JPS63220515A - 半導体層の気相成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体層の気相成長方法、とくに発光ダイオー
ドや半導体レーザなどに用いられるＡＺＧａＡｓ系の半
導体層をエピタキシャル気相成長させるに適する方法に
関する。

〔従来の技術〕

前述の半導体レーザやＨＥＭＴ　（高電子易動度トラン
ジスタ）で代表されるような微細な内部構造をもつ化合
物半導体デバイスを製造するにあたっては薄膜エツチン
グ成長工程が極めて重要な意味をもつ。この薄膜エピタ
キシャル成長法にも液相成長法１分子線エピタキシー法
１気相成長法等があるが、中でも有機金属ガスを反応ガ
スとして用いるＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）は
量産性に優れ、かつ半導体層に持たせる性能の制御が容
易な特長をもっている。このＭＯＣＶＤ法で例えば半導
体レーザ中の発光作用をもつ活性層やこれを取り囲むク
ラッド層としてＡ１０１７１３層を成長させるには、ウ
ェハが装入された気相成長室にＧａ（ＣＨｚ）　３１　
ＡＪ　（ＣＨ３）　３およびＡｓＨ３を所定の比率で混
合した反応ガスを導入し、高周波で該反応ガスをプラズ
マ化させて所定の組成のＡＪＧａＡｓ層をエピタキシャ
ル気相成長させる。この際半導体デバイスは複数の半導
体層からなるから、反応ガスの混合比を変えながら組成
や不純物濃度の異なる複数のｋｌＧＢ１４Ｂ層をできる
だけ気相成長室からウェハを出し入れすることなく順次
気相成長させる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、半導体層を上述のように順次積み上げて行く
過程中で、一旦つエバを気相成長室から取り出して必要
な処理を済ませた後に再度半導体層をその上に成長させ
ねばならないことがあり、この処理中に半導体層の表面
状態が変化してしまって以後の気相成長がうまく行かな
いことが生じ得る。これを第４図に示されたダブルへテ
ロ半導体レーザの場合について説明する。

図示の半導体レーザは例えばｎ形のＧａＡｓ基板から出
発して、まずその上面にクラッド層としてｎ形のｋＩＧ
ａＡｓ層２．活性層としてｎまたはｐ形のＡｊＧａＡｓ
層３１クラッド層としてｐ形のＡＪ　６３７４５層４お
よびｎ形のＧａＡｓ層５を気相成長室内に順次成長させ
る。最後のＧａＡｓ層５は活性層３への注入電流に対す
る狭窄層であって、狭い電流路５ａを形成するためにそ
の中央部に溝を設ける必要があるので、上述のようにＧ
ａＡｓ層５までが気相成長させた後、一旦つエバを気相
成長室外へ取り出して通例のホトエツチング法でこの溝
部を掘り込む。次にこの電流路５ａが明けられたウェハ
を再度気相成長室内に装入して、クラッド層として再び
ｐ形のＡｌＧａＡｓ層６を電流路５ａ用の溝を埋めなが
ら気相成長させ、続いてキャップ層としてＧａＡｓ層７
を気相成長させる。以後はｐ形およびｎ形の電極層８．
９をそれぞれウェハの上下面に被着することによりウェ
ハプロセスが完成する。このように構成されたダブルへ
テロ半導体レーザは、ｎ形のＧａＡｓ層５といずれもｐ
形であるＡ７ＧａＡｓ層４．６との間が逆接合になって
いるので、電極層８．９がら順方向に注入された電流は
溝形の電流路４ａの部分に集中され、その直下の活性層
がいわゆるストライプとなってレーザ光を発生する。

このように、ＧａＡｓ層５に堀り込まれる電流路５ａと
しての溝は、注入電流をレーザ発光のために狭窄する重
要な役目を果たすが、その下のＩＶＧａＡｓ層４と溝を
埋めるＡｌＧａＡｓ層６とはいずれも光を活性層４内に
閉じ込めるためのクラッド層であるから、２工程には別
れるが同じ組成のＡＪＧａＡｓが相互に連続するように
気相成長される。ところが両ＡＪＧａＡｓ層４と６との
境目に当たる図で鎖線で示されたＡｌＧａＡｓ層４の上
面４ａの部分が、電流路５ａの溝堀り込み時にエツチン
グ液に曝されるために酸化されて酸化膜ができやすい。

