JPS63221540A - 電子ビ−ム励起イオン源 - Google Patents
電子ビ−ム励起イオン源Info
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- JPS63221540A JPS63221540A JP62053391A JP5339187A JPS63221540A JP S63221540 A JPS63221540 A JP S63221540A JP 62053391 A JP62053391 A JP 62053391A JP 5339187 A JP5339187 A JP 5339187A JP S63221540 A JPS63221540 A JP S63221540A
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Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、電子ビームによってイオンを生成する電子ビ
ーム励起イオン源に係わり、特にイオン注入装置等のイ
オン源として利用して好適な電子ビーム励起イオン源に
関する。
ーム励起イオン源に係わり、特にイオン注入装置等のイ
オン源として利用して好適な電子ビーム励起イオン源に
関する。
(従来の技術)
一般に、イオンビームを用いて半導体ウェハ等の処理を
行なうイオン注入装置等では、低エネルギかつ大電流の
イオンビームを用いることが好ましい。
行なうイオン注入装置等では、低エネルギかつ大電流の
イオンビームを用いることが好ましい。
本出願人の一人は、このような低エネルギかつ大電流の
イオンビームを得るためのイオン源として、電子ビーム
励起イオン源を特開昭61−290629号、特願昭6
1−121967号等で提案した。
イオンビームを得るためのイオン源として、電子ビーム
励起イオン源を特開昭61−290629号、特願昭6
1−121967号等で提案した。
この電子ビーム励起イオン源は、プラズマ領域、加速陰
極、電子ビーム加速領域、加速陽極、イオン生成領域、
およびターゲット陰極がこの順で配置され、加速陽極に
対して負の電位をターゲット陰極に与える手段と、イオ
ン生成領域において生成された正イオンまたは負イオン
を吸引し、このイオン引き出すイオン引出電極とが備え
られている。
極、電子ビーム加速領域、加速陽極、イオン生成領域、
およびターゲット陰極がこの順で配置され、加速陽極に
対して負の電位をターゲット陰極に与える手段と、イオ
ン生成領域において生成された正イオンまたは負イオン
を吸引し、このイオン引き出すイオン引出電極とが備え
られている。
このような電子ビーム励起イオン源では、プラズマ領域
中の電子は、加速陽極によって引き出され、イオン生成
領域内に突入する。突入した電子はイオン生成領域内の
不活性ガス又は金蔵蒸気と衝突してイオンを生成するが
、このイオンの逆流によって加速陰極の出口付近に形成
される負のポテンシャルバリヤが中和される。
中の電子は、加速陽極によって引き出され、イオン生成
領域内に突入する。突入した電子はイオン生成領域内の
不活性ガス又は金蔵蒸気と衝突してイオンを生成するが
、このイオンの逆流によって加速陰極の出口付近に形成
される負のポテンシャルバリヤが中和される。
したがって、プラズマ密度に比例する大電流電子ビーム
がイオン生成領域内に流入する。
がイオン生成領域内に流入する。
イオン生成領域においては、流入した電子ビームの電流
値に比例した数のイオンが発生し、このイオンは、イオ
ン引出電極によってイオン生成領域外へ放射される。
値に比例した数のイオンが発生し、このイオンは、イオ
ン引出電極によってイオン生成領域外へ放射される。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上述の電子ビーム励起イオン源において
も、さらに、イオンビームの大電流密度化、装置寿命の
長期化、電力消’t、tの低減化等を行うことが要求さ
れる。
も、さらに、イオンビームの大電流密度化、装置寿命の
長期化、電力消’t、tの低減化等を行うことが要求さ
れる。
本発明は、このような問題に対処してなされたもので、
イオンビームの大電流密度化、装置寿命の長期化、電力
消g!を量の低減化を図ることのできる電子ビーム励起
イオン源を提供しようとするものである。
イオンビームの大電流密度化、装置寿命の長期化、電力
消g!を量の低減化を図ることのできる電子ビーム励起
イオン源を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
すなわち本発明は、多数の透孔を有する電極の電圧によ
りプラズマ発生領域から電子を引き出し、この電子を前
記電極の透孔を通過させてガス雰囲気に入射させてイオ
ンを発生させる電子ビーム励起イオン源において、前記
電極の透孔は、直径0.65n11以下であることを特
徴とする。
りプラズマ発生領域から電子を引き出し、この電子を前
記電極の透孔を通過させてガス雰囲気に入射させてイオ
ンを発生させる電子ビーム励起イオン源において、前記
電極の透孔は、直径0.65n11以下であることを特
徴とする。
(作 用)
本発明の電子ビーム励起イオン源では、多数の透孔を有
するアノード電極および電子ビーム加速用電極が、これ
らの透孔が直径0.65in以下、好ましくは0.51
11−・0.6Illとされている。すなわち、アノー
ド電極および電子ビーム加速用電極が、例えば厚さ0.
