JPS63216399A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、プリンＩ・回路基板の製造方法に関し、特
に、スルーホールの内部にめっきを行う工程に関する。

〔従来の技術〕

多層基板のスルーホールの内面に銅めっきを施すために
は、従来、孔あけした銅張り積層板にめっき核処理を施
し、薄く無電解銅めっきを行って電気的な導通を得た後
、電気めっきによって所望の厚さのめっきを行う方法が
とられてきた。しかし、実装密度が増すに伴いスルーポ
ール径が小さくなり、また積層数が増して板厚が厚くな
ると。

電気めっきではスルーホールの開口部付近で厚く奥にな
るにつれて薄くなるという現象が現れた。

この問題は無電解鋼めっきの採用によって解決できたが
、そのために他に新しい問題が生じた。

スルーホールの孔あけを行った銅張り積層板に対してめ
っき核を付与し、無電解めっきを全体に施し、スルーホ
ール内面の所要めっき層を完成させた後、エツチングに
よって表面回路パターンを形成ずろ方法では、スルーホ
ール内面に析出しな分と同じ厚さの銅が基板表面の銅箔
上にも析出する。したがって２回路パターン形成のため
のエツチング厚さが両者の和となり、エツチングの所要
時間が増だけてなく、サイドエツチングやアンダーカッ
トの影響が大きくなり２回路パターンの精度が低下する
。

この問題を解決する方法として、特開昭４８−８０［ｉ
２号公報にスルーホールあけ後、パターンエツチングを
行い、この後めっき核処理を施し次いで耐めっきツルグ
ーレジストを塗布して無電解めっきを行う方法が示され
ている。また、特開昭４８−８０６２号公報に、孔あけ
した銅張り積層板にめっき核処理を施しパターンエツチ
ングを行い、＃４めっきソルダーレジストを塗布した後
無電解鋼めっきを行う方法が示されている。さらに、特
開昭６１−７０７９０号公報に、孔あけした銅張り積層
板にめっき核処理を施し無電解鋼めっきをスルーホール
内面の所望厚さよりも薄く施し、パターンエツチングを
行い、耐めっきソルダーレジストを塗布した段歩なくと
もスルーホールの内面を所望厚さまでむ電解めっきする
方法が示されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

また。特開昭４８−８０６３号公報の方法では、パター
ン精度は高くなるが基材表面にめっき核金属粒子が残留
するため、マイグレーシリンを生じて回路パターン間の
絶縁性の低下が起こる。

また、特開昭４８−８０６２号公報の方法では２種々の
処理工程の間にめっき核の脱離や機能低下がおこる。

さらに、特開昭６１−７０７９０号公報の方法では。

めっきを２回行うことになり工程が煩雑である。

この発明はかかる問題点を解決するｔコめになされたも
ので、パターンエツチングや耐めっきレジストパターン
形成の際の諸工程におけるめっき核の脱離２機能低下を
防ぎ、めっき工程が１回だけでも、スルーホール内部に
めっき可能なプリント回路基板の製造方法を得ることを
目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明のプリント回路基板の製造方法は、銅張り積層
板ににスルーホールを穿孔する工程、鋼張り積層板にエ
ツチングにより回路バクーンヲ形成する工程、銅張り８
！！唐板におけるめっきされない部分を無電解めっきレ
ジストを用いてマスキングする工程、上記３工程を施し
た後、めっき核となりうる金属の塩を還元可能で、光に
よりその還元能力を失う性質を有する金属塩還元物質層
を銅張り積層板に設ける工程、銅張り積層板ににスルー
ホールの金属還元物質層を残すように光照射する工程、
光照射後、めっき核となり得ろ金属の塩層を、鋼張り積
層板に設けてスルーホールにめっき核を生成する工程、
スルーホールにめっき核を生成した銅張り積層板にに無
電解めっきを行う工程を施すものである。

〔作　用〕

この発明によるプリント回路基板の製造方法によれば、
絶縁体上にめっきを行うために必要なめっき核が、めっ
き直前の工程においてスルーホール内のみに選択的に付
与されるため、めっき核の脱離や低機能化はおこらず、
また基板上にめっき核が残存しないためマイグレーショ
ンによる絶縁性低下もおこらない。まためっき工程は一
回だけでよい。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を工程順に示す断面図で２
図において、（１）は銅張Ｍ！板、（２）はスルー・ホ
ール、（３）は無電解めっきレジスｌ−、＋４１は金属
塩還元物質層、（５）は金属の塩層、（６）はめっき核
。

（７）は無電解めっき層である。即ち、工程Ａにおいて
鋼張ｍｓ板（１１に対してスルー・ホール（２）を孔あ
けし１次に工程Ｂにおいてエツチングにより回路パター
ンを形成する。この際、スルー・ホール内にはエツチン
グによって除去される銅めっき層やめっき核金属粒子が
存在しないため、穴埋めインクによるスルー・ホール穴
埋めやドライフィルムレジストによるテンティングは必
要ではない。工程Ｃにおいてアルカリ性であるめっき条
件に無電解めっきレジスｌ−＋３１によって、スルー・
ホール内。

