JPS63221539A - イオンビ−ム中性化装置 - Google Patents
イオンビ−ム中性化装置Info
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- JPS63221539A JPS63221539A JP5591587A JP5591587A JPS63221539A JP S63221539 A JPS63221539 A JP S63221539A JP 5591587 A JP5591587 A JP 5591587A JP 5591587 A JP5591587 A JP 5591587A JP S63221539 A JPS63221539 A JP S63221539A
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- Japan
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- ion beam
- neutralization
- filament
- directing
- electrons
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 title abstract description 10
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は半導体製造等に用いられるイオン注入装置に
適用されるイオンビームを中性化する装置に関するもの
であり、特に、イオンビームを均一に中性化することが
できるイオンビームの中性化i置に関するものである。
適用されるイオンビームを中性化する装置に関するもの
であり、特に、イオンビームを均一に中性化することが
できるイオンビームの中性化i置に関するものである。
[従来の技術]
第3図は半導体製造時に用いられるイオン注入装置に適
用されているイオンビームを中性化する装置である。図
において、1はイオンじ一部が通過するビームライン、
2はイオンを注入されるウェハ、3はウェハを固定し回
転する回転ディスク、4は電子を発生するフィラメント
、10は電子を引出す引出電極、11は2次電子を発生
させる標的、12は2次電子をウェハ外へ押えるサプレ
ッション電極、13は2次電子である。
用されているイオンビームを中性化する装置である。図
において、1はイオンじ一部が通過するビームライン、
2はイオンを注入されるウェハ、3はウェハを固定し回
転する回転ディスク、4は電子を発生するフィラメント
、10は電子を引出す引出電極、11は2次電子を発生
させる標的、12は2次電子をウェハ外へ押えるサプレ
ッション電極、13は2次電子である。
次に動作について説明する。従来のイオンビーム中性化
装置はフィラメントから発生した電子を、引出電極によ
って引出すとともに加速する。加速された電子let
傾いl= 4−的に衝突し、2次電池をウェハ外へ発生
させる。この2次電子を用い、イオン注入によってプラ
スに帯電しているウェハ表面を中性化している。
装置はフィラメントから発生した電子を、引出電極によ
って引出すとともに加速する。加速された電子let
傾いl= 4−的に衝突し、2次電池をウェハ外へ発生
させる。この2次電子を用い、イオン注入によってプラ
スに帯電しているウェハ表面を中性化している。
[発明が解決しようとする間色点]
従来のイオンビーム中性化装置は以上のように構成され
ているので、フイラメン1へがビームラインの外側に位
置し、これから発生された1次電子を用いて2次電子を
発生させ、この2次電子を用いてウェハ面上で中性化を
行なっている。この方法では、ウェハ面内を均一に中性
化することができなかったため、チャージアップエル象
を制御することが難しいなどの問題点があった。
ているので、フイラメン1へがビームラインの外側に位
置し、これから発生された1次電子を用いて2次電子を
発生させ、この2次電子を用いてウェハ面上で中性化を
行なっている。この方法では、ウェハ面内を均一に中性
化することができなかったため、チャージアップエル象
を制御することが難しいなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、イオンビームの効率良い中性化が可能で、ウ
ェハ注入面上でのチャージアップ現象を押えることがで
きるイオンビーム中性化装冒を得ることを目的とする。
たもので、イオンビームの効率良い中性化が可能で、ウ
ェハ注入面上でのチャージアップ現象を押えることがで
きるイオンビーム中性化装冒を得ることを目的とする。
L問題点を解決するための手段]
この発明に係るイオンビーム中性化装置は、イオンビー
ムを中性化するための電子を放出する手段と、放出され
た電子をイオンビームの経路の途中の一部に向けて指向
する手段とから構成したものである。
ムを中性化するための電子を放出する手段と、放出され
た電子をイオンビームの経路の途中の一部に向けて指向
する手段とから構成したものである。
[作用]
この発明におけるイオンビーム中性化装置は、電子を放
出する手段から放出された電子をイオンビーム経路の途
中の一部に向けて指向することによって、電子をイオン
にトラップさせ、イオンビームを中性化する。
出する手段から放出された電子をイオンビーム経路の途
中の一部に向けて指向することによって、電子をイオン
にトラップさせ、イオンビームを中性化する。
[発明の実施例」
以Fこの発明の実施例を図について説明する。
第1図において、1はイオンビームが通過するビームラ
イン、2はウェハ、3はウェハを固定し回転する回転デ
ィスク、4は熱電子を発生する円筒状のフィラメント、
5は電子をビーム側に押出す押出電極、6は中性化の割
合を測定する誘導コイル、7はイオンビームかフィラメ
ントおよび磁場コイルに当たらないようにビームを遮断
するビームストッパ、8は電子を閉込める磁場コイル、
9はイオンビームを示す図である。
イン、2はウェハ、3はウェハを固定し回転する回転デ
ィスク、4は熱電子を発生する円筒状のフィラメント、
5は電子をビーム側に押出す押出電極、6は中性化の割
合を測定する誘導コイル、7はイオンビームかフィラメ
ントおよび磁場コイルに当たらないようにビームを遮断
するビームストッパ、8は電子を閉込める磁場コイル、
9はイオンビームを示す図である。
次に動作について説明する。このイオンビーム中性化%
Mはビームライン内に位置し、回転ディスクの前に固定
される。イオンビームはビームストッパによってフィラ
メントの内径よりも細かくなり、フィラメントの中を通
過する。このときフィラメントが発生した電子は、押出
電極によりイオンビームへ押され、しかも磁場によって
閉込められているためイオンと衝突し、イオンにトラッ
プされる。このようにして、イオンビームは効率良く中
性化される。この中性化の制御はビームが誘導コイルを
通過するとき流れるM導電流がOになるようにフィラメ
ント電流およびfI:i場を’ANすることによって行
なう。このイオンビーム中性化装置は中性化する電子を
ビームの周囲から発生させるため、均一にビームを中性
化することができ、しかも電子を11場で閉込めている
ため中性化が効率良く行なえる。またビーム電流の変動
に対しても、常にビームは中性に保たれるため、チャー
ジアップ現象を抑えることができる。
Mはビームライン内に位置し、回転ディスクの前に固定
される。イオンビームはビームストッパによってフィラ
メントの内径よりも細かくなり、フィラメントの中を通
過する。このときフィラメントが発生した電子は、押出
電極によりイオンビームへ押され、しかも磁場によって
閉込められているためイオンと衝突し、イオンにトラッ
プされる。このようにして、イオンビームは効率良く中
性化される。この中性化の制御はビームが誘導コイルを
通過するとき流れるM導電流がOになるようにフィラメ
ント電流およびfI:i場を’ANすることによって行
なう。このイオンビーム中性化装置は中性化する電子を
ビームの周囲から発生させるため、均一にビームを中性
化することができ、しかも電子を11場で閉込めている
ため中性化が効率良く行なえる。またビーム電流の変動
に対しても、常にビームは中性に保たれるため、チャー
ジアップ現象を抑えることができる。
[発明の効果コ
以上のように、この発明によるイオンビーム中性化装置
によれば、イオンビームを中性化するための電子の発生
源であるフィラメントのような電子の放出手段を、イオ
ンビームの経路の途中の一部を囲うように円筒状にする
とともに、発生した電子をイオンビーム側へ押出すよう
に押出電極やlff[!コイルのような放出電子をイオ
ンビームの経路の途中の一部に向けて指向させる手段に
よりフィラメントのような電子放出手段の内部に閉込め
るように構成したので、イオンビームの中性化がより効
率良くかつ均一に行なえ、ウェハ面上でのチャージアッ
プ現象を解消し得るという効果がある。
によれば、イオンビームを中性化するための電子の発生
源であるフィラメントのような電子の放出手段を、イオ
ンビームの経路の途中の一部を囲うように円筒状にする
とともに、発生した電子をイオンビーム側へ押出すよう
に押出電極やlff[!コイルのような放出電子をイオ
ンビームの経路の途中の一部に向けて指向させる手段に
よりフィラメントのような電子放出手段の内部に閉込め
るように構成したので、イオンビームの中性化がより効
率良くかつ均一に行なえ、ウェハ面上でのチャージアッ
プ現象を解消し得るという効果がある。
第1図はこの発明におけるイオンビーム中性化装置を示
す概略断面図であり、第2図(a>は第1図4のフィラ
メントの斜視図であり、第2図<b)はフィラメントの
断面図であり、第3図は従来装置の概略断面図である。 なお第1図では図解の便宜のためフィラメントは直線で
表わしている。詳細は第2図<a > <b >に示
しである。 図において、1はビームライン′、2はウェハ、3は回
転ディスク、4はフィラメント、5は押出電極、6は誘
導コイル、7はビームストッパ、8は磁場コイル、9は
イオンビーム、10は引出電極、11は標的、12はサ
プレッション電極、13は2次電子を示す。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (a) 第2i1 (b)
す概略断面図であり、第2図(a>は第1図4のフィラ
メントの斜視図であり、第2図<b)はフィラメントの
断面図であり、第3図は従来装置の概略断面図である。 なお第1図では図解の便宜のためフィラメントは直線で
表わしている。詳細は第2図<a > <b >に示
しである。 図において、1はビームライン′、2はウェハ、3は回
転ディスク、4はフィラメント、5は押出電極、6は誘
導コイル、7はビームストッパ、8は磁場コイル、9は