2mp〜 0.5miの板状部材に、直径例えば0.5
ml〜0゜611の円孔を、各円孔の中心間の間隔が例
えば0゜7mm〜1.0+ugとなるよう多数配置して
構成されている。
するアノード電極および電子ビーム加速用電極が、これ
らの透孔が直径0.65in以下、好ましくは0.51
11−・0.6Illとされている。すなわち、アノー
ド電極および電子ビーム加速用電極が、例えば厚さ0.
2mp〜 0.5miの板状部材に、直径例えば0.5
ml〜0゜611の円孔を、各円孔の中心間の間隔が例
えば0゜7mm〜1.0+ugとなるよう多数配置して
構成されている。
ここでアノード電極および電子ビーム加速用電極の透孔
の直径を0.65in以下、好ましくは0.5mm〜0
.6mnとしたのは、以下のような理由による。
の直径を0.65in以下、好ましくは0.5mm〜0
.6mnとしたのは、以下のような理由による。
すなわち、電子ビーム励起イオン源において大電流密度
のイオンビームを得るためには、高密度のプラズマの生
成が必要である。一定の形、太きさのイオン生成部内に
高密度のプラズマを生成するためには、このイオン生成
部内に適当なエネルギー(100eV〜500eV )
の電子ビームをできる限り多量に打ち込むことが重要で
ある。
のイオンビームを得るためには、高密度のプラズマの生
成が必要である。一定の形、太きさのイオン生成部内に
高密度のプラズマを生成するためには、このイオン生成
部内に適当なエネルギー(100eV〜500eV )
の電子ビームをできる限り多量に打ち込むことが重要で
ある。
ある電流の直流放電(グロー放電またはアーク放電)か
らできる限り多量の電子ビームを引き出すためには、電
子ビームが通り抜けやすくするため、アノード電極およ
び電子ビーム加速用電極の強度を損わない程度に、透孔
の径を大きくし、透孔間のピッチを小さくして開口亭を
上げる必要がある。
らできる限り多量の電子ビームを引き出すためには、電
子ビームが通り抜けやすくするため、アノード電極およ
び電子ビーム加速用電極の強度を損わない程度に、透孔
の径を大きくし、透孔間のピッチを小さくして開口亭を
上げる必要がある。
しかしながら、透孔の直径を大きくしすぎ、透孔の直径
が、これらの透孔内に形成されるシースの厚さの2倍以
上となるとプラズマのしみたしが生じ、カソード電極と
電子ビーム加速用′rs、極との間に放電が生じ、電子
ビームの引き出しはできなくなる。
が、これらの透孔内に形成されるシースの厚さの2倍以
上となるとプラズマのしみたしが生じ、カソード電極と
電子ビーム加速用′rs、極との間に放電が生じ、電子
ビームの引き出しはできなくなる。
このプラズマのシースの厚さは、一般に以下に示す式に
よって求められろデバイ長さλ0の3〜5倍と言われて
いる。
よって求められろデバイ長さλ0の3〜5倍と言われて
いる。
λo = (εo KT6 /nee 2)
’Gただし、 εO:真空の誘電率 K :ボルツマン定数 Te :電子温度 ne:’i電子密 度 :電荷素置 したがって、ある電子密度と電子温度のプラズマから電
子を引き出すなめには、透孔の直径は、ある値以下にす
る必要がある。
’Gただし、 εO:真空の誘電率 K :ボルツマン定数 Te :電子温度 ne:’i電子密 度 :電荷素置 したがって、ある電子密度と電子温度のプラズマから電
子を引き出すなめには、透孔の直径は、ある値以下にす
る必要がある。
しかしながら、このような臨界値を理論的に求めること
は非常に困難であり、本発明者等は、上記臨界値を実験
により求めた。
は非常に困難であり、本発明者等は、上記臨界値を実験
により求めた。
すなわち、例えば4A以下のグロー放電から電子ビーム
を引き出す場合、透孔の直径を0.6nuiとすると電
子ビームの引き出しを行うことができるが、透孔の直径
を0.6511より大径とすると電子ビームの引き出し
はできなくなる。また、前述のように多量の電子ビーム
を引き出すためには、透孔の直径を0.5111−0.
6mmとすることが好ましい。また各透孔の中心間の間
隔(ピッチ〉については加工限界が有り、このため、ピ
ッチ0.7n+Il〜1 、01+nとすることが好ま
しい。
を引き出す場合、透孔の直径を0.6nuiとすると電
子ビームの引き出しを行うことができるが、透孔の直径
を0.6511より大径とすると電子ビームの引き出し
はできなくなる。また、前述のように多量の電子ビーム
を引き出すためには、透孔の直径を0.5111−0.
6mmとすることが好ましい。また各透孔の中心間の間
隔(ピッチ〉については加工限界が有り、このため、ピ
ッチ0.7n+Il〜1 、01+nとすることが好ま
しい。
上述のようにして、カソード電極とアノード電極との間
の放電電流を低く抑制して、カソード電極寿命の長期化
、電力消費量の低減化を図ることができ、かつ多量の電
子ビームを引出してイオンビームの大電流密度化を図る
ことができる。
の放電電流を低く抑制して、カソード電極寿命の長期化
、電力消費量の低減化を図ることができ、かつ多量の電
子ビームを引出してイオンビームの大電流密度化を図る
ことができる。
また、電子ビームが通り抜けやすくし、多量の電子ビー
ムを引き出すなめには、アノード電極および電子ビーム
加速用電極の板厚は、薄い方が良い。例えば、初期放電
電流がIA、電子加速電圧が300v、透孔の径が0.
5nの場合、肉厚0.5uとした場合400nAの電子
ビーム電流が得られ、肉厚0.3uのとした場合は、6
(loIAの電子ビーム電流を得ることができる。
ムを引き出すなめには、アノード電極および電子ビーム
加速用電極の板厚は、薄い方が良い。例えば、初期放電
電流がIA、電子加速電圧が300v、透孔の径が0.
5nの場合、肉厚0.5uとした場合400nAの電子
ビーム電流が得られ、肉厚0.3uのとした場合は、6
(loIAの電子ビーム電流を得ることができる。
しかしながら、アノード電極および電子ビーム加速用電
極の肉厚を0.21111以下とすると耐久性に乏しく
なる。
極の肉厚を0.21111以下とすると耐久性に乏しく
なる。
そこで、アノード電極および電子ビーム加速用電極の肉
厚は、0.2n〜0.5nとすることが好ましい。
厚は、0.2n〜0.5nとすることが好ましい。
(実施例)
以下本発明電子ビーム励起イオン源をイオン注入装置用
イオン源に適用した実施例を第1図ないし第4図を参照
して説明する。
イオン源に適用した実施例を第1図ないし第4図を参照
して説明する。
チャンバ1内には、電子ビーム発生部100とイオン発
生部200が設けられている。
生部200が設けられている。
まず電子ビーム発生部100から説明する。第2図にも
示すように、例えばモリブデンやタングステン等の高融
点金属からなり、直径例えば541111、厚さ0.2
mm 〜0.5n、例えば0.31111の円板状に形
成されたアノード電極2が配置されている。また、アノ
ード電極2に対して、例えば0゜2n〜1.51の所定
間隙を設けて電子ビーム加速用電極3が、配置されてい
る。この電子ビーム加速用電極3は、第3図にも示すよ
うに、例えばモリブデンやタングステン等の高融点金属
からなり、直径例えば40111、厚さ0.2mm 〜
0.5u、例えば0.3umの円板状に形成されている
。
示すように、例えばモリブデンやタングステン等の高融
点金属からなり、直径例えば541111、厚さ0.2
mm 〜0.5n、例えば0.31111の円板状に形
成されたアノード電極2が配置されている。また、アノ
ード電極2に対して、例えば0゜2n〜1.51の所定
間隙を設けて電子ビーム加速用電極3が、配置されてい
る。この電子ビーム加速用電極3は、第3図にも示すよ
うに、例えばモリブデンやタングステン等の高融点金属
からなり、直径例えば40111、厚さ0.2mm 〜
0.5u、例えば0.3umの円板状に形成されている
。
また、これらのアノード電極2および電子ビーム加速用
電極3の中央部の直径例えば22In+程度の領域Bに
は、第4図にも示すようにそれぞれ、多数の透孔すが配
置されている。
電極3の中央部の直径例えば22In+程度の領域Bに
は、第4図にも示すようにそれぞれ、多数の透孔すが配
置されている。
これらの透孔すは、前述のような理由により、直径0゜
65ni以下、例えば0.511〜0.61111とさ
れている。また、各透孔の中心間の間隔(ピッチ)Pは
、例えば0.7n11〜1.0mmとなるよう配置する
ことが好ましい。
65ni以下、例えば0.511〜0.61111とさ
れている。また、各透孔の中心間の間隔(ピッチ)Pは
、例えば0.7n11〜1.0mmとなるよう配置する
ことが好ましい。
密閉容器1内のアノード電極2側には、例えばタンタル
等からなり、中心部に貫通孔4を備えた円筒状のカソー
ド電極5がアノード電極2側へ突出するよう配置されて
いる。
等からなり、中心部に貫通孔4を備えた円筒状のカソー
ド電極5がアノード電極2側へ突出するよう配置されて
いる。
カソード電極5とアノード?!;tlfi2との間には
、微小コンダクタンスの隘路6例えば導電板にスリット
状または円形状の透孔が設けられている。
、微小コンダクタンスの隘路6例えば導電板にスリット
状または円形状の透孔が設けられている。
この隘路6は、チャンバ1内のカソード電極5側のガス
圧を0.5TOrr 〜2.0Torr程度とし、アノ
ード電極2側のガス圧を0.01 Torr〜0.05
Torr程度に維持するための大きさであり、例えば
直径11n〜3nua 、長さ11Illへ一20In
+程度の円孔からなる。
圧を0.5TOrr 〜2.0Torr程度とし、アノ
ード電極2側のガス圧を0.01 Torr〜0.05
Torr程度に維持するための大きさであり、例えば
直径11n〜3nua 、長さ11Illへ一20In
+程度の円孔からなる。
この隘路6は、カソード電極5付近のガス圧を高め、中
性粒子密度を高めて、カソード電極5へ向かうイオンの
エネルギをこの中性粒子との衝突により減少させて、イ
オンによるカソード電極5のスバ・ツタリングを減少さ
せるものである。したがって、コンダクタンスを減少さ
せるためには、隘路6の直径を小さくする、あるいは隘
路6の長さを長くすることにより実現できる。しかしな
がら、隘路6の長さを長くすると、放電のための電極間
電圧が高くなり、消費電力が増大するため、直径1in
〜311、長さ111Il〜20n11程度の円孔とす
ることが好ましい、また消費電力を減少させるためには
、隘路6の少なくとも一部を、例えばA i203 、
S i 3 N 4等の絶縁物で構成することが好まし
い。
性粒子密度を高めて、カソード電極5へ向かうイオンの
エネルギをこの中性粒子との衝突により減少させて、イ
オンによるカソード電極5のスバ・ツタリングを減少さ
せるものである。したがって、コンダクタンスを減少さ
せるためには、隘路6の直径を小さくする、あるいは隘
路6の長さを長くすることにより実現できる。しかしな
がら、隘路6の長さを長くすると、放電のための電極間
電圧が高くなり、消費電力が増大するため、直径1in
〜311、長さ111Il〜20n11程度の円孔とす
ることが好ましい、また消費電力を減少させるためには
、隘路6の少なくとも一部を、例えばA i203 、
S i 3 N 4等の絶縁物で構成することが好まし
い。
そして、カソード電極5の貫通孔4を通して、チャンバ
1内に放電用ガス、例えばアルゴンガス等を導入する。
1内に放電用ガス、例えばアルゴンガス等を導入する。
カソード電極5とアノード電極2との間には、放f電源
8から例えば直流500v程度の放電電圧を印加する。
8から例えば直流500v程度の放電電圧を印加する。
この電圧印加により、グロー放電を起こし、この時プラ
ズマを生成する。
ズマを生成する。
電子ビーム加速用電極3には、電子ビーム加速用電源9
から例えば直流電圧300v程度の加速電圧を印加する
。この加速電圧により、前記放電により生じたプラズマ
の中から電子を引き出し、引き出した電子はさらに例え
ば100eV〜500eνに加速してイオン生成室10
内に入射させる。
から例えば直流電圧300v程度の加速電圧を印加する
。この加速電圧により、前記放電により生じたプラズマ
の中から電子を引き出し、引き出した電子はさらに例え
ば100eV〜500eνに加速してイオン生成室10
内に入射させる。
なお、アノード2と電子ビーム加速用電極3との間は、
0.03 Torr以下のガス圧とすることが好ましい
。これは、ガス圧が0.03 Torr以上となると、
アノード2と電子ビーム加速用電極3との間に印加する
ことのできる電圧の最大値が次第に低下し、イオン生成
部でのプラズマ生成ができなくなるためである。
0.03 Torr以下のガス圧とすることが好ましい
。これは、ガス圧が0.03 Torr以上となると、
アノード2と電子ビーム加速用電極3との間に印加する
ことのできる電圧の最大値が次第に低下し、イオン生成
部でのプラズマ生成ができなくなるためである。
次にイオン発生部200を説明する。イオン生成室10
内には、予めイオン注入のためのガス例えばヒ素ガスが
ガス圧0.0t Torr〜0.02 Torrとなる
ように供給されている。このイオン生成室10内に導入
された電子ビームは、ヒ素ガス分子に衝突し、濃いプラ
ズマを発生する。これは電離断面積の大きなエネルギー
を有する電子ビームを用いてプラズマを発生するためで
ある。
内には、予めイオン注入のためのガス例えばヒ素ガスが
ガス圧0.0t Torr〜0.02 Torrとなる
ように供給されている。このイオン生成室10内に導入
された電子ビームは、ヒ素ガス分子に衝突し、濃いプラ
ズマを発生する。これは電離断面積の大きなエネルギー
を有する電子ビームを用いてプラズマを発生するためで
ある。
イオン生成室10の電子ビーム加速用電極3に対向する
側には、電子ビーム加速用電極3と同電位とされた方形
状のスリットllaおよび長円形状のスリットllbか
らなるイオン引出電極11が設けられている。
側には、電子ビーム加速用電極3と同電位とされた方形
状のスリットllaおよび長円形状のスリットllbか
らなるイオン引出電極11が設けられている。
これらのスリットlla、llbの構成は、周知のイオ
ン注入装置のイオン源に用いられているイオン導出部の
電極構成で、スリットllaは縦長の1.5mm X1
5.5 uの長方形状の透孔であり、スリットllbは
短径5+m、長径20uの長円形状である。
ン注入装置のイオン源に用いられているイオン導出部の
電極構成で、スリットllaは縦長の1.5mm X1
5.5 uの長方形状の透孔であり、スリットllbは
短径5+m、長径20uの長円形状である。
これらのスリットlla、llbにより、イオン生成室
10内から引出されたイオンビームは、イオン注入装置
の質量分析用の磁場中(図示せず)へ射出される。
10内から引出されたイオンビームは、イオン注入装置
の質量分析用の磁場中(図示せず)へ射出される。
すなわち、上記説明のこの実施例の電子ビーム励起イオ
ン源では、アノード電極2および電子ビーム加速用電極
3が肉厚0.2n〜0゜5111とされており、これら
