JPS63216246A - ガスフエ−ズイオン源 - Google Patents
ガスフエ−ズイオン源Info
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- JPS63216246A JPS63216246A JP4818187A JP4818187A JPS63216246A JP S63216246 A JPS63216246 A JP S63216246A JP 4818187 A JP4818187 A JP 4818187A JP 4818187 A JP4818187 A JP 4818187A JP S63216246 A JPS63216246 A JP S63216246A
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- emitter
- gas
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- ion source
- phase ion
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はガスフェーズイオン源に関し、特にイオンビー
ムの安定化を図ったガスフェーズイオン源に関する。
ムの安定化を図ったガスフェーズイオン源に関する。
［従来技術］
近時、イオンビーム描画装置にガスフェーズイオン源が
用いられるようになった。このガスフェーズイオン源は
、先端が鋭くされたエミッターを例えば液体ヘリウム温
度にに冷却すると共に、該エミッタ先端部にヘリウムガ
スを供給し、先端に付着したヘリウムガス分子を電界に
よって電離させ、イオン化するようにしている。
用いられるようになった。このガスフェーズイオン源は
、先端が鋭くされたエミッターを例えば液体ヘリウム温
度にに冷却すると共に、該エミッタ先端部にヘリウムガ
スを供給し、先端に付着したヘリウムガス分子を電界に
よって電離させ、イオン化するようにしている。
第６図はこのようなガスフェーズイオン源の従来装置を
示すもので、１はタングステン（Ｗ）で形成されたエミ
ッタ、２は例えば銅（Ｃｕ）で形成されたホルダー、３
はサフアイヤで形成された電気絶縁性熱伝導部材、４は
液体ヘリウム５が収納された冷媒槽、６はエミッタ１に
対向して配置された引出し電極である。７は引出し電極
６等を支持する絶縁部材で形成された支持部材、８はエ
ミッタ１の周囲にヘリウムガスを供給するガス導入パイ
プである。
示すもので、１はタングステン（Ｗ）で形成されたエミ
ッタ、２は例えば銅（Ｃｕ）で形成されたホルダー、３
はサフアイヤで形成された電気絶縁性熱伝導部材、４は
液体ヘリウム５が収納された冷媒槽、６はエミッタ１に
対向して配置された引出し電極である。７は引出し電極
６等を支持する絶縁部材で形成された支持部材、８はエ
ミッタ１の周囲にヘリウムガスを供給するガス導入パイ
プである。
このような構成において、ガス導入バイブ８を介してエ
ミッタ１の周囲に導入されたヘリウムのガス分子は、４
°に程度に冷却されたエミッタ１の先端に付着した後、
該エミッタ先端に印加された強電界によって電離され、
生成されたイオンは引出し電極６によって引出されて加
速される。
ミッタ１の周囲に導入されたヘリウムのガス分子は、４
°に程度に冷却されたエミッタ１の先端に付着した後、
該エミッタ先端に印加された強電界によって電離され、
生成されたイオンは引出し電極６によって引出されて加
速される。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、このように構成された従来のガスフェーズイ
オン源においては、その構造上からエミッタ１とガス導
入バイブ８とが比較的離れて配置されているため、エミ
ッタ先端部近傍におけるガスの流れが変動し、エミッタ
先端部に単位時間に付着するガス分子の量が変化して安
定したイオン生成を行なうことができなかった。
オン源においては、その構造上からエミッタ１とガス導
入バイブ８とが比較的離れて配置されているため、エミ
ッタ先端部近傍におけるガスの流れが変動し、エミッタ
先端部に単位時間に付着するガス分子の量が変化して安
定したイオン生成を行なうことができなかった。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、エミッタ先端
に付着するガス分子の凹を一定にして安定したイオン生
成を行ない得るガスフェーズイオン源を提供することを
目的としている。
に付着するガス分子の凹を一定にして安定したイオン生
成を行ない得るガスフェーズイオン源を提供することを
目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本目的を達成するための本発明は、極低温に冷却された
ホルダーに保持され、周囲にイオン化されるガスが供給
されるエミッタと、該エミッタに対向して配置された引
出し７４１Ｕとを備えたガスフェーズイオン源において
、前記ホルダーに前記ガスをエミッタ先端部まで導くた
めの導入孔を穿ったことを特徴としている。
ホルダーに保持され、周囲にイオン化されるガスが供給
されるエミッタと、該エミッタに対向して配置された引
出し７４１Ｕとを備えたガスフェーズイオン源において
、前記ホルダーに前記ガスをエミッタ先端部まで導くた
めの導入孔を穿ったことを特徴としている。
［実施例］
以下本発明の実施例を図面に基づき詳述する。
第１図は本発明の一実施例の構成図で、第２図は第１図
に示す実施例装置の要部を拡大した図である。尚、第１
図に示す実施例装置においては、第６図に示す従来装置
と同一構成要素には同一番尼を付してその説明を省略す
る。第１図及び第２図において、１０は例えば外形１ｍ
ｍφで内部に０．５ｍｍφのガス導入孔１０ａを有する
エミッタ、１１は内部を貫通するガス導入孔１１ａが穿
たれたボルダ−で、該ガス導入孔１０ａは第３図に示す
ようにエミッタ１１の中心部に形成されている。
に示す実施例装置の要部を拡大した図である。尚、第１
図に示す実施例装置においては、第６図に示す従来装置
と同一構成要素には同一番尼を付してその説明を省略す
る。第１図及び第２図において、１０は例えば外形１ｍ
ｍφで内部に０．５ｍｍφのガス導入孔１０ａを有する
エミッタ、１１は内部を貫通するガス導入孔１１ａが穿
たれたボルダ−で、該ガス導入孔１０ａは第３図に示す
ようにエミッタ１１の中心部に形成されている。
このように構成されたガスフェーズイオン源においては
、ガス導入バイブ８を介して導入されたヘリウムのガス
分子は、ガス導入孔１１ａ及びガス導入孔１０ａを通っ
てエミッタ１の先端に付着した後、該エミッタ先端に印
加された強電界によって電離されて生成される。
、ガス導入バイブ８を介して導入されたヘリウムのガス
分子は、ガス導入孔１１ａ及びガス導入孔１０ａを通っ
てエミッタ１の先端に付着した後、該エミッタ先端に印
加された強電界によって電離されて生成される。
さて、このように構成されたガスフェーズイオン源にお
いては、エミッタ１０とガス導入バイブ８とがガス導入
孔によって接続されている。そのため、従来装置のよう
にエミッタ先端近傍におけるガスの流れが変化すること
はなく、エミッタ先端部に付着するガス分子の量が一定
するため安定したイオン生成を行なうことができる。更
に、ホルダー１１内のガス導入孔１１を通過する過程で
ガスが極低温に冷却される。そのため、各種のガス分子
は冷却部と室温では温度勾配があるので、該ガス分子（
主に水分）は冷却部に引き寄せられて付着するため不純
物が混入することが防止される。
いては、エミッタ１０とガス導入バイブ８とがガス導入
孔によって接続されている。そのため、従来装置のよう
にエミッタ先端近傍におけるガスの流れが変化すること
はなく、エミッタ先端部に付着するガス分子の量が一定
するため安定したイオン生成を行なうことができる。更
に、ホルダー１１内のガス導入孔１１を通過する過程で
ガスが極低温に冷却される。そのため、各種のガス分子
は冷却部と室温では温度勾配があるので、該ガス分子（
主に水分）は冷却部に引き寄せられて付着するため不純
物が混入することが防止される。
第４図は本発明の他の実施例の構成断面図である。第４
図において、１２はガス導入孔１２ａと１２ｂを有する
ホルダーで、該ホルダー１２は第５図に示すようにホル
ダー１２に設けられたエミッタ１の周囲に、例えば４か
所のガス導入孔１２ｂが形成されており、該ガス導入孔
１２ａと１２ｂは連通している。
図において、１２はガス導入孔１２ａと１２ｂを有する
ホルダーで、該ホルダー１２は第５図に示すようにホル
ダー１２に設けられたエミッタ１の周囲に、例えば４か
所のガス導入孔１２ｂが形成されており、該ガス導入孔
１２ａと１２ｂは連通している。
このように構成されたガスフェーズイオン源においては
、ガス導入バイブ８を介して導入されたヘリウムガスは
、ガス導入孔１２ａ及びエミッタ１の周囲に形成された
４か所のガス導入孔１２ｂを通ってエミッタ１の近傍に
導入されるため、このような装置においてもエミッタ先
端部に付着するガス分子の吊が一定となり安定したイオ
ン生成を行なうことができる。
、ガス導入バイブ８を介して導入されたヘリウムガスは
、ガス導入孔１２ａ及びエミッタ１の周囲に形成された
