JPS63220589A - 化合物半導体レ−ザ - Google Patents
化合物半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS63220589A JPS63220589A JP5301787A JP5301787A JPS63220589A JP S63220589 A JPS63220589 A JP S63220589A JP 5301787 A JP5301787 A JP 5301787A JP 5301787 A JP5301787 A JP 5301787A JP S63220589 A JPS63220589 A JP S63220589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- refractive index
- face
- film
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 18
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 102100028247 Abl interactor 1 Human genes 0.000 description 1
- 108050004693 Abl interactor 1 Proteins 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、化合物半導体レーザに関する。
［従来の技術とその問題点コ
従来、化合物半導体レーザとして端面に高反射膜を設け
たものや端面保護膜を設けたものが使用されている。第
５図は、高反射膜を用いた従来の化合物半導体レーザを
示している。同図中１はレーザ素子２に設けられた発振
領域である。レーザ素子２の発光端面３には、低屈折率
ｎＡを持つ厚さλ／ ４ ｎ Ａの誘電体膜４と高屈折
率ｎＢを持つ厚さλ／ ４ ｎ Ｂの誘電体膜５とが交
互に貼着されている。ここで、λはレーザ素子２の発振
波長である。このように構成された化合物半導体レーザ
１０−では、レーザ素子２内部で光は発光端面で節を持
つ定在波であるので内部の光の電界Ｅ （Ｘ）は次式（
１）で表わされる。
たものや端面保護膜を設けたものが使用されている。第
５図は、高反射膜を用いた従来の化合物半導体レーザを
示している。同図中１はレーザ素子２に設けられた発振
領域である。レーザ素子２の発光端面３には、低屈折率
ｎＡを持つ厚さλ／ ４ ｎ Ａの誘電体膜４と高屈折
率ｎＢを持つ厚さλ／ ４ ｎ Ｂの誘電体膜５とが交
互に貼着されている。ここで、λはレーザ素子２の発振
波長である。このように構成された化合物半導体レーザ
１０−では、レーザ素子２内部で光は発光端面で節を持
つ定在波であるので内部の光の電界Ｅ （Ｘ）は次式（
１）で表わされる。
ｋｘ
Ｅ（Ｘ） −ａ ｅ ＋ａ ｅｌｋｘ−（１）
ｏｒ ここで、ａ はＸ正方向（レーザ索子の横方向）への光
の振幅であり、ａ は反射波の振幅である。
ｏｒ ここで、ａ はＸ正方向（レーザ索子の横方向）への光
の振幅であり、ａ は反射波の振幅である。
（１）式を電界強度との関係で表わしたものが第７図で
ある。また、（１）式中に一２π／λであるから光の強
度分布（電界強度）Ｉ（Ｘ）は、次式（２）で表わされ
る。
ある。また、（１）式中に一２π／λであるから光の強
度分布（電界強度）Ｉ（Ｘ）は、次式（２）で表わされ
る。
Ｉ（Ｘ）−
ａ ２＋ａ ２＋２ａ ａ Ｃ０８２ｋｘｏ
ｒ ｏｒ・・・（２） 第７図中のｒは、反射膜と素子の間の反射率を示してい
る。同図の光の強度分布特性曲線Ｉから明らかなように
、発光端面３（素子の端面）部分で電解強度が最大値に
なっていることが判る。このため発光端３の部分が界面
準位等で光による破壊を受は易い問題がある。
ｒ ｏｒ・・・（２） 第７図中のｒは、反射膜と素子の間の反射率を示してい
る。同図の光の強度分布特性曲線Ｉから明らかなように
、発光端面３（素子の端面）部分で電解強度が最大値に
なっていることが判る。このため発光端３の部分が界面
準位等で光による破壊を受は易い問題がある。
第６図は、端面保護膜を用いた化合物半導体レーザを示
している。第５図のものと同様の部分には同符号を付し
ている。同図中１１が発光端面３に貼着された屈折率ｎ
で厚さλ／ ２ ｎの誘電体膜からなる端面保護膜であ
る。この端面保護膜１１．１によって反射率を変えずに
端面を保護している。
している。第５図のものと同様の部分には同符号を付し
ている。同図中１１が発光端面３に貼着された屈折率ｎ
で厚さλ／ ２ ｎの誘電体膜からなる端面保護膜であ
る。この端面保護膜１１．１によって反射率を変えずに
端面を保護している。
このように構成された化合物半導体レーザ１５の場合も
高反射膜を用いたものと同様にレーザ内部の電界が（１
）式同様の式で表現され、レーザ内部の光は発光端面３
に節を持つ定在波であり、その電界強度分布も（２）式
と同様に表現される。その結果、端面保護膜１１を用い
た化合物半導体レーザ１５の場合も、発光端面３で電界
強度が最大値を示し光による破壊を受は易い問題がある
。
高反射膜を用いたものと同様にレーザ内部の電界が（１
）式同様の式で表現され、レーザ内部の光は発光端面３
に節を持つ定在波であり、その電界強度分布も（２）式
と同様に表現される。その結果、端面保護膜１１を用い
た化合物半導体レーザ１５の場合も、発光端面３で電界
強度が最大値を示し光による破壊を受は易い問題がある
。
特にＧａＡ１Ａｓ系の化合物半導体レーザ１０゜１５の