の電極の耐久性を損うことなく、多量の電子ビームを引
出すことができる。したがって、カソード電#f!5と
アノード電極2との間の放電電流を低く抑制して、カソ
ード電極5ガ命の長期化、電力消費量の低減化を図るこ
とができ、かつイオンビームの大電流密度化を図ること
ができる。
ン源では、アノード電極2および電子ビーム加速用電極
3が肉厚0.2n〜0゜5111とされており、これら
の電極の耐久性を損うことなく、多量の電子ビームを引
出すことができる。したがって、カソード電#f!5と
アノード電極2との間の放電電流を低く抑制して、カソ
ード電極5ガ命の長期化、電力消費量の低減化を図るこ
とができ、かつイオンビームの大電流密度化を図ること
ができる。
なお、上記電子ビーム励起イオン源で金属イオンを含む
多種のイオンビームを得るなめには、目的とするイオン
を得るためのガスをイオン生成室10に直接供給するこ
と、チャンバ1の温度を制御して汚れの付着を防止する
ことが有効である。
多種のイオンビームを得るなめには、目的とするイオン
を得るためのガスをイオン生成室10に直接供給するこ
と、チャンバ1の温度を制御して汚れの付着を防止する
ことが有効である。
また、同じエネルギーと電流値の電子ビームによってプ
ラズマを生成する場合、イオン生成室10の形と大きさ
、特にイオン引出電極11と電子ビーム加速用型F@3
の距離が引き出しうるイオンビームの電流密度に大きく
影響する。例えば、イオン生成室10を円筒型とし、直
径を2711111に一定にし、長さを2011と50
1Imとした場合を比較すると、20nraにした場合
のイオンビーム電流密度は、5011にした場合の2倍
に達した。
ラズマを生成する場合、イオン生成室10の形と大きさ
、特にイオン引出電極11と電子ビーム加速用型F@3
の距離が引き出しうるイオンビームの電流密度に大きく
影響する。例えば、イオン生成室10を円筒型とし、直
径を2711111に一定にし、長さを2011と50
1Imとした場合を比較すると、20nraにした場合
のイオンビーム電流密度は、5011にした場合の2倍
に達した。
また、長寿命化のためには、チャンバ1を純水、フレオ
ン等で冷却し過熱を防止することが必要である。カソー
ド電極5の寿命を伸ばすためには、隘l¥36を狭くし
て、カソード電極5付近のガス圧力を0.5Torr以
上とすることが有効である。
ン等で冷却し過熱を防止することが必要である。カソー
ド電極5の寿命を伸ばすためには、隘l¥36を狭くし
て、カソード電極5付近のガス圧力を0.5Torr以
上とすることが有効である。
さらに、電子ビーム加速用電極3の寿命を伸ばすために
は、電子ビーム加速用電極3の穴径をアノード電極2の
穴径より大きくすることで、電子ビーム加速用型t7f
13への熱の集中を軽減し、その消耗を軽減することが
できる。
は、電子ビーム加速用電極3の穴径をアノード電極2の
穴径より大きくすることで、電子ビーム加速用型t7f
13への熱の集中を軽減し、その消耗を軽減することが
できる。
上記実施例では、電子ビーム発生源としてプラズマ領域
から取り出す手段について説明したが、大電流の電子ビ
ームを得る手段であれば何れでもよい。
から取り出す手段について説明したが、大電流の電子ビ
ームを得る手段であれば何れでもよい。
[発明の効果]
上述のように本発明の電子ビーム励起イオン源では、イ
オンビームの大電流密度化、装置寿命の長期化、電力消
費量の低減化を図ることができる。
オンビームの大電流密度化、装置寿命の長期化、電力消
費量の低減化を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例の電子ビーム励起イオン源を
示す構成図、第2図はアノード電極を示す正面図、第3
図は電子ビーム加速用電極を示す正面図、第4図は第2
図および第3図の要部を拡大して示す正面図である。 1・・・・・・チャンバ、2・・・・・・アノード電極
、3・・・・・・電子ビーム加速用電極、5・・・・・
・カソード電極、11・・・・・・イオン引出電極。
示す構成図、第2図はアノード電極を示す正面図、第3
図は電子ビーム加速用電極を示す正面図、第4図は第2
図および第3図の要部を拡大して示す正面図である。 1・・・・・・チャンバ、2・・・・・・アノード電極
、3・・・・・・電子ビーム加速用電極、5・・・・・
・カソード電極、11・・・・・・イオン引出電極。
Claims (4)
- (1)多数の透孔を有する電極の電圧によりプラズマ発
生領域から電子を引き出し、この電子を前記電極の透孔
を通過させてガス雰囲気に入射させてイオンを発生させ
る電子ビーム励起イオン源において、前記電極の透孔は
、直径0.65mm以下であることを特徴とする電子ビ