４か所のガス導入孔１２ｂを通ってエミッタ１の近傍に
導入されるため、このような装置においてもエミッタ先
端部に付着するガス分子の吊が一定となり安定したイオ
ン生成を行なうことができる。
尚、上記実施例は例示であり、ガス導入孔１２ｂが形成
されたホルダー１２にガス導入孔１０ａが形成されたエ
ミッタ１０を取り付（）て使用するようにしても良い。
されたホルダー１２にガス導入孔１０ａが形成されたエ
ミッタ１０を取り付（）て使用するようにしても良い。
ＥＲ明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、エミッタ先端に単
位時間に付着するガス分子の母を一定にし、安定したイ
オン生成を行ない得るガスフェーズイオン源が提供され
る。
位時間に付着するガス分子の母を一定にし、安定したイ
オン生成を行ない得るガスフェーズイオン源が提供され
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図に
示す実施例の要部の断面図、第３図はエミッタを光軸下
方より見た図、第４図は本発明の他の実施例の要部を示
す断面図、第５図は第４図に示すエミッタを光軸下方よ
り見た図、第６図は従来装置を説明するための構成図で
ある。 １：エミッタ、２：ホルダー、３：熱伝導部材、４：冷
媒槽、５：液体ヘリウム、６：引出し電極、７：支持部
材、８：ガス導入パイプ、１０：エミッタ、１１．１２
：ホルダー。 特許出願人 日本電子株式会社 第５図 ７２ら
示す実施例の要部の断面図、第３図はエミッタを光軸下
方より見た図、第４図は本発明の他の実施例の要部を示
す断面図、第５図は第４図に示すエミッタを光軸下方よ
り見た図、第６図は従来装置を説明するための構成図で
ある。 １：エミッタ、２：ホルダー、３：熱伝導部材、４：冷
媒槽、５：液体ヘリウム、６：引出し電極、７：支持部
材、８：ガス導入パイプ、１０：エミッタ、１１．１２
：ホルダー。 特許出願人 日本電子株式会社 第５図 ７２ら
Claims (1)
- 極低温に冷却されたホルダーに保持され、周囲にイオン
化されるガスが供給されるエミッタと、該エミッタに対
向して配置された引出し電極とを備えたガスフェーズイ
オン源において、前記ホルダーに前記ガスをエミッタ先
端部まで導くための導入孔を穿ったことを特徴とするガ
スフェーズイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4818187A JPS63216246A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | ガスフエ−ズイオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4818187A JPS63216246A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | ガスフエ−ズイオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216246A true JPS63216246A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12796213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4818187A Pending JPS63216246A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | ガスフエ−ズイオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334663A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Vacuum Products Kk | 荷電粒子発生装置及びその発生方法 |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP4818187A patent/JPS63216246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334663A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Vacuum Products Kk | 荷電粒子発生装置及びその発生方法 |
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