場合には、サージ電流によって大出力発振が起き易く、
電界集中による端面破壊のため素子の劣化を招く問題が
あった。
場合には、サージ電流によって大出力発振が起き易く、
電界集中による端面破壊のため素子の劣化を招く問題が
あった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、レー
ザ端面部分の光電異強度を減らすことによって、端面部
分の劣化防止を達成した化合物半導体レーザを提供する
ものである。
ザ端面部分の光電異強度を減らすことによって、端面部
分の劣化防止を達成した化合物半導体レーザを提供する
ものである。
ｒ問題点を解決するための手段］
本発明は、発振領域を有するレーザ索子の発光端面を含
む素子端面部分に、該レーザ索子構成部と略等しい屈折
率を有し、かつ、厚さが該屈折率の４倍値で該レーザ素
子の発振波長の奇数倍値を除した値の誘電体膜を介して
、高反射膜或は端面保護膜を設けたことを特徴とする化
合物半導体レーザである。
む素子端面部分に、該レーザ索子構成部と略等しい屈折
率を有し、かつ、厚さが該屈折率の４倍値で該レーザ素
子の発振波長の奇数倍値を除した値の誘電体膜を介して
、高反射膜或は端面保護膜を設けたことを特徴とする化
合物半導体レーザである。
［作 用］
本発明に係る化合物半導体レーザによれば、レーザ素子
の素子端面と高反射膜或は端面保護膜との間に、レーザ
索子構成部と略等しい屈折率を有し、かつ厚さがこの屈
折率の４倍値でレーザ素子の発振波長の奇数倍値を除し
た値の誘電体膜を介在しているので、レーザ素子の端面
部分での光電異強度を低減させる。その結果、レーザ素
子端面部分の破壊による素子の劣化を阻止することがで
きる。
の素子端面と高反射膜或は端面保護膜との間に、レーザ
索子構成部と略等しい屈折率を有し、かつ厚さがこの屈
折率の４倍値でレーザ素子の発振波長の奇数倍値を除し
た値の誘電体膜を介在しているので、レーザ素子の端面
部分での光電異強度を低減させる。その結果、レーザ素
子端面部分の破壊による素子の劣化を阻止することがで
きる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の要部の構成を示す説明
図である。図中２０は、例えば、ＧａＡ、ｆ？Ａｓ素化
合物半導体で形成されたレーザ素子２１の発振領域であ
る。発振領域２０の端面を含むレーザ素子２１の発光端
面２２には、レーザ素子２１の屈折率と略等しい屈折率
ｎａを持つ誘電体膜２３が貼着されている。このように
誘電体膜２３の屈折率ｎｃをレーザ素子２１のものと略
等しくしたのは、素子と誘電体膜との間の光の反射率を
低くするためである。誘電体膜２３の膜厚は、レーザ素
子２１の発振波長λの奇数Ｎ倍値を屈折率ｎａの４倍値
で除した値（Ｎλ／４ｎｃ）に設定されている。このよ
うな膜厚値（Ｎλ／４ｎｃ）に設定したのは、第２図に
示す如く、発光端面２２での光電異強度を最低値にする
ためである。この例の場合、誘電体膜２３の膜厚値はλ
／４ｎｃである。誘電体膜２３の外側面には、５ｉ０２
膜等の低屈折率ｎｄの誘電体膜からなる厚さλ／ ２
ｎ ｄの低屈折率反射膜２４と、高屈折率からなる高屈
折率反射膜２５が交互に複数組設けられている。
。第１図は、本発明の一実施例の要部の構成を示す説明
図である。図中２０は、例えば、ＧａＡ、ｆ？Ａｓ素化
合物半導体で形成されたレーザ素子２１の発振領域であ
る。発振領域２０の端面を含むレーザ素子２１の発光端
面２２には、レーザ素子２１の屈折率と略等しい屈折率
ｎａを持つ誘電体膜２３が貼着されている。このように
誘電体膜２３の屈折率ｎｃをレーザ素子２１のものと略
等しくしたのは、素子と誘電体膜との間の光の反射率を
低くするためである。誘電体膜２３の膜厚は、レーザ素
子２１の発振波長λの奇数Ｎ倍値を屈折率ｎａの４倍値
で除した値（Ｎλ／４ｎｃ）に設定されている。このよ
うな膜厚値（Ｎλ／４ｎｃ）に設定したのは、第２図に
示す如く、発光端面２２での光電異強度を最低値にする
ためである。この例の場合、誘電体膜２３の膜厚値はλ
／４ｎｃである。誘電体膜２３の外側面には、５ｉ０２
膜等の低屈折率ｎｄの誘電体膜からなる厚さλ／ ２
ｎ ｄの低屈折率反射膜２４と、高屈折率からなる高屈
折率反射膜２５が交互に複数組設けられている。
このように構成された化合物半導体レーザ３０では、上
記の屈折率ｎｅ及び肉厚を有する誘電体膜２３が発光端
面２２と低屈折率反射膜２４間に介在されているので、
第２図に示す如く、レーザ素子２１の端面部分での光電
異強度を最も低い値■、にして、端面部分の破壊による
素子の劣化を防止することができる。
記の屈折率ｎｅ及び肉厚を有する誘電体膜２３が発光端
面２２と低屈折率反射膜２４間に介在されているので、
第２図に示す如く、レーザ素子２１の端面部分での光電
異強度を最も低い値■、にして、端面部分の破壊による
素子の劣化を防止することができる。
なお、本発明は、実施例にて示した高反射型のものの他
にも第３図に示すような端面保護膜型のものにも適用で
きるものである。なお、第３図のものと同一部分につい
ては同符号を付している。
にも第３図に示すような端面保護膜型のものにも適用で
きるものである。なお、第３図のものと同一部分につい
ては同符号を付している。
この場合、発光端面には、所定の誘電体膜２３、低屈折
率反射膜２４及びＡｕ等の高反射膜からなる端面保護膜
２６が順次貼着されている。このために構成された化合
物半導体レーザー影」−の端面部分の光電界強度は、第
４図に示す如く最も低い値Ｉ２になっている。その結果
、端面部分の破壊による素子の劣化を防止することがで