とくにＡＪＧａＡｓの組成中′のアルミＭが酸化されて
強固な酸化アルミ膜がこの面４ａにできると、その上に
ＡｌＧａＡｓ層６を気相成長させても下のｋｌＧＢＡｓ
層４と連続しなくなってしまう。もちろん、ホトエツチ
ング後にはこの酸化膜をさらに別のエツチング液で除去
することもなされるが、その後の大気との接触のごく僅
かの間に表面が影響を受けることは避は難い。

第５図はかかる従来の手段で極力清浄に保ったＡＪＧａ
Ａｓ層の上に次のｋｌＱＢＡ３層を気相成長させて製作
した半導体レーザの特性例を示すものである。

図示のように発光に対するしきい値電流が１０（ｌａＡ
以上であり、またこのしきい値にかなりのばらつきが見
られる。またこの半導体レーザのダイオードとしての特
性面から見ると、動作中の順方向電圧が４ｖ前後と比較
的高い。この原因は、エピタキシャル気相成長がその下
地の表面状態に非常に敏感であるため、エツチング層結
晶性が僅かな下地表面上の不純物の存在により影響され
て、これが特性面に反映されて来るものと考えられる。

かかる問題の認識に立脚して、本発明はホトエツチング
等で半導体層表面に以後の気相成長に対して望ましくな
い被膜が生成しても、該被膜を除去して清浄な表面上に
質の良い気相成長層を積むことができる半導体層の気相
成長方法を得ることを目的とする。

ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明によれば、この目的は気相成長手段として気相成
長室とは別個にドライエツチング手段を備えた前処理室
を設けるとともに、ウェハを前処理室と気相成長室との
間で移送するウニ／Ｓ移送手段と前処理室と気相成長室
とを相互に連通、隔離可能な開閉弁手段とを設け、これ
を用いる気相成長方法として、前処理室にウェハを装入
し開閉弁手段を閉じて気相成長室とは隔離された雰囲気
内でドライエツチング手段により半導体層を気相成長さ
せるべきウェハ面をあらかじめ清浄化する前処理工程と
、該工程後開閉弁手段を開き前処理室と気相成長室を連
通させた状態でウェハ移送手段によりウェハを前処理室
から気相成長室に移送する移送工程と、該工程後に開閉
弁手段を閉じた状態でウェハ上に所定の半導体層を気相
成長させる成長工程とを含ませることによって達成され
る。

〔作用〕

上記の本発明のもつ構成のもつ作用を第１図を参照しな
がら説明する。

同図ｆａｌでは気相成長室は１０で前処理室は３０で示
されており、両者はいずれも密閉室であって開閉弁手段
５０を介して相互に連通または隔離可能に相互接続され
る。気相成長室１０のまわりには高周波コイル１１が配
置されており、反応ガスＧは気相成長室１０の反応ガス
人口１０ａから供給され、反応ずみガスＧｅは反応ガス
出口１０ｂから導出される。前処理室３０内にはドライ
エツチング手段４０が組み込まれており、同室はウェハ
装出入口３１とターボ分子ポンプ等の真空ポンプ■に接
続された排気口３２を備える。ドライエツチング手段と
してはアトムガンやイオンガン等を用いることができる
が、ウェハ表面上の電荷蓄積がない点でアトムガンを利
用するのが望ましい。

気相成長させるべきウェハＷはキャリアＣに乗せられ、
該キャリアＣはウェハ移送手段７０により気相成長室１
０と前処理室３０との間で移送される。

該ウェハ移送手段７０は例えば図示のような磁気チャッ
ク式のものであってよく、この形式のものでは半密閉の
非磁性の案内管７１内のロッド７２に固定されて案内管
７１内を図の左右方向に移動可能な永久磁石７３と案内
管７１の外部に配されたリング状の操作子７４との磁気
結合を利用して、永久磁石７３を図の矢印のように左右
方向に操作することにより、永久磁石７３従って案内管
７１の先端のフック７０ａを移動させて該フック７０ａ
に係合されたキャリアＣを図の左右方向に移動させ得る
ようになっている。