ランド、端子等のめっきを必要とする部分以外のマスキ
ングを行う。続いて工程りでは、めっき核となりうる金
属の塩を還元することが可能な物質で、光、特に紫外光
の作用によりその還元能力を失う金属塩ａ先物ｆｆ１層
（４）を例えば浸漬法又は塗布によって鋼張積層板に設
けた後、乾燥を行う。めっき核となる金属の塩を還元ず
ろことが可能で。

その還元能力を光の作用によって失う物質としては２例
えば塩化第一すず（ＳｎＣＩ２）があげられる。

還元力を有する２価のすずイオンは、刊行物（ＰＩａｎ
ｔｉｎｇ、５８，７８６（１９７１）やＪ、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｅｈｅｍ、Ｓｏｃ、、−リＪ（１０）　、　１６９
５　（１９７１）　ｌに示されるように、紫外光。

特に２５４ｎｍ以下の短波長光の作用によって光酸化反
応を受けて、還元力を有しない４価のすずイオンになる
。

工ｉＥにおいて鋼張積層板に光をスルーホールの金属塩
還元物質を残すように照射する。基板上の上記金属塩還
元物質の還元能力を失活させる。

このとき、スルーホール内には光（よ照射されないため
、フォＩ・マスク等による光の遮蔽は必要でない。また
ランド、＠子部分は金属調が露出しているため、めっき
核が付着していなくても無電解めっきは可能である。こ
の後必要に応じて水洗と乾燥を行い、工程Ｆにおいて、
めっき核となる金、：・４の塩層（５）を塗布または浸
漬によって鋼張積層板（１）に設けさせることによって
、スルーホール内のみで、めっき核となる金属の塩の還
元反応を選択的に行わせて、めっき核（６）を析出させ
る。

めっき核となり得る金属の塩溶液としては、塩化パラジ
ウム、硫酸銅、酢酸銅、塩化銀等の水溶液があげられる
。

工程Ｇにおいて十分な水洗を行って、スルーホール以外
の光の作用によって失活した金属塩還元物質及びめっき
核金属の塩を除去後、乾燥を行う。

最後に工程■■において前記基板を無電解めっき浴に浸
漬しｐＷＴ望の厚さまで無電解めっきを行い。

無電解めっき層（７）を設ける。めっきの最終厚さは信
頼性の点から老犬て、１５μｎ】以上とすることが望ま
しい。

なお、無電解めっきレジストを用いてマスキングする工
程を施した後、鋼張り積層板にスルーホールを穿孔する
工程を施す他は第１図に示す上記実施例のように行うと
、無電解めっきレジストとして高密度配線基板に用いら
れる液状の耐めっきレジストを用いてモ、スルーホール
内にレジストが入りこみ、めっき不良を起こすことがな
いという効果も生じる。その場合の工程順を第２図に示
す。図において（１）〜（７）は第１図と同様であり、
（８）はランド部分である。

〔発明の効果〕

以上説明したとおり、この発明は銅張り積層板にスルー
ボールを穿孔する工程、銅張り積層板にエツチング回路
パターンを形成する工程、銅張り積層板におけるめっき
されない部分を無電解めっきレジストを用いてマスキン
グする工程、上記３工程を施した後、めっき核となりう
る金属の塩を還元可能で、光によりその還元能力を失う
性質を有ずろ金属塩還元物質層を銅張り積層板に設ける
工程、鋼張り積層板にスルーホールの金属塩還元物質層
を残すように光照射する工程、光照射後めっき核となり
得る金属の塩層を、鋼張り積層板に設けてスルーポール
にめっき核を生成する工程。

スルーホールにめっき核を生成した鋼張り積層板に無電
解めっきを行う工程を施すことにより、諸工程におけろ
めっき核の脱離２機能低下を防ぎ。

めっき工程が１回だけでも、スルーホール内部にめっき
可能なプリント回路基板の製造方法を得ろことができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のプリント回路基板の製造方法の一
実施例を工程順に示す断面図、第２図は。 この発明の他の実施例を工程順に示す断面図である。 図において、（１）は鋼張積層板、（２）はスルーホー
ル、（３）は無電解めっきレジスｌ−、Ｉ４１は金属塩
還元物質層、（５）は金属の塩層、（６）はめっき核、
（７）は無電解めっき層である。 なお、各図中同一符号１ま同−又ｊよ相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 銅張り積層板にスルーホールを穿孔する工程、銅張り積
   層板にエッチングにより回路パターンを形成する工程、
   銅張り積層板におけるめっきされない部分を無電解めっ
   きレジストを用いてマスキングする工程、上記３工程を
   施した後、メッキ核となりうる金属の塩を還元可能で、
   光によりその還元能力を失う性質を有する金属塩還元物
   質層を銅張り積層板に設ける工程、銅張り積層板にスル
   ーホールの金属還元物質層を残すように光照射する工程
   、光照射後、めっき核となり得る金属の塩層を、銅張り
   積層板に設けてスルーホールにめっき核を生成する工程
   ３スルーホールにめっき核を生成した銅張り積層板に無
   電解めっきを行う工程を施すプリント回路基板の製造方
   法。