JPS6322408B2 - - Google Patents
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- JPS6322408B2 JPS6322408B2 JP57029607A JP2960782A JPS6322408B2 JP S6322408 B2 JPS6322408 B2 JP S6322408B2 JP 57029607 A JP57029607 A JP 57029607A JP 2960782 A JP2960782 A JP 2960782A JP S6322408 B2 JPS6322408 B2 JP S6322408B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム描画装置や電子顕微鏡等
の電子ビーム装置に用いられる電子銃装置の改良
に関する。
の電子ビーム装置に用いられる電子銃装置の改良
に関する。
従来、電子ビーム描画装置に用いられる電子銃
は、カソード、ウエネルト電極およびアノードか
らなる熱電子放射形のものが一般的である。この
電子銃のカソードとしてはタングステンやランタ
ンヘキサボライド（LaB6）等が用いられている
が、上記カソードは必要な輝度を得るために極め
て高い温度で使用される。このため、カソードの
蒸発による消耗が無視できず、これが原因でカソ
ード寿命が尽きてしまう。すなわち、カソードが
蒸発するとカソード・ウエネルト間距離が長くな
り、輝度が低下してその寿命が尽きるのが通常で
ある。したがつて、カソードの温度制御が極めて
重要となるが、従来主に電子銃の各種特性により
カソード温度を推定しているのみで、正確な温度
制御はなされていない。
は、カソード、ウエネルト電極およびアノードか
らなる熱電子放射形のものが一般的である。この
電子銃のカソードとしてはタングステンやランタ
ンヘキサボライド（LaB6）等が用いられている
が、上記カソードは必要な輝度を得るために極め
て高い温度で使用される。このため、カソードの
蒸発による消耗が無視できず、これが原因でカソ
ード寿命が尽きてしまう。すなわち、カソードが
蒸発するとカソード・ウエネルト間距離が長くな
り、輝度が低下してその寿命が尽きるのが通常で
ある。したがつて、カソードの温度制御が極めて
重要となるが、従来主に電子銃の各種特性により
カソード温度を推定しているのみで、正確な温度
制御はなされていない。
カソードとしてタングステンを用いた場合、そ
の構造が簡単で容易に入手可能なので交換は比較
的簡単であるが、輝度が低いと云う短所がある。
これに対しLaB6は、タングステンより10倍以上
もの高輝度を有しその寿命も長いので、特に電子
ビーム描画装置の電子銃カソードとして望まし
く、今後は殆んどLaB6になつていくものと予想
される。しかし、LaB6はタングステンに比して
非常に高価なものであるため、その寿命を一層長
く保つことが生産性の点からも重要である。本発
明者等の実験によれば、LaB6カソードの使用温
度を1600〔℃〕とした場合その寿命は約500時間で
あつたが、上記使用温度を1530〔℃〕とした場合
の寿命は3000時間もと大幅に長くなつた。このよ
うにカソード温度を高くすると、カソードの蒸発
が早くなりその寿命が短くなる。さらに、LaB6
カソードでは加熱材（ヒータ）との反応も進み易
くなるので、安定性の面からも望ましくない結果
となる。
の構造が簡単で容易に入手可能なので交換は比較
的簡単であるが、輝度が低いと云う短所がある。
これに対しLaB6は、タングステンより10倍以上
もの高輝度を有しその寿命も長いので、特に電子
ビーム描画装置の電子銃カソードとして望まし
く、今後は殆んどLaB6になつていくものと予想
される。しかし、LaB6はタングステンに比して
非常に高価なものであるため、その寿命を一層長
く保つことが生産性の点からも重要である。本発
明者等の実験によれば、LaB6カソードの使用温
度を1600〔℃〕とした場合その寿命は約500時間で
あつたが、上記使用温度を1530〔℃〕とした場合
の寿命は3000時間もと大幅に長くなつた。このよ
うにカソード温度を高くすると、カソードの蒸発
が早くなりその寿命が短くなる。さらに、LaB6
カソードでは加熱材（ヒータ）との反応も進み易
くなるので、安定性の面からも望ましくない結果
となる。
以上のように、カソード温度、寿命、カソー
ド・ウエネルト間距離および安定性の４者間には
密接な関係がある。そして、カソード温度および
カソード・ウエネルト間距離を常に適切な範囲で
一定に保つことができれば、カソードの寿命は長
くなることが判る。また、必要な輝度で安定に、
かつ長寿命をはかるには、カソード温度およびカ
ソード・ウエネルト間距離を微妙に調節する必要
がある。
ド・ウエネルト間距離および安定性の４者間には
密接な関係がある。そして、カソード温度および
カソード・ウエネルト間距離を常に適切な範囲で
一定に保つことができれば、カソードの寿命は長
くなることが判る。また、必要な輝度で安定に、
かつ長寿命をはかるには、カソード温度およびカ
ソード・ウエネルト間距離を微妙に調節する必要
がある。
従来、カソードを加熱するには定電流源或いは
定電圧源が用いられ、ヒータへの通電電流やヒー
タへの印加電圧等が一定となるようにしている。
しかしながら、時間の経過に伴いカソード或いは
カソードを加熱するためのヒータの抵抗値が変化
し、これによりカソード温度も徐々に変化するの
が常である。すなわち、従来の電子銃装置ではカ
ソード温度を一定に保つことが困難であり、カソ
ードの長寿命化をはかることはできなかつた。ま
た、カソード・ウエネルト間距離を変えるときに
は、電子銃の点火を一旦停止し、カソード構造体
を真空系外に取り出して調節しなければならず、
このため装置稼動率の低下を招く等の問題があつ
た。
定電圧源が用いられ、ヒータへの通電電流やヒー
タへの印加電圧等が一定となるようにしている。
しかしながら、時間の経過に伴いカソード或いは
カソードを加熱するためのヒータの抵抗値が変化
し、これによりカソード温度も徐々に変化するの
が常である。すなわち、従来の電子銃装置ではカ
ソード温度を一定に保つことが困難であり、カソ
ードの長寿命化をはかることはできなかつた。ま
た、カソード・ウエネルト間距離を変えるときに
は、電子銃の点火を一旦停止し、カソード構造体
を真空系外に取り出して調節しなければならず、
このため装置稼動率の低下を招く等の問題があつ
た。
本発明の目的は、カソード温度およびカソー
ド・ウエネルト間距離をそれぞれ一定範囲内に制
御することができ、特性の安定化および長寿命化
をはかり得る電子銃装置を提供することにある。
ド・ウエネルト間距離をそれぞれ一定範囲内に制
御することができ、特性の安定化および長寿命化
をはかり得る電子銃装置を提供することにある。
本発明は、熱電子放射形の電子銃装置におい
て、カソードの温度を検出すると共に該温度が所
定温度内となるようヒータへの通電電流を可変制
御し、さらにカソード・ウエネルト間の距離を検
出すると共に該距離が所定距離範囲となるようカ
ソード或いはウエネルト電極を真空系外部から移
動できるようにしたものである。
て、カソードの温度を検出すると共に該温度が所
定温度内となるようヒータへの通電電流を可変制
御し、さらにカソード・ウエネルト間の距離を検
出すると共に該距離が所定距離範囲となるようカ
ソード或いはウエネルト電極を真空系外部から移
動できるようにしたものである。
本発明によれば、カソードの温度が経時的に変
化、特に上昇しすぎることを防止でき、さらに真
空を破ることなくカソード・ウエネルト間距離を
一定に保持することができる。このため、カソー
ドの長寿命化をはかり得て、装置稼動率の向上を
はかり得る。さらに、輝度やビーム電流等を安定
に保持することができるので、電子ビーム描画装
置に用いるのに極めて有効となる。
化、特に上昇しすぎることを防止でき、さらに真
空を破ることなくカソード・ウエネルト間距離を
一定に保持することができる。このため、カソー
ドの長寿命化をはかり得て、装置稼動率の向上を
はかり得る。さらに、輝度やビーム電流等を安定
に保持することができるので、電子ビーム描画装
置に用いるのに極めて有効となる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図で
ある。図中１はカソード、２はヒータ、３はウエ
ネルト電極、４はアノードであり、これらから電
子銃本体が形成されている。ヒータ２は計算機６
に接続されたヒータ用電源回路７により、その通
電電流が可変制御される。アノード４の上面に
は、赤外線に対して感度のよいシリコンフオトダ