前記本発明の構成にいう前処理工程では、キャリアＣを
前処理室３０内に位置させかつ開閉弁手段５０を閉とし
て気相成長室と前処理室間を隔離した状態で処理すべき
ウェハＷをウェハ装出入口３１からキャリアＣ上に装入
し、まず真空ポンプ■によって前処理室３０内を例えば
１Ｏ−ＳＴｏｒｒ以下の高真空に排気する。ついで、例
えばアルゴンガスをごく微量前処理室に流してその真空
度を１０−’　Ｔｏｒｒ前後に保ちながら、同じアルゴ
ンガスをドライエツチング手段４０に供給して該ドライ
エツチング手段としてのアトムガンから高速アルゴン原
子Ａを発生させてそれによってウェハＷの上面をドライ
エツチングによって清浄化する。この清浄化終了後、前
処理室を１気圧の水素ガスで置換しておくのがよい。次
の移送工程ではまず開閉弁手段５０を開き、ウェハ移送
手段７０の永久磁石７３を操作してキャリアＣを気相成
長室１０内に移動させた上で、そのロッド７２を元の位
置に復帰させて再び開閉弁手段５０を閉じる。この際、
フック７０ａとキャリアＣとの保合を切るには例えば永
久磁石７３を少しく回転させることでよい。続く成長工
程では、前述の開閉弁手段５０の閉状態のままで従来技
術におけると同様に反応ガスの供給下で所定半導体層を
気相成長させる。この工程終了後は開閉弁手段５０とウ
ェハ移送手段７０を上述とは逆の順序で操作しながらキ
ャリアＣを前処理室３０に移し、ウェハＷをウェハ装出
入口３１から取り出せばよい。

以上の工程により、ウェハＷは気相成長に先立って前処
理室４０内でその表面がドライエツチング手段４０によ
り清浄化され、かつ表面が清浄な状態のままで気相成長
室に移されてその上に気相成長がなされるので、気相成
長された半導体層としては酸化膜等に影響されることな
く正しい結晶構造をもつ高品質のエピタキシャル層が得
られることとなり、前記の課題が解決される。

第１図（ｂｌは気相成長室１０として縦形のものを用い
たときの本発明の構成図である。この場合はウェハ移送
手段の一部として中継室２０が気相成長室１０と前処理
室３０との間に設けられており、これに応じて開閉弁手
段として前処理室３０と中継室２０の間の第１の開閉弁
手段５０と中継室２０と気相成長室１０の間の第２の開
閉弁手段６０とが設けられる。また、ウェハ移送手段と
してもウェハＷを前処理室３０と中継室２０間で移送す
る第１のウェハ移送手段７０と中継室２０と気相成長室
１０の間で移送する第２のウェハ移送手段８０とが設け
られる。第２のウェハ移送手段８０はウェハＷが載置さ
れるサセプタＳを図示のような上下、方向等に操作する
もので、これとほぼ同じ構造の第３のウェハ移送手段９
０が第１のウェハ移送手段７０との関連で設けられてい
る。

これらの詳しい構造については次項で説明する。

〔実施例〕 以下、第２図および第３図を参照しながら本発明の詳細
な説明する。第２図は前の第１図（ｂ）に対応する具体
構造図であるが、気相成長室１ｏに関しては簡略に示さ
れていることを諒解されたい。

第２図の左上部には気相成長室１０の下部が示されてい
る。この気相成長室１０自体は例えばガラス管であって
、接続体１２とパツキン１２ａを介して気密に結合され
、かつ該接続体１２を介して中継室２０と結合されてい
る。接続体１２は反応ガスの排出口１２ｂとその下方に
示されたサセプタＳを通過させる開口１２ｃを備える。

中継室２０は筒状体として構成され、その上側のフラン
ジにより気相成長室の１２と、右側のフランジにより第
１の開閉弁手段５０とそれぞれ結合されている。またそ
の下側のフランジは蓋体２１により密封閉鎖されており
、左側のフランジにのぞき窓２２が取り付けられている
。この中継室２０の中央部に示されたサセプタＳはその
下側に示された第２のウェハ移送手段８０により操作さ
れる。この第２のウェハ移送手段８０はサセプタＳをそ
のロッド８１を介して図の上方に操作して気相成長室１
０内に移動させるためのもので、この実施例においては
該サセプタＳ上に置かれるウェハを気相成長室内での気
相成長中回転させる役目を兼ねている。ロッド８１は中
継室の蓋体２１によりその中間部を回転自在にかつ軸方
向摺動自在に支承され、その下端を可動板体８２により
回転自在に受けられている。該可動板体８２は図の上下
方向についてはロッド８１の下端に固定されており、中
継室の蓋体２１に上端が固定された案内棒８３により上
下方向移動自在に案内されている。ねじ棒８４は上端が
蓋体２１により軸支され、下端が可動板体８２に固定さ
れたねじ８２ｂに螺合されており、その先端が移送モー
タ８５と歯車結合されている。従って、該移送モータ８
５によりねじ棒８４が回転駆動されたとき、可動板体８
２は図で矢印で示すように上下方向に操作される。この
際、ロッド８１も可動板体８２とともに上下方向に操作
されるが、これによって中継室２０の気密が破れないよ
うロッド８１の周囲は伸縮自在なベローズ８１ａにより
気密に覆われており、その可動板体８２による下端の軸
支部には磁性流体シール８１ｂが設けられている。可動
板体８２により支承された回動モータ８６はロッド８１
の下端と歯車結合され、ロッド８１の頂部先端のサセプ
タＳ上のウェハを前述のように回動させる役目を果たす
。

この実施例における第２の開閉弁手段６０の弁体６１は
０リング６２を備える平板状のもので、ロッド８１に回
転自在に支承され、その軸方向に関しては係止されてい
る。また、この弁体６１は気相成長室の接続体１２と中
継室の蓋体２１とに上下端が固定された案内棒６４によ
り図の上下方向摺動自在に案内されている。弁体６１に
対応する弁座６３は接続体１２の下面であり、移送モー
タ８５によりサセプタＳがロッド８１を介して図の上方
に向けて操作されて気相成長室の中に押し込まれたとき
、弁体６１も同時に上方に操作されそのＱ　ＩＪソング
２が弁座６３に押し付けられて第２の開閉弁手段６０が
閉操作される。

この実施例におけるもう一方の第１の開閉弁手段５０は
いわゆるゲートバルブであって、フランジ５１を介して
中継室２０と前処理室３０との間に挿入され、空気操作
器５２やハンドル５３によって開閉操作される。

前処理室３０はもちろん密閉可能な真空容器であり、そ
の上部の開口からドライエツチング手段として例えばア
トムガンが内部に組み込まれている。

その図の奥の方にはウェハ装出入口３１が設、−「られ
、排気口３２は図示のように右方に向けて開口している
。その右側のフランジには磁気チャック式の第１のウェ
ハ移送手段７０が取り付けられており、その案内管７１
の外側の操作子７４により図の左右方向に操作されるロ
ッド７２の先端にはフォーク７０ｂが取り付けられてい
る。ウェハはこのフォーク７０ｂ上に乗せられて移送さ
れるが、ウェハに対するドライエツチング手段４０によ
る処理のために別のサセプタＳが前処理室３０内に設け
られており、前に説明した第２のウェハ移送手段８０と
ほぼ同構成の第３のウェハ移送手段９０により上下方向
に移動されかつ回動される。この第３のウェハ移送手段
９０には、前と同様にロッド９１．可動板体９２．案内
棒９３、ねじ棒９４．上下操作モータ９５１回動モータ
９６等が設けられており、ロッド９１に対する軸封には
磁性流体シール９１ａが用いられている。その動作は第
２のウェハ移送手段の場合と同じであるから説明を省く
。

この装置を用いる気相成長作業に当たっては、まず第３
のウェハ移送手段９０の上下操作モータ９５を操作して
サセプタＳを図示の位置よりも下げておいた状態で、前
処理室３０のウェハ装出入口３１からウェハをサセプタ
Ｓ上に装入する。ついで、第１の開閉弁手段５０を閉に
して真空ポンプにより排気口３２から前処理室３０の内
部を１０−’　Ｔｏｒｒ以下の高真空に一旦排気する。

次にアルゴンガスをアトムガン４０に供給しかつそれか
ら微量のアルゴンガスを漏出させた状態で前処理室３０
内を１０−’　Ｔｏｒｒ前後の真空度に保ち、第３のウ
ェハ移送手段９０の上下操作モータ９５を操作してサセ
プタＳを図示のように持ち上げてその上のウェハをアト
ムガンの近くに位置させる。この状態でアトムガン４０
に所定の高電圧を与えてアルゴン原子をウェハに向けて
照射させ、回動モータ９６によりサセプタＳ上のウェハ
を回転させながら数分程度アルゴン原子によりウェハの
上面を均一に清浄化する。清浄化の終了後アトムガンへ
の、給電とウェハの回動を停め、上下操作モータ９５に
よりサセプタＳの位置をフォーク７０ｂの位置より下げ
ることにより、ウェハをサセプタＳからフォーク７０ｂ
の上に移し変える。アトムガン４０への給電を断った後
は水素ガラスを前処理室３０内に導入して大気圧に戻す
ことによりウェハ面の清浄度を維持させるのがよい。