きる。
率反射膜２４及びＡｕ等の高反射膜からなる端面保護膜
２６が順次貼着されている。このために構成された化合
物半導体レーザー影」−の端面部分の光電界強度は、第
４図に示す如く最も低い値Ｉ２になっている。その結果
、端面部分の破壊による素子の劣化を防止することがで
きる。
因みに、上記実施例における誘電体膜２３として例えば
高抵抗のアモルファスシリコン（ｎｃ〜３．５）からな
る厚さ約６３０人のものを使用することができる。
高抵抗のアモルファスシリコン（ｎｃ〜３．５）からな
る厚さ約６３０人のものを使用することができる。
［発明の効果］
以上説明した如く、本発明に係る係合物半導体レーザに
よれば、レーザ端面部分の光電界強度を低減させて、端
面部分の劣化防止を達成できるものである。
よれば、レーザ端面部分の光電界強度を低減させて、端
面部分の劣化防止を達成できるものである。
第１図は、本発明の一実施例の要部の構成を示す説明図
、第２図は、同実施例の作用を示す説明図、第３図は、
も本発明の他の実施例の要部の構成を示す説明図、第４
図は、同地の実施例の要部の構成を示す説明図、第５図
及び第６図は、従来の化合物半導体レーザの概略構成を
示す説明図、第７図は、同従来の化合物半導体レーザの
素子端面における光電界強度の分布を示す説明図である
。 ２０・・・発振領域、２１・・・レーザ素子、２２・・
・発光端面、２３・・・誘電体膜、２４・・・低屈折率
反射膜、２５・・・高屈折率反射膜、２６・・・端面保
護膜、３０．３５・・・化合物半導体レーザ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ｉ Ｉｔ＞ １ｅｆ＃ ｔｙｓ＠ 第２図 第３図 （千／フイ考伺ｎＡび１ 第４図 第６図 ｔ）ｔｙ嶺方勾Ｏ社イ 第７図
、第２図は、同実施例の作用を示す説明図、第３図は、
も本発明の他の実施例の要部の構成を示す説明図、第４
図は、同地の実施例の要部の構成を示す説明図、第５図
及び第６図は、従来の化合物半導体レーザの概略構成を
示す説明図、第７図は、同従来の化合物半導体レーザの
素子端面における光電界強度の分布を示す説明図である
。 ２０・・・発振領域、２１・・・レーザ素子、２２・・
・発光端面、２３・・・誘電体膜、２４・・・低屈折率
反射膜、２５・・・高屈折率反射膜、２６・・・端面保
護膜、３０．３５・・・化合物半導体レーザ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ｉ Ｉｔ＞ １ｅｆ＃ ｔｙｓ＠ 第２図 第３図 （千／フイ考伺ｎＡび１ 第４図 第６図 ｔ）ｔｙ嶺方勾Ｏ社イ 第７図
Claims (1)
- 発振領域を有するレーザ素子の発光端面を含む素子端面
部分に、該レーザ素子構成部と略等しい屈折率を有し、
かつ、厚さが該屈折率の４倍値で該レーザ素子の発振波
長の奇数倍値を除した値の誘電体膜を介して、高反射膜
或は端面保護膜を設けたことを特徴とする化合物半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301787A JPH0824209B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 化合物半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301787A JPH0824209B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 化合物半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220589A true JPS63220589A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0824209B2 JPH0824209B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=12931131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5301787A Expired - Fee Related JPH0824209B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 化合物半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824209B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283894A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
| EP0924819A2 (en) * | 1997-12-18 | 1999-06-23 | Nec Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| JP2008227169A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子 |
| JP2008294202A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Nec Electronics Corp | ファブリペロー型共振器レーザとその設計方法 |