イオードやサーモパイル等からなる温度検出素子
８が設けられている。この温度検出素子８の出力
信号、つまりカソード１の温度に対応した信号は
温度検出回路９に供給され、同回路９によりカソ
ード１の温度が検出される。温度検出回路９の検
出温度情報は計算機６にて読み出され、プログラ
ムに従つて所定の温度になつているか判断され
る。そして、カソード１の温度が規定値よりずれ
ている場合には、計算機６からの指令によりヒー
タ用電源回路７がヒータ２の通電電流を可変制御
し、これによりカソード１の温度は規定値に保持
されるものとなつている。
ある。図中１はカソード、２はヒータ、３はウエ
ネルト電極、４はアノードであり、これらから電
子銃本体が形成されている。ヒータ２は計算機６
に接続されたヒータ用電源回路７により、その通
電電流が可変制御される。アノード４の上面に
は、赤外線に対して感度のよいシリコンフオトダ
イオードやサーモパイル等からなる温度検出素子
８が設けられている。この温度検出素子８の出力
信号、つまりカソード１の温度に対応した信号は
温度検出回路９に供給され、同回路９によりカソ
ード１の温度が検出される。温度検出回路９の検
出温度情報は計算機６にて読み出され、プログラ
ムに従つて所定の温度になつているか判断され
る。そして、カソード１の温度が規定値よりずれ
ている場合には、計算機６からの指令によりヒー
タ用電源回路７がヒータ２の通電電流を可変制御
し、これによりカソード１の温度は規定値に保持
されるものとなつている。
また、図中１０はカソード１とウエネルト電極
３との間の距離を検出する距離検出部であり、こ
の検出部１０の検出距離情報は計算機６にて読み
出され規定値と比較される。そして、カソード・
ウエネルト間距離が規定値よりずれている場合に
は、計算機６からの指令により駆動部１１が作動
し、ウエネルト電極３を上下動する。これによ
り、カソード・ウエネルト間距離も規定値に保持
されるものとなつている。なお、図中１２はウエ
ネルト電極３にバイアス電圧を印加するためのバ
イアス回路、１３は試料台上等に設けられたフア
ラデーカツプ、ナイフエツジ、その他からなりビ
ーム電流およびビーム径等を検出する各種検出部
を示している。また、図中１４，１５，１６はデ
ジタル・アナログ・コンバータ（Ｄ／Ａ）であ
り、１７，１８，１９はアナログ・デジタル・コ
ンバータ（Ａ／Ｄ）である。
３との間の距離を検出する距離検出部であり、こ
の検出部１０の検出距離情報は計算機６にて読み
出され規定値と比較される。そして、カソード・
ウエネルト間距離が規定値よりずれている場合に
は、計算機６からの指令により駆動部１１が作動
し、ウエネルト電極３を上下動する。これによ
り、カソード・ウエネルト間距離も規定値に保持
されるものとなつている。なお、図中１２はウエ
ネルト電極３にバイアス電圧を印加するためのバ
イアス回路、１３は試料台上等に設けられたフア
ラデーカツプ、ナイフエツジ、その他からなりビ
ーム電流およびビーム径等を検出する各種検出部
を示している。また、図中１４，１５，１６はデ
ジタル・アナログ・コンバータ（Ｄ／Ａ）であ
り、１７，１８，１９はアナログ・デジタル・コ
ンバータ（Ａ／Ｄ）である。
ところで、前記距離検出部１０、駆動部１１
（距離制御手段）の構成および作用を詳しく説明
すると以下の通りである。第２図は本実施例装置
の特に距離検出部１０および駆動部１１に係わる
部分を示すものであり、図中２１は真空外容器、
２２は支持台、２３はセラミツク、２４はウオー
ム歯車、２５は鏡である。また、２６はスプリン
グ、２７は調整棒、２８は調整ナツト、２９は絶
縁物、３０，３１はガラス窓である。カソード１
の位置の調整はまず最初にカソード１の中心をウ
エネルト電極３の穴、直径Ｄの中心に一致させ
る。その方法は、45度の角度に設定された鏡２５
をウエネルト穴の直下にもつてくる。真空外囲器
２１に設けられたガラス窓３０よりこの鏡２５を
見ると、ウエネルトの穴とカソード１とが見え
る。この窓３０より観察しながらベローズを介し
て取り付けられたネジの切られている調整棒２７
を調整ナツト２８を回して左右に動かし、カソー
ド１の固定されているセラミツク２３を動かす。
セラミツクス２３は支持台２２に入つている。こ
の図には載つていないが、この図面に対して垂直
な方向にもこれと同様な機構があり全く同様に操
作できる。この２方向を調節すれば、カソード１
の先端をウエネルト穴の中心に丁度合わせること
ができる。スプリング２６はこの調節がし易いよ
うに入れられたもので、調節終了後セラミツク２
３が安定して動くことのないように適当なバネ定
数のものが用いられる。
（距離制御手段）の構成および作用を詳しく説明
すると以下の通りである。第２図は本実施例装置
の特に距離検出部１０および駆動部１１に係わる
部分を示すものであり、図中２１は真空外容器、
２２は支持台、２３はセラミツク、２４はウオー
ム歯車、２５は鏡である。また、２６はスプリン
グ、２７は調整棒、２８は調整ナツト、２９は絶
縁物、３０，３１はガラス窓である。カソード１
の位置の調整はまず最初にカソード１の中心をウ
エネルト電極３の穴、直径Ｄの中心に一致させ
る。その方法は、45度の角度に設定された鏡２５
をウエネルト穴の直下にもつてくる。真空外囲器
２１に設けられたガラス窓３０よりこの鏡２５を
見ると、ウエネルトの穴とカソード１とが見え
る。この窓３０より観察しながらベローズを介し
て取り付けられたネジの切られている調整棒２７
を調整ナツト２８を回して左右に動かし、カソー
ド１の固定されているセラミツク２３を動かす。
セラミツクス２３は支持台２２に入つている。こ
の図には載つていないが、この図面に対して垂直
な方向にもこれと同様な機構があり全く同様に操
作できる。この２方向を調節すれば、カソード１
の先端をウエネルト穴の中心に丁度合わせること
ができる。スプリング２６はこの調節がし易いよ
うに入れられたもので、調節終了後セラミツク２
３が安定して動くことのないように適当なバネ定
数のものが用いられる。
カソード１の中心への位置合わせが行なわれた
後に、カソード先端とウエネルト間の距離を合わ
せる。この調節はウオーム歯車２４を外部より回
転させることにより、これとウエネルト周囲の歯
とのかみ合いよりウエネルト３が回転する。ウエ
ネルト３は上方で固定された支持台２２とネジに
よつてかみ合わされているので、ウエネルト３は
回転と共に上下しカソード・ウエネルト間距離Ｌ
が変化する。この距離Ｌは次のようにして測定で
きる。ウエネルト３に対してθの角度の方向の真
空外周器にガラス窓３１があり、このガラス窓３
１より、この方向に鉛直な面に投影した場合の、
カソード先端とウエネルト穴径の内側のヘリとの
距離ａを外部より正確に計測する。カソード先端
はウエネルト穴の中心に合つているのでθとａが
わかればＬは次式より計算される。
後に、カソード先端とウエネルト間の距離を合わ
せる。この調節はウオーム歯車２４を外部より回
転させることにより、これとウエネルト周囲の歯
とのかみ合いよりウエネルト３が回転する。ウエ
ネルト３は上方で固定された支持台２２とネジに
よつてかみ合わされているので、ウエネルト３は
回転と共に上下しカソード・ウエネルト間距離Ｌ
が変化する。この距離Ｌは次のようにして測定で
きる。ウエネルト３に対してθの角度の方向の真
空外周器にガラス窓３１があり、このガラス窓３
１より、この方向に鉛直な面に投影した場合の、
カソード先端とウエネルト穴径の内側のヘリとの
距離ａを外部より正確に計測する。カソード先端
はウエネルト穴の中心に合つているのでθとａが
わかればＬは次式より計算される。
Ｌ＝（Ｄ／２−ａ／sinθ）tanθ
かくして求められた距離Ｌに応じてウオーム歯
車２４が回転駆動され、すなわち前記距離検出部
１０にて求められた距離Ｌに応じて駆動部１１が
ウエネルト電極３を上下動し、カソード・ウエネ
ルト間距離Ｌが所定範囲内となるよう制御される
ものとなつている。
車２４が回転駆動され、すなわち前記距離検出部
１０にて求められた距離Ｌに応じて駆動部１１が
ウエネルト電極３を上下動し、カソード・ウエネ
ルト間距離Ｌが所定範囲内となるよう制御される
ものとなつている。
次に、本実施例装置の作用を第３図に示すフロ
ーチヤートを参照して説明する。
ーチヤートを参照して説明する。
まず、ステツプａでカソード１の温度Ｔを1500
〔℃〕に設定し、ステツプｂでカソード・ウエネ
ルト間距離Ｌを0.15〔mm〕に設定する。次いで、
ステツプｃでカソード・ウエネルト間のバイアス
電圧を可変すると共にステツプｄで輝度βを測定
し、ステツプｅで輝度βが最大となるβmaxを求
める。すなわち、上記ステツプｃ〜ｅの繰り返し
により輝度βのバイアス依存性による最大輝度