上と並行して、第２のウェハ移送手段８０の移送モータ
８５を操作して中継室２０のサセプタＳの位置を図示の
ように最低位置に下げて置く。この状態で第１の開閉弁
手段５０を開操作して前処理室３０と中継室２０とを連
通させる。もちろん、この状態では第２の開閉弁手段６
０も開状態にあるから、気相成長室１０も中継室２０と
連通している。次に第１のウェハ移送手段７０の操作子
７４を操作して、フォーク７０ｂ上のウェハを中継室２
０内に移送してそのサセプタＳの上方に位置させた後、
第２のウェハ移送手段の移送モータ８５を操作してサセ
プタＳを上方に持ち上げると、フォーク７０ｂ上のウェ
ハがサセプタＳ上に移し変えられる。この移し変えをの
ぞき窓２２から確認後一旦サセプタＳの上方への移動を
停め、第１のウェハ移送手段７０の操作子７４を操作し
てフォーク７０ｂを前処理室３０内に引き戻した後第１
の開閉弁手段５０を閉操作する。ついで、第２のウェハ
移送手段の移送モータ８５を操作してサセプタＳを再び
上方に移動させると、サセプタＳ上のウェハが気相成長
室１０内に装入され、かつ第２の開閉弁手段６０が閉じ
られるので、操作を移送モータ８５から回動モータ８６
に切り換えてサセプタＳ上のウェハの気相成長室１０内
での回動を開始させる。以後のウェハへの気相成長の作
業は従来と同じ要領でよく、エピタキシャル気相成長層
を所望の厚みおよび所定の層数だけ成長させればよい。

気相成長作業終了後は前記と逆の手順で移送手段や第１
の開閉弁手段を操作することにより前処理室３０のウェ
ハ装出入口３１から気相成長ずみウェハを外部に取り出
すことができる。

第３図は第２図に示された装置を実験ｖｔ置として半導
体層を気相成長させた半導体レーザの特性測定結果を示
すものである。図示のように発光に対する注入電流のし
きい値はほぼ５０ｍＡと従来方法による値と比べて半減
し、そのばらつきも非常に少なくなっている。また半導
体レーザの発光動作中の順電圧降下の測定結果も２■程
度であって、これも従来と比べてほぼ半減されることが
わかった。これらの結果から一旦エッチング処理された
ウェハ面が本発明方法の実施により充分清浄化され、そ
の上にエピタキシャル層が有害な介在物なしに正しい結
晶構造で気相成長されたものと考えられる。

以上説明した実施例のほか、本発明は種々の態様で実施
をすることができる。ドライエツチング手段としては前
述のアトムガンのほかイオンガンないしはイオンソース
を用いることもできるが、基板が半絶縁性の場合はイオ
ンによって基板が帯電しやすくエツチング速度が時間の
経過とともに短時間内に減少する傾向があり、かつエツ
チングにむらが出やすいので実施例のようにアトムガン
ないしはアトムソースとするのが望ましい。いずれの場
合も種々の形式のものが市販されているが、いわゆるサ
ドルフィールド形のものが装置が小形なので前処理室内
に組み込むのに便利である。本発明方法の実施に必要な
装置の構造についても、前に第２図に挙げた実施例のほ
か種々の形態の構造が可能である０例えば気相成長後の
ウェハの装置外への取り出しは実施例におけるように前
処理室から取り出すようにする要は必ずしもなく、適宜
の機構を追加することによって例えば中継室から取り出
すようにすることができる。このようにすれば、あるウ
ェハへの気相成長工程中に次のウェハを前処理室内で前
処理をしておくようにして、作業能率の向上を図ること
ができる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明方法では、気相
成長室でウェハに対する気相成長を行なう前に前処理室
内でドライエツチング手段によりウェハ表面をあらかじ
め清浄化しておき、この清浄化されたウェハをそのまま
の状態でウェハ移送手段と開閉弁手段とを操作すること
により、前処理室から気相成長室、移して清浄なウェハ
面一りに半導体層を気相成長させることができるので、
前工程におけるエツチング作業などでウェハ表面に酸化
膜などの望ましくない被膜が発生していても、それを除
去した上で正しい結晶構造をもつ半導体層をウェハ面上
に気相成長させることができる。

これによって微細構造を持ち半導体層の品質管理にｉ密
さがとくに要求される半導体レーザやＨＥＭＴなどの高
性能半導体デバイスの性能を安定化ないしは向上させ、
さらにそれらの製造歩留りを上げることができる。また
、本発明方法はＡ７ＧＢＡＳなどの酸化され易い元素を
含む半導体層の気相成長に適用して著効を発揮すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図から第３図までが本発明に関するもので、第１図
は本発明による半導体層の気相成長方法の実施に用いら
れる気相成長装置の原理構成図、第２図は第１図山）の
気相成長装置の具体構造図、第３図は本発明方法により
製作された半導体レーザの特性線図である。第４図は本
発明方法の適用対象として好適なダブルへテロ半導体レ
ーザの構成断面図、第５図は従来技術により製作された
第４図の半導体レーザの特性線図である。図において、
１：ＧａＡｓ基板、２，４，６：クラフド層としてのＡ
Ｉ　ＧａＡｓ層、３：活性層としてのＡｆＧａＡｓ層、
４ａ二酸化膜のできやすい面、５：狭窄層としてのＧａ
Ａｓ層、７：キャツプ層としてのＧａＡｓ層、８．９：
電極層、１０：気相成長室ないしはそれ用のガラス管、
１０ａ：反応ガス入口、１０ｂ：反応ガス出口、１１：
高周波コイル、１２：気相成長室の接続体、１２ｂ：反
応ガス出口、２０：中継室、２１：中継室の蓋体、２２
：のぞき窓、３０：前処理室、３１：ウェハ装出入口、
３２：排気口、４０ニドライ工ツチング手段ないしはア
トムガン、５０：開閉弁手段ないしは第１の開閉弁手段
、５１：第１の開閉弁手段のフランジ、５２：空気操作
器、５３：ハンドル、６０：第２の開閉弁手段、６１：
弁体、６２：０リング、６３：弁座、６４：案内棒、７
０：ウェハ移送手段ないしは第１のウェハ移送手段、７
０ａ：フソク、７０ｂ：フォーク、７１：案内管、７２
：ロッド、７３：永久磁石、７４：操作子、８０：第２
のウェハ移送手段、８１：ロッド、８１ａ：ベローズ、
８１ｂ：磁性流体シール、８２：可動板体、８２ａ：ね
じ、８３：案内棒、８４：ねじ棒、８５：移送モータ、
８６：回動モータ、９０：第３のウェハ移送手段、９１
：ロッド、９２：可動板体、９３：案内棒、９４：ねじ
棒、９５：上下操作モータ、９６：回動モータ、Ａ：原
子、ＡＧ：アルゴンガス、Ｃ：キャリア、Ｇ：反応ガス
、Ｇｅ：排出反応ガス、Ｓ：サセプタ、Ｖ：真空ポンプ
、Ｗ：ウェハ、である。 １．１間０８６３−２２０５１５（８）第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 気相成長室に反応ガスを供給し該室内でウェハ上に半導
   体層を成長させる方法であって、気相成長室とは別個に
   ドライエッチング手段を備えた前処理室を設けるととも
   に、ウェハを前処理室と気相成長室との間で移送するウ
   ェハ移送手段と前処理室と気相成長室とを相互に連通、
   隔離可能な開閉弁手段とを設け、前処理室にウェハを装
   入し開閉弁手段を閉じて気相成長室とは隔離された雰囲
   気内でドライエッチング手段により半導体層を気相成長
   させるべきウェハ面をあらかじめ清浄化する前処理工程
   と、該工程後開閉弁手段を開き前処理室と気相成長室を
   連通させた状態でウェハ移送手段によりウェハを前処理
   室から気相成長室に移送する移送工程と、該工程後に開
   閉弁手段を閉じた状態でウェハ上に所定の半導体層を気
   相成長させる成長工程とを含むことを特徴とする半導体
   層の気相成長方法。