ーム励起イオン源。 - (2)前記透孔は、好ましくは直径0.5mm〜0.6
mmとされ、各透孔の中心間の間隔が0.7mm〜1.
0mmとなるよう多数配置された円孔である特許請求の
範囲第1項記載の電子ビーム励起イオン源。 - (3)電子を引き出す手段は、カソード電極と多孔状の
アノード電極との間にガスに対して隘路を設け、この隘
路を介してカソード電極とアノード電極との間に放電電
圧を印加してプラズマを生起させると共にプラズマ領域
から電子を前記アノード電極電圧により引き出すように
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
電子ビーム励起イオン源。 - (4)プラズマ領域から電子を引き出しガス雰囲気に入
射させる手段は、前記電子引き出し電極は多孔状アノー
ド電極であり、このアノード電極に近接させて多孔状加
速電極を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の電子ビーム励起イオン源。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62053391A JP2605031B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 電子ビーム励起イオン源 |
KR1019870004962A KR900003310B1 (ko) | 1986-05-27 | 1987-05-19 | 이온 발생 장치 |
US07/054,496 US4749912A (en) | 1986-05-27 | 1987-05-27 | Ion-producing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62053391A JP2605031B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 電子ビーム励起イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63221540A true JPS63221540A (ja) | 1988-09-14 |
JP2605031B2 JP2605031B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=12941525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62053391A Expired - Fee Related JP2605031B2 (ja) | 1986-05-27 | 1987-03-09 | 電子ビーム励起イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2605031B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03194832A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Tokyo Electron Ltd | イオン源 |
JPH03210742A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-13 | Tokyo Electron Ltd | イオン源 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61206257U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62053391A patent/JP2605031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61206257U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03194832A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Tokyo Electron Ltd | イオン源 |
JPH03210742A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-13 | Tokyo Electron Ltd | イオン源 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2605031B2 (ja) | 1997-04-30 |
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