βmaxを求める。この最大輝度βmaxが求められ
たらステツプｆへと進み、設定輝度βcと最大輝
度βmaxとを比較する。そして、設定輝度βcと最
大輝度βmaxとが等しいときは、ステツプｇへと
移り描画を開始する。また、ステツプｆで最大輝
度βmaxが設定輝度βcより大きいときは、ステツ
プｈでカソード温度Ｔを僅かに（−ΔT）低くし
ステツプｃ〜ｆにてβc＝βmaxとなるまで温度Ｔ
を下げる。
〔℃〕に設定し、ステツプｂでカソード・ウエネ
ルト間距離Ｌを0.15〔mm〕に設定する。次いで、
ステツプｃでカソード・ウエネルト間のバイアス
電圧を可変すると共にステツプｄで輝度βを測定
し、ステツプｅで輝度βが最大となるβmaxを求
める。すなわち、上記ステツプｃ〜ｅの繰り返し
により輝度βのバイアス依存性による最大輝度
βmaxを求める。この最大輝度βmaxが求められ
たらステツプｆへと進み、設定輝度βcと最大輝
度βmaxとを比較する。そして、設定輝度βcと最
大輝度βmaxとが等しいときは、ステツプｇへと
移り描画を開始する。また、ステツプｆで最大輝
度βmaxが設定輝度βcより大きいときは、ステツ
プｈでカソード温度Ｔを僅かに（−ΔT）低くし
ステツプｃ〜ｆにてβc＝βmaxとなるまで温度Ｔ
を下げる。
一方、ステツプｆで最大輝度βmaxが設定輝度
βcより小さいときは、ステツプｉにてカソー
ド・ウエネルト間距離Ｌが測定されＬ≧０のとき
はステツプｊにて距離Ｌを僅かに（−ΔT）短く
したのちステツプｃに戻る。そして、ステツプｃ
〜ｆを繰り返しβc＝βmaxとなるまで距離Ｌを短
くする。ここで、距離Ｌを短くしていくうちにＬ
＜０、すなわちカソード１がウエネルト電極３を
突き出た場合には、ステツプｋにてカソード温度
Ｔを僅かに高くする。温度Ｔが1600℃を越えない
場合ステツプｌからステツプｍに移り距離Ｌを
0.15〔mm〕に設定したのち前記ステツプｃに戻る。
そして、ステツプｃ以降の手順を繰り返しβc＝
βmaxとなるまで温度Ｔを高くする。この手順を
繰り返しても輝度が不足で温度Ｔが1600℃を越え
た場合には、ステツプｎに進みカソード１の寿命
が尽きたと判断し、カソード１の交換を行う。
βcより小さいときは、ステツプｉにてカソー
ド・ウエネルト間距離Ｌが測定されＬ≧０のとき
はステツプｊにて距離Ｌを僅かに（−ΔT）短く
したのちステツプｃに戻る。そして、ステツプｃ
〜ｆを繰り返しβc＝βmaxとなるまで距離Ｌを短
くする。ここで、距離Ｌを短くしていくうちにＬ
＜０、すなわちカソード１がウエネルト電極３を
突き出た場合には、ステツプｋにてカソード温度
Ｔを僅かに高くする。温度Ｔが1600℃を越えない
場合ステツプｌからステツプｍに移り距離Ｌを
0.15〔mm〕に設定したのち前記ステツプｃに戻る。
そして、ステツプｃ以降の手順を繰り返しβc＝
βmaxとなるまで温度Ｔを高くする。この手順を
繰り返しても輝度が不足で温度Ｔが1600℃を越え
た場合には、ステツプｎに進みカソード１の寿命
が尽きたと判断し、カソード１の交換を行う。
かくして本実施例によれば、カソード温度Ｔお
よびカソード・ウエネルト間距離Ｌを最適値に保
持することができ、さらに上記温度Ｔおよび距離
Ｌを微調整することにより、輝度βを一定に保持
することができる。このため、カソード１の長寿
命化をはかり得て装置稼動率の向上をはかり得
る。
よびカソード・ウエネルト間距離Ｌを最適値に保
持することができ、さらに上記温度Ｔおよび距離
Ｌを微調整することにより、輝度βを一定に保持
することができる。このため、カソード１の長寿
命化をはかり得て装置稼動率の向上をはかり得
る。
また、ヒータの通電電流を可変してもカソード
温度は直ぐに変わるものではなく、時間的後れを
伴うと共に安定するまでに比較的時間がかかる。
このため、カソード温度を頻繁に変えることは望
ましくない。本実施例では、カソード温度Ｔをパ
ラメータとしてカソード・ウエネルト間距離Ｌを
最適値（0.15mm）から零に近付ける方向に制御し
ているので、カソード温度の可変設定は少なくて
すむ。従つて、カソード温度の可変設定に起因す
る待ち時間を最小に抑えることができ、この点か
らも装置稼動率の向上をはかり得る。
温度は直ぐに変わるものではなく、時間的後れを
伴うと共に安定するまでに比較的時間がかかる。
このため、カソード温度を頻繁に変えることは望
ましくない。本実施例では、カソード温度Ｔをパ
ラメータとしてカソード・ウエネルト間距離Ｌを
最適値（0.15mm）から零に近付ける方向に制御し
ているので、カソード温度の可変設定は少なくて
すむ。従つて、カソード温度の可変設定に起因す
る待ち時間を最小に抑えることができ、この点か
らも装置稼動率の向上をはかり得る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。例えば、前記駆
動部は前記第２図に示す構成に限るものではな
く、前記カソードを上下動する構成のものであつ
てもよい。つまり、駆動部はカソード或いはウエ
ネルト電極を上下動しカソード・ウエネルト間距
離を可変制御し得る構成であればよい。さらに、
前記距離検出部の構成も第２図に限らず適宜変更
することができる。また、本発明はカソード温度
検出機能、カソード温度制御機能、カソード・ウ
エネルト間距離検出機能および上記距離を可変制
御する機能を有していればよく、必ずしも計算機
制御されたものでなくてもよい。
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。例えば、前記駆
動部は前記第２図に示す構成に限るものではな
く、前記カソードを上下動する構成のものであつ
てもよい。つまり、駆動部はカソード或いはウエ
ネルト電極を上下動しカソード・ウエネルト間距
離を可変制御し得る構成であればよい。さらに、
前記距離検出部の構成も第２図に限らず適宜変更
することができる。また、本発明はカソード温度
検出機能、カソード温度制御機能、カソード・ウ
エネルト間距離検出機能および上記距離を可変制
御する機能を有していればよく、必ずしも計算機
制御されたものでなくてもよい。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図、
第２図は上記実施例の要部構成を示す断面図、第
３図は上記実施例の作用を説明するための流れ作
業図である。 １…カソード、２…ヒータ、３…ウエネルト電
極、４…アノード、５…電子銃本体、６…計算
機、７…ヒータ用電源回路、８…温度検出素子、
９…温度検出回路、１０…距離検出部、１１…駆
動部、１２…バイアス回路、１３…各種検出部。
第２図は上記実施例の要部構成を示す断面図、第
３図は上記実施例の作用を説明するための流れ作
業図である。 １…カソード、２…ヒータ、３…ウエネルト電
極、４…アノード、５…電子銃本体、６…計算
機、７…ヒータ用電源回路、８…温度検出素子、
９…温度検出回路、１０…距離検出部、１１…駆
動部、１２…バイアス回路、１３…各種検出部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ヒータにより加熱されるカソード、ウエネル
ト電極およびアノードからなる熱電子放射形の電
子銃装置において、前記カソードの温度を検出す
る温度検出手段と、この手段による検出温度に基
づいて前記ヒータへの通電電流を可変して上記カ
ソードの温度を制御する温度制御手段と、前記カ
ソードとウエネルト電極との間の距離を検出する
距離検出手段と、この手段による検出距離に基づ
いて前記カソード或いはウエネルト電極を真空系
外部から駆動し上記カソードとウエネルト電極と
の間の距離を制御する距離制御手段とを具備し、
前記温度制御手段は輝度が設定輝度となるように
カソード温度を制御するものであり、前記距離制
御手段は輝度が設定輝度となるようにカソード・
ウエネルト間距離を最適距離から零に近付ける方
向に制御し、且つカソード温度を上げる際にカソ
ード・ウエネルト間距離を最適距離に戻すもので
あることを特徴とする電子銃装置。 ２ 前記カソード温度が最大許容温度を越える時
は、カソード寿命と判定する手段を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子銃装
置。 ３ 前記カソードは、ランタンヘキサボライド
（LaB6）単結晶からなるものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子銃装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960782A JPS58147946A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子銃装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960782A JPS58147946A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子銃装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147946A JPS58147946A (ja) | 1983-09-02 |
| JPS6322408B2 true JPS6322408B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=12280746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2960782A Granted JPS58147946A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子銃装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI494256B (zh) * | 2010-05-27 | 2015-08-01 | Daifuku Kk | Picking up equipment and input display |
| TWI494254B (zh) * | 2010-05-27 | 2015-08-01 | Daifuku Kk | Picking up equipment and input display |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135667A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Fujitsu Ltd | Position detecting method of emitter |
| JPS55126949A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Electron beam generator |
| JPS5678052A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Toshiba Corp | Electron beam device |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP2960782A patent/JPS58147946A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135667A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-27 | Fujitsu Ltd | Position detecting method of emitter |
| JPS55126949A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Electron beam generator |
| JPS5678052A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Toshiba Corp | Electron beam device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI494256B (zh) * | 2010-05-27 | 2015-08-01 | Daifuku Kk | Picking up equipment and input display |
| TWI494254B (zh) * | 2010-05-27 | 2015-08-01 | Daifuku Kk | Picking up equipment and input display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58147946A (ja) | 1983-09-02 |
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