イオンビーム、10は引出電極、11は標的、12はサ
プレッション電極、13は2次電子を示す。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (a) 第2i1 (b)
Claims (6)
- (1)イオンビームを予め定められた方向へ指向して発
生する手段と、前記イオンビームの下流において前記イ
オンビームを受ける部分を備えるイオン注入装置におい
て、 前記イオンビームの経路の途中の一部を囲み、電子を放
出する手段と、前記電子放出手段に関連して設けられ、
前記放出電子を前記経路の途中の一部に向けて指向させ
る手段とからなるイオンビーム中性化装置。 - (2)前記電子放出手段が前記イオンビーム経路の途中
を囲むように配置される円筒状導電部材と、前記導電部
材を加熱する手段とからなる特許請求の範囲第1項記載
のイオンビーム中性化装置。 - (3)前記指向手段が前記円筒状導電部材の外側に配置
され、前記放出電子を前記円筒状部材の中心に向けて指
向させる第1の手段からなる特許請求の範囲第1項また
は第2項に記載のイオンビーム中性化装置。 - (4)前記指向手段は、前記円筒状導電部材のイオンビ
ーム経路に対する上流および下流に設けられ、ビームを
中に指向させる第2の手段とからなる特許請求の範囲第
1項ないし第3項のいずれかに記載のイオンビーム中性
化装置。 - (5)前記指向手段は前記第2の指向手段のさらに上流
に設けられて、前記イオンビームのうち前記円筒状導電
部材の内側へ入らないイオンビームを遮断する第3の手
段とからなる特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
れかに記載のイオンビーム中性化装置。 - (6)前記第2の指向手段のさらに下流に設けられて、
前記イオンビームの経路を囲むように設けられ、前記イ
オンビームの中性化の制御をするための手段とからなる
特許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載の
イオンビーム中性化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5591587A JPS63221539A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | イオンビ−ム中性化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5591587A JPS63221539A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | イオンビ−ム中性化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63221539A true JPS63221539A (ja) | 1988-09-14 |
Family
ID=13012406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5591587A Pending JPS63221539A (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | イオンビ−ム中性化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63221539A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205691A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Nec Yamagata Ltd | イオン注入装置 |
US5703375A (en) * | 1996-08-02 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion beam neutralization |
JP2007035370A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Kyoto Univ | イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP5591587A patent/JPS63221539A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205691A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Nec Yamagata Ltd | イオン注入装置 |
US5703375A (en) * | 1996-08-02 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion beam neutralization |
JP2007035370A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Kyoto Univ | イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法 |
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