステル、ジメチルイミノメチル[(CH3)2N
−CI−] ニス7 ル、ヒニルエステル、プロパルギ
ルエステル、p−ニトロフェニルエステル、z、<−ジ
ニトロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル
、ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエス
テル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオエ
ステル、p−ニトロフェニルチオエステル、p−クレジ
ルチオエステル、カルボキシメチルチオエステル、ピラ
ニルエステル、ピリジルエステル、ピペリジルエステル
、8−キノリルチオエステル等の活性化エステル、また
は例えばN、N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒ
ドロキシ−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシス
クシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒド
ロキシ−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のN
−ヒドロキシ化合物とのエステル等である。
導体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化エス
テル等が挙げられる。その好適な例を挙げると、酸塩化
物;酸アジド;例えばジアルキル燐酸、フェニル燐酸、
ジフェニル燐酸、ジベンジル燐酸、ハロゲン化燐酸等の
置換された燐酸、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸
、硫酸、アルキル炭酸、例えばピバリン酸、ペンタン酸
、イソペンタン酸、2−エチル酪厳またはトリクロロ酢
酸等の脂肪族カルボン酸または例えば安息香酸等の芳香
族カルボン酸のような酸との混合酸無水物;対称酸無水
物;または例えばシアノメチルエステル、メトキシメチ
ルエステル、ジメチルイミノメチル[(CH3)2N
−CI−] ニス7 ル、ヒニルエステル、プロパルギ
ルエステル、p−ニトロフェニルエステル、z、<−ジ
ニトロフェニルエステル、トリクロロフェニルエステル
、ペンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエス
テル、フェニルアゾフェニルエステル、フェニルチオエ
ステル、p−ニトロフェニルチオエステル、p−クレジ
ルチオエステル、カルボキシメチルチオエステル、ピラ
ニルエステル、ピリジルエステル、ピペリジルエステル
、8−キノリルチオエステル等の活性化エステル、また
は例えばN、N−ジメチルヒドロキシルアミン、1−ヒ
ドロキシ−2−(IH)−ピリドン、N−ヒドロキシス
クシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミド、1−ヒド
ロキシ−6−クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のN
−ヒドロキシ化合物とのエステル等である。
化合物(Ih)を遊離酸の形または塩の形で反応に使用
する場合、N、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミ
ド、N−シクロヘキシル−N′−モルホリノエチルカル
ボジイミド −(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド、1
.1’ −カルボニルジイミダゾール、塩化チオニル、
塩化オキザリル、例えばクロロギ酸エチル、クロロギ酸
イソブチル等の低級アルコキシカルボニルハロゲン化物
、1−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−
クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のような慣用の縮
合剤の存在下に反応を行なうのが好tしい。
する場合、N、N’ −ジシクロへキシルカルボジイミ
ド、N−シクロヘキシル−N′−モルホリノエチルカル
ボジイミド −(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド、1
.1’ −カルボニルジイミダゾール、塩化チオニル、
塩化オキザリル、例えばクロロギ酸エチル、クロロギ酸
イソブチル等の低級アルコキシカルボニルハロゲン化物
、1−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−
クロロ−IH−ベンゾトリアゾール等のような慣用の縮
合剤の存在下に反応を行なうのが好tしい。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、クロロホルム
、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒドロフラン、
酢酸エチル、N.N−ジメチルホルムアミド、ピリジン
のような慣用の溶媒中で行なわれるが、反応に悪影響を
及ぼきない溶媒であれば、その他のいかなる有機溶媒中
でも反応を行なうことができる.これらの溶媒中、親水
性溶媒は水と混合して使用してもよい。
、塩化メチレン、塩化エチレン、テトラヒドロフラン、
酢酸エチル、N.N−ジメチルホルムアミド、ピリジン
のような慣用の溶媒中で行なわれるが、反応に悪影響を
及ぼきない溶媒であれば、その他のいかなる有機溶媒中
でも反応を行なうことができる.これらの溶媒中、親水
性溶媒は水と混合して使用してもよい。
縮合剤の存在下における反応は、通常は無水の条件下に
行なわれるが、稀に限定はされない。
行なわれるが、稀に限定はされない。
この反応は、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
等のアルカリ金属水酸化物、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素
塩、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン等のト
リ(低級)アルキルアミン、ピリジンまたは例えばピコ
リン、ルチジン、4−ジメチルアミノピリジン等のピリ
ジン誘導体等のような無機塩基または有機塩基の存在下
に行なってもよい.使用される塩基または縮合剤が液体
であれば、それを溶媒として使用することもできる。
等のアルカリ金属水酸化物、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸水素ナ
トリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素
塩、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン等のト
リ(低級)アルキルアミン、ピリジンまたは例えばピコ
リン、ルチジン、4−ジメチルアミノピリジン等のピリ
ジン誘導体等のような無機塩基または有機塩基の存在下
に行なってもよい.使用される塩基または縮合剤が液体
であれば、それを溶媒として使用することもできる。
反応温度は特に限定されず、通常は加熱下または加温下
、好ましくは加熱下に反応が行なわれる。
、好ましくは加熱下に反応が行なわれる。
振Jl■
化合物(!0)またはその塩類は、化合物(In)また
はその塩類をハロゲンの導入反応に付すことにより製造
することができる。
はその塩類をハロゲンの導入反応に付すことにより製造
することができる。
化合物(In)および(Io)の好適な塩類としては、
化合物(I)について例示した塩類を挙げることができ
る。
化合物(I)について例示した塩類を挙げることができ
る。
この反応は、通常使用されているハロゲン導入剤の存在
下に行なわれと。
下に行なわれと。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル、N.N−ジメチルホルム
アミド、ピリジンのような慣用の溶媒中で行なわれるが
、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であればその他のいか
なる溶媒中でも反応を行なうことができる。
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチル、N.N−ジメチルホルム
アミド、ピリジンのような慣用の溶媒中で行なわれるが
、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であればその他のいか
なる溶媒中でも反応を行なうことができる。
反応温度は特に限定されず、通常は冷却下、常温または
加温下に反応が行なわれる。
加温下に反応が行なわれる。
この発明の化合物(1)およびその塩類は、トロンボキ
サンA2に対する拮抗に基づく抗血栓作用を発揮し、血
小板凝集阻止剤のような抗血栓症薬として有用である。
サンA2に対する拮抗に基づく抗血栓作用を発揮し、血
小板凝集阻止剤のような抗血栓症薬として有用である。
化合物(りの有用性を示すために、化合物(りの代表的
化合物の血小板凝集阻止活性を以下に示す。
化合物の血小板凝集阻止活性を以下に示す。
血ハ 阻止
[1]笈Δ星1
(A)Q韮
家兎の頚動脈から3.8%クエン酸ナトリウム0,1容
を含むプラスチック容器に採血した。血小板の豊富な血
漿(PRP)を、1501Eで15分間遠心分離して調
製した。血小板凝集をアブレボメーター(NKK、ヘマ
トレーサー1)を用いて濁度測定法で測定した。 PR
P225−に試験化合物溶液25縛を加え、次いで37
℃、11000rpで2分間攪拌した。この溶液に9.