| US8094696B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2018006396A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP5301787A patent/JPH0824209B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283894A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ |
| EP0924819A2 (en) * | 1997-12-18 | 1999-06-23 | Nec Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| EP0924819A3 (en) * | 1997-12-18 | 2001-10-31 | Nec Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| JP2008227169A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子 |
| JP2008294202A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Nec Electronics Corp | ファブリペロー型共振器レーザとその設計方法 |
| US8094696B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US8233514B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-07-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2018006396A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0824209B2 (ja) | 1996-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0194835A2 (en) | A semiconductor laser device with a protective film on the facets | |
| CN1016915B (zh) | 带消反射层和相涂层的分布反馈激光器 | |
| EP0200306A2 (en) | Superluminescent light-emitting diode and related method | |
| US7039085B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| WO2021187081A1 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS63220589A (ja) | 化合物半導体レ−ザ | |
| EP0562173A1 (en) | Semiconductor optical device | |
| US6044101A (en) | Semiconductor laser device | |
| US4852112A (en) | Semiconductor laser with facet protection film of selected reflectivity | |
| US5159604A (en) | Antiguided semiconductor laser array with edge reflectors | |
| KR100324147B1 (ko) | 반도체레이저 및 그의 제조방법 | |
| KR100754956B1 (ko) | 반도체 레이저장치 및 레이저시스템 | |
| JPH07162072A (ja) | 半導体異種構造レーザー | |
| JPH02181987A (ja) | 半導体レーザ | |
| US20210408764A1 (en) | Laser diode and method for producing laser radiation of at least two frequencies | |
| JPS61267387A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH03500592A (ja) | 少なくとも一つのレーザ共振器とこの共振器に結合された不活性共振器とを備えるレーザ装置 | |
| JPS622676A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US20210257812A1 (en) | Semiconductor laser and manufacturing method for a semiconductor laser | |
| JPH02110435A (ja) | レーザビームスキャナ | |
| JP2568555B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| KR100437786B1 (ko) | 반도체레이저 다이오드 | |
| JPS6366985A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| CN1701479A (zh) | 半导体激光器装置 | |
| JPH06204602A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |