JPS63220593A - アイソレ−タ内蔵型半導体レ−ザモジユ−ル - Google Patents
アイソレ−タ内蔵型半導体レ−ザモジユ−ルInfo
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- JPS63220593A JPS63220593A JP5461887A JP5461887A JPS63220593A JP S63220593 A JPS63220593 A JP S63220593A JP 5461887 A JP5461887 A JP 5461887A JP 5461887 A JP5461887 A JP 5461887A JP S63220593 A JPS63220593 A JP S63220593A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
明細書の洋式一
本発明はアイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールに
関し、特に経済的で小型化が可能であり、かつ温度特性
が優れるとともに実装性の優れたアイソレータ内蔵を半
導体レーザモジュールに関するものである。
関し、特に経済的で小型化が可能であり、かつ温度特性
が優れるとともに実装性の優れたアイソレータ内蔵を半
導体レーザモジュールに関するものである。
光フアイバ通信に用いられる半導体レーザは光出力用の
ファイバを備えたモジュールとして供給され、その終端
にコネクタを設けて伝送用のファ以下余白 イバに接続する場合が多い。この場合、コネクタ部で生
ずる反射戻り光は半導体レーザに再注入され、半導体１
／−ザの動作状態を不安定化させることが知られている
。このことは高速度長距離伝送を行なう場合には特に大
きな障害になる。このため、反射戻り光を除去するアイ
ソレータを内蔵した半導体レーザモジュールが開発され
ている。
ファイバを備えたモジュールとして供給され、その終端
にコネクタを設けて伝送用のファ以下余白 イバに接続する場合が多い。この場合、コネクタ部で生
ずる反射戻り光は半導体レーザに再注入され、半導体１
／−ザの動作状態を不安定化させることが知られている
。このことは高速度長距離伝送を行なう場合には特に大
きな障害になる。このため、反射戻り光を除去するアイ
ソレータを内蔵した半導体レーザモジュールが開発され
ている。
第３図は、Ｔ、 Ｓｕｇｉｅ、 Ｍ、 Ｓａｒｕｗａｔ
８ｒｉの両氏により発表さｒた論文［Ａｎ Ｅｆｆｅｃ
ｔｉｖｅ Ｎｏｎｒｅ−ｃｉｐｒｏｃａｌ Ｃ１ｒｃｕ
ｉｔ ｆｏｒ Ｓｅ＋ｎ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ−
５ｅｒ−ｔｏ −Ｆｉｂｅｒ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ ａ
ＹＩＧ ５ｐｈｅｒｅ Ｊ（ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
ＬｉＧＨＴＷＡＶＥ ＴＥＣＨ−ＮＯＬＯＧＹ、Ｖ
ＯＬ、ＬＴ−１，Ｎｏ、１．ＭＡＲＣＨ１９８３）の中
で説明されているアイソレータ内に一型半導体し−ザモ
ジーールの構造を示したものである。同図において、半
導体レーザ１よシ放射された光ビームはＹＩＧ球２１に
より収束ビームに変換され、さらにレンズ２２および偏
光子２３を経由してシングルモードファイバ２４に結合
する。
８ｒｉの両氏により発表さｒた論文［Ａｎ Ｅｆｆｅｃ
ｔｉｖｅ Ｎｏｎｒｅ−ｃｉｐｒｏｃａｌ Ｃ１ｒｃｕ
ｉｔ ｆｏｒ Ｓｅ＋ｎ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ−
５ｅｒ−ｔｏ −Ｆｉｂｅｒ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ ａ
ＹＩＧ ５ｐｈｅｒｅ Ｊ（ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
ＬｉＧＨＴＷＡＶＥ ＴＥＣＨ−ＮＯＬＯＧＹ、Ｖ
ＯＬ、ＬＴ−１，Ｎｏ、１．ＭＡＲＣＨ１９８３）の中
で説明されているアイソレータ内に一型半導体し−ザモ
ジーールの構造を示したものである。同図において、半
導体レーザ１よシ放射された光ビームはＹＩＧ球２１に
より収束ビームに変換され、さらにレンズ２２および偏
光子２３を経由してシングルモードファイバ２４に結合
する。
ＹＩＧ球２１の周囲に配置でれたリング状の磁石９によ
り、光軸方向の磁界がＹＩＧ球２１に印加されてお、９
、ＹＩＧ球２１を通過するビームの偏光方向はファラデ
ー効果により４５度だけ回転する。偏光子２３としては
方解石のプレートが用いられている。
り、光軸方向の磁界がＹＩＧ球２１に印加されてお、９
、ＹＩＧ球２１を通過するビームの偏光方向はファラデ
ー効果により４５度だけ回転する。偏光子２３としては
方解石のプレートが用いられている。
このような構造のモジー−ルでは、半導体レーザから出
射する光は効率よくファイバに結合するが、逆にファイ
バの中を逆方向に戻って来る光は半導体レーザに戻らず
、安定に動作する。その原理について以下説明する。半
導体レーザから出射するビームは一般にＴＥ偏光であシ
、図において紙面に垂直な方向に偏光している。このビ
ームの偏光方向はＹＩＧ球２１によって４５度だけ回転
したのち偏光子に入射するが、そのときには常光屈折率
のみを感じるので、光ビームは分離されずにそのままフ
ァイバに結合する。逆に、ファイバを逆方向に進んで来
た光は偏光方向が不定であるから、偏光子２３によって
常光屈折率のみを感じる光と異常光屈折率を感じる光の
二つのビームに分かれる。このうち、常光屈折率のみを
感じた光は半導体レーザの偏光方向に対し４５度回転し
ているが、ＹＩ（）球を通過するさいにさらに４５度回
転するので半導体レーザに戻ったときには合計９０度回
転してＴＭ偏光になっておシ、半導体レーザの動作に影
響を与えない。また、異常光屈折率を感じた光のビーム
は横方向にシフトし、半導体レーザに戻ったときには発
光点からずれたところに戻るので同じく半導体レーザの
動作に影響を与え々い。従って、このモジー−ルは反射
戻シ光の影響が除去されており、安定な動作をさせるこ
とができる。
射する光は効率よくファイバに結合するが、逆にファイ
バの中を逆方向に戻って来る光は半導体レーザに戻らず
、安定に動作する。その原理について以下説明する。半
導体レーザから出射するビームは一般にＴＥ偏光であシ
、図において紙面に垂直な方向に偏光している。このビ
ームの偏光方向はＹＩＧ球２１によって４５度だけ回転
したのち偏光子に入射するが、そのときには常光屈折率
のみを感じるので、光ビームは分離されずにそのままフ
ァイバに結合する。逆に、ファイバを逆方向に進んで来
た光は偏光方向が不定であるから、偏光子２３によって
常光屈折率のみを感じる光と異常光屈折率を感じる光の
二つのビームに分かれる。このうち、常光屈折率のみを
感じた光は半導体レーザの偏光方向に対し４５度回転し
ているが、ＹＩ（）球を通過するさいにさらに４５度回
転するので半導体レーザに戻ったときには合計９０度回
転してＴＭ偏光になっておシ、半導体レーザの動作に影
響を与えない。また、異常光屈折率を感じた光のビーム
は横方向にシフトし、半導体レーザに戻ったときには発
光点からずれたところに戻るので同じく半導体レーザの
動作に影響を与え々い。従って、このモジー−ルは反射
戻シ光の影響が除去されており、安定な動作をさせるこ
とができる。
第４図は、近間、渡辺、後藤、三浦、峠氏らにより発表
された論文［光アイソレータ内蔵ＤＦＢ−ＬＤモジー−
ル］（昭和６０年度電子通信学会半導体・材料部門全国
大会３０５）の中で説明されているアイソレータ内蔵型
半導体レーザモジュールの構造を示したものである。同
図において、半導体レーザ１より放射された光ビームは
第一レンズ５によυ平行ビームに変換され、ルチルプリ
ズム、ＹＩＧ結晶および磁石から成るアイツレ−タ２５
を通過したのち、第二レンズ１４によって収束されて、
シングルモードファイバ２４に結合する。この場合、プ
リズムが二個用いられているところが図５の場合と異な
っている。
された論文［光アイソレータ内蔵ＤＦＢ−ＬＤモジー−
ル］（昭和６０年度電子通信学会半導体・材料部門全国
大会３０５）の中で説明されているアイソレータ内蔵型
半導体レーザモジュールの構造を示したものである。同
図において、半導体レーザ１より放射された光ビームは
第一レンズ５によυ平行ビームに変換され、ルチルプリ
ズム、ＹＩＧ結晶および磁石から成るアイツレ−タ２５
を通過したのち、第二レンズ１４によって収束されて、
シングルモードファイバ２４に結合する。この場合、プ
リズムが二個用いられているところが図５の場合と異な
っている。
ところで、一般に半導体レーザは温度が変化すると、発
振しきい値、微分量子効率１発振波長が変化することが
知られている。特に発振波長が変化すると、半導体レー
ザから雑音が発生したシファイバの分散が変化したりし
て、伝送特性に好ましくない影響を与える。またファラ
デー回転素子は材料にもよるが温度変化によってファラ
デー回転角が変化し、反射戻シ光に対するアイソレーシ
ョンが劣化することが考えられる。従って、半導体レー
ザとファラデー回転素子はモジー−ルに内蔵されたペル
チェ素子によって温度制御されることが望ましいが、前
述のモジー−ルはそれが不可能である。
振しきい値、微分量子効率１発振波長が変化することが
知られている。特に発振波長が変化すると、半導体レー
ザから雑音が発生したシファイバの分散が変化したりし
て、伝送特性に好ましくない影響を与える。またファラ
デー回転素子は材料にもよるが温度変化によってファラ
デー回転角が変化し、反射戻シ光に対するアイソレーシ
ョンが劣化することが考えられる。従って、半導体レー
ザとファラデー回転素子はモジー−ルに内蔵されたペル
チェ素子によって温度制御されることが望ましいが、前
述のモジー−ルはそれが不可能である。
同時に前述のアイソレータ内蔵型半導体レーザモジ−−
ルは同軸型の形状であり、ＤｉＰ型の形状のモジー−ル
と比較すると、小型化が困難であるのみならず通信機器
に搭載するさいの実装性が唱い。
ルは同軸型の形状であり、ＤｉＰ型の形状のモジー−ル
と比較すると、小型化が困難であるのみならず通信機器
に搭載するさいの実装性が唱い。
また、上述した従来のアイソレータ内蔵型半導体レーザ
モジュールは、いずれもＹＩＧ結晶をファラデー回転素
子として用いているが、その価格は高価である。
モジュールは、いずれもＹＩＧ結晶をファラデー回転素
子として用いているが、その価格は高価である。
これに対して、本発明は経済的で小型化が可能であり、
かつ温度特性の優れたアイソレータ内蔵型半導体レーザ
モジ−−ルを提供することを目的としている。
かつ温度特性の優れたアイソレータ内蔵型半導体レーザ
モジ−−ルを提供することを目的としている。
本発明のアイソレータ内蔵型半導体レーザモジ−−ルは
、半導体レーザ、単数または複数の結合用レンズ、ファ
ラテー回転素子、磁石、偏光子および光出力用ファイバ
を備えたアイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールで
あって、少なくとも前記半導体レーザ、前記単数または
複数の結合用レンズのうち最も前記半導体レーザに近い
レンズ。
、半導体レーザ、単数または複数の結合用レンズ、ファ
ラテー回転素子、磁石、偏光子および光出力用ファイバ
を備えたアイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールで
あって、少なくとも前記半導体レーザ、前記単数または
複数の結合用レンズのうち最も前記半導体レーザに近い
レンズ。
前記ファラデー回転素子、前記磁石が同一の基板上に搭
載され、かつ前記基板がベルチェ素子の上に固定されて
いることを特徴としている。
載され、かつ前記基板がベルチェ素子の上に固定されて
いることを特徴としている。
本発明のアイソレータ内蔵型半導体レーザモジ−−ルは
、経済的で小型化が可能であシ、かつ温度特性が優れる
とともに実装性の優れたアイソレータ内蔵型半導体レー
ザモジ−−ルを実現できるという点で独創性を有する。
、経済的で小型化が可能であシ、かつ温度特性が優れる
とともに実装性の優れたアイソレータ内蔵型半導体レー
ザモジ−−ルを実現できるという点で独創性を有する。
〔実施例１〕
第１図は本発明のアイソレータ内蔵型半導体レーザモジ
ュールの一実施例の構造図である。同図において、半導
体レーザ１はヒートシンク２およびチップキャリア３を
介して基板４の上にマウントされている。基板４の上に
は同時に第一レンズ５、モニタフォトダイオード６およ
びサーミスタ７がマウントされている。基板４の上には
さらに、ファラデー回転素子８が磁石９を介してマウン
トされている。このような部品の配置によシ、半導体レ
ーザ１よＱ出射した光ビームは、第一レンズ５によシ平
行ビームまたは擬似平行ビームに変換されたのち、ファ
ラデー回転素子８によシ、偏光方向が４５度回転する。
ュールの一実施例の構造図である。同図において、半導
体レーザ１はヒートシンク２およびチップキャリア３を
介して基板４の上にマウントされている。基板４の上に
は同時に第一レンズ５、モニタフォトダイオード６およ
びサーミスタ７がマウントされている。基板４の上には
さらに、ファラデー回転素子８が磁石９を介してマウン
トされている。このような部品の配置によシ、半導体レ
ーザ１よＱ出射した光ビームは、第一レンズ５によシ平
行ビームまたは擬似平行ビームに変換されたのち、ファ
ラデー回転素子８によシ、偏光方向が４５度回転する。
ファラデー回転素子としては、Ｔ、Ｈｉｂｉｙａ氏らに
よシ発表された論文［Ｇ ｒ −ｏｗｔｈ ａｎｄ Ｎ
、ａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆＬｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ
Ｂ１−８ｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄＧａｒｎｅｔ Ｂ’１１
ｍ５ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ ｌ５ｏｌａｔｏｒ ｊ
（ＮＥＣＲｅｓ、＆ Ｄｅｖｅｌｏｐ、 Ｎｏ、 ８０
． Ｊａｎｕａｒｙ１９８６）の中で紹介されているビ
スマス置換ガーネット厚膜が有用である。このガーネッ
ト厚膜は、量産性に優れ、わずかな磁界で飽和磁界に達
しその回転能も大きいので、経済的でかつ小型のアイソ
レータ内蔵型半導体レーザモジュールを実現する場合に
有利である。
よシ発表された論文［Ｇ ｒ −ｏｗｔｈ ａｎｄ Ｎ
、ａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
ｏｆＬｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ
Ｂ１−８ｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄＧａｒｎｅｔ Ｂ’１１
ｍ５ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ ｌ５ｏｌａｔｏｒ ｊ
（ＮＥＣＲｅｓ、＆ Ｄｅｖｅｌｏｐ、 Ｎｏ、 ８０
． Ｊａｎｕａｒｙ１９８６）の中で紹介されているビ
スマス置換ガーネット厚膜が有用である。このガーネッ
ト厚膜は、量産性に優れ、わずかな磁界で飽和磁界に達
しその回転能も大きいので、経済的でかつ小型のアイソ
レータ内蔵型半導体レーザモジュールを実現する場合に
有利である。
基板４はベルチェ素子１０および放熱ブロック１１を介
してＤＩＰ型ケース１２の内部に固定されている。ＤＩ
Ｐ型ケース１２は窓ガラス１３を有しておシ、さらにそ
の外側には第二レンズ１４を保持したレンズホルダ１５
．スライドリング１６および先端部が金属筒１７により
保護された偏波保持ファイバ１８がこの順序で固定され
ている。
してＤＩＰ型ケース１２の内部に固定されている。ＤＩ
Ｐ型ケース１２は窓ガラス１３を有しておシ、さらにそ
の外側には第二レンズ１４を保持したレンズホルダ１５
．スライドリング１６および先端部が金属筒１７により
保護された偏波保持ファイバ１８がこの順序で固定され
ている。
偏波保持ファイバ１８の先端は斜めに研磨されており、
反射防止用のガラス板１９が光学接着剤によシ接着され
ている。また、レンズホルダ１５゜スライドリング１６
および金属筒１７の周囲は保護スリーブ２０により保護
されており、外力が直接加わらないようになっている。
反射防止用のガラス板１９が光学接着剤によシ接着され
ている。また、レンズホルダ１５゜スライドリング１６
および金属筒１７の周囲は保護スリーブ２０により保護
されており、外力が直接加わらないようになっている。
また、図においては省略されているが、ＤＩＰ型ケース
１２の開口部はキャップにより封止される。通常、半導
体レーザモジュールは１メートルないし２メートルの短
いファイバが取り付けられた形態で供給されるが、この
ような知いファイバは豚の尾を連想させることがらピグ
テールと呼ばれる。モジュールを実際に使用する場合に
は、ピグテールの終端にコネクタを取シ付け、伝送用の
ファイバと接続して使用するのが普通である。
１２の開口部はキャップにより封止される。通常、半導
体レーザモジュールは１メートルないし２メートルの短
いファイバが取り付けられた形態で供給されるが、この
ような知いファイバは豚の尾を連想させることがらピグ
テールと呼ばれる。モジュールを実際に使用する場合に
は、ピグテールの終端にコネクタを取シ付け、伝送用の
ファイバと接続して使用するのが普通である。
以上説明した第１図の構造のモジー−ルがアイソレータ
内蔵型半導体レーザモジ−−ルとして動作することを以
下説明する。半導体レーザ１から出射した光は第一レン
ズ５．ファラデー回転素子８、窓ガラス１３．第二レン
ズ１４およびガラス板１９を介して偏波保持ファイバ１
８に入射するが、ここでの偏光方向は半導体レーザ１を
出射するところと比較して４５度回転している。偏波保
持ファイバ１８に入射した光はそのまま終端へ向かって
進むが、その偏光方向は途中で変化しない。
内蔵型半導体レーザモジ−−ルとして動作することを以
下説明する。半導体レーザ１から出射した光は第一レン
ズ５．ファラデー回転素子８、窓ガラス１３．第二レン
ズ１４およびガラス板１９を介して偏波保持ファイバ１
８に入射するが、ここでの偏光方向は半導体レーザ１を
出射するところと比較して４５度回転している。偏波保
持ファイバ１８に入射した光はそのまま終端へ向かって
進むが、その偏光方向は途中で変化しない。
コネクタに達した光の一部は反射して逆進し、入射側へ
達するが、そこでの偏光方向も変化していない。その光
は再度ファラデー回転素子を通過して半導体レーザに戻
るが、その偏光方向はさらに４５度回転するので、結局
半導体レーザ１に戻ったときには、合計９０度回転して
ＴＭ偏光になっている。従っ１コネクタで発生する戻り
光は半導体レーザの動作に影響を与えないことになる。
達するが、そこでの偏光方向も変化していない。その光
は再度ファラデー回転素子を通過して半導体レーザに戻
るが、その偏光方向はさらに４５度回転するので、結局
半導体レーザ１に戻ったときには、合計９０度回転して
ＴＭ偏光になっている。従っ１コネクタで発生する戻り
光は半導体レーザの動作に影響を与えないことになる。
このように図１に説明したモジュールはアイソレータ内
蔵型半導体レーザモジ−−ルとして動作することは明ら
かである。またここで注目すべきことは、第１図のモジ
ュールは本質的に偏光子を含んでいないということであ
る。偏光子が無いのにアイソレータ内蔵型半導体レーサ
モジー−ルとして機能する理由は、半導体レーザ自体の
偏光性を利用して自動的に偏光方向の整合がとれる構成
となっているからである。
蔵型半導体レーザモジ−−ルとして動作することは明ら
かである。またここで注目すべきことは、第１図のモジ
ュールは本質的に偏光子を含んでいないということであ
る。偏光子が無いのにアイソレータ内蔵型半導体レーサ
モジー−ルとして機能する理由は、半導体レーザ自体の
偏光性を利用して自動的に偏光方向の整合がとれる構成
となっているからである。
次に第１図で説明した本発明のモジー−ルの利点につい
て説明する。まず、半導体レーザおよびファラデー回転
素子がベルチェ素子の上に搭載されているので半導体レ
ーザの特性やファラデー回転素子のファラデー回転角を
周囲温度に関係なく一定に保つことができる。また高価
なＹＩＧ結晶の替わ９にファラデー回転能が高く、量産
性のすぐれたビスマスガーネットをファラデー回転素子
として用いているので、経済的で小型化が可能である。
て説明する。まず、半導体レーザおよびファラデー回転
素子がベルチェ素子の上に搭載されているので半導体レ
ーザの特性やファラデー回転素子のファラデー回転角を
周囲温度に関係なく一定に保つことができる。また高価
なＹＩＧ結晶の替わ９にファラデー回転能が高く、量産
性のすぐれたビスマスガーネットをファラデー回転素子
として用いているので、経済的で小型化が可能である。
また同時にＤＩＰ型の外形を有しているので実装性にも
優れている。
優れている。
〔実施例２〕
第２図は本発明のアイソレータ内蔵型ＬＤモジーールの
他の実施例の栴造図である。同図においてはファラデー
回転素子８および磁石９′が基板４′を介さずにベルチ
ェ素子ｌＯ′の上にマウントされていることが第１図の
場合と異なっているが、第１図の場合と同様に、半導体
レーザやファラデー回転素子の特性を環境温度に関係な
く一定に保つことができ、同時に経済的で小型化が可能
であることが利点となっている。
他の実施例の栴造図である。同図においてはファラデー
回転素子８および磁石９′が基板４′を介さずにベルチ
ェ素子ｌＯ′の上にマウントされていることが第１図の
場合と異なっているが、第１図の場合と同様に、半導体
レーザやファラデー回転素子の特性を環境温度に関係な
く一定に保つことができ、同時に経済的で小型化が可能
であることが利点となっている。
第２図の場合は第１図と比較するとベルチェ素子が大型
化し消費電力が大きくなり、ファラデー回転素子の第ル
ンズに対する固定強度が劣ることが不利になるが、ファ
ラデー回転素子に対する冷却効率に優れる点が逆に有利
である。
化し消費電力が大きくなり、ファラデー回転素子の第ル
ンズに対する固定強度が劣ることが不利になるが、ファ
ラデー回転素子に対する冷却効率に優れる点が逆に有利
である。
以上説明したように、本発明のアイソレータ内蔵型半導
体レーザモジュールは、半導体レーザ。
体レーザモジュールは、半導体レーザ。
単数または複数の結合用レンズ、ファラデー回転素子、
磁石、偏光子および光出力用ファイバを備えたアイソレ
ータ内紙型半導体レーザモジュールにおいて、少なくと
も前記半導体レーザ、前記単数または複数の結合用レン
ズのうち最も前記半導体レーザに近いレンズ、前記ファ
ラデー回転素子。
磁石、偏光子および光出力用ファイバを備えたアイソレ
ータ内紙型半導体レーザモジュールにおいて、少なくと
も前記半導体レーザ、前記単数または複数の結合用レン
ズのうち最も前記半導体レーザに近いレンズ、前記ファ
ラデー回転素子。
前記磁石が同一の基板上に搭載され、かつ前記基板がベ
ルチェ素子の上に固定されていることを特徴としており
、その特徴により、半導体レーザの特性やファラデー回
転素子のファラデー回転角を周囲温度に関係なく一定に
保つことができ、経済的で小型化が可能であると同時に
ＤＩＰ型の外形を有しているので実装性に優れていると
いう効果が得られている。
ルチェ素子の上に固定されていることを特徴としており
、その特徴により、半導体レーザの特性やファラデー回
転素子のファラデー回転角を周囲温度に関係なく一定に
保つことができ、経済的で小型化が可能であると同時に
ＤＩＰ型の外形を有しているので実装性に優れていると
いう効果が得られている。
第１図（ａ） 、 （ｂ）および第２図（ａ） 、 （
ｂ）は本発明のアイソレータ内紙型半導体レーザモジュ
ールの実施例１，２を示す縦断面図およびその平面図で
ある。 第３図は従来のアイソレータ内蔵型半導体レーサモジー
−ルの構造を示す図である。第４図は他の従来のアイソ
レータ内紙型半導体レーザモジュールの構造を示す図で
ある。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・ヒートシ
ンク、３・・・・・・チップキャリア、４．４’・・・
・・・基板、５・・・・・・第一レンズ、６・・・・・
・モニタフォトダイオード、７・・・・・・サーミスタ
、８・・・・・・ファラデー回転素子、９゜９１・・・
・・・磁石、１０．１０’・・・・・・ベルチェ素子、
１１°°°°°°放熱ブロツク、１２・−・・・・ＤＩ
Ｐ型ケース、１３・・・・・・窓ガラス、１４・・・・
・・第二レンズ、１５・・・・・・レンズホルダ、１６
・・・・・・スライドリング、１７・・・・−・金属筒
、１８・・・・・・偏波保持ファイバ、１９・・・・・
ガラス板、２０・・・・・・保護スリーブ、２１・・・
−・・ＹＩＧ球、２２・・・・・・レンズ、２３・・・
・・・偏光子、２４・・・・・・シングルモードファイ
バ、２５・・・・・・アイソレータ。 ／（半導体し−９つ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６２年特 許 願第５４６１
８号２、発明の名称 アイソレータ内蔵型半導体レ
ーザモジ為−ル３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 、パ・＼−＼ −１−う） へ−１・・・パ 晋６− ６、補正の対象 明細書の第１頁および第２頁 ７ 補正の内容 明細書の第１頁、第２頁を添付書類と差し替えます。 代理人 弁理士 内 原 晋 ２、゛・″２
．゛ン′
ｂ）は本発明のアイソレータ内紙型半導体レーザモジュ
ールの実施例１，２を示す縦断面図およびその平面図で
ある。 第３図は従来のアイソレータ内蔵型半導体レーサモジー
−ルの構造を示す図である。第４図は他の従来のアイソ
レータ内紙型半導体レーザモジュールの構造を示す図で
ある。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・ヒートシ
ンク、３・・・・・・チップキャリア、４．４’・・・
・・・基板、５・・・・・・第一レンズ、６・・・・・
・モニタフォトダイオード、７・・・・・・サーミスタ
、８・・・・・・ファラデー回転素子、９゜９１・・・
・・・磁石、１０．１０’・・・・・・ベルチェ素子、
１１°°°°°°放熱ブロツク、１２・−・・・・ＤＩ
Ｐ型ケース、１３・・・・・・窓ガラス、１４・・・・
・・第二レンズ、１５・・・・・・レンズホルダ、１６
・・・・・・スライドリング、１７・・・・−・金属筒
、１８・・・・・・偏波保持ファイバ、１９・・・・・
ガラス板、２０・・・・・・保護スリーブ、２１・・・
−・・ＹＩＧ球、２２・・・・・・レンズ、２３・・・
・・・偏光子、２４・・・・・・シングルモードファイ
バ、２５・・・・・・アイソレータ。 ／（半導体し−９つ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６２年特 許 願第５４６１
８号２、発明の名称 アイソレータ内蔵型半導体レ
ーザモジ為−ル３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 、パ・＼−＼ −１−う） へ−１・・・パ 晋６− ６、補正の対象 明細書の第１頁および第２頁 ７ 補正の内容 明細書の第１頁、第２頁を添付書類と差し替えます。 代理人 弁理士 内 原 晋 ２、゛・″２
．゛ン′
Claims (1)
- （１）半導体レーザ、単数または複数の結合用レンズ、
ファラデー回転素子、磁石、偏光子および光出力用ファ
イバを備えたアイソレータ内蔵型半導体レーザモジュー
ルにおいて、少なくとも前記半導体レーザ、前記単数ま
たは複数の結合用レンズのうち最も前記半導体レーザに
近いレンズが同一の基板上に搭載され、かつ前記基板が
前記ファラデー回転素子、前記磁石とともに、ＤＩＰ型
ケースの内部にとりつけられたペルチェ素子の上に固定
されていることを特徴とするアイソレータ内蔵型半導体
レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054618A JP2716122B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054618A JP2716122B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220593A true JPS63220593A (ja) | 1988-09-13 |
| JP2716122B2 JP2716122B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=12975726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62054618A Expired - Lifetime JP2716122B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716122B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697726A2 (en) * | 1994-08-03 | 1996-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heat sink comprising synthetic diamond film |
| US6426591B1 (en) | 1998-09-28 | 2002-07-30 | Kyocera Corporation | Package for housing photosemiconductor element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170516A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Hitachi Ltd | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
| JPS61226989A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | デュアルインラインパッケージ形発光素子モジュールおよびその組立方法 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62054618A patent/JP2716122B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170516A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Hitachi Ltd | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
| JPS61226989A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | デュアルインラインパッケージ形発光素子モジュールおよびその組立方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697726A2 (en) * | 1994-08-03 | 1996-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heat sink comprising synthetic diamond film |
| EP0697726A3 (en) * | 1994-08-03 | 1996-09-11 | Sumitomo Electric Industries | Heat sink made of synthetic diamond layer |
| US5663595A (en) * | 1994-08-03 | 1997-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond heat sink comprising synthetic diamond film |
| US6426591B1 (en) | 1998-09-28 | 2002-07-30 | Kyocera Corporation | Package for housing photosemiconductor element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2716122B2 (ja) | 1998-02-18 |
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