11−アゾPGH2(終濃度1.01)5縛を凝集誘発
剤として加えた。
を含むプラスチック容器に採血した。血小板の豊富な血
漿(PRP)を、1501Eで15分間遠心分離して調
製した。血小板凝集をアブレボメーター(NKK、ヘマ
トレーサー1)を用いて濁度測定法で測定した。 PR
P225−に試験化合物溶液25縛を加え、次いで37
℃、11000rpで2分間攪拌した。この溶液に9.
11−アゾPGH2(終濃度1.01)5縛を凝集誘発
剤として加えた。
(B)区皺上皇1
8−[2−(4−クロロフェニルスルホニルアミン)エ
チル]−4H−キノリジンー4−オンー3−カルボン酸
。
チル]−4H−キノリジンー4−オンー3−カルボン酸
。
(C) IE振呈1
1C50(モル) : 2.2X 10−602]生]
(外J(侠 (A) E慧羞 体重的300 gのハートレー系雄モルモットを一夜絶
食後に使用した。腹部動脈より採血1時間前に試験化合
物(3,2mg/ kg )および担体を動物に経口投
与した。 PRPを上記管内試験で記載したようにして
調製し、9,11−メタノF’G1(2(U46619
゜0.5LM);l”りitフ?−ゲン(Lx/mu)
をPRP2504に加えて血小板凝集を誘発した。
(外J(侠 (A) E慧羞 体重的300 gのハートレー系雄モルモットを一夜絶
食後に使用した。腹部動脈より採血1時間前に試験化合
物(3,2mg/ kg )および担体を動物に経口投
与した。 PRPを上記管内試験で記載したようにして
調製し、9,11−メタノF’G1(2(U46619
゜0.5LM);l”りitフ?−ゲン(Lx/mu)
をPRP2504に加えて血小板凝集を誘発した。
(B) X凱上皇着
8−C2−C4−’)ロロフェニルスルホニルアミン)
エチル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カルボン
酸。
エチル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カルボン
酸。
(C) it麹盤1
上記試験結果から明らかなように、この発明の目的化合
物(I)は抗血栓症薬として有用である。
物(I)は抗血栓症薬として有用である。
薬物療法用として投与するために、この発明の目的化合
物(I)および医薬として許容されるその塩類は、経口
投与、非経口投与または外用投与に適した有機もしくは
無機固体状もしくは液状賦形剤のような医薬として許容
される常用の担体と混合して慣用の医薬製剤の形で使用
される。医薬製剤はカプセル、錠剤、糖衣錠または層剤
のような固体状、または溶液、懸濁液またはエマルジョ
ンのような液状にフンバウンドすればよい、必要に応じ
て上記製剤中に、助剤、安定剤、湿潤剤または乳化剤、
緩衝液またはその他の通常使用されるいかなる添加剤が
含まれていてもよい。
物(I)および医薬として許容されるその塩類は、経口
投与、非経口投与または外用投与に適した有機もしくは
無機固体状もしくは液状賦形剤のような医薬として許容
される常用の担体と混合して慣用の医薬製剤の形で使用
される。医薬製剤はカプセル、錠剤、糖衣錠または層剤
のような固体状、または溶液、懸濁液またはエマルジョ
ンのような液状にフンバウンドすればよい、必要に応じ
て上記製剤中に、助剤、安定剤、湿潤剤または乳化剤、
緩衝液またはその他の通常使用されるいかなる添加剤が
含まれていてもよい。
有効成分は通常、単位投与量0. Q1mg/ kg〜
500mg/kgを1日当り1〜4回投与すればよい、
しかしながら上記投与量は患者の年齢、体重、条件、ま
たは投与法によって増減してもよい。
500mg/kgを1日当り1〜4回投与すればよい、
しかしながら上記投与量は患者の年齢、体重、条件、ま
たは投与法によって増減してもよい。
以下製造例および実施例に従ってこの発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
1盟亘ユ
2−メチルピリジン(10m1l ”)のテトラヒドロ
フラン(100fflQ )溶液に、n−ブチルリチウ
ム(n−ヘキサン中1.5M溶液、67.5m1l)を
−60℃で滴下して加える0反応混合物を室温にまで上
げ、同温で1時間攪拌する。−78℃に冷却後、4−(
2−テトラヒドロピラニル)オキシブチルクロリド(1
9,5g )のテトラヒドロフラン(201111)溶
液を同温で加える0反応混合物を室温にまで上げ、同温
で2時間攪拌する。水冷下に酢酸(5,211)を加え
、溶媒を減圧下に除去する。残渣を酢酸エチルで希釈し
水、10%炭酸水素ナトリウム水溶液および食塩水で順
次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥して濾過後、酢酸エ
チルを留去して2−[5−(2−テトラヒドロピラニル
)オキシペンチルコピリジン(2L、9g)を得る。
フラン(100fflQ )溶液に、n−ブチルリチウ
ム(n−ヘキサン中1.5M溶液、67.5m1l)を
−60℃で滴下して加える0反応混合物を室温にまで上
げ、同温で1時間攪拌する。−78℃に冷却後、4−(
2−テトラヒドロピラニル)オキシブチルクロリド(1
9,5g )のテトラヒドロフラン(201111)溶
液を同温で加える0反応混合物を室温にまで上げ、同温
で2時間攪拌する。水冷下に酢酸(5,211)を加え
、溶媒を減圧下に除去する。残渣を酢酸エチルで希釈し
水、10%炭酸水素ナトリウム水溶液および食塩水で順
次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥して濾過後、酢酸エ
チルを留去して2−[5−(2−テトラヒドロピラニル
)オキシペンチルコピリジン(2L、9g)を得る。
NMR(CDCl2)ε: 1.4〜t、9 (m、1
2H)、 2.82 (t。
2H)、 2.82 (t。
2H,J=7Hz)、 3.3〜3.6 (m、2H)
、 3.65〜3.95(m、2H)、 4.58 (
t、IH,J−4Hz)、 7.0〜7.2 (m。
、 3.65〜3.95(m、2H)、 4.58 (
t、IH,J−4Hz)、 7.0〜7.2 (m。
2H)、 7.58 (dt、IH,J=2 and
7Hz)、 8.52(d、 IH,J=5Hz)。
7Hz)、 8.52(d、 IH,J=5Hz)。
製Jul主
2−[5−(2−テトラヒドロピラニル)オキシペンチ
ルコピリジン(t5.8g)のテトラヒドロフラン(1
5g1n11 )溶液にn−ブチルリチウム(n−ヘキ
サ291.5M溶液、42.21111 )を−78℃
で滴下して加える。混合物を室温にまで上げ、同温で1
時間攪拌する。−78℃に冷却後、エトキシメチレンマ
ロン酸ジエチル(12,8IQ ”)を同温で加える。
ルコピリジン(t5.8g)のテトラヒドロフラン(1
5g1n11 )溶液にn−ブチルリチウム(n−ヘキ
サ291.5M溶液、42.21111 )を−78℃
で滴下して加える。混合物を室温にまで上げ、同温で1
時間攪拌する。−78℃に冷却後、エトキシメチレンマ
ロン酸ジエチル(12,8IQ ”)を同温で加える。
反応混合物の温度を0°Cまで上昇せしめて0℃で30
分間攪拌する。酢酸(3,samIl)を加える。溶媒
を減圧下に留去し、残渣を酢酸エチルに溶解し、水、炭
酸水素ナトリウム10%水溶液および食塩水で順次洗浄
する。硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エチル抽出液を
濾過し、溶媒を留去する。
分間攪拌する。酢酸(3,samIl)を加える。溶媒
を減圧下に留去し、残渣を酢酸エチルに溶解し、水、炭
酸水素ナトリウム10%水溶液および食塩水で順次洗浄
する。硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エチル抽出液を
濾過し、溶媒を留去する。
残渣をシリカゲル(メルク社製、70〜230メツシユ
、300g )を使用するクロマトグラフィーに付し、
クロロホルム、その後、クロロホルムおよびアセトン混
合物(9:1)で溶出して、3−エトキシ−2−エトキ
シカルボニル−4−(2−ピリジル)−8−(2−テト
ラヒドロピラニル)オキシオクタン酸エチル(31,9
g)を得る。
、300g )を使用するクロマトグラフィーに付し、
クロロホルム、その後、クロロホルムおよびアセトン混
合物(9:1)で溶出して、3−エトキシ−2−エトキ
シカルボニル−4−(2−ピリジル)−8−(2−テト
ラヒドロピラニル)オキシオクタン酸エチル(31,9
g)を得る。
NMR(CDCIs)& :0.8〜2−0 (m、2
2H)、3.0〜4.4(m、12H)、 4.5 (
t、LH,J:4Hz>、 7.05〜7.30(m、
2H)、 7.58 (clt、IH,、c2 and
7Hz)、 8.58(d、 IH,J=5H2)。
2H)、3.0〜4.4(m、12H)、 4.5 (
t、LH,J:4Hz>、 7.05〜7.30(m、
2H)、 7.58 (clt、IH,、c2 and
7Hz)、 8.58(d、 IH,J=5H2)。
罠五堡ユ
8−メチル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボ
ン酸(23g)のテトラヒドロフラン(1,15iおよ
びヘキサメチル亜燐酸トリアミド(2301111!
’)中懸濁液に、5QC−ブチルリチウム(シクロヘキ
サン中1.4M、 ?lI液、22711m )を−5
0℃で加える。−50℃で2時間攪拌後、この混合物を
N−クロロメチルフタルイミド(62,1g)のテトラ
ヒドロフラン(500all )溶液に、室温で10分
間かけて加え、室温で1.5時間攪拌する。酢酸(12
mu)を加えて溶媒を留去する。残渣をクロロホルムで
希釈して水洗する。水層をクロロホルムで3回抽出し、
抽出液を合わせて6回水洗する。硫酸マグネシウムで乾
燥して濾過後、クロロホルムを留去する。残渣の結晶を
クロロホルム、エタノールおよびジイソプロピルエーテ
ルの混合物から再結晶して、8−(2−フタルイミドエ
チル)−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸
(30g)を得る。
ン酸(23g)のテトラヒドロフラン(1,15iおよ
びヘキサメチル亜燐酸トリアミド(2301111!
’)中懸濁液に、5QC−ブチルリチウム(シクロヘキ
サン中1.4M、 ?lI液、22711m )を−5
0℃で加える。−50℃で2時間攪拌後、この混合物を
N−クロロメチルフタルイミド(62,1g)のテトラ
ヒドロフラン(500all )溶液に、室温で10分
間かけて加え、室温で1.5時間攪拌する。酢酸(12
mu)を加えて溶媒を留去する。残渣をクロロホルムで
希釈して水洗する。水層をクロロホルムで3回抽出し、
抽出液を合わせて6回水洗する。硫酸マグネシウムで乾
燥して濾過後、クロロホルムを留去する。残渣の結晶を
クロロホルム、エタノールおよびジイソプロピルエーテ
ルの混合物から再結晶して、8−(2−フタルイミドエ
チル)−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸
(30g)を得る。
mp : 274−275°C
NMR(D20+Na0D)& :2.78 (t、
2H1J=6Hz)、3.48(t、2H,J=6Hz
)、 −6,58(d、ltl、J=8Hz)、 6.
88〜7.08 (m、2H)、 7.05〜7.35
(m、4H)、 7.87 (d。
2H1J=6Hz)、3.48(t、2H,J=6Hz
)、 −6,58(d、ltl、J=8Hz)、 6.
88〜7.08 (m、2H)、 7.05〜7.35
(m、4H)、 7.87 (d。
IH,J=8Hz)、 8.74 (d、LH,J=7
Hz)。
Hz)。
(以1−ゑb)
衷亙堡1
8−(2−フタルイミドエチル)−4H−キノリジン−
4−オン−3−カルボン酸(1,8H5g )およびN
、N−ジメチルアミノプロとルアミン(3IQ)のクロ
ロホルム(63m )およびメタノール(631d )
中懸濁液を14時間加熱、還流する。沈殿を濾取し、ク
ロロホルムで洗浄して、8−(2−アミノエチル)−4
H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(0,9g
)を得る。
4−オン−3−カルボン酸(1,8H5g )およびN
、N−ジメチルアミノプロとルアミン(3IQ)のクロ
ロホルム(63m )およびメタノール(631d )
中懸濁液を14時間加熱、還流する。沈殿を濾取し、ク
ロロホルムで洗浄して、8−(2−アミノエチル)−4
H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(0,9g
)を得る。
rap : 26g−269℃
NMR(DzO+Na0D)δ : 2.83 (t、
2H,J=6Hz)、 2.93(t、2H,J=6H
z>、 6.84 (d、IH,J=8Hz)、 7.
18(dd、 IH,J=2および7Hz)、 7.5
0 (d、IH。
2H,J=6Hz)、 2.93(t、2H,J=6H
z>、 6.84 (d、IH,J=8Hz)、 7.
18(dd、 IH,J=2および7Hz)、 7.5
0 (d、IH。
J=2Hz>、 8.05 (d、LH,、c8Hz)
、 8.98 (d、IH。
、 8.98 (d、IH。
J=7Hz)。
X1贋1
8−(2−アミノエチル)−4H−キノリジン4−オン
−3−カルボン酸(700mg ) ノI N水酸化ナ
トリウム水溶液(7fflQ)中溶液に、塩化ベンゼン
スルホニル(5゜3g)のテトラヒド口フラン(201
1L11 )溶液を室温、pH7未満で少量ずつ加える
。室温で1時間攪拌後、反応混合物をクロロホルムで洗
浄し、塩酸で酸性にしてpH2とし、酢酸エチルで3回
抽出する。酢酸エチル抽出液を合わせて食塩水で洗浄し
、硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を留去する。残渣の
結晶をクロロホルム、次いでエタノールで洗浄して、8
−(2−フェニルスルホニルアミノエチル)−4H−キ
ノリジン−4−オン−3−カルボン酸(760mg)を
得る。
−3−カルボン酸(700mg ) ノI N水酸化ナ
トリウム水溶液(7fflQ)中溶液に、塩化ベンゼン
スルホニル(5゜3g)のテトラヒド口フラン(201
1L11 )溶液を室温、pH7未満で少量ずつ加える
。室温で1時間攪拌後、反応混合物をクロロホルムで洗
浄し、塩酸で酸性にしてpH2とし、酢酸エチルで3回
抽出する。酢酸エチル抽出液を合わせて食塩水で洗浄し
、硫酸マグネシウムで乾燥して溶媒を留去する。残渣の
結晶をクロロホルム、次いでエタノールで洗浄して、8
−(2−フェニルスルホニルアミノエチル)−4H−キ
ノリジン−4−オン−3−カルボン酸(760mg)を
得る。
mp : 189℃
NMR(C20+Na0D)& ’ 2−78 (t、
2H1J’6Hz)、3.48(t、2H,J=6Hz
>、 6.60 (d、IH,J=8)1z)、 6.
8!lr7.40 (m、6H)、 7.86 (d、
IH,J=8Hz>、 8.75(d、IH,J=7H
z> 夾轟贋1 火11匿」−と同様にして下記化合物を得る。
2H1J’6Hz)、3.48(t、2H,J=6Hz
>、 6.60 (d、IH,J=8)1z)、 6.
8!lr7.40 (m、6H)、 7.86 (d、
IH,J=8Hz>、 8.75(d、IH,J=7H
z> 夾轟贋1 火11匿」−と同様にして下記化合物を得る。
(1)8−[2−(4−フルオロフェニルスルホニルア
ミノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カ
ルボン酸。
ミノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カ
ルボン酸。
NMR(DzO+Na0D) S :2.36 (t、
2H1J:6Hz)、2−85(t、2H,J=6Hz
>、 6.28 (d、IH,J=9)1z)、
6.45〜6.65 (m、31)、 6.75
(s、IH)、 7.L−7,2(n+。
2H1J:6Hz)、2−85(t、2H,J=6Hz
>、 6.28 (d、IH,J=9)1z)、
6.45〜6.65 (m、31)、 6.75
(s、IH)、 7.L−7,2(n+。
2H)、 7.28 (d、IH,’J:9Hz>、
8.37 (d、IH。
8.37 (d、IH。
J=7Hz)。
(2)8−[2−(4−クロロフェニルスルホニルアミ
ン)エチル]−4H−キノリジンー4−オンー3−カル
ボン酸。
ン)エチル]−4H−キノリジンー4−オンー3−カル
ボン酸。
mp : 234.5−235.5℃
NMR(DMSO−ds)s’ 2.92 (t、2H
1J:6Hz>、3.23(t、2H,J−6Hz)、
7.13 (d、LH,J=8Hz)、
7.45〜7.75 (m、4H)、 7.88
(s、IH)、 7゜95 (d、LH。
1J:6Hz>、3.23(t、2H,J−6Hz)、
7.13 (d、LH,J=8Hz)、
7.45〜7.75 (m、4H)、 7.88
(s、IH)、 7゜95 (d、LH。
J=7Hz>、 8.29 (d、LH,J=8Hz)
、 9.16 (d、IH。
、 9.16 (d、IH。
J=7Hz)。
(3)8−[2−(4−ブロモフェニルスルホニルアミ
ノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カル
ボン酸。
ノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カル
ボン酸。
NhtR(DzO+Na0D)ε : 2.42 (t
、2H,J=6Hz>、 2.93(t、2H,J=6
Hz>、 6.27 (d、IHJ:8Hz>、 6.
65(d、IH,J=7t!z)、 6.72 (s、
LH)、 6.95〜7.15(m、4H)、 7.8
8 (d、IH,に8Hz>、 8.48 (d、1)
1゜JニアHz)。
、2H,J=6Hz>、 2.93(t、2H,J=6
Hz>、 6.27 (d、IHJ:8Hz>、 6.
65(d、IH,J=7t!z)、 6.72 (s、
LH)、 6.95〜7.15(m、4H)、 7.8
8 (d、IH,に8Hz>、 8.48 (d、1)
1゜JニアHz)。
(4)8−[2−(4−メトキシフェニルスルホニルア
ミノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カ
ルボン酸。
ミノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カ
ルボン酸。
mp : 212〜213℃
NMR(DzO十Na0D)& :2.56 (t、
2H,J=6Hz>、 3−07(t、2H,J=6H
z>、 6.3〜6.8 (m、3B)、 6.83
(d。
2H,J=6Hz>、 3−07(t、2H,J=6H
z>、 6.3〜6.8 (m、3B)、 6.83
(d。
1)!、J=8Hz>、 6.58 (s、LH>、
7.10−7.30 (m。
7.10−7.30 (m。
2H)、 7.95 (d、IH,J=8Hz)、 8
.62 (d、IH。
.62 (d、IH。
J=7Hz)。
(5)8−[2−(4−トリフルオロメチルフェニルス
ルホニルアミノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オ
ン−3−カルボン酸。
ルホニルアミノ)エチルゴー4H−キノリジンー4−オ
ン−3−カルボン酸。
NMR(C20”Na0D>8’ 2.42 (t−1
2H9J:6Hz)、2.92(t、2H,J=6Hz
)、 6.23 (d、LH,J:8Hz)、 6.6
3(d、IHJ=7Hz)、 6.73 (s、IH)
、 7.15−7.45(m、4H)、 7.84 (
d、LH,J:8Hz>、 8.45 (d、LH。
2H9J:6Hz)、2.92(t、2H,J=6Hz
)、 6.23 (d、LH,J:8Hz)、 6.6
3(d、IHJ=7Hz)、 6.73 (s、IH)
、 7.15−7.45(m、4H)、 7.84 (
d、LH,J:8Hz>、 8.45 (d、LH。
J=7Hz)。
(6)8−[2−(2−ニトロフェニルスルホニルアミ
ノ)エチル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カル
ボン酸。
ノ)エチル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カル
ボン酸。
NMR(DzO+Na0D)δ: 2.49 (t、2
H,J=6Hz)、 3.08(t、2H,C6Hz)
、 6.34 (d、IH,J=8Hz)、 6.73
(d、IH,、C7Hz)、 8.85−7.35 (
m、5H)、 7.80(d、LH,J=8Hz>、
111.40 (d、IH,J=7Hz)。
H,J=6Hz)、 3.08(t、2H,C6Hz)
、 6.34 (d、IH,J=8Hz)、 6.73
(d、IH,、C7Hz)、 8.85−7.35 (
m、5H)、 7.80(d、LH,J=8Hz>、
111.40 (d、IH,J=7Hz)。
<7>8−[2−(2,4−ジクロロフェニルスルホニ
ルアミノ)エチルコー4H−キノリジンー4−オン−3
−カルボン酸。
ルアミノ)エチルコー4H−キノリジンー4−オン−3
−カルボン酸。
NMR(DzO+Na0D)& ’ 2−28 (t、
2H1J=6Hz)、2.88(d、2H,J=8Hz
>、 6.15 (d、IH,J:8Hz>、 6.4
0−6.65 (m、4H)、 7.23 (d
、11(、J=2Hz>、 7.72(d、IH,J
=8Hz>、 8.24 (d、tH,J=7Hz)。
2H1J=6Hz)、2.88(d、2H,J=8Hz
>、 6.15 (d、IH,J:8Hz>、 6.4
0−6.65 (m、4H)、 7.23 (d
、11(、J=2Hz>、 7.72(d、IH,J
=8Hz>、 8.24 (d、tH,J=7Hz)。
(g)s−[−(2−デエニルスルホニルアミン)エチ
ルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カルボン酸。
ルゴー4H−キノリジンー4−オン−3−カルボン酸。
mp i 181−182℃
NMR(C20+Na0D)6’ : 2.82
(t、2H,J=6t(z)、 3.27(d、
2HJ=6Hz)、 6.77〜6.86 (m、2H
)、 7.!0(d、IHJ=7Hz)、 7.18
(d、LH,J=2Hz>、 7.43(s、LH>、
8.09 (d、L)1.J=8Hz)、
8.90 (d、LH。
(t、2H,J=6t(z)、 3.27(d、
2HJ=6Hz)、 6.77〜6.86 (m、2H
)、 7.!0(d、IHJ=7Hz)、 7.18
(d、LH,J=2Hz>、 7.43(s、LH>、
8.09 (d、L)1.J=8Hz)、
8.90 (d、LH。
J=7Hz)
(9)a−[−(a−キノリニルスルホニルアミノ)エ
チル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カルボン酸
。
チル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カルボン酸
。
mp : 255−256℃
NMR(DzO+Na0D)ε : 2.92 (t、
2HJ=6Hz)、 3.30(t、2H,J=6Hz
)、 6.98 (d、IH,J=8Hz)、 7.2
5(d、LH,J=7Hz>、 7.40−7.58
(o+、2H)、 7.62〜7.78 (m、2H)
、 8.18 (d、LH,J=8Hz>、 8.28
(d、IH,J=7Hz)、 8゜38 (d、LH,
J=7Hz)、 8.82(d、IH,、c7Hz>、
8.90 (d、IH,J=7Hz)。
2HJ=6Hz)、 3.30(t、2H,J=6Hz
)、 6.98 (d、IH,J=8Hz)、 7.2
5(d、LH,J=7Hz>、 7.40−7.58
(o+、2H)、 7.62〜7.78 (m、2H)
、 8.18 (d、LH,J=8Hz>、 8.28
(d、IH,J=7Hz)、 8゜38 (d、LH,
J=7Hz)、 8.82(d、IH,、c7Hz>、
8.90 (d、IH,J=7Hz)。
(10)8−[2−(N、N−ジメチルアミノスルホニ
ルアミン)エチル]−4H−キノリジンー4−オン−3
−カルボン酸。
ルアミン)エチル]−4H−キノリジンー4−オン−3
−カルボン酸。
mp : 193−194.5°C
NMR(DMSO−da)& ’ 2.55 (s、6
H)、3.05 (t、2H9J=6Hz)、 3.5
0 (t、2H,J=6Hz)、 7.19 (d、I
H。
H)、3.05 (t、2H9J=6Hz)、 3.5
0 (t、2H,J=6Hz)、 7.19 (d、I
H。
J=8Hz>、 7.28 (ブロード t、IH
,J=6Hz)、 7.58(d、LH,J=7Hz
)、 8.02 (s、IH)、 8.39 (d、I
H。
,J=6Hz)、 7.58(d、LH,J=7Hz
)、 8.02 (s、IH)、 8.39 (d、I
H。
J=lllHz)、 9.26 (d、IH,、C7H
z)。
z)。
!」u」互
3−エトキシ−2−エトキシカルボニル−(2−ピリジ
ル)−8−(2−テトラヒドロピラニル)オキシオクタ
ン酸エチル(31g)および1、8−ジアザビシクロ[
5.4.0コウンデセン− 7 ( 13.91Q
)のトルエン(200鶴)の溶液を4時間還流下加熱す
る.室温にまで冷却後、反応混合物に酢酸( 10.7
ml+ )を加え、酢酸エチルで希釈し、水、炭酸水素
ナトリウム10%水溶液および食塩水で順次洗浄する.
硫酸マグネシウムで乾燥して濾過後、酢酸エチル抽出液
を減圧濃縮する.残渣を小量のジイソプロピルエーテル
を含むヘキサンで洗浄して,1−[4−(2−テトラヒ
ドロピラニル)オキシブチル]−4H−キノリジン−4
−オン−3−カルボン酸エチル( 13.83g )を
得る。
ル)−8−(2−テトラヒドロピラニル)オキシオクタ
ン酸エチル(31g)および1、8−ジアザビシクロ[
5.4.0コウンデセン− 7 ( 13.91Q
)のトルエン(200鶴)の溶液を4時間還流下加熱す
る.室温にまで冷却後、反応混合物に酢酸( 10.7
ml+ )を加え、酢酸エチルで希釈し、水、炭酸水素
ナトリウム10%水溶液および食塩水で順次洗浄する.
硫酸マグネシウムで乾燥して濾過後、酢酸エチル抽出液
を減圧濃縮する.残渣を小量のジイソプロピルエーテル
を含むヘキサンで洗浄して,1−[4−(2−テトラヒ
ドロピラニル)オキシブチル]−4H−キノリジン−4
−オン−3−カルボン酸エチル( 13.83g )を
得る。
NMR (CDCIs)S:1.45 (t.3H,J
ニアHz>、1.5〜2.0(m.10)1)、 2.
86 (t.2H.J=7Hz)、 3.4〜3.6(
m.2)1)、 3.8〜3.95 (m.2H)、
4.45 (q.2H。
ニアHz>、1.5〜2.0(m.10)1)、 2.
86 (t.2H.J=7Hz)、 3.4〜3.6(
m.2)1)、 3.8〜3.95 (m.2H)、
4.45 (q.2H。
J=7Hz)、 4.58 (t,1)1.J=5Hz
>、 7.20 (t,IH。
>、 7.20 (t,IH。
J=6Hz)、 7.65 (t.1)1.J=8H
z>、 7.78 (d,18。
z>、 7.78 (d,18。
J=8Hz)、 9.50 (d.IH.J=6Hz
)。
)。
叉m旦
1−[4−(2−テトラヒドロピラニル)オキシフチル
]−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(Ig)のメタノール( 10111 )溶液に6N
水酸化ナトリウム水溶液(1.71111)を室温で加
える.室温で10分間攪拌後、水(3. 31Q )を
加え、反応混合物を2時間還流下加熱する.水冷下6N
塩酸を加えてpH2にまで酸性にし、沈殿物を濾過し水
洗して、1−(4−(2−テトラヒドロピラニル)オキ
シブチル]−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボ
ン酸(0.78g)を得る。
]−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(Ig)のメタノール( 10111 )溶液に6N
水酸化ナトリウム水溶液(1.71111)を室温で加
える.室温で10分間攪拌後、水(3. 31Q )を
加え、反応混合物を2時間還流下加熱する.水冷下6N
塩酸を加えてpH2にまで酸性にし、沈殿物を濾過し水
洗して、1−(4−(2−テトラヒドロピラニル)オキ
シブチル]−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボ
ン酸(0.78g)を得る。
mp : 139℃
IR (スジリール”) : 3510. 2
92G. 1710. 1610. 1505。
92G. 1710. 1610. 1505。
1375、 1335 am−1
NMR (DMSO−d6)δ:1.4〜1.8 (m
.10H)、 2.95(t.2H.Jニア、0Hz)
、 3.3〜3.6 (m.4H)、 4.45(t.
2H,J=4.4Hz)、 7.6〜7.8 (m.I
H)、 8.0〜8.2(m,18)、 8.25
(d.IH.J:8.8Hz)、 8.30 (s
。
.10H)、 2.95(t.2H.Jニア、0Hz)
、 3.3〜3.6 (m.4H)、 4.45(t.
2H,J=4.4Hz)、 7.6〜7.8 (m.I
H)、 8.0〜8.2(m,18)、 8.25
(d.IH.J:8.8Hz)、 8.30 (s
。
IH)、 9.37 (d.IH.J=7)1z)、
14.3 (s.IH)。
14.3 (s.IH)。
!LJLILヱ
1−(4−(2−テトラヒドロピラニル)オキシブチル
]−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(Ig)およびp−トルエンスルホン酸・1水化物(
51mg)のエタノール(10mQ)溶液を室温で一夜
攪拌する.溶媒を留去し、残渣を酢酸エチルで希釈し、
炭酸水素ナトリウム10%水溶液および食塩水で洗浄す
る.硫酸マグネシウムで乾燥して濾過後、酢酸エチル抽
出液を減圧濃縮する.残渣をシリカゲル(メルク社製、
70〜230メツシユ、Log)を使用するクロマトグ
ラフィーに付し、クロロホルム、その後、クロロホルム
およびアセトン混合物(4:1)で溶出し、ジエチルエ
ーテルおよびn−ヘキサン混合物(1:1)で洗浄して
、1−(4−ヒドロキシブチル)−4H−キノリジン−
4−オン−3−カルボン酸エチル(602mg)を得る
。
]−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(Ig)およびp−トルエンスルホン酸・1水化物(
51mg)のエタノール(10mQ)溶液を室温で一夜
攪拌する.溶媒を留去し、残渣を酢酸エチルで希釈し、
炭酸水素ナトリウム10%水溶液および食塩水で洗浄す
る.硫酸マグネシウムで乾燥して濾過後、酢酸エチル抽
出液を減圧濃縮する.残渣をシリカゲル(メルク社製、
70〜230メツシユ、Log)を使用するクロマトグ
ラフィーに付し、クロロホルム、その後、クロロホルム
およびアセトン混合物(4:1)で溶出し、ジエチルエ
ーテルおよびn−ヘキサン混合物(1:1)で洗浄して
、1−(4−ヒドロキシブチル)−4H−キノリジン−
4−オン−3−カルボン酸エチル(602mg)を得る
。
NMR (CDCIs)S’ 1.45 (t,3H.
J’6Hz>、1.5〜1.9(m、4H)、 2.
85 (t、2H,C6Hz)、 3.72 (t
。
J’6Hz>、1.5〜1.9(m、4H)、 2.
85 (t、2H,C6Hz)、 3.72 (t
。
2H,J=6)1z)、 4.45 (q、2)1
.J=6)1z)、 7.20 (t。
.J=6)1z)、 7.20 (t。
1)1.J=6Hz)、 7.68 (t、1)!
、J4Hz>、 7.80 (d。
、J4Hz>、 7.80 (d。
LH,J=7H2)、 8.30 (5,IH)、
9.52 (d、LH。
9.52 (d、LH。
J=7H2)。
”AU/MjlL旦
実施例6と同様の方法で、1−(4−ヒドロキシブチル
)−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ルから1−(4−ヒドロキシブチル)−4H−キノリジ
ン−4−オン−3−カルボン酸を得る。
)−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ルから1−(4−ヒドロキシブチル)−4H−キノリジ
ン−4−オン−3−カルボン酸を得る。
rtrp : 138℃
IR(スジ碧−ル) : 3520. 2930.
1710. 1610. 1510゜1375 C1
6−l −1N (DMSO−d6)δ : 1.4〜1.8
(m、4H)、 2.93 (t。
1710. 1610. 1510゜1375 C1
6−l −1N (DMSO−d6)δ : 1.4〜1.8
(m、4H)、 2.93 (t。
2H,C7,0Hz)、 3.4 (t、2H,J=7
Hz)、 7.6〜7.8(ai、1B)、 8.0〜
8.2 (m、IH>、 8.25 (d、18゜J:
8Hz>、 8.3 (s、LH)、 9.35 (d
、IH,J=7Hz>。
Hz)、 7.6〜7.8(ai、1B)、 8.0〜
8.2 (m、IH>、 8.25 (d、18゜J:
8Hz>、 8.3 (s、LH)、 9.35 (d
、IH,J=7Hz>。
叉JuL且
8−メチル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボ
ン酸エチル(1,64g)のテトラヒドロフラン(38
,amn )およびヘキサメチル亜燐酸トリアミド(9
,6m11 )中懸瀾液に、5QC−ブチルリチウム(
ヘキサン中1.4M溶液、0.1m)を−78℃で加え
る。同温で1時間攪拌後、ジフェニルジスルフィド(3
,1g)を加°え、反応混合物を1時間0℃に暖めて、
同温で1時間攪拌する。0℃で酢酸(12−〉を加えた
後、溶媒を留去する。残渣を酢酸エチルで希釈して水、
炭酸水素ナトリウム10%水溶液および食塩水で順次洗
浄する。硫酸ナトリウムで乾燥して濾過後、酢酸エチル
抽出液を減圧濃縮する。残渣をヘキサンとジイソプロピ
ルエーテルの混合物で洗浄して、8−フェニルチオメチ
ル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(’787mg )を得る。さらに母液を減圧濃縮し
、残渣をシリカゲル(メルク社製、70〜230メツシ
ユ、40g)を使用するカラムクロマトグラフィーに付
し、クロロホルム、その後、クロロホルムおよびアセト
ン混合物(4:1)で溶出して、8−フェニルチオメチ
ル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(415mg)を得る。
ン酸エチル(1,64g)のテトラヒドロフラン(38
,amn )およびヘキサメチル亜燐酸トリアミド(9
,6m11 )中懸瀾液に、5QC−ブチルリチウム(
ヘキサン中1.4M溶液、0.1m)を−78℃で加え
る。同温で1時間攪拌後、ジフェニルジスルフィド(3
,1g)を加°え、反応混合物を1時間0℃に暖めて、
同温で1時間攪拌する。0℃で酢酸(12−〉を加えた
後、溶媒を留去する。残渣を酢酸エチルで希釈して水、
炭酸水素ナトリウム10%水溶液および食塩水で順次洗
浄する。硫酸ナトリウムで乾燥して濾過後、酢酸エチル
抽出液を減圧濃縮する。残渣をヘキサンとジイソプロピ
ルエーテルの混合物で洗浄して、8−フェニルチオメチ
ル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(’787mg )を得る。さらに母液を減圧濃縮し
、残渣をシリカゲル(メルク社製、70〜230メツシ
ユ、40g)を使用するカラムクロマトグラフィーに付
し、クロロホルム、その後、クロロホルムおよびアセト
ン混合物(4:1)で溶出して、8−フェニルチオメチ
ル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチ
ル(415mg)を得る。
NMR(CDC13)& ;1.42 (t、3)1
.J:3Hz)、4.10(s、2H)、 4.4
2 (q、2H,J:3Hz>、 6.47
(d、LH。
.J:3Hz)、4.10(s、2H)、 4.4
2 (q、2H,J:3Hz>、 6.47
(d、LH。
J=4Hz)、 7.12 (dd、IH,J=1 a
nd 3Hz>、 7.20(d、LH,、CIHz>
、 7.2〜7.4 (m、5H)、 8.36 (d
。
nd 3Hz>、 7.20(d、LH,、CIHz>
、 7.2〜7.4 (m、5H)、 8.36 (d
。
LH,に4Hz)、 9.32 (d、IH,J=3H
z>。
z>。
X五斑話
8−フェニルチオメチル−4H−キノリジン−4−オン
−3−カルボン酸エチル(787n+g)のクロロホル
ム(651nQ )溶液に、m−クロ口過安息香m (
500mg )を室温で滴下して加える。混合物を室温
で30分間攪拌し、水、炭酸水素ナトリウム10%水溶
液および食塩水で順次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥
して濾過後、クロロホルム抽出液を減圧濃縮する。残渣
を酢酸エチルおよびジエチルエーテルの混合物で洗浄し
て、8−フェニルスルフィニルメチル−4H−キノリジ
ン−4−才ンー3−カルボン酸エチル(756mg)を
得る。
−3−カルボン酸エチル(787n+g)のクロロホル
ム(651nQ )溶液に、m−クロ口過安息香m (
500mg )を室温で滴下して加える。混合物を室温
で30分間攪拌し、水、炭酸水素ナトリウム10%水溶
液および食塩水で順次洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥
して濾過後、クロロホルム抽出液を減圧濃縮する。残渣
を酢酸エチルおよびジエチルエーテルの混合物で洗浄し
て、8−フェニルスルフィニルメチル−4H−キノリジ
ン−4−才ンー3−カルボン酸エチル(756mg)を
得る。
NMR(CDCl2)ε : 1.42 (t、3H,
J=3Hz)、 4.08(ABq、2H,J=6 a
nd 29Hz>、 4.43 (q、2)1゜J=
3Hz)、 6.55 (dd、LH,J=1 an
d 5Hz)、 7.18(d、LH,J=IHz)
、 7.’3〜7.8 (m、6H)、 8゜38
(d。
J=3Hz)、 4.08(ABq、2H,J=6 a
nd 29Hz>、 4.43 (q、2)1゜J=
3Hz)、 6.55 (dd、LH,J=1 an
d 5Hz)、 7.18(d、LH,J=IHz)
、 7.’3〜7.8 (m、6H)、 8゜38
(d。
lHに5)1z)、 9.14 (d、IH,に3
Hz)。
Hz)。
火】口1■
8−フェニルスルフィニルメチル−4H−キノリジン−
4−オン−3−カルボン酸エチル(100mg)のクロ
ロホルム(3−)およびピリジン(0,091戚)溶液
に無水トリプルオロ酢酸(0,119aQ)を0°Cで
加え、反応混合物を同温で1時間攪拌する。混合物に4
−フェニルセミカルバジド(51mg)のメタノール(
2戚)溶液を0℃で加え、反応混合物を室温に暖め一夜
攪拌する。沈殿物を濾過し、ジイソプロピルエーテルで
洗浄して、8−(4−フェニルセミ力ルバゾノメチル)
−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチル
(80mg )を得る。
4−オン−3−カルボン酸エチル(100mg)のクロ
ロホルム(3−)およびピリジン(0,091戚)溶液
に無水トリプルオロ酢酸(0,119aQ)を0°Cで
加え、反応混合物を同温で1時間攪拌する。混合物に4
−フェニルセミカルバジド(51mg)のメタノール(
2戚)溶液を0℃で加え、反応混合物を室温に暖め一夜
攪拌する。沈殿物を濾過し、ジイソプロピルエーテルで
洗浄して、8−(4−フェニルセミ力ルバゾノメチル)
−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸エチル
(80mg )を得る。
NMR(DMSO−d6)δ : 125 (t
、3)1.J=3Hz>、 4.23(q、2H,
J=3Hz)、 6.8〜8.3 (m、9H)、 9
.13 (d。
、3)1.J=3Hz>、 4.23(q、2H,
J=3Hz)、 6.8〜8.3 (m、9H)、 9
.13 (d。
1)1.J=3Hz)、 9.18 (s、LH)。
衷Jl■
実施例6と同様の方法で、8−(4−フェニルセミカル
バジノメチル)−4)(−キノリジン−4−オン−3−
カルボン酸エチルから8−(4−フェニルセミカルバジ
ノメチル)−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボ
ン酸を得る。
バジノメチル)−4)(−キノリジン−4−オン−3−
カルボン酸エチルから8−(4−フェニルセミカルバジ
ノメチル)−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボ
ン酸を得る。
IR(Xジa−L) ’ L720. 1700.
and 1600 cm−1HMR(DMSO
−da)S F 7.08 (t、11(、J=
2Hz>、 7.1〜7.4 (m、3H)、 7
.68 (d、IH,J=2Hz)、 8.10(s、
IH)、 8.2〜8.5 (m、38)、 9.18
(d、IH。
and 1600 cm−1HMR(DMSO
−da)S F 7.08 (t、11(、J=
2Hz>、 7.1〜7.4 (m、3H)、 7
.68 (d、IH,J=2Hz)、 8.10(s、
IH)、 8.2〜8.5 (m、38)、 9.18
(d、IH。
J=、9Hz)、 9.22 (s、LH)。
東l五封
実施例11と同様の方法で、8−フェニルスルフィニル
メチル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸
エチルから、8−[4−フェニル(チオセミカルバジノ
)メチル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カルボ
ン酸エチルを得る。
メチル−4H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸
エチルから、8−[4−フェニル(チオセミカルバジノ
)メチル]−4H−キノリジンー4−オン−3−カルボ
ン酸エチルを得る。
NMR(DMSO−da)& ’ 1,3 (
t、3H,J=3)1z)、 4−26(q、2H,
J=3Hz>、 6.92 (d、IHJ=4Hz>、
7.2〜7.6 (m、5B)、 8.1=8.4
(m、4H)、 9.07 (d、IH。
t、3H,J=3)1z)、 4−26(q、2H,
J=3Hz>、 6.92 (d、IHJ=4Hz>、
7.2〜7.6 (m、5B)、 8.1=8.4
(m、4H)、 9.07 (d、IH。
3=3xz>。
叉]010
実施例6と同様の方法で、8−[4−フェニル(チオセ
ミカルバジノ)メチル]−4H−キノリジン−4−オン
−3−カルボン酸エチルから8−[4−フェニル(チオ
セミカルバジノ)メチル]−4H−キノリジンー4−オ
ン−3−カルボン酸を得る。
ミカルバジノ)メチル]−4H−キノリジン−4−オン
−3−カルボン酸エチルから8−[4−フェニル(チオ
セミカルバジノ)メチル]−4H−キノリジンー4−オ
ン−3−カルボン酸を得る。
mp : >250℃
NMR(DMSO−da)δづ、20〜7.70 (m
、7H)、 8.2〜8.5(m、3H)、 9.15
(d、IHj=7Hz>、 10.50 (s、IB
)。
、7H)、 8.2〜8.5(m、3H)、 9.15
(d、IHj=7Hz>、 10.50 (s、IB
)。
12.30 (s、IH)、 14.10 (s、IH
)。
)。
叉亙λ長
8−(2−フェニルスルホニルアミノエチル)−4H−
キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(100mg>
のN、N−ジメチルホルムアミド(IIQ)溶液に1.
1′−カルボニルジイミダゾール(44mg)を室温で
加える0反応混合物を室温で10分間攪拌し、100℃
で15分間加熱する。混合物に5−アミノ−IH−テト
ラゾール(23mg)を100℃で加え、同温で1時間
攪拌する。室温にまで冷却後、反応混合物を水で希釈し
、6H塩階で酸性にする。沈殿物を濾過し、水洗して、
N−(IH−テトラゾール−5−イル)−8−(2−フ
ェニルスルホニルアミノエチル)−4H−キノリジン−
4−オン−3−カルボキサミド(78mg )を得る。
キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(100mg>
のN、N−ジメチルホルムアミド(IIQ)溶液に1.
1′−カルボニルジイミダゾール(44mg)を室温で
加える0反応混合物を室温で10分間攪拌し、100℃
で15分間加熱する。混合物に5−アミノ−IH−テト
ラゾール(23mg)を100℃で加え、同温で1時間
攪拌する。室温にまで冷却後、反応混合物を水で希釈し
、6H塩階で酸性にする。沈殿物を濾過し、水洗して、
N−(IH−テトラゾール−5−イル)−8−(2−フ
ェニルスルホニルアミノエチル)−4H−キノリジン−
4−オン−3−カルボキサミド(78mg )を得る。
mp : 257−258℃
NMR(D1’l5O−da) 8 ’ 2.90 (
t、2H1J:6Hz)、3.50(t、2H,J=6
Hz)、 7.09 (d、LH,J=8Hz>、 7
.40〜7.90 (m、7H)、 8.50 (d、
IH,、c8Hz>、 9.22(d、LH,J=7H
z)、 12.90 (s、IH)。
t、2H1J:6Hz)、3.50(t、2H,J=6
Hz)、 7.09 (d、LH,J=8Hz>、 7
.40〜7.90 (m、7H)、 8.50 (d、
IH,、c8Hz>、 9.22(d、LH,J=7H
z)、 12.90 (s、IH)。
K及孤刊
8−(2−フェニルスルホニルアミノエチル)−4H−
キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(50mg)、
N−クロロスクシンイミド(t9.2mg)および2.
2′−アゾビス[2,4−ジメチル−4−メトキシバレ
ルニトリルコ(2mg)のクロロホルム(2,5In1
1 )懸濁液を2時間還流下に加熱する。室温にまで冷
却後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルを使用するカラ
ムクロマトグラフィーに付し、クロロホルム、その後、
メタノールおよびクロロホルム混合物(1:99)で溶
出して粗生成物を得、酢酸エチルで洗浄して、1−クロ
ロ−8−(2−フェニルスルホニルアミンエチル)−4
H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(16mg
)を得る。
キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(50mg)、
N−クロロスクシンイミド(t9.2mg)および2.
2′−アゾビス[2,4−ジメチル−4−メトキシバレ
ルニトリルコ(2mg)のクロロホルム(2,5In1
1 )懸濁液を2時間還流下に加熱する。室温にまで冷
却後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルを使用するカラ
ムクロマトグラフィーに付し、クロロホルム、その後、
メタノールおよびクロロホルム混合物(1:99)で溶
出して粗生成物を得、酢酸エチルで洗浄して、1−クロ
ロ−8−(2−フェニルスルホニルアミンエチル)−4
H−キノリジン−4−オン−3−カルボン酸(16mg
)を得る。
+sp ! 190−191 ℃
NMR(DzO”Na0D)& ’ 2.65 (セ、
2H,J=6Hz)、 3.18(乞、2H,J=6H
z)、 6.75=7.10 (m、4H)、 7.1
8〜7.32 (m、2H)、 7.43 (s
、[)、 8.05 (s、LH)。
2H,J=6Hz)、 3.18(乞、2H,J=6H
z)、 6.75=7.10 (m、4H)、 7.1
8〜7.32 (m、2H)、 7.43 (s
、[)、 8.05 (s、LH)。
8.68 (d、IH,J=7Hz)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はカルボキシ基、保護されたカルボキシ
基またはアミド化されたカルボキシ基;R^2は水素ま
たはハロゲン; R^3は式: −A−R^4 [式中、Aは低級アルキレン基、 R^4はアミノ基、保護されたアミノ基、ヒドロキシ基
、保護されたヒドロキシ基、アリールチオ基、アリール
スルフィニル基、式: −NHSO_2R^5 {式中、R^5は式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Xは水素、ハロゲン、低級アルコキシ基、トリ
フルオロメチル基またはニトロ基、Yは水素またはハロ
ゲンをそれぞれ意味する)で示される基、 ジ(低級)アルキルアミノ基、チエニル基またはキノリ
ル基をそれぞれ意味する}で示される基]、または式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、ZはOまたはS、 R^7はアリール基をそれぞれ意味する)で示される基
をそれぞれ意味する] で示されるキノリジノン誘導体およびその塩類。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB878700016A GB8700016D0 (en) | 1987-01-02 | 1987-01-02 | Quinolizinone derivatives |
GB8700016 | 1987-01-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63225375A true JPS63225375A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=10610209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33622187A Pending JPS63225375A (ja) | 1987-01-02 | 1987-12-29 | キノリジノン誘導体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63225375A (ja) |
GB (1) | GB8700016D0 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000017197A1 (en) * | 1998-09-21 | 2000-03-30 | Biochem Pharma Inc. | Quinolizinones as integrin inhibitors |
US6706528B2 (en) * | 2000-03-24 | 2004-03-16 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Fluorescent magnesium indicators |
-
1987
- 1987-01-02 GB GB878700016A patent/GB8700016D0/en active Pending
- 1987-12-29 JP JP33622187A patent/JPS63225375A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000017197A1 (en) * | 1998-09-21 | 2000-03-30 | Biochem Pharma Inc. | Quinolizinones as integrin inhibitors |
US6706528B2 (en) * | 2000-03-24 | 2004-03-16 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Fluorescent magnesium indicators |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8700016D0 (en) | 1987-02-11 |
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